JPH01235336A - エッチング終点判定装置 - Google Patents
エッチング終点判定装置Info
- Publication number
- JPH01235336A JPH01235336A JP6040688A JP6040688A JPH01235336A JP H01235336 A JPH01235336 A JP H01235336A JP 6040688 A JP6040688 A JP 6040688A JP 6040688 A JP6040688 A JP 6040688A JP H01235336 A JPH01235336 A JP H01235336A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- gain
- etching
- end point
- output
- etching end
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- Pending
Links
- 238000005530 etching Methods 0.000 title claims abstract description 32
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 7
- 238000004993 emission spectroscopy Methods 0.000 abstract description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000004611 spectroscopical analysis Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、エツチング終点判定装置に係り、特にプラズ
マにより多段エツチングされる半導体素子基板等の試料
のエツチング終点を発光分光法１こより判定するエツチ
ング終点判定装置に関するものである。
マにより多段エツチングされる半導体素子基板等の試料
のエツチング終点を発光分光法１こより判定するエツチ
ング終点判定装置に関するものである。
プラズマによりエツチングされる半導体素子基板等の試
料のエツチング終点を発光分光法により判定する装置と
しては、例えば、特開昭６０−６０７２７号公報に記載
のようなものが知られている。
料のエツチング終点を発光分光法により判定する装置と
しては、例えば、特開昭６０−６０７２７号公報に記載
のようなものが知られている。
上記従来技術では、ゲイン調整は一調であった。
一方、多段エツチングでは、各ステップ毎にゲインの設
定が必要となる。しかし、上記従来技術では、あるステ
ップのゲインをオートゲイン設定できるものの残りおス
テップにおいては、オートゲイン設定ができないため、
多段エツチングにおけるエツチング終点判定を容易に行
うことができないＯ 本発明の目的は、３１光分光法により多段エツチングの
エツチング終点判定を容易化できるエツチング終点判定
装置を提供することにある。
定が必要となる。しかし、上記従来技術では、あるステ
ップのゲインをオートゲイン設定できるものの残りおス
テップにおいては、オートゲイン設定ができないため、
多段エツチングにおけるエツチング終点判定を容易に行
うことができないＯ 本発明の目的は、３１光分光法により多段エツチングの
エツチング終点判定を容易化できるエツチング終点判定
装置を提供することにある。
上記目的は、オートゲイン機能付のエツチング終点判定
装置に、各ステップ毎のゲイン値の初期設定値を入力で
きる機能を付加させることで、達成できる。
装置に、各ステップ毎のゲイン値の初期設定値を入力で
きる機能を付加させることで、達成できる。
本屍明における各ステップ毎のゲイン設定機能は、九九
強度のエツチング終了前と終了後の使号の比を示し、各
ステップへ進んだ後は、そのゲイン設定手段のデータを
基にモニタ波形のゲイン値とオフセット値が決められる
。
強度のエツチング終了前と終了後の使号の比を示し、各
ステップへ進んだ後は、そのゲイン設定手段のデータを
基にモニタ波形のゲイン値とオフセット値が決められる
。
本発明の一実施例を第ｌ因〜第３図により説明する。
第１図で、エツチング終点判定装置は、この場合、光電
ｆ換器ｌ、オフセット電圧発生器２、ゲイン調整器３、
演算回路４、ペンレコーダ５、ゲイン設定器６により構
成されている。演算回路４は、各ステップのゲイン値を
ゲイン設定器６により決定する。また、ｙｘ算回路４は
光電変換器ｌの電圧と共にゲイン調整器３の出力る入力
し、オフセット電圧発生器２に電圧データおよびゲイン
調整器６にゲインデータを出力する。ゲイン調整器３は
光電変換器】の出力にオフセット電圧発生器２の出力を
減算したものに、演算回路４より設定されたデータを乗
算する。
ｆ換器ｌ、オフセット電圧発生器２、ゲイン調整器３、
演算回路４、ペンレコーダ５、ゲイン設定器６により構
成されている。演算回路４は、各ステップのゲイン値を
ゲイン設定器６により決定する。また、ｙｘ算回路４は
光電変換器ｌの電圧と共にゲイン調整器３の出力る入力
し、オフセット電圧発生器２に電圧データおよびゲイン
調整器６にゲインデータを出力する。ゲイン調整器３は
光電変換器】の出力にオフセット電圧発生器２の出力を
減算したものに、演算回路４より設定されたデータを乗
算する。
第２図で、多段エツチング、３ｓｔｅｐ のエツチング
を行なう場合で、各ステップでエツチング終了前と終了
後の出力電圧を１５ｔｅｐ 時■ｌ、■２．２ｓｔｅｐ
時”３＋ Ｖ４．３５ｔｅｐ時■Ｓｏ ｖ、、とする。
を行なう場合で、各ステップでエツチング終了前と終了
後の出力電圧を１５ｔｅｐ 時■ｌ、■２．２ｓｔｅｐ
時”３＋ Ｖ４．３５ｔｅｐ時■Ｓｏ ｖ、、とする。
ここでペンレコーダは、第３図に示すように１ｓｔｅｐ
時はゲイン設定−ＶＲ＋（６ａ）をベースとする。ＶＲ
，はＣに相当する値とする。１１時に光電変換器ｌ出力
とＶＲ，値よりベンレコ出力（終点判定信号もこの波形
を用いる）のゲイン値を決める。また１１時の値がＶと
なるようにオフセット値を決め、オフセット電圧発生器
２およびゲイン調整器６に出力する。同時に５ｔｅｐ
２ の場合はＶＰ２イ■で１２時に、５ｔｅｐ３（７）
場合はＶＲｓ（ｍテｔ３時にそれぞれ設定する。
時はゲイン設定−ＶＲ＋（６ａ）をベースとする。ＶＲ
，はＣに相当する値とする。１１時に光電変換器ｌ出力
とＶＲ，値よりベンレコ出力（終点判定信号もこの波形
を用いる）のゲイン値を決める。また１１時の値がＶと
なるようにオフセット値を決め、オフセット電圧発生器
２およびゲイン調整器６に出力する。同時に５ｔｅｐ
２ の場合はＶＰ２イ■で１２時に、５ｔｅｐ３（７）
場合はＶＲｓ（ｍテｔ３時にそれぞれ設定する。
また、２枚目以降も同様に各ステップ毎にゲイン設定が
できる。
できる。
本実施例によれば各ステップのエツチング終了初定波形
はほぼ類似の値とでき終点１定か容易になる。
はほぼ類似の値とでき終点１定か容易になる。
なお、上記一実施例ではＶＲにより設定する方法とした
が他の設定方法、例えば、テ゛ジタルｓｉｎ等により外
部設定を行なってもよい。
が他の設定方法、例えば、テ゛ジタルｓｉｎ等により外
部設定を行なってもよい。
本発明によれば、多段エツチング時の各ステップのエツ
チング終点ＩＪ定にオートゲイン機能を生かすことがで
き、エツチング終点初定か容易となる効果がある。
チング終点ＩＪ定にオートゲイン機能を生かすことがで
き、エツチング終点初定か容易となる効果がある。
第１図は、本発明の一実施例のエツチング終点判定装置
の回路構成図、第２図は、第１図の光電変換器の出力電
圧の模式図、頁３３図は、第１図のペンレコーダの出力
波形模式図である。 １・・・・・・光を変換器、２・・・・・オフセット電
圧発生器、３・−・・・ゲイン調！２ａ、４・・・・演
算回路、５・・・ペンレコーダ、６・・・・・ゲイン設
定器代理人 弁理士 小 川 勝 男ｌ イ ｌ 囚
の回路構成図、第２図は、第１図の光電変換器の出力電
圧の模式図、頁３３図は、第１図のペンレコーダの出力
波形模式図である。 １・・・・・・光を変換器、２・・・・・オフセット電
圧発生器、３・−・・・ゲイン調！２ａ、４・・・・演
算回路、５・・・ペンレコーダ、６・・・・・ゲイン設
定器代理人 弁理士 小 川 勝 男ｌ イ ｌ 囚
Claims (1)
- １、同一試料を複数のプロセスで同一装置内でエッチン
グし、プラズマの発光強度の変化によりエッチングの終
点を判定する装置において、前記各プロセス毎の前記プ
ラズマの発光強度信号を加工するための設定手段および
記憶手段を有し、前記各プロセス時に前記おのおのの手
段にてエッチング終点時のモニタ波形の変化幅を調整し
て全プロセスのエッチング終点時の波形を類似とするこ
とを特徴とするエッチング終点判定装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6040688A JPH01235336A (ja) | 1988-03-16 | 1988-03-16 | エッチング終点判定装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6040688A JPH01235336A (ja) | 1988-03-16 | 1988-03-16 | エッチング終点判定装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01235336A true JPH01235336A (ja) | 1989-09-20 |
