JPH0457092B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0457092B2 JPH0457092B2 JP61006436A JP643686A JPH0457092B2 JP H0457092 B2 JPH0457092 B2 JP H0457092B2 JP 61006436 A JP61006436 A JP 61006436A JP 643686 A JP643686 A JP 643686A JP H0457092 B2 JPH0457092 B2 JP H0457092B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- end point
- photoelectric conversion
- electric signal
- conversion means
- etching
- Prior art date
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- Expired - Lifetime
Links
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 27
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 23
- 230000008859 change Effects 0.000 claims description 6
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 claims description 6
- 238000000034 method Methods 0.000 description 12
- 230000008569 process Effects 0.000 description 11
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000004993 emission spectroscopy Methods 0.000 description 2
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 1
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
Landscapes
- ing And Chemical Polishing (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、エツチング終点判定装置に係り、特
にプラズマによりエツチング処理される試料のエ
ツチング終点判定を発光分光法により行うのに好
適なエツチング終点判定装置に関するものであ
る。
にプラズマによりエツチング処理される試料のエ
ツチング終点判定を発光分光法により行うのに好
適なエツチング終点判定装置に関するものであ
る。
プラズマによりエツチング処理される試料のエ
ツチング終点判定を発光分光法により行う従来の
装置は、例えば、特開昭59−28340号に記載のよ
うに、光電変換素子の変化を安定にするために、
信号のゲインとオフセツト調整を行つており、観
察窓のくもり等で信号が変化した場合は、オフセ
ツトおよびゲインと共に変更するようになつてい
た。しかし、観察窓のくもり等で取り出される発
光量が変化した場合において発光量が変換された
電気信号そのものを補正することについては配慮
されていなかつた。
ツチング終点判定を発光分光法により行う従来の
装置は、例えば、特開昭59−28340号に記載のよ
うに、光電変換素子の変化を安定にするために、
信号のゲインとオフセツト調整を行つており、観
察窓のくもり等で信号が変化した場合は、オフセ
ツトおよびゲインと共に変更するようになつてい
た。しかし、観察窓のくもり等で取り出される発
光量が変化した場合において発光量が変換された
電気信号そのものを補正することについては配慮
されていなかつた。
上記従来技術は、観察窓のくもり等で取り出さ
れる発光量が変化した場合において発光量が変換
された電気信号そのものを補正することについて
は配慮されておらず、同一プロセスでのエツチン
グ終点判定を同一判定値で行うためには、取り出
される発光量の変化に応じるための自動のオフセ
ツト調整機能、ゲイン調整機能を付加しなければ
ならないといつた問題がある。
れる発光量が変化した場合において発光量が変換
された電気信号そのものを補正することについて
は配慮されておらず、同一プロセスでのエツチン
グ終点判定を同一判定値で行うためには、取り出
される発光量の変化に応じるための自動のオフセ
ツト調整機能、ゲイン調整機能を付加しなければ
ならないといつた問題がある。
本発明の目的は、取り出される発光量の変化に
応じるための自動のオフセツト調整機能、ゲイン
調整機能を付加することなしに、同一プロセスで
のエツチング終点判定を同一判定値で行うことが
できるエツチング終点判定装置を提供することに
ある。
