JPH0457318A - 湿式処理槽 - Google Patents

湿式処理槽

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Publication number
JPH0457318A
JPH0457318A JP17046690A JP17046690A JPH0457318A JP H0457318 A JPH0457318 A JP H0457318A JP 17046690 A JP17046690 A JP 17046690A JP 17046690 A JP17046690 A JP 17046690A JP H0457318 A JPH0457318 A JP H0457318A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
liquid
tank
processing
treating
temperature
Prior art date
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Pending
Application number
JP17046690A
Other languages
English (en)
Inventor
Koichiro Hori
浩一郎 堀
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
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Filing date
Publication date
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  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は半導体ウェハの洗浄、特にレジスト等有機被
膜の湿式除去に関するものである。
〔従来の技術〕
第3図は従来の循環濾過付きの湿式処理槽を示す模式図
である。
図において、1は処理槽の内槽、2は内槽1中の処理液
、3は投込ヒータ、4は処理槽の外槽、5は外槽4中の
処理液、6はポンプ、7はフィルタである。
次に動作について説明する。
処理槽の内槽1を満たした処理液2はヒータ3によって
加熱されている。また処理槽の内槽1から外槽4にオー
バフローした処理液5をポンプ6によりフィルタ7を通
して処理槽の内槽1に戻すことにより、処理液2中の微
粒子を除去するとともに、処理液2を攪拌する。このこ
とにより、処理槽の処理液温を一定に制御し、被洗浄物
の処理に備える。
〔発明が解決しようとする課題〕
従来の湿式処理槽は以上のように、処理槽全体の処理液
の液温を開放部で一定に制御しているため、処理能力の
維持・向上の点から処理液温を上げたくても、液温上昇
による蒸発量の増加、引火性危険物での危険の増大、空
気中の酸素による酸化変質の促進により処理液温の制限
を受ける場合があるなどという問題点があった。
この発明は上記のような問題点を解消するためになされ
たもので、処理液の液温を上昇させ、処理液中の処理残
渣を分解させることの利点を得て、液温上昇による蒸発
・引火・酸化などの弊害を避けることができる湿式処理
槽を得ることを目的とする。
〔課題を解決するための手段〕
この発明に係る湿式処理槽は、循環濾過などの処理液が
流れる配管流路の途中に、まず加熱部を、次に冷却部を
設けたものである。
(作用〕 この発明においては、流路を流れてきた処理液を加熱部
で加熱し、次に冷却部で処理槽内の所定の温度に冷却す
ることにより、液温上昇による蒸発・引火・酸化などの
弊害が起こらないようにすることができる。
〔実施例〕
以下、この発明の実施例を図について説明する。
第1図は本発明の一実施例による湿式処理槽を示す模式
図である。
図において、1,2,4.6は前記従来のちのと同一で
あり、8は加熱部、9は冷却部である。
次に動作について説明する。
処理槽の内槽1中の処理液2は処理対象物の完全分解と
いう点では液温100°C以上が望ましいが、前記従来
の技術で例示した理由により液温を80°Cで使用して
いる。処理能力が低下した処理液2は内槽1から外槽4
にオーバフローし、さらにポンプ6により加熱部8に送
られる。加熱部8では処理液5の液温を、この例では1
20°Cに加熱し、処理液5中の処理残渣を分解させる
。ここでは、密閉されているため、蒸発・引火・酸化の
心配はない。処理液5は次に冷却部9に行き、液温を8
0°Cに冷却され、処理槽の内槽1に戻る。
第2図は本発明による他の実施例を示す湿式処理槽を示
す模式図である。図において、1.2゜4.6,8.9
は前記第1図に示す一実施例のものと同一であり、10
は加熱部8と冷却部9の間に設けたフィルタである。
通常液体の粘性率、表面張力は温度が上昇するとともに
減少するため、濾過しやすくなる。そのため、循環流路
の途中で液温を上昇させ、濾過フィルタ10を通過させ
てから冷却することにより、Vζ 濾過効果を上げること←できる。
〔発明の効果〕
以上のように、この発明に係る湿式処理槽によれば密閉
系の部分でのみ液温を上昇させることができるように構
成したので、処理液の液温を上昇させ、処理液中の処理
残渣を分解させることの利点を得て、液温上昇による蒸
発・引火・酸化などの弊害を避けることができるという
効果がある。
【図面の簡単な説明】
第1図はこの発明の一実施例による湿式処理槽を示す模
式図、第2図はこの発明の他の実施例による湿式処理槽
を示す模式図、第3図は従来の湿式処理槽を示す模式図
である。 図において、1は処理槽の内槽、2は内槽1中の処理液
1.4は処理槽の外槽、5は外槽4中の処理液、6はポ
ンプ、8は加熱部、9は冷却部、10はフィルタである
。 なお図中同一符号は同−又は相当部分を示す。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)半導体ウェハを湿式処理する湿式処理槽において
    、 処理液の循環流路の途中に設けた、処理液中の処理残渣
    を分解するための加熱部と、 上記加熱部の下流側に設けた、処理槽の処理液温を一定
    に制御するための冷却部とを直列に備えたことを特徴と
    する湿式処理槽。
JP17046690A 1990-06-27 1990-06-27 湿式処理槽 Pending JPH0457318A (ja)

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JP17046690A JPH0457318A (ja) 1990-06-27 1990-06-27 湿式処理槽

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JP (1) JPH0457318A (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102009022285A1 (de) 2008-12-22 2010-06-24 Takuma, Norikata, Kokubunji Aneurysmaembolisierungsvorrichtung und Verfahren zum Betreiben derselben
DE102010025610A1 (de) 2010-01-22 2011-07-28 Takuma, Norikata, Tokio Aneurysmaembolisierungsvorrichtung

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102009022285A1 (de) 2008-12-22 2010-06-24 Takuma, Norikata, Kokubunji Aneurysmaembolisierungsvorrichtung und Verfahren zum Betreiben derselben
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