JPH0462923A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPH0462923A JPH0462923A JP17361290A JP17361290A JPH0462923A JP H0462923 A JPH0462923 A JP H0462923A JP 17361290 A JP17361290 A JP 17361290A JP 17361290 A JP17361290 A JP 17361290A JP H0462923 A JPH0462923 A JP H0462923A
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Landscapes
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
- Formation Of Insulating Films (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
本発明は、配線用の層が層間絶縁膜を介して多層に構成
されている半導体装置の製造方法に関するものである。
されている半導体装置の製造方法に関するものである。
集積回路の集積密度が大にされたＬＳＩ（大規模集積回
路）等においては、配線用の層の上に層間絶縁膜を介し
て別の配線用の層を形成するという、いわゆる多層配線
構造とすることが行われている。 第４図は、そのような半導体装置の製造工程を示す図で
ある。第４図において、１はシリコン基板、２は層間絶
縁膜、３はアルミニウム膜、４は第１アルミニウム配線
、５はプラズマＣＶＤシリコン酸化膜、６は塗布焼成シ
リコン酸化膜、７は気相成長シリコン酸化膜、８はアル
ミニウム膜である。 （１）第４図（イ）の工程 シリコン基板１の上に層間絶縁膜２を形成した後、アル
ミニウム膜３を形成する。 （２）第４図（ロ）の工程 アルミニウム膜３を所望の配線パターンにパターンニン
グして、第１アルミニウム配線４を形成する。 （３）第４図（ハ）の工程 プラズマ気相成長装置内で、Ｎ、ＯとＳｉＨ。 の混合ガス雰囲気下で、プラズマＣＶＤシリコン酸化膜
５を形成する。 そして、その表面に、溶剤に溶かした５ＯＧ（Ｓｐｉｎ
−Ｏｎ−Ｇｌａｓｓ ）をスピンコーターで回転塗布す
る。それを焼成して、塗布焼成シリコン酸化膜６を形成
する。この塗布焼成シリコン酸化膜６を施す理由は、こ
れで四部を埋めて表面を平坦化するためである。 もし平坦化されていないと、後の工程でこの上方に形成
される第２アルミニウム配線が、断線したり、短絡した
りする恐れがあるからである。 第３図に、従来用いていたＳＯＧ溶剤の例を示す。ここ
には、イと口の２種類が示されているが、イの溶剤は、
エタノールだけから成っている。口の溶剤は、プロピレ
ングリコールとプロピルエーテルとを混合したものから
成っている。 （４）第４図（ニ）の工程 塗布焼成シリコン酸化膜６によって平坦化された表面の
上に、プラズマ気相成長装置等で気相成長シリコン酸化
膜７を成膜する。 そして、その上にアルミニウム膜８を形成する。 これをパターンニングすることにより、第２アルミニウ
ム配線（図示せず）を所望の通りに形成することが出来
る。 従って、プラズマＣＶＤシリコン酸化膜５．塗布焼成シ
リコン酸化膜６．気相成長シリコン酸化膜７の３つの層
が、第１アルミニウム配線４と第２アルミニウム配線と
の間の層間絶縁膜を構成している。 なお、このような半導体装置の製造方法に関する文献と
しては、例えば、特開昭５１−６１７８１号公報がある
。
路）等においては、配線用の層の上に層間絶縁膜を介し
て別の配線用の層を形成するという、いわゆる多層配線
構造とすることが行われている。 第４図は、そのような半導体装置の製造工程を示す図で
ある。第４図において、１はシリコン基板、２は層間絶
縁膜、３はアルミニウム膜、４は第１アルミニウム配線
、５はプラズマＣＶＤシリコン酸化膜、６は塗布焼成シ
リコン酸化膜、７は気相成長シリコン酸化膜、８はアル
ミニウム膜である。 （１）第４図（イ）の工程 シリコン基板１の上に層間絶縁膜２を形成した後、アル
ミニウム膜３を形成する。 （２）第４図（ロ）の工程 アルミニウム膜３を所望の配線パターンにパターンニン
グして、第１アルミニウム配線４を形成する。 （３）第４図（ハ）の工程 プラズマ気相成長装置内で、Ｎ、ＯとＳｉＨ。 の混合ガス雰囲気下で、プラズマＣＶＤシリコン酸化膜
５を形成する。 そして、その表面に、溶剤に溶かした５ＯＧ（Ｓｐｉｎ
−Ｏｎ−Ｇｌａｓｓ ）をスピンコーターで回転塗布す
る。それを焼成して、塗布焼成シリコン酸化膜６を形成
する。この塗布焼成シリコン酸化膜６を施す理由は、こ
