JPS6062127A - エッチング終点検出方法 - Google Patents
エッチング終点検出方法Info
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- JPS6062127A JPS6062127A JP16913983A JP16913983A JPS6062127A JP S6062127 A JPS6062127 A JP S6062127A JP 16913983 A JP16913983 A JP 16913983A JP 16913983 A JP16913983 A JP 16913983A JP S6062127 A JPS6062127 A JP S6062127A
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- etching
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Links
- 238000005530 etching Methods 0.000 title claims abstract description 40
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 14
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims abstract description 25
- 230000035484 reaction time Effects 0.000 claims abstract description 19
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 claims description 2
- 238000001035 drying Methods 0.000 claims description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 abstract description 10
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は、エツチング終点検出方法に関するものである
。
。
ドライプロセスにてエツチング処理されるウェハのエツ
チング反応の終点を、エツチング処理時に特徴的に発生
するプラズマ光を取出し、このプラズマ光景の反応時間
に対する変化により検出する方法として、例えば、特開
昭56−1]5536号公報に示されているような方法
がある。以下、この方法を第1図により説明する。
チング反応の終点を、エツチング処理時に特徴的に発生
するプラズマ光を取出し、このプラズマ光景の反応時間
に対する変化により検出する方法として、例えば、特開
昭56−1]5536号公報に示されているような方法
がある。以下、この方法を第1図により説明する。
第1図で、aはエツチング処理時に特徴的に発生するプ
ラズマ光量、例えば、反応生成物に対応したプラズマ光
量の反応時間変化曲線である。こOし の場合のプラズマ光量框は、反応開始と共に急増し短時
間経過後に定常状態に達する。その後、このプラズマ光
量は反応の終了と共に急減し定常状態になる。このよう
な場合、この方法では、プラズマ光量が反応の終了と共
に急激した後に定常状定された反応終了の判定値工にな
った時点でエツチング終点が検出される。
ラズマ光量、例えば、反応生成物に対応したプラズマ光
量の反応時間変化曲線である。こOし の場合のプラズマ光量框は、反応開始と共に急増し短時
間経過後に定常状態に達する。その後、このプラズマ光
量は反応の終了と共に急減し定常状態になる。このよう
な場合、この方法では、プラズマ光量が反応の終了と共
に急激した後に定常状定された反応終了の判定値工にな
った時点でエツチング終点が検出される。
このような方法では、プラズマ光量の反応時間変化曲線
が上記のような曲線である場合には、エツチング終点を
精度良く検出可能であるが、しかし、プラズマ光量が反
応の開始と終了との間で定常状態とならない場合は、反
応途中におけるプラズマ光量/反応時間函数の微分値が
判定値になり、その結果、反応途中でエツチング終力が
誤って検出されるようになり、従って、エツチング終点
を精度良(検出することが不可部になるといった欠点が
あった。
が上記のような曲線である場合には、エツチング終点を
精度良く検出可能であるが、しかし、プラズマ光量が反
