JPH0466021B2 - - Google Patents
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- JPH0466021B2 JPH0466021B2 JP58149034A JP14903483A JPH0466021B2 JP H0466021 B2 JPH0466021 B2 JP H0466021B2 JP 58149034 A JP58149034 A JP 58149034A JP 14903483 A JP14903483 A JP 14903483A JP H0466021 B2 JPH0466021 B2 JP H0466021B2
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- pattern
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- heating
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- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 3
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 3
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明はポジ型ホトレジストパターンの変形防
止方法にかかわり、特に熱による変形に対して好
適な変形防止方法に関するものである。
止方法にかかわり、特に熱による変形に対して好
適な変形防止方法に関するものである。
ホトレジスト膜のパターン形成は、一般には、
（）ホトレジスト塗布、（）プリベーク、（）
パターン焼付、（）現像の各工程を通すことに
より行われる。ところが、ホトレジスト膜の耐エ
ツチング性、耐めつき性を向上させる目的で、現
像後に加熱する、いわゆるポストベークなどの加
熱工程を通すと、ホトレジスト膜に形成したパタ
ーンに変形が生じる。第１図に、このパターンの
断面形状の変化をモデル的に示す。すなわち、現
像後には第１図ａに示すように矩形であつたパタ
ーン１の断面形状は、加熱により第１図ｂに示す
ように半円状に変化する。このとき、パターンの
断面形状のみならず、パターンの幅２、パターン
の高さ３も変化する。例えば、ポジ型ホトレジス
トとして一般に使用されているAZ1350（シプレイ
社製）について現像後の加熱温度とパターン高さ
の減少率との関係を調べた結果が第２図である。
すなわち、加熱温度80℃付近からパターン高さの
減少が始まり、150℃付近では約25％も高さが減
少する。このように、ポストベーク等の加熱によ
りパターンが変形し、幅が変化すると、次工程で
エツチングを厳密に行なつたとしても、所定の線
幅のパターンを形成することはできない。また、
高さが変化すると、光デイスクのパターンのよう
にパターン高さを使用するレーザ光の波長の１／
ｎに正確に一致させる必要があるときなどでは、
極めて不都合である。さらに、断面形状が半円状
に変化すると、パターン間にめつきを成長させて
配線パターンを形成する場合、めつきによりでき
たパターンの断面形状も矩形とならず、上側の線
幅が下側の線幅より大きくなり、パターン幅の精
度低下、密着性等の信頼性の低下をきたす。ま
た、この状態でドライエツチングを行うと、エツ
チング中にホトレジストもエツチングされて線幅
が徐々に変化するため、正確な線幅のパターンを
形成することができない。このように、ホトレジ
ストのパターンが変形すると、それをもとにして
形成したパターンの精度低下など多くの不都合な
問題が生じる。一方、ポストベークをせずにパタ
ーン精度を確保しようとすると、ホトレジスト膜
の耐エツチング性、耐めつき性が不十分となり、
エツチング条件、エツチング液、めつき条件およ
びめつき液の選定範囲が極めて狭くなるという難
点がある。
（）ホトレジスト塗布、（）プリベーク、（）
パターン焼付、（）現像の各工程を通すことに
より行われる。ところが、ホトレジスト膜の耐エ
ツチング性、耐めつき性を向上させる目的で、現
像後に加熱する、いわゆるポストベークなどの加
熱工程を通すと、ホトレジスト膜に形成したパタ
ーンに変形が生じる。第１図に、このパターンの
断面形状の変化をモデル的に示す。すなわち、現
像後には第１図ａに示すように矩形であつたパタ
ーン１の断面形状は、加熱により第１図ｂに示す
ように半円状に変化する。このとき、パターンの
断面形状のみならず、パターンの幅２、パターン
の高さ３も変化する。例えば、ポジ型ホトレジス
トとして一般に使用されているAZ1350（シプレイ
