JPH0465059A - 高周波誘導結合プラズマ質量分析装置 - Google Patents
高周波誘導結合プラズマ質量分析装置Info
- Publication number
- JPH0465059A JPH0465059A JP1256232A JP25623289A JPH0465059A JP H0465059 A JPH0465059 A JP H0465059A JP 1256232 A JP1256232 A JP 1256232A JP 25623289 A JP25623289 A JP 25623289A JP H0465059 A JPH0465059 A JP H0465059A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- ions
- high frequency
- inductively coupled
- linear accelerator
- coupled plasma
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 230000006698 induction Effects 0.000 title claims abstract description 10
- 230000008878 coupling Effects 0.000 title abstract 6
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 title abstract 6
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 title abstract 6
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 claims abstract description 42
- 238000009616 inductively coupled plasma Methods 0.000 claims description 28
- 238000000605 extraction Methods 0.000 claims description 14
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 4
- 238000001819 mass spectrum Methods 0.000 claims description 3
- 239000012491 analyte Substances 0.000 claims 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 abstract 1
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 210000002381 plasma Anatomy 0.000 description 9
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 3
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 2
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 2
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 2
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 1
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 description 1
- 210000004027 cell Anatomy 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 239000006199 nebulizer Substances 0.000 description 1
- 239000002699 waste material Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Other Investigation Or Analysis Of Materials By Electrical Means (AREA)
- Electron Tubes For Measurement (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〈産業上の利用分野〉
本発明は、高周波誘導コイルに高周波エネルギーを供給
し高周波磁界を形成して高周波誘導結合プラズマを生じ
させ、該プラズマを用いて試料を励起してイオンを生じ
させ、該イオンをノズルとスキマーからなるインターフ
ェイスを介して質量分析計に導いて検出することにより
、前記試料中の被測定元素を分析する高周波誘導結合プ
ラズマ質量分析装置に関する。
し高周波磁界を形成して高周波誘導結合プラズマを生じ
させ、該プラズマを用いて試料を励起してイオンを生じ
させ、該イオンをノズルとスキマーからなるインターフ
ェイスを介して質量分析計に導いて検出することにより
、前記試料中の被測定元素を分析する高周波誘導結合プ
ラズマ質量分析装置に関する。
〈従来の技術〉
第２図は、四重径マスフィルタタイプの高周波誘導結合
プラズマを用いた分析計の一般的な構成説明図である。