応の開始と終了との間で定常状態とならない場合は、反
応途中におけるプラズマ光量/反応時間函数の微分値が
判定値になり、その結果、反応途中でエツチング終力が
誤って検出されるようになり、従って、エツチング終点
を精度良(検出することが不可部になるといった欠点が
あった。
本発明の目的はプラズマ光景の反応時間変化曲線がどの
ような曲紳になろうともエツチング終点を精度良(検出
することができるエツチング終点検出方法を提供するこ
とにある。
ような曲紳になろうともエツチング終点を精度良(検出
することができるエツチング終点検出方法を提供するこ
とにある。
本発明は、反応開始後、プラズマ光量が一定量若しくは
単調な変化量となった時点で検出操作を開始し、プラズ
マ光量の反応の終了と共に減少若しくは増加し始める傾
向を検出した後・こ、引続し)でエツチング終点を検出
することを特徴とするもので、プラズマ光量の反応時間
変化曲線がどのような曲線になろうともエツチング終点
を精度良く検出できるようにするものである〇 〔発明の実施例〕 本発明の一実旋例を第2図〜@4図で説岨する・第2図
で31は、エツチング処弾時曇こ特徴約6こ発生するプ
ラズマ光量、例えば、反応生成物に対応したプラズマ光
量の反応時間変化曲線である・こt)。
単調な変化量となった時点で検出操作を開始し、プラズ
マ光量の反応の終了と共に減少若しくは増加し始める傾
向を検出した後・こ、引続し)でエツチング終点を検出
することを特徴とするもので、プラズマ光量の反応時間
変化曲線がどのような曲線になろうともエツチング終点
を精度良く検出できるようにするものである〇 〔発明の実施例〕 本発明の一実旋例を第2図〜@4図で説岨する・第2図
で31は、エツチング処弾時曇こ特徴約6こ発生するプ
ラズマ光量、例えば、反応生成物に対応したプラズマ光
量の反応時間変化曲線である・こt)。
し反応の終了と共に急減し定常状態%なる。又、第2図
で、b、はプラズマ光量/反応時間函数の2次微分値曲
線である。
で、b、はプラズマ光量/反応時間函数の2次微分値曲
線である。
この場合、エツチング終点の検出操作、つまり、プラズ
マ光量/反応時間函数の2次微分値(以下、2次微分値
と略)′の算出は反応開始後、プラズマ光量が単調な変
化量となる時間t1.を経過した時点より開始する。2
次微分値が、前もって設定された反応終了の判定値の内
で、まず、負の判定値工、になったことを検出し、これ
により、プラズマ光量の反応の終了と共壷二減少し始め
る傾向を検出する。その後、検出操作を続行し2次微分
値が正の判定値1になったことを検出し、これにより、
エツチング終点を検出する。
マ光量/反応時間函数の2次微分値(以下、2次微分値
と略)′の算出は反応開始後、プラズマ光量が単調な変
化量となる時間t1.を経過した時点より開始する。2
次微分値が、前もって設定された反応終了の判定値の内
で、まず、負の判定値工、になったことを検出し、これ
により、プラズマ光量の反応の終了と共壷二減少し始め
る傾向を検出する。その後、検出操作を続行し2次微分
値が正の判定値1になったことを検出し、これにより、
エツチング終点を検出する。
第3図で、 atは、エツチング処理時に特徴的に発生
するプラズマ光景、例えば、反応生成物に対応したプラ
ズマ光量の反応時間変化曲線である。
するプラズマ光景、例えば、反応生成物に対応したプラ
ズマ光量の反応時間変化曲線である。
この場合のプラズマ光景は、反応の開始と共に急増した
後急減し、その後定常状態に対し、更に反応の終了と共
に急増し定常状態になる。メ、第3です、は、この場の
2次微分値曲線である。
後急減し、その後定常状態に対し、更に反応の終了と共
に急増し定常状態になる。メ、第3です、は、この場の
2次微分値曲線である。
この場合、エツチング終点の検出操作、つ′fKす、2
次微分値の算出は、反応開始後、プラズマ光量が一定量
となる時間tI、を経過した時点より開始する。この検
出操作の過程で2次微分値が、前もって設定された反応
終了の判定値の内で、まず、正の判定値りになったこと
を検出し、これにより、プラズマ光量の反応の終了と共
に増加し始める傾向を検出する。その後、検出操作を続
行し2次微分値が負の判定値I、になったことを検出し
、これにより、エツチング終点を検出する。
次微分値の算出は、反応開始後、プラズマ光量が一定量
となる時間tI、を経過した時点より開始する。この検
出操作の過程で2次微分値が、前もって設定された反応
終了の判定値の内で、まず、正の判定値りになったこと