社製）について現像後の加熱温度とパターン高さ
の減少率との関係を調べた結果が第２図である。
すなわち、加熱温度80℃付近からパターン高さの
減少が始まり、150℃付近では約25％も高さが減
少する。このように、ポストベーク等の加熱によ
りパターンが変形し、幅が変化すると、次工程で
エツチングを厳密に行なつたとしても、所定の線
幅のパターンを形成することはできない。また、
高さが変化すると、光デイスクのパターンのよう
にパターン高さを使用するレーザ光の波長の１／
ｎに正確に一致させる必要があるときなどでは、
極めて不都合である。さらに、断面形状が半円状
に変化すると、パターン間にめつきを成長させて
配線パターンを形成する場合、めつきによりでき
たパターンの断面形状も矩形とならず、上側の線
幅が下側の線幅より大きくなり、パターン幅の精
度低下、密着性等の信頼性の低下をきたす。ま
た、この状態でドライエツチングを行うと、エツ
チング中にホトレジストもエツチングされて線幅
が徐々に変化するため、正確な線幅のパターンを
形成することができない。このように、ホトレジ
ストのパターンが変形すると、それをもとにして
形成したパターンの精度低下など多くの不都合な
問題が生じる。一方、ポストベークをせずにパタ
ーン精度を確保しようとすると、ホトレジスト膜
の耐エツチング性、耐めつき性が不十分となり、
エツチング条件、エツチング液、めつき条件およ
びめつき液の選定範囲が極めて狭くなるという難
点がある。
本発明の目的は、上記した従来技術の問題点を
解決するため、ポジ型ホトレジスト膜に形成した
パターンの加熱による変形を防止する方法を提供
することにある。
解決するため、ポジ型ホトレジスト膜に形成した
パターンの加熱による変形を防止する方法を提供
することにある。
本発明によるホトレジストパターンの変形防止
方法は、露光、現像により所定のパターンを形成
したポジ型ホトレジスト膜に、0.5J／cm2以上の
照射量の紫外光を照射することを特徴とする。
方法は、露光、現像により所定のパターンを形成
したポジ型ホトレジスト膜に、0.5J／cm2以上の
照射量の紫外光を照射することを特徴とする。
本願発明者らは、ホトレジストのパターンの熱
による変形を防止する方法として、現像後のパタ
ーンに紫外光を照射し、その照射量と加熱後のパ
ターンの高さの減少率との関係について調べた。
その結果、第３図に示すように、0.5J／cm2以上
の照射量の紫外光を照射することにより、パター
ンの高さの減少を著しく低減できることが判明し
た。本発明は、この結果に基づいてなされたもの
である。
による変形を防止する方法として、現像後のパタ
ーンに紫外光を照射し、その照射量と加熱後のパ
ターンの高さの減少率との関係について調べた。
その結果、第３図に示すように、0.5J／cm2以上
の照射量の紫外光を照射することにより、パター
ンの高さの減少を著しく低減できることが判明し
た。本発明は、この結果に基づいてなされたもの
である。
紫外光の照射量は0.5J／cm2以上あればよいが、
さらに高精度のパターン形成を行う場合において
は、加熱温度が100℃のときは0.5J／cm2以上、
120℃のときは1J／cm2以上、150℃のときは2J／
cm2が好ましい。また、紫外光は、感光剤の分光
感度特性から5000Å以下の波長のものが好まし
く、さらに好ましくは2000Åから4500Åの波長の
紫外光がよい。
さらに高精度のパターン形成を行う場合において
は、加熱温度が100℃のときは0.5J／cm2以上、
120℃のときは1J／cm2以上、150℃のときは2J／
cm2が好ましい。また、紫外光は、感光剤の分光
感度特性から5000Å以下の波長のものが好まし
く、さらに好ましくは2000Åから4500Åの波長の
紫外光がよい。
上記した紫外光の照射は、上記のAZ1350のみ
ならず、ジアゾ化合物、アジド化合物を感光剤と
したホトレジストに対して、特に効果がある。
ならず、ジアゾ化合物、アジド化合物を感光剤と
したホトレジストに対して、特に効果がある。
上記の作用について種々検討の結果、紫外線照
射により、レジスト中の感光剤とベースレジンと
の間で反応が起こつて分子量の大きな生成物が生
じ、そのことにより、耐熱性が高く、熱変形（特
に高さの変形）の生じ難い特性が得られることが
わかつた。この反応は、次の反応式で表わされる
ものである。
射により、レジスト中の感光剤とベースレジンと
の間で反応が起こつて分子量の大きな生成物が生
じ、そのことにより、耐熱性が高く、熱変形（特
に高さの変形）の生じ難い特性が得られることが
わかつた。この反応は、次の反応式で表わされる
ものである。
そして、このような反応を起こす紫外線の照射量
としては、通常の露光時の照射量よりも10倍以上