プラズマを用いた分析計の一般的な構成説明図である。
この図において、プラズマトーチ１の外室１ｂと最外室
１ｃにはカス調節器２を介してアルゴンガス供給源３か
らアルゴンガスが供給され、内室１ａには試料導入装置
４内の固体試料がレーザ光源５から照射されたレーザ光
によって気化されてのちキャリアガスであるアルゴンガ
スによって搬入されるようになっている。尚、試料が液
体の場合は、第２図の試料導入装置４とレザ光源５か除
去され、導入される液体試料を霧化してプラズマ１−−
−チ１の内室１ａに供給するネブライサか装着される。
１ｃにはカス調節器２を介してアルゴンガス供給源３か
らアルゴンガスが供給され、内室１ａには試料導入装置
４内の固体試料がレーザ光源５から照射されたレーザ光
によって気化されてのちキャリアガスであるアルゴンガ
スによって搬入されるようになっている。尚、試料が液
体の場合は、第２図の試料導入装置４とレザ光源５か除
去され、導入される液体試料を霧化してプラズマ１−−
−チ１の内室１ａに供給するネブライサか装着される。
また、試料は固体であることよりも液体でゐることか多
い。
い。
方、プラズマ１−一千１に巻回された高周波誘導コイル
しには高周波Ｎ ’ａ、 １０によって高周波電流が流
され 該コイル６の周囲Ｇ、：高周波磁界（図示せす）
が形成されている。この状態で上記高周波磁界の近傍で
アルゴンカス中に電子かイオンか植え付けられると、該
高周波磁界の作用によって瞬時に高周波誘導結合プラズ
マ７が生ずる。
しには高周波Ｎ ’ａ、 １０によって高周波電流が流
され 該コイル６の周囲Ｇ、：高周波磁界（図示せす）
が形成されている。この状態で上記高周波磁界の近傍で
アルゴンカス中に電子かイオンか植え付けられると、該
高周波磁界の作用によって瞬時に高周波誘導結合プラズ
マ７が生ずる。
また、ノズル８とスキマー９に挟まれたフォアチャンバ
ー本体１】内は、真空ポンプ１２によって例えばＩ Ｔ
ｏ ｒ ｒ 、に吸引されている。更に、センターチ
ャンバー１３内にはイオンレンズ１４ａ、１４ｂか設け
られると共に、該センターチャンバー１３の内部は第１
油拡散ポンプ１５によって例えば１０”−’Ｔｏｒｒ、
に吸引され、マスフィルタ（例えば四重後マスフィルタ
）１６を収容しているリアチャンバー１７内は第２油拡
散ボシプ１８によって例えば１０−’Ｔｏｒｒ、に吸引
されている。この状態で高周波誘導結合プラズマ中に上
述のように１−て気化された試料が導入され、イオン化
や発光か行われる。該プラズマ７門のイオンは、ノズル
８やスキマー９を経由してのちイオンレンズ１４ａ、、
１４ｂ＜若しくはタブレット四重後レンズ）の間を通っ
て収束され、その後、マスフィルタ１６を通り二次電子
増倍管１９に導かれて検出される。この検出信号か信号
処理部２０に送出されて演算・処理されることによって
、前記試料中の被測定元素分析値か求められるようにな
っている。
ー本体１】内は、真空ポンプ１２によって例えばＩ Ｔ
ｏ ｒ ｒ 、に吸引されている。更に、センターチ
ャンバー１３内にはイオンレンズ１４ａ、１４ｂか設け
られると共に、該センターチャンバー１３の内部は第１
油拡散ポンプ１５によって例えば１０”−’Ｔｏｒｒ、
に吸引され、マスフィルタ（例えば四重後マスフィルタ
）１６を収容しているリアチャンバー１７内は第２油拡
散ボシプ１８によって例えば１０−’Ｔｏｒｒ、に吸引
されている。この状態で高周波誘導結合プラズマ中に上
述のように１−て気化された試料が導入され、イオン化
や発光か行われる。該プラズマ７門のイオンは、ノズル
８やスキマー９を経由してのちイオンレンズ１４ａ、、
１４ｂ＜若しくはタブレット四重後レンズ）の間を通っ
て収束され、その後、マスフィルタ１６を通り二次電子
増倍管１９に導かれて検出される。この検出信号か信号
処理部２０に送出されて演算・処理されることによって
、前記試料中の被測定元素分析値か求められるようにな
っている。
〈発明が解決しようとする問題点〉
然るに、上記従来例においては、四重後マスフィルタタ
イプであるためノズル８とスキマー９を介して高周波誘
導結合プラズマ７からイオンを引き出すのに数１００Ｖ
以下でよく、且つ、最終的加速電圧も必要としない。一
方、四重後マスフィルタタイプよりも高分解能を得るた
め磁場型の質量分析器を用いる場合は、ｌ０ＩＶもの加
速電圧を必要としていた。また、大気中の高周波誘導結
合プラズマ７がイオンソースとなっていた。このため、
高周波誘導結合プラズマ７をアース電位とし質量分析計
の方を１ｏｉｖ低くする方法か、質量分析計の方をアー
ス電位とし高周波誘導結きフ′ラズマ７ｔ−１０ｉＡＶ
高くする方法がとられていた７しかし、これらの方法は
いずれも絶縁か鉗しかったつ回路構成か複雑になるなど
の問題かあった。
イプであるためノズル８とスキマー９を介して高周波誘
導結合プラズマ７からイオンを引き出すのに数１００Ｖ
以下でよく、且つ、最終的加速電圧も必要としない。一
方、四重後マスフィルタタイプよりも高分解能を得るた
め磁場型の質量分析器を用いる場合は、ｌ０ＩＶもの加
速電圧を必要としていた。また、大気中の高周波誘導結
合プラズマ７がイオンソースとなっていた。このため、
高周波誘導結合プラズマ７をアース電位とし質量分析計
の方を１ｏｉｖ低くする方法か、質量分析計の方をアー
ス電位とし高周波誘導結きフ′ラズマ７ｔ−１０ｉＡＶ
高くする方法がとられていた７しかし、これらの方法は
いずれも絶縁か鉗しかったつ回路構成か複雑になるなど
の問題かあった。
本発明は、かかる状況に鑑みてなされものであり、その
課題は、高周波誘導結合プラズマや質量分析計に静電的