を検出し、これにより、プラズマ光量の反応の終了と共
に増加し始める傾向を検出する。その後、検出操作を続
行し2次微分値が負の判定値I、になったことを検出し
、これにより、エツチング終点を検出する。
第4図は、以上のエツチング終点の検出手順を示すもの
で、反応開始からの時間が時間tLを経過した時点で、
2次微分値の算出を開始する。ここで、プラズマ光量の
反応の終了と共に減少若しくは増加し始める傾向を検出
する段階を1段目検出とし、その後のエツチング終点を
検出する段階を2段目検出とする。2次微分値の算出開
始後、1段目検出は終了しているか否かをチェックする
・1段目検出が終了していなければ、例えば、第2図に
示すようにプラズマ光量が反応の終了と共に急減し定常
状態になる場合は、2次微分値が負の判定値以下か否か
をチェックする。2次微分値が負の判定値以下となった
時点で1段目検出が完了する。又、2次微分値が負の判
定値以上の場合は、このようなサイクルを2次微分値が
負の判定値以下となるまで繰返す。1段目検出が完了し
た後は、2段目検出に移行し、2次微分値が正の判定値
以上となった時点で2段目検出が完了し、これでエツチ
ング終点の検出が終了する。尚、第3図に示すようにプ
ラズマ光景が反応の終了と共に゛急増し定常状態になる
場合は、判定値の符号を入れ替えることで同様に対処で
きる。
で、反応開始からの時間が時間tLを経過した時点で、
2次微分値の算出を開始する。ここで、プラズマ光量の
反応の終了と共に減少若しくは増加し始める傾向を検出
する段階を1段目検出とし、その後のエツチング終点を
検出する段階を2段目検出とする。2次微分値の算出開
始後、1段目検出は終了しているか否かをチェックする
・1段目検出が終了していなければ、例えば、第2図に
示すようにプラズマ光量が反応の終了と共に急減し定常
状態になる場合は、2次微分値が負の判定値以下か否か
をチェックする。2次微分値が負の判定値以下となった
時点で1段目検出が完了する。又、2次微分値が負の判
定値以上の場合は、このようなサイクルを2次微分値が
負の判定値以下となるまで繰返す。1段目検出が完了し
た後は、2段目検出に移行し、2次微分値が正の判定値
以上となった時点で2段目検出が完了し、これでエツチ
ング終点の検出が終了する。尚、第3図に示すようにプ
ラズマ光景が反応の終了と共に゛急増し定常状態になる
場合は、判定値の符号を入れ替えることで同様に対処で
きる。
本実施例のようなエツチング終点検出方法では、反応開
始後、プラズマ光量が単調な変化量、一定量となる時間
を経過した時点で、2次微分値の算出を開始し、この2
次微分値が前もって設定された反応終了の正負の判定値
の内のどちらかの判定値になったことを検出した後に、
二の2次微分値が更に残りの判定値になったことを検出
することマ で、エツチング終点を検出できるため、プラズマ光景反
応の開始と終了との間で定常状態とならない場合でも、
エツチング終点を精度良く検出できる。
始後、プラズマ光量が単調な変化量、一定量となる時間
を経過した時点で、2次微分値の算出を開始し、この2
次微分値が前もって設定された反応終了の正負の判定値
の内のどちらかの判定値になったことを検出した後に、
二の2次微分値が更に残りの判定値になったことを検出
することマ で、エツチング終点を検出できるため、プラズマ光景反
応の開始と終了との間で定常状態とならない場合でも、
エツチング終点を精度良く検出できる。
ない。
(1) 反応の開始と共に急増し短時間経過後に定常状
態に対し、その後、反応の終了と共に急減し定常状態と
なるプラズマ光量の反応時間変化曲線。
態に対し、その後、反応の終了と共に急減し定常状態と
なるプラズマ光量の反応時間変化曲線。
(2反応の終了と共に漸減し定常状態となるプラズマ光
景の反応時間変化曲線・ (3)反応の終了と共に漸増し定常状態となるプラズマ
光量の反応時間変化曲線。
景の反応時間変化曲線・ (3)反応の終了と共に漸増し定常状態となるプラズマ
光量の反応時間変化曲線。
本発明は、以上説明したように反応開始後、プラズマ光
景が一定量若しくは単調な変化量となる時間を経過した
時点で検出操作を開始し、該検出操作によりプラズマ光
量の反応の終了と共に減少若し曵は増加し始める傾向を
検出した後に、引続いてエ °111、 」11−4ミ
ニ ッチング終点を検出することで、プラズマ光量の反応時
間変化曲線がどのような曲線になろうともエツチング終
点を精度良(検出てきるという効果がある。
景が一定量若しくは単調な変化量となる時間を経過した
時点で検出操作を開始し、該検出操作によりプラズマ光
