JPH046146A - 高温超電導体及びその製造法 - Google Patents

高温超電導体及びその製造法

Info

Publication number
JPH046146A
JPH046146A JP2108055A JP10805590A JPH046146A JP H046146 A JPH046146 A JP H046146A JP 2108055 A JP2108055 A JP 2108055A JP 10805590 A JP10805590 A JP 10805590A JP H046146 A JPH046146 A JP H046146A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
superconductor
temperature superconductor
powder
high temp
mixture
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2108055A
Other languages
English (en)
Inventor
Hideji Kuwajima
秀次 桑島
Keiji Sumiya
圭二 住谷
Toranosuke Ashizawa
寅之助 芦沢
Shuichiro Shimoda
下田 修一郎
Shozo Yamana
章三 山名
Minoru Ishihara
稔 石原
Tetsuo Kosugi
小杉 哲夫
Kazuaki Fukamichi
和明 深道
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Resonac Corp
Original Assignee
Hitachi Chemical Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Chemical Co Ltd filed Critical Hitachi Chemical Co Ltd
Priority to JP2108055A priority Critical patent/JPH046146A/ja
Publication of JPH046146A publication Critical patent/JPH046146A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
  • Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 (産業上の利用分野) 本発明は高温超電導体及びその製造法に関する。
(従来の技術) 従来、超電導体材料を板状や円筒状に加工するには、セ
ラミックス超電導体用原料粉を焼成、粉砕後、有機質の
バインダー、溶剤と共に混合し。
これをフィルム上に供給し、ドクターブレードなどを用
いて一定の厚さにするテープキャスティング法などの方
法でシート状とし、この後焼成して板状超電導体として
いた。このような方法は9例えばジャパニーズ・ジャー
ナル・オブ・アプライド−フィジックス(Japane
se Journal  ofApplied Phy
sics ) Vol 26.12号(1987年12
月刊)L1959〜1960頁に示される。
他の方法として超電導体粉末に有機接着剤を添加し、こ
れを−軸加工プレス、冷間等方圧プレス(CIP)など
Kよって板状や円筒状に加工した後焼成して超電導体と
される。
(発明が解決しようとする課題) 上記に示す方法によれば、形状が小さな板状や円筒状の
超電導体は、比較的安易に製造することができるが、大
きな超電導体2例えば寸法が300gX300mm程度
の超電導体を製造する場合には焼成が困難で反シ、ねじ
れ等が発生し、またち密な超電導体が得られないなどの
欠点が生じ、製造が困難である。寸法が1000mmX
1000■程度の大きさの超電導体になればさらに製造
が困難である。
本発明はかかる欠点を解決し、所望の大きさの高温超電
導体及びその製造法を提供することを目的とするもので
ある。
(課題を解決するための手段) 本発明者らは超電導体の大型化について種々検討した結
果、超電導体同士を接合することによって目的を達成で
きるものと考え本発明を完成するに至った。
本発明は端部が高温超電導体及び金属の混合体からなる
複数の高温超電導体片を接合、一体化してなる高温超電
導体並びに端部が高温超電導体及び金属の混合体からな
る複数の高温超電導体片を組み合わせた後加熱して接合
、一体化する高温超電導体の製造法に関する。
本発明において用いられる高温超電導体は特に制限はな
いが2例えばイツ) IJウム及び/又はホルミウム、
エルビウム、ユーロピウム等のう4タノイド元素(ただ
しセリウム、プラセオジウム及びテルビウムを除く)と
バリウム並びに銅を原子比で1:2:3となるような比
率で混合したもの。
ビスマス、ストロンチウム、カルシウム及び銅ヲ原子比
でおよそ2:2:1:2又はおよそ2:2:2=3とな
るようか比率で混合したものが用いられる。
なお高温超電導体片を製造するだめの方法については特
に制限はなく、従来公知の方法で製造するものとする。
高温超電導体片の形状についてh特に制限はなく、接合
する部分は相互にオーバーラツプする構造が好ましく9
例えば接合する部分の一方の端部に凹部を形成し、他方
の端部に該凹部に嵌合する突起部を形成するか又は接合
する部分に段差を形成することが好ましい。
高温超電導体に添加する金属としては、高温超電導体と
反応しにくいもので、かつ熱処理中に害を与えないもの
が用いられる。
例えばイツトリウム、バリウム及び銅を主成分とする高
温超電導体、ビスマス、ストロンチウム。
カルシウム及び銅又はタリウム、バリウム、カルシウム
及び銅を主成分とする高温超電導体若しくはこれらに鉛
を加えた高温超電導体に含まれるアルカリ土類金属の一
部が他のアルカリ土類金属で置換されている高温超電導
体に対しては、銀、金又はこれらを主成分とする合金が
用いられる。