高圧をかけることなく磁場型高周波誘導結合プラズマか
らイオンを引き出すことかでさるような高周波誘導結合
プラズマ質量分析装置を提供することにある。
課題は、高周波誘導結合プラズマや質量分析計に静電的
高圧をかけることなく磁場型高周波誘導結合プラズマか
らイオンを引き出すことかでさるような高周波誘導結合
プラズマ質量分析装置を提供することにある。
く課題を解決するための手段〉
本発明は、高周波誘導コイルに高周波エネルギーを供給
し高周波磁界を形成して高周波誘導結合プラズマを生じ
させ、該プラズマを用いて試料を励起し、でイオンを生
じさせ、該イオンをノズルとス虞マーからなるインター
フェイスを介して質量分析計４１．ユ導いて検出するこ
とにより、前記試料中の被測定元素を分析する高周波誘
導結合プラズマ響板分析装置において、スキマーの後方
に設けられた引出し電極と、該引出し電極を経由して導
入されたイオンを加速する線型加速器と、磁場のイオン
線に対する作用によってイオンを質量分散と方向収束を
行なわせて質量スペクトルを得る磁場型質１分析計とを
設け、高周波誘導結合プラズマ内のイオンがノズル１ス
キマー、及び引出し電極を経由し線型加速器で加速され
るように構成することによって前記課Ｕを解決したもの
である。
し高周波磁界を形成して高周波誘導結合プラズマを生じ
させ、該プラズマを用いて試料を励起し、でイオンを生
じさせ、該イオンをノズルとス虞マーからなるインター
フェイスを介して質量分析計４１．ユ導いて検出するこ
とにより、前記試料中の被測定元素を分析する高周波誘
導結合プラズマ響板分析装置において、スキマーの後方
に設けられた引出し電極と、該引出し電極を経由して導
入されたイオンを加速する線型加速器と、磁場のイオン
線に対する作用によってイオンを質量分散と方向収束を
行なわせて質量スペクトルを得る磁場型質１分析計とを
設け、高周波誘導結合プラズマ内のイオンがノズル１ス
キマー、及び引出し電極を経由し線型加速器で加速され
るように構成することによって前記課Ｕを解決したもの
である。
〈作用〉
本発明は次のように作用する。即ち、気化された試料が
高周波誘導結合プラズマの中に導入されてイオン化や発
光が行われると、該プラズマ内のイオンは、ノズル、ス
キマー、引出し電極を経由し線型加速器で加速される。
高周波誘導結合プラズマの中に導入されてイオン化や発
光が行われると、該プラズマ内のイオンは、ノズル、ス
キマー、引出し電極を経由し線型加速器で加速される。
即ち、線型加速器は質量分析計で設定された所謂設定質
量のイオンが電極を通り抜けるのに同期して極性が反転
するようになっており、これらのイオンが次々と電極を
通過する毎に加速され最終的にｌ０ｆｌＶ程度まで加速
されるようになっている。また、このようにイオンの速
度が上昇するにつれて線型加速器２４内の交流周波数も
高くなる。
量のイオンが電極を通り抜けるのに同期して極性が反転
するようになっており、これらのイオンが次々と電極を
通過する毎に加速され最終的にｌ０ｆｌＶ程度まで加速
されるようになっている。また、このようにイオンの速
度が上昇するにつれて線型加速器２４内の交流周波数も
高くなる。
〈実施例〉
以下、本発明について図を用いて詳細に説明する。第１
図は本発明実施例の要部構成断面図であり、図中、第２
図と同一記号は同一意味を持たせて使用しここでの重複
説明は省略する。また、２１はスキマー９の後方に設け
られた引出し電極、２２はスキマー９を通り引出し電極
２１を経由して導入されたイオンを加速する線型加速器
、２３ａ、２３ｂはスリット、２４は磁場のイオンに対
する作用によってイオンに質量分散及び方向収束させて
質量スペクトルを得る磁場型質量分析計である。
図は本発明実施例の要部構成断面図であり、図中、第２
図と同一記号は同一意味を持たせて使用しここでの重複
説明は省略する。また、２１はスキマー９の後方に設け
られた引出し電極、２２はスキマー９を通り引出し電極
２１を経由して導入されたイオンを加速する線型加速器
、２３ａ、２３ｂはスリット、２４は磁場のイオンに対
する作用によってイオンに質量分散及び方向収束させて
質量スペクトルを得る磁場型質量分析計である。
このような構成からなる本発明の実施例において、気化
された試料が第１図の高周波誘導結合プラズマ７の中に
導入されてイオン化や発光か行われると、該プラズマ７
内のイオンは、ノズル８゜スキマー９．引出し電極２１
を経由し線型加速器２２で加速される。即ち、線型加速
器２２は質量分析計で設定された所謂設定質量のイオン
が電極を通り抜けるのに同期して極性が反転するように
なっており、これらのイオンが次々と電極を通過する毎
に加速され最終的に１（ＩＶ程度まで加速されるように
なっている。また、このようにイオンの速度が上昇する
につれて線型加速器２２内の交流周波数も高くなる。尚
、線型加速器２２においてもイオンの選別が行われるた
め、線型加速器２４を一種のダブルモノクロメータの前
段と考えても良い。
された試料が第１図の高周波誘導結合プラズマ７の中に
導入されてイオン化や発光か行われると、該プラズマ７
内のイオンは、ノズル８゜スキマー９．引出し電極２１
を経由し線型加速器２２で加速される。即ち、線型加速
器２２は質量分析計で設定された所謂設定質量のイオン
が電極を通り抜けるのに同期して極性が反転するように
なっており、これらのイオンが次々と電極を通過する毎
に加速され最終的に１（ＩＶ程度まで加速されるように
なっている。また、このようにイオンの速度が上昇する
につれて線型加速器２２内の交流周波数も高くなる。尚
、線型加速器２２においてもイオンの選別が行われるた