応じるための自動のオフセツト調整機能、ゲイン
調整機能を付加することなしに、同一プロセスで
のエツチング終点判定を同一判定値で行うことが
できるエツチング終点判定装置を提供することに
ある。
上記目的は、プラズマによる試料のエツチング
処理中に生じる発光の光量を電気信号に変換する
光電変換手段と、電気信号値の経時変化により試
料のエツチング処理の終点を判定する終点判定手
段と、既にエツチング判定が行われたものにおけ
る電気信号の終点判定開始時のあるタイミングで
の電気信号値と、現処理中のものにおける光電変
換手段から取り込まれる電気信号の終点判定開始
時のあるタイミングでの電気信号値とを比較し、
差がある場合に同一にするように光電変換手段に
与える設定信号を変化させ、光電変換手段のゲイ
ンを変化させる感度調整手段とを具備することに
より、達成される。
処理中に生じる発光の光量を電気信号に変換する
光電変換手段と、電気信号値の経時変化により試
料のエツチング処理の終点を判定する終点判定手
段と、既にエツチング判定が行われたものにおけ
る電気信号の終点判定開始時のあるタイミングで
の電気信号値と、現処理中のものにおける光電変
換手段から取り込まれる電気信号の終点判定開始
時のあるタイミングでの電気信号値とを比較し、
差がある場合に同一にするように光電変換手段に
与える設定信号を変化させ、光電変換手段のゲイ
ンを変化させる感度調整手段とを具備することに
より、達成される。
光電変換手段は、プラズマによる試料のエツチ
ング処理中に生じる発光の光量を電気信号に変換
し、終点判定手段は、電気信号値の経時変化によ
り試料のエツチング処理の終点を判定し、感度調
整手段は、光電変換手段に取り込まれる発光の発
光量が、観察窓のくもり等で変化した場合、該発
光量の変化に応じて変化する電気信号の終点判定
開始時のあるタイミングでの電気信号値と、既に
エツチング判定が行われたものにおける電気信号
の終点判定開始時のあるタイミングでの電気信号
値とを比較し、差がある場合は同一にするように
光電変換手段に与える設定信号を変化させ、光電
変換手段のゲインを変化させる。これによつて、
光電変換手段に取り込まれる発光の発光量が、観
察窓のくもり等で変化しても電気信号値は以前の
電気信号値と同じ大きさに調整されるので、取り
込まれる発光量の変化に応じるための自動のオフ
セツト調整機能、ゲイン調整機能を付加すること
なしに、同一プロセスでのエツチング終点判定を
同一判定値で行うことができる。
ング処理中に生じる発光の光量を電気信号に変換
し、終点判定手段は、電気信号値の経時変化によ
り試料のエツチング処理の終点を判定し、感度調
整手段は、光電変換手段に取り込まれる発光の発
光量が、観察窓のくもり等で変化した場合、該発
光量の変化に応じて変化する電気信号の終点判定
開始時のあるタイミングでの電気信号値と、既に
エツチング判定が行われたものにおける電気信号
の終点判定開始時のあるタイミングでの電気信号
値とを比較し、差がある場合は同一にするように
光電変換手段に与える設定信号を変化させ、光電
変換手段のゲインを変化させる。これによつて、
光電変換手段に取り込まれる発光の発光量が、観
察窓のくもり等で変化しても電気信号値は以前の
電気信号値と同じ大きさに調整されるので、取り
込まれる発光量の変化に応じるための自動のオフ
セツト調整機能、ゲイン調整機能を付加すること
なしに、同一プロセスでのエツチング終点判定を
同一判定値で行うことができる。
本発明の一実施例を第１図、第２図により説明
する。
する。
第１図で、エツチング終点判定装置は、光電変
換素子１、光電変換素子用電源回路２、感度調整
回路３、オフセツト調整用可変抵抗器４、ゲイン
調整用可変抵抗器５、FET６、電流モニタ用抵
抗７、AD変換器８、DA変換器９、マイクロコ
ンピユータシステム１０により構成されている。
第２図に光電変換素子の出力の曲線を示しｎ回目
の終点判定時とｎ＋１回目の波形を示す。
換素子１、光電変換素子用電源回路２、感度調整
回路３、オフセツト調整用可変抵抗器４、ゲイン
調整用可変抵抗器５、FET６、電流モニタ用抵
抗７、AD変換器８、DA変換器９、マイクロコ
ンピユータシステム１０により構成されている。
第２図に光電変換素子の出力の曲線を示しｎ回目
の終点判定時とｎ＋１回目の波形を示す。
第１図で、光電変換素子１の出力信号はオフセ
ツト調整用可変抵抗器４により設定された電圧ま
で信号を下げ、残りの電圧をゲイン調整用可変抵
抗器５で設定された増巾度で増巾し、発光強度の
変化部を拡大してAD変換器８に取り込み、マイ
クロコンピユータシステム１０により終点を判定
する。ところが光電変換素子１に取り込まれる発
光の光量が観察窓のくもり等で変化するとAD変
換器８の入力値が変化し、同一プロセスでエツチ
ングを行つても終点判定タイミングがずれ、プロ
セス上に影響する場合がある。このため既にエツ
チング終点判定が行われたものにおける終点判定
開始時のあるタイミングで入力した電気信号の値
と、現処理中のものにおける終点判定開始時のあ
るタイミングで入力される電気信号の値とを比較
し（この場合第２図のｎ回目の点とｎ＋１回目