金属の添加量は、高温超電導体100重量部に対して2
0乃至100重量部添加すれば接合確率が高いので好ま
しい。
複数の高温超電導体片を接合、一体化する方法としては
1例えば複数の高温超電導体片を組み合わせた後、高温
超電導体片全体を加熱して接合。
一体化するか又は組み合わせた部分に熱風、レーザー光
線等を当て局部加熱して接合、一体化される。
なお接合、一体化後、上記の加熱温度よシ低温で高温超
電導体片全体を加熱し、その後徐冷するか又は高温超電
導体片全体を局部加熱温度よシ低温に維持しながら局部
加熱して接合、一体化した後徐冷すれば歪を低減できる
ので好ましい。
また複数の高温超電導体片の接合部分に高温超電導体粉
末又は高温超電導体粉末と金属粉末との混合粉を介在さ
せて接合すれば接合確率が高いので好ましい。
(実施例) 以下本発明の詳細な説明する。
実施例1 ビスマス、ストロンチウム、カルシウム及び調率 の比が原子比で2:2:1:2になるように純度△ 99.9チ以上の酸化ビスマス(高純度化学研究新製)
466.0g、炭酸ストロンチウム(高純度化学研究新
製)295.39.炭酸カルシウム(高純度化学研究新
製)100.19及び酸化銅(高純度化学研究新製)1
59.19を秤量し、これを合成樹脂製のボールミル内
に合成樹脂で被覆した鋼球ボール及びメタノールととも
に充てんし、毎分60回転の条件で100時間湿式混合
した。乾燥後粉砕物をアルミナ焼成板にのせ、大気気流
中で850℃まで100℃/時間の速度で昇温し、85
0℃で20時間焼成後50℃/時間の速度で冷却し。
ついでアルミナ乳鉢で粉砕した後合成樹脂製のボールミ
ル内に超鋼ボールとともに充てんし、平均粒径が5μm
以下になるまで微粉砕した。これを再度アルミナ焼成板
にのせ大気気流中で850℃まで100℃/時間の速度
で昇温し、850℃で20時間焼成後、50℃/時間の
速度で冷却し。
ついでアルミナ乳鉢で粉砕した後合成樹脂製のボールミ
ル内に超鋼ボールとともに充てんし、平均粒径が3.9
μmに微粉砕した高温超電導体粉末を得た。
次に高温超電導体粉末100gにポリイソブチルメタク
リレート(重合度500)を109添加した後金型を用
いて第1図に示すようにAが4111m。
Bが178mm、Cが168M及びDが2mmで幅が3
00 mm (図示せず)の成形体並びに第2図に示1
00mm及びKが4−で幅が300mm(図示せず)の
成形体を得た。
一方上記で得た高温超電導体粉末1009に平均粒径2
μmの銀粉末409を添加した後、これにポリビニルブ
チラール(和光紬薬社製、試薬)709添加して混合し
、均一なスラリーを製造し。
これをテープキャスティング法で加工して接合部分とな
る厚さ1mmのシートを得た。ついで該シートを211
II11の長さで、かつ成形体の端部の形状に切断し、
上記で得た成形体の端部にビスフェノール型エポキシ樹
脂系の接着剤(シェル化学社製、商品名エピコート10
01)で接着した後、大気気流中で300℃まで0.5
℃/分の速度で昇温し。
300℃で2時間保持した後850℃まで1℃/分の速
度で昇温し、850℃で10時間保持後1℃/分の速度
で冷却して第3図の(al及び(b)に示すように高温
超電導体及び銀の混合体からなる端部に段差のある高温
超電導体片1,1′及び第4図の(a)及び(blに示
すように端部が高温超電導体及び銀の混合体からなシ、
かつ一方の端部に凹部を形成し、他方の端部に該凹部に
嵌合する突起を形成した高温超電導体片2.2′を得た
次に上記で得た高温超電導体片1と4′及び2と2′と
を組み合わせた後接合部分3に890℃の熱風を吹きつ
け9部分溶融させて2枚の高温超電導体片を接合した寸
法が300mmX 350mmX厚さ4mmの高温超電
導体を得た。
該高温超電導体を液体窒素に浸漬し、接合部付近につい
て磁気シールド性能をホール素子及びピックアップコイ
ルを用いて測定した結果、1〜3ガウスの磁場を減衰比
10−3以下にシールドできていることが分った。
実施例2 失 イツトリウム、バリウム#=び銅の比率が原子△ 比で1:2:3となるように純度99.9%以上の酸化
イツ) IJウム(信越化学工業製)114919、炭
酸バリウム(和光紬薬製、試薬特級)及 394.689−植び酸化銅238.649を秤量し。
ハ これをジルコニア製ポット内にジルコニアボール及びメ
タノールと共に充てんし、毎分60回転の条件で10時
時間式混合、粉砕した。乾燥後、粉砕物をアルミナ焼板
にのせ大気中で950℃までso’c/時間の速度で昇
温し、950℃で10時間焼成後50℃/時間の速度で
冷却し、ついでアルミナ乳鉢で粉砕した後、粉砕物をジ
ルコニア製ポット内にジルコニアボールと共に充てんし
て再粉砕して平均粒径が4.8μmに微粉砕した高温超
電導体粉末を得た。
以下実施例1と同様の工程を経て成形体を得。
さらに厚さ1薗のシートを得2両者を接着した後。
大気気流中で300℃まで0.5℃/分の速度で昇温し
、300℃で2時間保持した後930℃まで1℃/分の
速度で昇温し、930℃で10時間保持後1℃/分の速
度で冷却して実施例1と同様の高温超電導体を得た。な
お冷却の際の雰囲気は。
850℃までは大気気流中で、それ以降は酸素気流中で
行った。
以下実施例1と同様の方法で磁気シールド性能を測定し
た。その結果1〜3ガウスの磁場を減衰比10−3以下
にシールドできていることが分った。
(発明の効果) 本発明によれば、焼成し易く寸法の小さな複数の超電導
体片を組み合わせるだけで任意の大きさの高温超電導体
を得ることができ、また得られる高温超電導体はち密で
9反シ、ねじれ等がなく。
接合強度が安定であり工業的に極めて好適な高温超電導
体である。
【図面の簡単な説明】
第1図及び第2図は高温超電導体粉末を成形した成形体
の側面図、第3図のfall”を本発明の一実施例にな
る超電導体の平面図、(b)はその側面図及び第4図の
fa)は本発明の他の一実施例になる超電導体の平面図
、(b)はその側面図である。 符号の説明 1.1′・・・超電導体片   2,2′・・・超電導
体片3・・・接合部分