れで四部を埋めて表面を平坦化するためである。 もし平坦化されていないと、後の工程でこの上方に形成
される第２アルミニウム配線が、断線したり、短絡した
りする恐れがあるからである。 第３図に、従来用いていたＳＯＧ溶剤の例を示す。ここ
には、イと口の２種類が示されているが、イの溶剤は、
エタノールだけから成っている。口の溶剤は、プロピレ
ングリコールとプロピルエーテルとを混合したものから
成っている。 （４）第４図（ニ）の工程 塗布焼成シリコン酸化膜６によって平坦化された表面の
上に、プラズマ気相成長装置等で気相成長シリコン酸化
膜７を成膜する。 そして、その上にアルミニウム膜８を形成する。 これをパターンニングすることにより、第２アルミニウ
ム配線（図示せず）を所望の通りに形成することが出来
る。 従って、プラズマＣＶＤシリコン酸化膜５．塗布焼成シ
リコン酸化膜６．気相成長シリコン酸化膜７の３つの層
が、第１アルミニウム配線４と第２アルミニウム配線と
の間の層間絶縁膜を構成している。 なお、このような半導体装置の製造方法に関する文献と
しては、例えば、特開昭５１−６１７８１号公報がある
。
（問題点）
しかしながら、前記した従来の半導体装置の製造方法で
は、塗布焼成シリコン酸化膜６による平坦化が、不十分
であるという問題点があった。 （問題点の説明） 塗布焼成シリコン酸化膜６を施す理由は、前記したよう
に半導体装置の表面の平坦化にある。そのためには、第
４図（ハ）から容易に理解できるように、塗布焼成シリ
コン酸化膜６を厚く塗布することが必要となる。 ところが、ＳＯＧを溶かす溶剤の沸点が低いため（第３
図イの溶剤では７８．３°Ｃ２第３図口の溶剤では高い
方で１８７．３°Ｃ）、蒸発速度が速く、厚くは塗布出
来なかった。 エタノールとは違って沸点の高い単体の（混合物でない
）溶剤を用いて厚く塗布することも出来ないではないが
、そのような溶剤の場合には、ＳＯＧの溶解が安定的に
は行われなかった。そのため、塗布して形成した膜にム
ラが出来ることがあり、これが第２アルミニウム配線の
断線や短絡を引き起こす新たな原因となっていた。 本発明は、以上のような問題点を解決することを課題と
するものである。
は、塗布焼成シリコン酸化膜６による平坦化が、不十分
であるという問題点があった。 （問題点の説明） 塗布焼成シリコン酸化膜６を施す理由は、前記したよう
に半導体装置の表面の平坦化にある。そのためには、第
４図（ハ）から容易に理解できるように、塗布焼成シリ
コン酸化膜６を厚く塗布することが必要となる。 ところが、ＳＯＧを溶かす溶剤の沸点が低いため（第３
図イの溶剤では７８．３°Ｃ２第３図口の溶剤では高い
方で１８７．３°Ｃ）、蒸発速度が速く、厚くは塗布出
来なかった。 エタノールとは違って沸点の高い単体の（混合物でない
）溶剤を用いて厚く塗布することも出来ないではないが
、そのような溶剤の場合には、ＳＯＧの溶解が安定的に
は行われなかった。そのため、塗布して形成した膜にム
ラが出来ることがあり、これが第２アルミニウム配線の
断線や短絡を引き起こす新たな原因となっていた。 本発明は、以上のような問題点を解決することを課題と
するものである。
前記課題を解決するため、本発明では、第１アルミニウ
ム配線の上に塗布焼成シリコン酸化膜を含む層間絶縁膜
を形成し、その上に第２アルミニウム配線を形成する半
導体装置の製造方法において、高沸点溶剤物質とエーテ
ルとの混合体を溶剤としたＳＯＧを塗布して前記塗布焼
成シリコン酸化膜を形成することとした。 なお、前記高沸点溶剤物質として１．３−ブタンジオー
ルヲ用い、エーテルとしてプロピルエーテルを用いるこ
とが出来る。 また、高沸点溶剤物質として１，４−ブタンジオールを
用い、エーテルとしてプロピルエーテルを用いることも
出来る。
ム配線の上に塗布焼成シリコン酸化膜を含む層間絶縁膜
を形成し、その上に第２アルミニウム配線を形成する半
導体装置の製造方法において、高沸点溶剤物質とエーテ
ルとの混合体を溶剤としたＳＯＧを塗布して前記塗布焼
成シリコン酸化膜を形成することとした。 なお、前記高沸点溶剤物質として１．３−ブタンジオー
ルヲ用い、エーテルとしてプロピルエーテルを用いるこ
とが出来る。 また、高沸点溶剤物質として１，４−ブタンジオールを
用い、エーテルとしてプロピルエーテルを用いることも
出来る。
塗布焼成シリコン酸化膜を形成する際には、溶剤に溶か
したＳＯＧをスピンコーターで回転塗布するが、溶剤を
、ＳＯＧの安定的な溶解に寄与するエーテルと、蒸発速
度を遅くする高沸点溶剤物質との混合体とすると、厚く
しかもムラなく塗布することが出来る。 それにより、第２アルミニウム配線を形成する土台とな
る層間絶縁膜の表面が、従来より一層平坦化され、配線