の点）、差がある場合は同一にするよう（第２
図の点以降）DA変換器９への設定信号を変化
させて感度調整回路３の抵抗を変え光電変換素子
用電源回路２で光電変換素子１のゲインを変化さ
せる。また、FET６の電流を制御するために電
流モニタ用抵抗器７の信号をフイードバツクさせ
安定に動作させている。
ツト調整用可変抵抗器４により設定された電圧ま
で信号を下げ、残りの電圧をゲイン調整用可変抵
抗器５で設定された増巾度で増巾し、発光強度の
変化部を拡大してAD変換器８に取り込み、マイ
クロコンピユータシステム１０により終点を判定
する。ところが光電変換素子１に取り込まれる発
光の光量が観察窓のくもり等で変化するとAD変
換器８の入力値が変化し、同一プロセスでエツチ
ングを行つても終点判定タイミングがずれ、プロ
セス上に影響する場合がある。このため既にエツ
チング終点判定が行われたものにおける終点判定
開始時のあるタイミングで入力した電気信号の値
と、現処理中のものにおける終点判定開始時のあ
るタイミングで入力される電気信号の値とを比較
し（この場合第２図のｎ回目の点とｎ＋１回目
の点）、差がある場合は同一にするよう（第２
図の点以降）DA変換器９への設定信号を変化
させて感度調整回路３の抵抗を変え光電変換素子
用電源回路２で光電変換素子１のゲインを変化さ
せる。また、FET６の電流を制御するために電
流モニタ用抵抗器７の信号をフイードバツクさせ
安定に動作させている。
本実施例では、ｎ回目の終点開始時の入力信号
とｎ＋１回目のそれとに差がある場合、ｎ＋１回
目の終点開始時以降の入力信号をｎ回目のそれと
同一になるように調整するため、光電変換素子に
取り込まれる発光の光量の変化に応じるための自
動のオフセツト調整機能、ゲイン調整機能を付加
することなしに、同一プロセスでのエツチング終
点判定を同一判定値で行うことができる。
とｎ＋１回目のそれとに差がある場合、ｎ＋１回
目の終点開始時以降の入力信号をｎ回目のそれと
同一になるように調整するため、光電変換素子に
取り込まれる発光の光量の変化に応じるための自
動のオフセツト調整機能、ゲイン調整機能を付加
することなしに、同一プロセスでのエツチング終
点判定を同一判定値で行うことができる。
本発明によれば、光電変換手段に取り込まれる
発光の光量が変化しても電気信号値を設定信号値
に調整するので、取り込まれる発光の光量の変化
に応じるための自動のオフセツト調整機能、ゲイ
ン調整機能を付加することなしに、同一プロセス
でのエツチング終点判定を同一判定値で行うこと
ができるという効果がある。
発光の光量が変化しても電気信号値を設定信号値
に調整するので、取り込まれる発光の光量の変化
に応じるための自動のオフセツト調整機能、ゲイ
ン調整機能を付加することなしに、同一プロセス
でのエツチング終点判定を同一判定値で行うこと
ができるという効果がある。
第１図は、本発明の一実施例のエツチング終点
判定装置の回路構成図、第２図は、第１図の装置
での光電変換素子の出力曲線図である。 １……光電変換素子、２……光電変換素子用電
源回路、３……感度調整回路、８……AD変換
器、９……DA変換器、１０……マイクロコンピ
ユータシステム。
判定装置の回路構成図、第２図は、第１図の装置
での光電変換素子の出力曲線図である。 １……光電変換素子、２……光電変換素子用電
源回路、３……感度調整回路、８……AD変換
器、９……DA変換器、１０……マイクロコンピ
ユータシステム。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ プラズマによる試料のエツチング処理中に生
じる発光の光量を電気信号に変換する光電変換手
段と、 前記電気信号値の経時変化により前記試料のエ
ツチング処理の終点を判定する終点判定手段と、 既にエツチング判定が行われたものにおける電
気信号の終点判定開始時のあるタイミングでの電
気信号値と、現処理中のものにおける前記光電変
換手段から取り込まれる電気信号の終点判定開始
時のあるタイミングでの電気信号値とを比較し、
差がある場合は同一にするように前記光電変換手
段に与える設定信号を変化させ、前記光電変換手
段のゲインを変化させる感度調整手段とを具備し
たことを特徴とするエツチング終点判定装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP643686A JPS62165920A (ja) | 1986-01-17 | 1986-01-17 | エツチング終点判定装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP643686A JPS62165920A (ja) | 1986-01-17 | 1986-01-17 | エツチング終点判定装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62165920A JPS62165920A (ja) | 1987-07-22 |
| JPH0457092B2 true JPH0457092B2 (ja) | 1992-09-10 |
Family
ID=11638346