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1、端部が高温超電導体及び金属の混合体からなる複数
    の高温超電導体片を接合,一体化してなる高温超電導体
    。 2、端部が高温超電導体及び金属の混合体からなる複数
    の高温超電導体片を組み合わせた後加熱して接合,一体
    化することを特徴とする高温超電導体の製造法。
JP2108055A 1990-04-24 1990-04-24 高温超電導体及びその製造法 Pending JPH046146A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2108055A JPH046146A (ja) 1990-04-24 1990-04-24 高温超電導体及びその製造法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2108055A JPH046146A (ja) 1990-04-24 1990-04-24 高温超電導体及びその製造法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH046146A true JPH046146A (ja) 1992-01-10

Family

ID=14474774

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2108055A Pending JPH046146A (ja) 1990-04-24 1990-04-24 高温超電導体及びその製造法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH046146A (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6967408B1 (en) 1997-04-30 2005-11-22 Micron Technology, Inc. Gate stack structure
US6989108B2 (en) 2001-08-30 2006-01-24 Micron Technology, Inc. Etchant gas composition

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6967408B1 (en) 1997-04-30 2005-11-22 Micron Technology, Inc. Gate stack structure
US6989108B2 (en) 2001-08-30 2006-01-24 Micron Technology, Inc. Etchant gas composition

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPS60217106A (ja) 無機粉末凍結成形法
WO2017033618A1 (ja) 透光性希土類アルミニウムガーネットセラミックス
US4748136A (en) Ceramic-glass-metal composite
KR950024221A (ko) 희토류·철·붕소계 소결자석 또는 본드자석의 제조방법
JPS63201061A (ja) 透光性酸化イットリウム
US20090075824A1 (en) Laser Ablation Target and Method of Manufacturing the Same
JPH046146A (ja) 高温超電導体及びその製造法
JP5128326B2 (ja) レーザ蒸着用ターゲットおよびその製造方法
JPH0661022A (ja) 希土類ボンド磁石の製造方法
JPS61141674A (ja) タングステンシリサイド合金焼結体及びその製造方法
JPH03290377A (ja) 超電導体及びその製造法
US6068786A (en) Low-fire ferrite composition and a process for manufacturing ceramic articles using the said composition
JPS63236757A (ja) 多結晶セラミツクス製品及びその製造方法
JPH0797277A (ja) 酸化物超電導体の接合方法
JP2903575B2 (ja) Pb―Zr―Ti酸化物系ターゲット材の製造方法
JPS5848608A (ja) 希土類永久磁石の製造方法
JPS63166765A (ja) 窒化アルミニウム質焼結体およびその製造方法
JPS6011261A (ja) セラミツクス焼結体の製造方法
JPH02241006A (ja) フェライト磁性体の製造方法
TW575682B (en) Sputtering target and manufacturing method
JPH03242377A (ja) 異方性を有するBN−AlN系焼結体の製造方法
JP2721258B2 (ja) セラミック基板の製造方法
JPH09143000A (ja) 酸化物超電導体の接合方法
JPH03193605A (ja) 酸化物超電導薄膜形成用ターゲット材の製造方法
JPH036803A (ja) フェライト磁性体およびその製造方法