量の反応の終了と共に減少若し曵は増加し始める傾向を
検出した後に、引続いてエ °111、 」11−4ミ
ニ ッチング終点を検出することで、プラズマ光量の反応時
間変化曲線がどのような曲線になろうともエツチング終
点を精度良(検出てきるという効果がある。
第1図は、従来のエツチング終点検出方法を説明するプ
ラズマ光量、プラズマ光量/反応時間函数の微分値と反
応時間との関係線図、第2図〜第4図は、本発明の一実
施例を説明するもので、第2図、第3図は、プラズマ光
景、2次微分値と反応時間との関係線図、第4図はエツ
チング終点検出手順のフローチ(−トである。 al+at・・・・・・プラズマ光量の反応時間変化曲
線、b+、b*・・・・・2次微分値曲線、工、・・・
・・・負の判定値、第1図 長穴■な閘t 才2回 f3図 L A尺吋間を 才4図
ラズマ光量、プラズマ光量/反応時間函数の微分値と反
応時間との関係線図、第2図〜第4図は、本発明の一実
施例を説明するもので、第2図、第3図は、プラズマ光
景、2次微分値と反応時間との関係線図、第4図はエツ
チング終点検出手順のフローチ(−トである。 al+at・・・・・・プラズマ光量の反応時間変化曲
線、b+、b*・・・・・2次微分値曲線、工、・・・
・・・負の判定値、第1図 長穴■な閘t 才2回 f3図 L A尺吋間を 才4図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 ドライプロセスによるエツチング処理時に特徴的に
発生するプラズマ光な選択的に取出し該プラズマ光量の
反応時間に対する変化によりエツチング終点を検出する
方法において、反応開始後、前記プラズマ光量が一定量
若しくは単調な変化量となった時点で検出操作を開始し
、プラズマ光量の反応の終了と共に減少若しくは増加し
始める傾向を検出した後に、引続いてエンチング終点を
検出することを特徴とするエツチング終点検出方法。 2 反応開始後、前記プラズマ光■が一定量若しくは単
調な変化量となった時点で、プラズマ光量/反応時間函
数の2次微分値の算出を開始し、該2次微分値が前もっ
て設定された反応終了の正負の判定値の内のいずれかの
判定値になったことを検出した後に、引続いて該2次微
分値が残りの判定値になることを検出する特許請求の範
囲第1項記載のエツチング終点検出方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP16913983A JPS6062127A (ja) | 1983-09-16 | 1983-09-16 | エッチング終点検出方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP16913983A JPS6062127A (ja) | 1983-09-16 | 1983-09-16 | エッチング終点検出方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6062127A true JPS6062127A (ja) | 1985-04-10 |
Family
ID=15881006
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP16913983A Pending JPS6062127A (ja) | 1983-09-16 | 1983-09-16 | エッチング終点検出方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6062127A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6255226A (ja) * | 1985-09-03 | 1987-03-10 | Kubota Ltd | 農用トラクタの走行装置 |
-
1983
- 1983-09-16 JP JP16913983A patent/JPS6062127A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6255226A (ja) * | 1985-09-03 | 1987-03-10 | Kubota Ltd | 農用トラクタの走行装置 |
JPH0422735B2 (ja) * | 1985-09-03 | 1992-04-20 | Kubota Kk |
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