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP643686A Granted JPS62165920A (ja) | 1986-01-17 | 1986-01-17 | エツチング終点判定装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62165920A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9767997B2 (en) | 2013-07-18 | 2017-09-19 | Hitachi High-Technologies Corporation | Plasma processing apparatus and operational method thereof |
| US11569135B2 (en) | 2019-12-23 | 2023-01-31 | Hitachi High-Tech Corporation | Plasma processing method and wavelength selection method used in plasma processing |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2611001B2 (ja) * | 1989-07-17 | 1997-05-21 | 株式会社日立製作所 | 終点判定方法および装置 |
| US5118378A (en) * | 1989-10-10 | 1992-06-02 | Hitachi, Ltd. | Apparatus for detecting an end point of etching |
| JPH0587943U (ja) * | 1992-04-28 | 1993-11-26 | 国際電気株式会社 | ドライエッチング装置の終点検出器 |
| JPH08232087A (ja) * | 1994-12-08 | 1996-09-10 | Sumitomo Metal Ind Ltd | エッチング終点検出方法及びエッチング装置 |
| US6149761A (en) * | 1994-12-08 | 2000-11-21 | Sumitomo Metal Industries Limited | Etching apparatus and etching system using the method thereof |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60148120A (ja) * | 1984-01-13 | 1985-08-05 | Hitachi Ltd | ドライエツチング装置 |
| JPS60220848A (ja) * | 1984-04-18 | 1985-11-05 | Hitachi Ltd | プラズマ利用装置 |
-
1986
- 1986-01-17 JP JP643686A patent/JPS62165920A/ja active Granted
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60148120A (ja) * | 1984-01-13 | 1985-08-05 | Hitachi Ltd | ドライエツチング装置 |
| JPS60220848A (ja) * | 1984-04-18 | 1985-11-05 | Hitachi Ltd | プラズマ利用装置 |
Cited By (3)
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|---|---|---|---|---|
| US9767997B2 (en) | 2013-07-18 | 2017-09-19 | Hitachi High-Technologies Corporation | Plasma processing apparatus and operational method thereof |
| US11424110B2 (en) | 2013-07-18 | 2022-08-23 | Hitachi High-Tech Corporation | Plasma processing apparatus and operational method thereof |
| US11569135B2 (en) | 2019-12-23 | 2023-01-31 | Hitachi High-Tech Corporation | Plasma processing method and wavelength selection method used in plasma processing |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS62165920A (ja) | 1987-07-22 |
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