の断線や短絡が生ずるのを防ぐことが可能となる。
したＳＯＧをスピンコーターで回転塗布するが、溶剤を
、ＳＯＧの安定的な溶解に寄与するエーテルと、蒸発速
度を遅くする高沸点溶剤物質との混合体とすると、厚く
しかもムラなく塗布することが出来る。 それにより、第２アルミニウム配線を形成する土台とな
る層間絶縁膜の表面が、従来より一層平坦化され、配線
の断線や短絡が生ずるのを防ぐことが可能となる。
以下、本発明の実施例を図面に基づいて詳細に説明する
。 第１図は、本発明の方法で製造した半導体装置である。 これは、従来の製造工程の第４図（ハ）の段階のものを
示している。符号は、第４図のものに対応している。 従来の製造方法で作った第４図（ハ）と異なる点は、塗
布焼成シリコン酸化膜６が厚く塗布され、その表面がよ
り一層平坦にされている点である。 そのため、その上方に形成するアルミニウム膜８もより
一層平坦となり、第２アルミニウム配線の断線や短絡が
生ずる恐れをなくすという目的が達成される。 本発明の半導体装置の製造方法は、塗布焼成シリコン酸
化膜６を形成する際に使用する溶剤が異なるのみで、他
の工程は従来技術の項で述べたものと同様である。従っ
て、ここでは、それらの説明は省略する。 塗布焼成シリコン酸化膜６を厚く塗布できるようにする
ため、本発明では特殊な溶剤を用いるが、その溶剤は、
ＳＯＧを安定的に溶解すると共に、蒸発速度が遅いとい
う性質を持たせられたものである。 第２図に、本発明で使用するＳＯＧ溶剤の例を示す。 ■ 溶剤イば、沸点２０７．５°Ｃの１，３−ブタンジ
オールとプロピルエーテルとを、混合比（体積比）約１
＝１程度に混合したものである。 プロピルエーテルは、ＳＯＧの溶解を安定的に行うため
に混合されている。 １．３−ブタンジオールの沸点は２０７．５°Ｃと、従
来のもの（第３図の溶剤口で１８７．３°Ｃ）に比べて
高い。そのため蒸発速度が遅く、厚く塗ることが可能と
なる。 ■ 溶剤口は、沸点２２９．２°Ｃの１，４−ブタンジ
オールとプロピルエーテルとを、混合比（体積比）約１
：工程度に混合したものである。 プロピルエーテルの役割は、前記したのと同様である。 この溶剤でも、■、４−ブタンジオールの沸点は従来の
ものに比し高く、やはり厚く塗ることが可能となる。 なお、第２図に示したものは、単に一部の例を示しただ
けであり、ＳＯＧの主成分であるＳｉ（ＯＨ）４または
Ｒ１１Ｓｉ（ＯＨ）４□が溶解できるものであれば、溶
剤の成分として用いることが出来る。
。 第１図は、本発明の方法で製造した半導体装置である。 これは、従来の製造工程の第４図（ハ）の段階のものを
示している。符号は、第４図のものに対応している。 従来の製造方法で作った第４図（ハ）と異なる点は、塗
布焼成シリコン酸化膜６が厚く塗布され、その表面がよ
り一層平坦にされている点である。 そのため、その上方に形成するアルミニウム膜８もより
一層平坦となり、第２アルミニウム配線の断線や短絡が
生ずる恐れをなくすという目的が達成される。 本発明の半導体装置の製造方法は、塗布焼成シリコン酸
化膜６を形成する際に使用する溶剤が異なるのみで、他
の工程は従来技術の項で述べたものと同様である。従っ
て、ここでは、それらの説明は省略する。 塗布焼成シリコン酸化膜６を厚く塗布できるようにする
ため、本発明では特殊な溶剤を用いるが、その溶剤は、
ＳＯＧを安定的に溶解すると共に、蒸発速度が遅いとい
う性質を持たせられたものである。 第２図に、本発明で使用するＳＯＧ溶剤の例を示す。 ■ 溶剤イば、沸点２０７．５°Ｃの１，３−ブタンジ
オールとプロピルエーテルとを、混合比（体積比）約１
＝１程度に混合したものである。 プロピルエーテルは、ＳＯＧの溶解を安定的に行うため
に混合されている。 １．３−ブタンジオールの沸点は２０７．５°Ｃと、従
来のもの（第３図の溶剤口で１８７．３°Ｃ）に比べて
高い。そのため蒸発速度が遅く、厚く塗ることが可能と
なる。 ■ 溶剤口は、沸点２２９．２°Ｃの１，４−ブタンジ
オールとプロピルエーテルとを、混合比（体積比）約１
：工程度に混合したものである。 プロピルエーテルの役割は、前記したのと同様である。 この溶剤でも、■、４−ブタンジオールの沸点は従来の
ものに比し高く、やはり厚く塗ることが可能となる。 なお、第２図に示したものは、単に一部の例を示しただ
けであり、ＳＯＧの主成分であるＳｉ（ＯＨ）４または
Ｒ１１Ｓｉ（ＯＨ）４□が溶解できるものであれば、溶
剤の成分として用いることが出来る。
以上述べた如く、本発明の半導体装置の製造方法によれ
ば、多層配線構造の半導体装置を製造するに当たって、
眉間絶縁膜の一部を構成する塗布焼成シリコン酸化膜を
形成する際、ＳＯＧを溶かす溶剤として、ＳＯＧを安定