大きい、0.5J／cm2以上必要なこともわかつた。
としては、通常の露光時の照射量よりも10倍以上
大きい、0.5J／cm2以上必要なこともわかつた。
〔発明の実施例〕
以下、本発明の実施例を説明する。
ガラス板上に、ポジ型ホトレジストAZ1350（シ
プレイ社製）を回転塗布し、2130Åのホトレジス
ト膜を形成した。このときの回転数は1200rpm、
回転時間は30秒である。次に、80℃でプリベーク
を行い、ついで露光、現像を行つて、幅10μｍの
線状パターンを形成した。その後、高圧水銀灯を
用いて、照射量が5J／cm2となるように紫外光を
照射した。照射量は365nmの波長で測定したもの
である。ついで、120℃で60分間加熱を行つた後、
パターンの高さを測定したところ2090Åであり、
高さの減少率はわずか２％であつた。これに対
し、紫外光の照射を行わないときは、加熱後のパ
ターンの高さは1910Åまで減少し、その減少率は
10％にも達しており、紫外光照射のパターンの熱
変形に対する著しい効果が表れていた。
プレイ社製）を回転塗布し、2130Åのホトレジス
ト膜を形成した。このときの回転数は1200rpm、
回転時間は30秒である。次に、80℃でプリベーク
を行い、ついで露光、現像を行つて、幅10μｍの
線状パターンを形成した。その後、高圧水銀灯を
用いて、照射量が5J／cm2となるように紫外光を
照射した。照射量は365nmの波長で測定したもの
である。ついで、120℃で60分間加熱を行つた後、
パターンの高さを測定したところ2090Åであり、
高さの減少率はわずか２％であつた。これに対
し、紫外光の照射を行わないときは、加熱後のパ
ターンの高さは1910Åまで減少し、その減少率は
10％にも達しており、紫外光照射のパターンの熱
変形に対する著しい効果が表れていた。
なお、パターンの断面形状についても、加熱後
も現像後と同様に矩形であり、パターンの幅も、
加熱により0.2μｍ程度変化したに過ぎなかつた。
も現像後と同様に矩形であり、パターンの幅も、
加熱により0.2μｍ程度変化したに過ぎなかつた。
本発明によれば、現像後の加熱によるポジ型ホ
トレジストのパターンの変形が防止でき、パター
ン幅の変化もなくなるため、高精度のパターンニ
ングが可能となる。また、パターンの高さの減少
もなくなるため、パターンの高さがレーザ光の波
長の１／ｎに正確に一致する精度の高い光デイス
クの製作が可能になるなどの優れた利点がある。
さらに、パターンの断面形状も現像後の矩形断面
が保持されるため、パターン間にめつきを成長さ
せて形成した配線パターンも矩形断面となり、寸
法精度、密着信頼性なども向上する。さらに、ド
ライエツチングに適用しても、矩形の精度のよい
パターンが形成できる。このようにパターンの変
形がなくなるため、高精度なパターンニングが可
能となるのほか、ポストベークを行うことによリ
ホトレジストの耐エツチング性、耐めつき性が向
上し、エツチング液ならびに条件、およびめつき
液ならびに条件の選定範囲が広くなり、高精度、
高品質なパターンが容易かつ経済的に作成可能と
なる。
トレジストのパターンの変形が防止でき、パター
ン幅の変化もなくなるため、高精度のパターンニ
ングが可能となる。また、パターンの高さの減少
もなくなるため、パターンの高さがレーザ光の波
長の１／ｎに正確に一致する精度の高い光デイス
クの製作が可能になるなどの優れた利点がある。
さらに、パターンの断面形状も現像後の矩形断面
が保持されるため、パターン間にめつきを成長さ
せて形成した配線パターンも矩形断面となり、寸
法精度、密着信頼性なども向上する。さらに、ド
ライエツチングに適用しても、矩形の精度のよい
パターンが形成できる。このようにパターンの変
形がなくなるため、高精度なパターンニングが可
能となるのほか、ポストベークを行うことによリ
ホトレジストの耐エツチング性、耐めつき性が向
上し、エツチング液ならびに条件、およびめつき
液ならびに条件の選定範囲が広くなり、高精度、
高品質なパターンが容易かつ経済的に作成可能と
なる。
第１図は加熱前後のパターン断面形状をモデル
的に示す断面図、第２図は現像後の加熱温度とパ
ターン高さの減少率との関係を示すグラフ、第３
図は紫外光の照射量とパターン高さの減少率との
関係を示すグラフである。 符号の説明、１……パターン、２……パターン
の幅、３……パターンの高さ。
的に示す断面図、第２図は現像後の加熱温度とパ
ターン高さの減少率との関係を示すグラフ、第３
図は紫外光の照射量とパターン高さの減少率との
関係を示すグラフである。 符号の説明、１……パターン、２……パターン
の幅、３……パターンの高さ。
Claims (1)
- １ 感光剤とベースレジンを含むポジ型レジスト
膜を露光、現像することにより所定のパターンを
形成し、その後0.5J／cm2以上の照射量の紫外光
を照射して前記感光剤と前記ベースレジンを反応
させ前記パターンを硬化させることを特徴とする
ホトレジストパターンの変形防止方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58149034A JPS6041227A (ja) | 1983-08-15 | 1983-08-15 | ホトレジストパタ−ンの変形防止方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58149034A JPS6041227A (ja) | 1983-08-15 | 1983-08-15 | ホトレジストパタ−ンの変形防止方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6041227A JPS6041227A (ja) | 1985-03-04 |
| JPH0466021B2 true JPH0466021B2 (ja) | 1992-10-21 |
Family
ID=15466213
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58149034A Granted JPS6041227A (ja) | 1983-08-15 | 1983-08-15 | ホトレジストパタ−ンの変形防止方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6041227A (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0763048B2 (ja) * | 1986-11-26 | 1995-07-05 | 株式会社東芝 | 半導体装置製造用レジスト硬化装置 |
| JPH0643637A (ja) * | 1992-07-23 | 1994-02-18 | Sumitomo Chem Co Ltd | パターンの保持方法 |
| JPH06186755A (ja) * | 1993-07-01 | 1994-07-08 | Fujitsu Ltd | レジストパターンの形成方法 |
| WO2003023775A1 (fr) * | 2001-09-05 | 2003-03-20 | Sony Corporation | Procede de fabrication d'un disque original destine a la fabrication d'un support d'enregistrement et procede de fabrication d'une matrice |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5314568A (en) * | 1976-07-26 | 1978-02-09 | Hitachi Ltd | Photolithography treatment system device |
| JPS54163680A (en) * | 1978-06-15 | 1979-12-26 | Fujitsu Ltd | Pattern forming method |
| JPS553690A (en) * | 1979-04-04 | 1980-01-11 | Toshiba Corp | Semiconductor luminous indicator |
-
1983
- 1983-08-15 JP JP58149034A patent/JPS6041227A/ja active Granted
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5314568A (en) * | 1976-07-26 | 1978-02-09 | Hitachi Ltd | Photolithography treatment system device |
| JPS54163680A (en) * | 1978-06-15 | 1979-12-26 | Fujitsu Ltd | Pattern forming method |
| JPS553690A (en) * | 1979-04-04 | 1980-01-11 | Toshiba Corp | Semiconductor luminous indicator |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6041227A (ja) | 1985-03-04 |
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