め、線型加速器２４を一種のダブルモノクロメータの前
段と考えても良い。
このようにして線型加速器２２で加速されたイオンは、
スリット２３ａを通って磁場型の質量分析計２４に至り
、ここで、磁場のイオンに対する作用によって質量分散
及び方向収束される。その後、スリット２４ｂを通って
二次電子増倍管１９に達して検出され、該検出信号が信
号処理部２゜に送出されて演算・処理されることによっ
て、前記試料中の被測定元素分析値が求められる。
スリット２３ａを通って磁場型の質量分析計２４に至り
、ここで、磁場のイオンに対する作用によって質量分散
及び方向収束される。その後、スリット２４ｂを通って
二次電子増倍管１９に達して検出され、該検出信号が信
号処理部２゜に送出されて演算・処理されることによっ
て、前記試料中の被測定元素分析値が求められる。
尚、本発明は上述の実施例に限定されることなく種々の
変形が可能であり、例えば線型加速器２２に代えてサイ
クロトロン型の加速器を用いても良い。
変形が可能であり、例えば線型加速器２２に代えてサイ
クロトロン型の加速器を用いても良い。
〈発明の効果〉
以上詳しく説明したような本発明によれば、高周波誘導
結合プラズマ質量分析装置において、高周波誘導結合プ
ラズマや質量分析計に静電的高圧をかけることなく高周
波誘導結合プラズマと磁場型質量分析計を結合させるこ
とができ、その結果、高周波誘導結合プラズマや質量分
析計に静電的高圧をかけることなく高周波誘導結合プラ
ズマからイオンを引き出すことができるような高周波誘
導結合プラズマ質量分析装置が実現する。
結合プラズマ質量分析装置において、高周波誘導結合プ
ラズマや質量分析計に静電的高圧をかけることなく高周
波誘導結合プラズマと磁場型質量分析計を結合させるこ
とができ、その結果、高周波誘導結合プラズマや質量分
析計に静電的高圧をかけることなく高周波誘導結合プラ
ズマからイオンを引き出すことができるような高周波誘
導結合プラズマ質量分析装置が実現する。
第１図は本発明実施例の構成説明図、第２図は従来例の
構成説明図である。 １・・・・・・プラズマトーチ、２・旧・・流量制御部
、３・・・・・・アルゴンカス供給源、４・・・・・・
試料セル、６・・・・・・高周波誘導コイル、 ７・・・・・・高周波誘導結合プラズマ、８・・・・・
・ノズル、９・・・・・・スキマー、１６・・団・マス
フィルタ、１７・・・・・・リアチャンバー、２ｏ・・
・・・・信号処理部、２１・・・・・・引出し電極、２
２・旧・・線型加速器２３ａ、２３ｂ・・・・・・スリ
ット、２４・・・・・・磁場型質量分析計
構成説明図である。 １・・・・・・プラズマトーチ、２・旧・・流量制御部
、３・・・・・・アルゴンカス供給源、４・・・・・・
試料セル、６・・・・・・高周波誘導コイル、 ７・・・・・・高周波誘導結合プラズマ、８・・・・・
・ノズル、９・・・・・・スキマー、１６・・団・マス
フィルタ、１７・・・・・・リアチャンバー、２ｏ・・
・・・・信号処理部、２１・・・・・・引出し電極、２
２・旧・・線型加速器２３ａ、２３ｂ・・・・・・スリ
ット、２４・・・・・・磁場型質量分析計
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 高周波誘導コイルに高周波エネルギーを供給し高周波磁
界を形成して高周波誘導結合プラズマを生じさせ、該プ
ラズマを用いて試料を励起してイオンを生じさせ、該イ
オンをノズルとスキマーからなるインターフェイスを介
して磁場型質量分析計に導いて検出することにより、前
記試料中の被測定元素を分析する高周波誘導結合プラズ
マ質量分析装置において、 前記スキマーの後方に設けられた引出し電極と、該引出
し電極を経由して導入されたイオンを加速する線型加速
器と、磁場のイオンに対する作用によつてイオンを質量
分散と方向収束を行なわせて質量スペクトルを得る磁場
型質量分析計とを具備し、前記高周波誘導結合プラズマ
内のイオンがノズル、スキマー、及び引出し電極を経由
し前記線型加速器で加速されるように構成したことを特
徴とする高周波誘導結合プラズマ質量分析装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1256232A JP2926782B2 (ja) | 1989-09-29 | 1989-09-29 | 高周波誘導結合プラズマ質量分析装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1256232A JP2926782B2 (ja) | 1989-09-29 | 1989-09-29 | 高周波誘導結合プラズマ質量分析装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0465059A true JPH0465059A (ja) | 1992-03-02 |
| JP2926782B2 JP2926782B2 (ja) | 1999-07-28 |
Family
ID=17289769
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1256232A Expired - Lifetime JP2926782B2 (ja) | 1989-09-29 | 1989-09-29 | 高周波誘導結合プラズマ質量分析装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2926782B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007047185A (ja) * | 1995-12-27 | 2007-02-22 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 元素分析装置 |
