JPH0462643B2 - - Google Patents
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- JPH0462643B2 JPH0462643B2 JP61054877A JP5487786A JPH0462643B2 JP H0462643 B2 JPH0462643 B2 JP H0462643B2 JP 61054877 A JP61054877 A JP 61054877A JP 5487786 A JP5487786 A JP 5487786A JP H0462643 B2 JPH0462643 B2 JP H0462643B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- optical waveguide
- metal
- crystal substrate
- metal layer
- manufacturing
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
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Landscapes
- Optical Integrated Circuits (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
＜産業上の利用分野＞
本発明は結晶基板の表面の一部へ金属を加熱拡
散し、屈折率を高めて光導波路を作成する方法に
関し、とくにLi2B4O7結晶基板を用いた金属加熱
拡散による光導波路の作製方法に関するものであ
る。
散し、屈折率を高めて光導波路を作成する方法に
関し、とくにLi2B4O7結晶基板を用いた金属加熱
拡散による光導波路の作製方法に関するものであ
る。
＜従来の技術と問題点＞
従来、ガラスまたは誘電体たとえばLiNbO3な
どの結晶板を用いて金属を加熱拡散して光導波路
を作製することは行われている。然し誘電体Li2
B4O7結晶基板へ金属を加熱拡散して光導波路を
形成することは未だ行われていない。
どの結晶板を用いて金属を加熱拡散して光導波路
を作製することは行われている。然し誘電体Li2
B4O7結晶基板へ金属を加熱拡散して光導波路を
形成することは未だ行われていない。
本発明はかかる従来技術の現状に鑑みてなされ
たもので、新しい光導波路の作製方法を提供する
ことを目的とする。
たもので、新しい光導波路の作製方法を提供する
ことを目的とする。
＜問題点を解決するための手段＞
本発明による光導波路の作製方法は、結晶基板
の表面の一部に金属を熱拡散して光導波路を形成
する光導波路の作製方法において、薄膜形成技術
とリソグラフイ技術とを用いてLi2B4O7結晶基板
上に金属層の光導波路パターンを形成し、775℃
以下の温度で前記金属層の金属を前記Li2B4O7結
晶基板へ加熱拡散することを特徴とするものであ
る。
の表面の一部に金属を熱拡散して光導波路を形成
する光導波路の作製方法において、薄膜形成技術
とリソグラフイ技術とを用いてLi2B4O7結晶基板
上に金属層の光導波路パターンを形成し、775℃
以下の温度で前記金属層の金属を前記Li2B4O7結
晶基板へ加熱拡散することを特徴とするものであ
る。
＜作用＞
本発明ではLi2B4O7結晶基板上に金属層の光導
波路パターンを形成し、金属層の金属を775℃以
下の温度でLi2B4O7結晶基板へ加熱拡散すること
によつて、変形やひび割れ等の異常なく、Li2
B4O7結晶基板の上記金属の拡散部分の屈折率を
高め、光導波路を形成している。
波路パターンを形成し、金属層の金属を775℃以
下の温度でLi2B4O7結晶基板へ加熱拡散すること
によつて、変形やひび割れ等の異常なく、Li2
B4O7結晶基板の上記金属の拡散部分の屈折率を
高め、光導波路を形成している。
＜実施例＞
本発明による光導波路の作製方法の一実施例を
図面を参照しながら説明する。第１図に示すよう
に、誘電体Li2B4O7結晶基板１上に真空蒸着また
はスパツタなどの薄膜形成技術とリソグラフイ技
術を用いて金属層２の光導波路パターンを形成す
る。次に金属層２のパターンを形成したLi2B4O7
結晶基板１を加熱し、第２図に示すようにLi2
B4O7結晶基板１に金属層２の金属を熱拡散し、
光導波路３を作成する。
図面を参照しながら説明する。第１図に示すよう
に、誘電体Li2B4O7結晶基板１上に真空蒸着また
はスパツタなどの薄膜形成技術とリソグラフイ技
術を用いて金属層２の光導波路パターンを形成す
る。次に金属層２のパターンを形成したLi2B4O7
結晶基板１を加熱し、第２図に示すようにLi2
B4O7結晶基板１に金属層２の金属を熱拡散し、
光導波路３を作成する。
金属を熱拡散させる上記工程において、Li2
B4O7結晶基板１を加熱保持する拡散温度を、基