Family
ID=13141265
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6040688A Pending JPH01235336A (ja) | 1988-03-16 | 1988-03-16 | エッチング終点判定装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01235336A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5118378A (en) * | 1989-10-10 | 1992-06-02 | Hitachi, Ltd. | Apparatus for detecting an end point of etching |
| KR100413476B1 (ko) * | 2000-10-27 | 2003-12-31 | 주식회사 하이닉스반도체 | 식각 종말점 검출 방법 |
| JP2012079946A (ja) * | 2010-10-01 | 2012-04-19 | Hitachi High-Technologies Corp | プラズマ処理装置 |
Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58110678A (ja) * | 1981-12-24 | 1983-07-01 | インタ−ナショナル ビジネス マシ−ンズ コ−ポレ−ション | エツチング方法 |
| JPS5928340A (ja) * | 1982-08-09 | 1984-02-15 | Hitachi Ltd | エッチング終点検出方法 |
| JPS5994423A (ja) * | 1982-11-22 | 1984-05-31 | Hitachi Ltd | エッチング終点判定方法 |
| JPS61220332A (ja) * | 1985-03-27 | 1986-09-30 | Hitachi Ltd | エッチング終点判定方法 |
| JPS6265424A (ja) * | 1985-09-18 | 1987-03-24 | Hitachi Ltd | エツチング終点検出方法 |
| JPS6318835B2 (ja) * | 1979-08-16 | 1988-04-20 | Tokyo Shibaura Electric Co |
-
1988
- 1988-03-16 JP JP6040688A patent/JPH01235336A/ja active Pending
Patent Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6318835B2 (ja) * | 1979-08-16 | 1988-04-20 | Tokyo Shibaura Electric Co | |
| JPS58110678A (ja) * | 1981-12-24 | 1983-07-01 | インタ−ナショナル ビジネス マシ−ンズ コ−ポレ−ション | エツチング方法 |
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| JPS5994423A (ja) * | 1982-11-22 | 1984-05-31 | Hitachi Ltd | エッチング終点判定方法 |
| JPS61220332A (ja) * | 1985-03-27 | 1986-09-30 | Hitachi Ltd | エッチング終点判定方法 |
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Cited By (3)
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|---|---|---|---|---|
| US5118378A (en) * | 1989-10-10 | 1992-06-02 | Hitachi, Ltd. | Apparatus for detecting an end point of etching |
| KR100413476B1 (ko) * | 2000-10-27 | 2003-12-31 | 주식회사 하이닉스반도체 | 식각 종말점 검출 방법 |
| JP2012079946A (ja) * | 2010-10-01 | 2012-04-19 | Hitachi High-Technologies Corp | プラズマ処理装置 |
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