| US8307687B2 (en) | 2003-10-02 | 2012-11-13 | Nippon Steel Corporation | Metal plate material hot press molding apparatus and hot press molding method |
-
1989
- 1989-09-29 JP JP1256232A patent/JP2926782B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007047185A (ja) * | 1995-12-27 | 2007-02-22 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 元素分析装置 |
| US8307687B2 (en) | 2003-10-02 | 2012-11-13 | Nippon Steel Corporation | Metal plate material hot press molding apparatus and hot press molding method |
| US8327680B2 (en) | 2003-10-02 | 2012-12-11 | Nippon Steel Corporation | Metal plate material hot press molding apparatus and hot press molding method |
| US8555691B2 (en) | 2003-10-02 | 2013-10-15 | Nippon Steel & Sumitomo Metal Corporation | Metal plate material hot press molding apparatus and hot press molding method |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2926782B2 (ja) | 1999-07-28 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US10236169B2 (en) | Ionization device with mass spectrometer therewith | |
| JP6739931B2 (ja) | ソフト電子イオン化のためのイオン源ならびに関連するシステムおよび方法 | |
| JP2516840B2 (ja) | プラズマ質量分析計 | |
| US9117617B2 (en) | Axial magnetic ion source and related ionization methods | |
| US6005245A (en) | Method and apparatus for ionizing a sample under atmospheric pressure and selectively introducing ions into a mass analysis region | |
| JPH08505258A (ja) | プラズマ源質量分析計における干渉の低減 | |
| US6833710B2 (en) | Probe assembly for detecting an ion in a plasma generated in an ion source | |
| JPH0465059A (ja) | 高周波誘導結合プラズマ質量分析装置 | |
| JP2000164169A (ja) | 質量分析計 | |
| JP4164027B2 (ja) | 元素の質量分析のための装置および方法 | |
| JPH06267497A (ja) | 誘導プラズマ質量分析装置 | |
| JP2792140B2 (ja) | 高周波誘導結合プラズマ質量分析計 | |
| JPS62202450A (ja) | 高周波誘導結合プラズマ・質量分析計 | |
| JPH0638372Y2 (ja) | 高周波誘導結合プラズマ質量分析装置 | |
| JP2956139B2 (ja) | 四重極マスフィルタ | |
| JPH0746594B2 (ja) | 誘導結合プラズマをイオン源とする質量分析装置 | |
| JP2006189298A (ja) | ガスクロマトグラフ質量分析装置及びそれを用いたバックグラウンドの低減方法 | |
| JPH11297266A (ja) | 質量分析計およびイオン源 | |
| JP3676540B2 (ja) | 誘導結合プラズマ質量分析装置 | |
| JP2926949B2 (ja) | 高周波誘導結合プラズマ質量分析計 | |
| WO2024020286A1 (en) | Devices and methods to generate an inductively coupled plasma | |
| JPH1164282A (ja) | 質量分析装置の調整方法 | |
| JPH04137444A (ja) | 高周波誘導結合プラズマ質量分析計 | |
| JP2956164B2 (ja) | 高周波誘導結合プラズマ質量分析計 | |
| JPS62208535A (ja) | 高周波誘導結合プラズマ・質量分析装置 |