的に溶解するエーテルと、蒸発速度を遅くする高沸点溶
剤物質との混合体を用いることにした。 これにより、ＳＯＧを従来より厚くしかもムラなく塗布
することが出来るようになる。そのため、第２アルミニ
ウム配線を形成する土台となる層間絶縁膜の表面が、従
来より一層平坦化され、配線の断線や短絡が生ずる恐れ
が減少する。
ば、多層配線構造の半導体装置を製造するに当たって、
眉間絶縁膜の一部を構成する塗布焼成シリコン酸化膜を
形成する際、ＳＯＧを溶かす溶剤として、ＳＯＧを安定
的に溶解するエーテルと、蒸発速度を遅くする高沸点溶
剤物質との混合体を用いることにした。 これにより、ＳＯＧを従来より厚くしかもムラなく塗布
することが出来るようになる。そのため、第２アルミニ
ウム配線を形成する土台となる層間絶縁膜の表面が、従
来より一層平坦化され、配線の断線や短絡が生ずる恐れ
が減少する。
第１図・・・本発明の方法で製造した半導体装置第２図
・・・本発明で使用するＳＯＧ溶剤の例を示す第３図・
・・従来用いていたＳＯＧ溶剤の例を示す図第４図・・
・多層配線構造の半導体装置の製造工程を示す図 図において、１はシリコン基板、２は層間絶縁膜、３は
アルミニウム膜、４は第１アルミニウム配線、５はプラ
ズマＣＶＤシリコン酸化膜、６は塗布焼成シリコン酸化
膜、７は気相成長シリコン酸化膜、８はアルミニウム膜
である。 特許出願人 富士ゼロックス株式会社代理人弁理士
本 庄 富 雄
・・・本発明で使用するＳＯＧ溶剤の例を示す第３図・
・・従来用いていたＳＯＧ溶剤の例を示す図第４図・・
・多層配線構造の半導体装置の製造工程を示す図 図において、１はシリコン基板、２は層間絶縁膜、３は
アルミニウム膜、４は第１アルミニウム配線、５はプラ
ズマＣＶＤシリコン酸化膜、６は塗布焼成シリコン酸化
膜、７は気相成長シリコン酸化膜、８はアルミニウム膜
である。 特許出願人 富士ゼロックス株式会社代理人弁理士
本 庄 富 雄
Claims (3)
- （１）第１アルミニウム配線の上に塗布焼成シリコン酸
化膜を含む層間絶縁膜を形成し、その上に第２アルミニ
ウム配線を形成する半導体装置の製造方法において、高
沸点溶剤物質とエーテルとの混合体を溶剤としたＳＯＧ
を塗布して前記塗布焼成シリコン酸化膜を形成すること
を特徴とする半導体装置の製造方法。 - （２）高沸点溶剤物質として１、３−ブタンジオールを
用い、エーテルとしてプロピルエーテルを用いたことを
特徴とする請求項１記載の半導体装置の製造方法 - （３）高沸点溶剤物質として１、４−ブタンジオールを
用い、エーテルとしてプロピルエーテルを用いたことを
特徴とする請求項１記載の半導体装置の製造方法
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17361290A JPH0462923A (ja) | 1990-06-30 | 1990-06-30 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17361290A JPH0462923A (ja) | 1990-06-30 | 1990-06-30 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0462923A true JPH0462923A (ja) | 1992-02-27 |
Family
ID=15963840
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17361290A Pending JPH0462923A (ja) | 1990-06-30 | 1990-06-30 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0462923A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0703282A3 (en) * | 1994-09-21 | 1996-07-10 | Asahi Glass Co Ltd | Surface treatment composition |
-
1990
- 1990-06-30 JP JP17361290A patent/JPH0462923A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0703282A3 (en) * | 1994-09-21 | 1996-07-10 | Asahi Glass Co Ltd | Surface treatment composition |
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