板のLi2B4O7の融点である917℃から775℃の間に
選定した場合、Li2B4O7結晶基板１自体に軟化、
またはひび割れ等の現象が生じた。
B4O7結晶基板１を加熱保持する拡散温度を、基
板のLi2B4O7の融点である917℃から775℃の間に
選定した場合、Li2B4O7結晶基板１自体に軟化、
またはひび割れ等の現象が生じた。
ところが本発明では拡散温度を775℃以下にし
て金属層２の金属の熱拡散を行つたところ、Li2
B4O7結晶基板１自体には全く変形、ひび割れ等
の異常はなく、金属拡散が行われ、品質のよい光
導波路３を形成することができた。金属層２の金
属としてNiを用いて、750℃で７時間加熱保持し
たところ、Li2B4O7結晶基板１の表面より約1μｍ
の深さまでNiが拡散し、拡散部分の屈折率を高
めることができ、Li2B4O7結晶基板１上に光導波
路３を形成することができた。
て金属層２の金属の熱拡散を行つたところ、Li2
B4O7結晶基板１自体には全く変形、ひび割れ等
の異常はなく、金属拡散が行われ、品質のよい光
導波路３を形成することができた。金属層２の金
属としてNiを用いて、750℃で７時間加熱保持し
たところ、Li2B4O7結晶基板１の表面より約1μｍ
の深さまでNiが拡散し、拡散部分の屈折率を高
めることができ、Li2B4O7結晶基板１上に光導波
路３を形成することができた。
＜発明の効果＞
本発明によれば、誘電体のLi2B4O7結晶基板を
用いて、金属の熱拡散温度を775℃より低くする
ことによつて、金属加熱拡散法の品質のよい光導
波路を作製することができた。
用いて、金属の熱拡散温度を775℃より低くする
ことによつて、金属加熱拡散法の品質のよい光導
波路を作製することができた。
このように本発明は、光導波路の作製における
材料分野の拡張に利するところ大である。
材料分野の拡張に利するところ大である。
第１図及び第２図は本発明による光導波路の作
製方法を説明する図である。 図面中、１はLi2B4O7結晶基板、２は金属層、
３は光導波路である。
製方法を説明する図である。 図面中、１はLi2B4O7結晶基板、２は金属層、
３は光導波路である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 結晶基板の表面の一部に金属を加熱拡散して
光導波路を形成する光導波路の作製方法におい
て、薄膜形成技術とリソグラフイ技術とを用いて
Li2B4O7結晶基板上に金属層の光導波路パターン
を形成し、775℃以下の温度で前記金属層の金属
を前記Li2B4O7結晶基板へ加熱拡散することを特
徴とする光導波路の作製方法。 ２ 前記金属層の金属がNiであることを特徴と
する特許請求の範囲第１項記載の光導波路の作製
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61054877A JPS62212605A (ja) | 1986-03-14 | 1986-03-14 | 光導波路の作製方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61054877A JPS62212605A (ja) | 1986-03-14 | 1986-03-14 | 光導波路の作製方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62212605A JPS62212605A (ja) | 1987-09-18 |
| JPH0462643B2 true JPH0462643B2 (ja) | 1992-10-07 |
Family
ID=12982815
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61054877A Granted JPS62212605A (ja) | 1986-03-14 | 1986-03-14 | 光導波路の作製方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62212605A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100439960B1 (ko) * | 2002-12-04 | 2004-07-12 | 전자부품연구원 | 열확산법을 이용한리드마그네슘니오베이트-리드티타네이트 광도파로 및 그의제조방법 |
-
1986
- 1986-03-14 JP JP61054877A patent/JPS62212605A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS62212605A (ja) | 1987-09-18 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |