JPH0456228A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
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- JPH0456228A JPH0456228A JP2167185A JP16718590A JPH0456228A JP H0456228 A JPH0456228 A JP H0456228A JP 2167185 A JP2167185 A JP 2167185A JP 16718590 A JP16718590 A JP 16718590A JP H0456228 A JPH0456228 A JP H0456228A
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 39
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 9
- 238000007789 sealing Methods 0.000 abstract description 18
- 239000011347 resin Substances 0.000 abstract description 16
- 229920005989 resin Polymers 0.000 abstract description 16
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 abstract description 11
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 abstract description 10
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 abstract description 10
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 58
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 58
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 5
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 4
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 4
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 4
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 4
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 4
- 230000035882 stress Effects 0.000 description 4
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 4
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 3
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 3
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 3
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000007257 malfunction Effects 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 230000008646 thermal stress Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
- H01L2224/05—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/484—Connecting portions
- H01L2224/48463—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond
Landscapes
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、半導体装置における入力回路部のパッド部に
関するものである。
関するものである。
従来の技術
従来より、半導体装置は、外部からの入力信号あるいは
、半導体装置からの出力信号を半導体装置内の金属配線
パッド部と半導体装置外部につながる配線の間に金属の
ワイヤを接続することにより信号の入出力を行なってい
る。
、半導体装置からの出力信号を半導体装置内の金属配線
パッド部と半導体装置外部につながる配線の間に金属の
ワイヤを接続することにより信号の入出力を行なってい
る。
以下従来の半導体装置について説明する。
第２図は、従来の半導体装置の金属配線パッド部近傍の
要所断面図である。
要所断面図である。
半導体基板１の上部に眉間絶縁膜２を形成し、その上部
に金属配線パッド部３および金属配線回路部７を形成す
る。そして表面保護膜４形成後、金属ワイヤ５を接続し
封止樹脂６に封止する。
に金属配線パッド部３および金属配線回路部７を形成す
る。そして表面保護膜４形成後、金属ワイヤ５を接続し
封止樹脂６に封止する。
眉間絶縁膜２は半導体基板１の上部に化学的気相成長法
により、酸化シリコンを主成分として約０．３から１μ
ｍの厚みで形成する。金属配線は眉間絶縁膜２の上部に
、スパッタリングにより約１μｍ成膜する。金属配線パ
ッド部３および金属配線回路部７はリソグラフィおよび
ドライエツチングにより所定のパターンに形成する。表
面保護膜４は外部からの異物（水分、イオンなど）から
半導体装置を保護するために、酸化シリコンや窒化シリ
コンを主成分とした膜で形成する。金属ワイヤ５を接続
する箇所には、約１００μｍ角の窓をあけ金属配線パッ
ド部３を表面に露出し、金属ワイヤと接続する。金属ワ
イヤ５は、直径約３０から５０μｍで超音波と熱により
金属配線３と接続する。金属ワイヤ５の先端は、金属配
線３との接続部で約６０から１００μｍの直径になる（
金属ワイヤが２から３倍に広がる）。
により、酸化シリコンを主成分として約０．３から１μ
ｍの厚みで形成する。金属配線は眉間絶縁膜２の上部に
、スパッタリングにより約１μｍ成膜する。金属配線パ
ッド部３および金属配線回路部７はリソグラフィおよび
ドライエツチングにより所定のパターンに形成する。表
面保護膜４は外部からの異物（水分、イオンなど）から
半導体装置を保護するために、酸化シリコンや窒化シリ
コンを主成分とした膜で形成する。金属ワイヤ５を接続
する箇所には、約１００μｍ角の窓をあけ金属配線パッ
ド部３を表面に露出し、金属ワイヤと接続する。金属ワ
イヤ５は、直径約３０から５０μｍで超音波と熱により
金属配線３と接続する。金属ワイヤ５の先端は、金属配
線３との接続部で約６０から１００μｍの直径になる（
金属ワイヤが２から３倍に広がる）。
金属ワイヤ５と金属配線パッド部３との接続時のずれに
より、金属ワイヤ５が表面保護膜４を破り、金属配線回
路部７とショートする、あるいは断線することを防ぐた
めに、金属配線パッド部３と金属配線回路部７は、約２
０から５０μｍの距離はなしである。そして量産性・コ
ストパフォマンスの点から封止樹脂６を用いた封止方法
を用いる。
より、金属ワイヤ５が表面保護膜４を破り、金属配線回
路部７とショートする、あるいは断線することを防ぐた
めに、金属配線パッド部３と金属配線回路部７は、約２
０から５０μｍの距離はなしである。そして量産性・コ
ストパフォマンスの点から封止樹脂６を用いた封止方法
を用いる。
このように製作された半導体装置において、外部との信
号の入出力が可能となる。
号の入出力が可能となる。
発明が解決しようとする課題
しかしながら、上記従来の構造では、半導体装置組立時
の金属ワイヤ５の位置ずれにより金属配線パッド部３と
金属配線回路部７との電気的なショートあるいは金属配
線回路部７の断線を防ぐために、金属配線パッド部３と
金属配線回路部７との間隔は、約２０から５０μｍの距
離が必要である。そのため、金属配線パッド部３と金属
配線回路部７との間に存在する表面保護膜４の形状は平
坦になる。半導体装置組立時の外部からの機械的応力あ
るいは熱膨張係数の差により、封止樹脂６と表面保護膜
４との間にストレスが引き起こされ、ひいては剥離が発
生する。多孔質である封止樹脂６を透過した半導体装置
外部の水分あるいは可動性イオンが発生した剥離部に残
留し、半導体装置の動作不良あるいは信頼性を著しく低
下させる。表面保護膜４と封止樹脂６との接着強度を向
上するためには接着部分の面積を拡大するかあるいは表
面保護膜４と封止樹脂６との化学的結合を強化する必要
がある。接着部分の面積を拡大するには従来の半導体装
置では、金属配線パッド部３と金属配線回路部７との間
隔を広げる必要があるが、レイアウト面積を増加する不
都合が生じる。
の金属ワイヤ５の位置ずれにより金属配線パッド部３と
金属配線回路部７との電気的なショートあるいは金属配
線回路部７の断線を防ぐために、金属配線パッド部３と
金属配線回路部７との間隔は、約２０から５０μｍの距
離が必要である。そのため、金属配線パッド部３と金属
配線回路部７との間に存在する表面保護膜４の形状は平
坦になる。半導体装置組立時の外部からの機械的応力あ
るいは熱膨張係数の差により、封止樹脂６と表面保護膜
４との間にストレスが引き起こされ、ひいては剥離が発
生する。多孔質である封止樹脂６を透過した半導体装置
外部の水分あるいは可動性イオンが発生した剥離部に残
留し、半導体装置の動作不良あるいは信頼性を著しく低
下させる。表面保護膜４と封止樹脂６との接着強度を向
上するためには接着部分の面積を拡大するかあるいは表
面保護膜４と封止樹脂６との化学的結合を強化する必要
がある。接着部分の面積を拡大するには従来の半導体装
置では、金属配線パッド部３と金属配線回路部７との間
隔を広げる必要があるが、レイアウト面積を増加する不
都合が生じる。
表面保護膜４と封止樹脂６との化学的結合を強化するた
めには、表面保護膜４あるいは封止樹脂６の材料面での
新たな開発が必要となりコスト的にも時間的にも大きな
負担となる。
めには、表面保護膜４あるいは封止樹脂６の材料面での
新たな開発が必要となりコスト的にも時間的にも大きな
負担となる。
本発明は上記従来の発明の問題点を解決するもので、入
力回路パッド部近傍の表面保護膜４と封止樹脂６との接
着強度を向上させることが可能な半導体装置を提供する
ことを目的とする。
力回路パッド部近傍の表面保護膜４と封止樹脂６との接
着強度を向上させることが可能な半導体装置を提供する
ことを目的とする。
課題を解決するための手段
この目的を達成するために、本発明の半導体装置は、入
力回路パッド部の金属配線パッド部の周囲に入力回路部
信号ノード以外あるいはとのノードとも電気的に接続し
ていないポリシリコン配線およびコンタクト窓を有する
。
力回路パッド部の金属配線パッド部の周囲に入力回路部
信号ノード以外あるいはとのノードとも電気的に接続し
ていないポリシリコン配線およびコンタクト窓を有する
。
作用
この構造によって、表面保護膜の形状が入力回路信号ノ
ード以外あるいはとのノードとも電気的に接続していな
い金属配線により凹凸の形状となり表面保護膜と封止樹
脂との接着面積を拡大することができ接着強度を向上さ
せることができる。
ード以外あるいはとのノードとも電気的に接続していな
い金属配線により凹凸の形状となり表面保護膜と封止樹
脂との接着面積を拡大することができ接着強度を向上さ
せることができる。
実施例
以下、本発明の一実施例について、図面を参照しながら
説明する。
説明する。
第１図は、本発明の一実施例における、半導体装置の入
力回路部の金属配線パッド部近傍の要所断面図を示すも
のである。
力回路部の金属配線パッド部近傍の要所断面図を示すも
のである。
本発明の半導体装置は、入力回路部の金属配線パッド部
３の周囲に入力回路信号ノード以外あるいはどのノード
とも電気的に接続していないポリシリコン配線８および
コンタクト窓１０を有するものである。
３の周囲に入力回路信号ノード以外あるいはどのノード
とも電気的に接続していないポリシリコン配線８および
コンタクト窓１０を有するものである。
眉間絶縁膜２は半導体基板１の上部に化学的気相成長法
により、酸化シリコンを主成分として約０．３から１μ
ｍの厚みで形成する。ポリシリコン配線８は層間絶縁膜
２の上部に、化学的気相成長法により、モノシランを原
料ガスとして用いてポリシリコン膜を約０．３から１μ
ｍ成膜しリソグラフィおよびドライエツチングにより金
属配線パッド部３と金属配線回路部７との間に形成する
。ポリシリコン配線８の上部に化学的気相成長法により
酸化シリコンを主成分とする眉間絶縁膜（上層）９を約
１μｍ形成する。リソグラフィおよびドライエツチング
によりコンタクト窓１０を層間絶縁膜（上層〉９に形成
する。コンタクト窓１０の大きさと間隔はそれぞれ１μ
ｍにして形成する。スパッタリングにより金属配線膜（
例えばアルミニウム）を約１μｍ成膜する。リソグラフ
ィおよびドライエツチングにより所定のパターンに金属
配線パッド部３２回路部７および冗長部８を形成する。
により、酸化シリコンを主成分として約０．３から１μ
ｍの厚みで形成する。ポリシリコン配線８は層間絶縁膜
２の上部に、化学的気相成長法により、モノシランを原
料ガスとして用いてポリシリコン膜を約０．３から１μ
ｍ成膜しリソグラフィおよびドライエツチングにより金
属配線パッド部３と金属配線回路部７との間に形成する
。ポリシリコン配線８の上部に化学的気相成長法により
酸化シリコンを主成分とする眉間絶縁膜（上層）９を約
１μｍ形成する。リソグラフィおよびドライエツチング
によりコンタクト窓１０を層間絶縁膜（上層〉９に形成
する。コンタクト窓１０の大きさと間隔はそれぞれ１μ
ｍにして形成する。スパッタリングにより金属配線膜（
例えばアルミニウム）を約１μｍ成膜する。リソグラフ
ィおよびドライエツチングにより所定のパターンに金属
配線パッド部３２回路部７および冗長部８を形成する。
入力回路パッド部の金属配線の大きさは約１００μｍ角
程度である。金属配線パッド部３２回路部７の上部には
、半導体外部からの異物（水分、イオンなど）から半導
体装置を保護するために、酸化シリコンや窒化シリコン
を主成分にする表面保護膜４を形成し、金属ワイヤ５を
接続する箇所には、約１００μｍ角の窓をあけ金属配線
パッド部３を表面に露出し、金属ワイヤと接続する。半
導体装置組立時の金属ワイヤ５の位置ずれにより金属配
線パッド部３と金属配線回路部７との電気的なショート
あるいは金属配線回路部７の断線を防ぐために、金属配
線パッド部３と金属配線回路部７との間隔は、約２０か
ら５０μｍの距離はなしである。入力回路部の金属配線
パッド部３の周囲（金属配線パッド部３と金属配線回路
部７との間）に入力回路信号ノード以外あるいはどのノ
ードとも電気的に接続していないポリシリコン配線８お
よびコンタクト窓１０を配置する。そして、半導体装置
の封止方法には、量産性・コストパフォマンスの点から
封止樹脂６を用いる。ポリシリコン配線８およびコンタ
クト窓１０は、集積回路半導体装置に用いられる多層配
線のレイアウトパターンの一部を変更するだけで形成す
ることができる。この構造によって、表面保護膜の形状
が入力回路信号ノード以外あるいはとのノードとも電気
的に接続していないポリシリコン８とコンタクト窓１０
により凹凸の形状となり表面保護膜と封止樹脂との接着
面積を拡大することができ接着強度を向上させることが
できる。
程度である。金属配線パッド部３２回路部７の上部には
、半導体外部からの異物（水分、イオンなど）から半導
体装置を保護するために、酸化シリコンや窒化シリコン
を主成分にする表面保護膜４を形成し、金属ワイヤ５を
接続する箇所には、約１００μｍ角の窓をあけ金属配線
パッド部３を表面に露出し、金属ワイヤと接続する。半
導体装置組立時の金属ワイヤ５の位置ずれにより金属配
線パッド部３と金属配線回路部７との電気的なショート
あるいは金属配線回路部７の断線を防ぐために、金属配
線パッド部３と金属配線回路部７との間隔は、約２０か
ら５０μｍの距離はなしである。入力回路部の金属配線
パッド部３の周囲（金属配線パッド部３と金属配線回路
部７との間）に入力回路信号ノード以外あるいはどのノ
ードとも電気的に接続していないポリシリコン配線８お
よびコンタクト窓１０を配置する。そして、半導体装置
の封止方法には、量産性・コストパフォマンスの点から
封止樹脂６を用いる。ポリシリコン配線８およびコンタ
クト窓１０は、集積回路半導体装置に用いられる多層配
線のレイアウトパターンの一部を変更するだけで形成す
ることができる。この構造によって、表面保護膜の形状
が入力回路信号ノード以外あるいはとのノードとも電気
的に接続していないポリシリコン８とコンタクト窓１０
により凹凸の形状となり表面保護膜と封止樹脂との接着
面積を拡大することができ接着強度を向上させることが
できる。
発明の効果
本発明の半導体装置は半導体装置組立時の外部からの機
械的応力あるいは熱膨張係数の差による熱応力により、
封止樹脂と表面保護膜との界面で剥離が発生することを
抑制することができる。
械的応力あるいは熱膨張係数の差による熱応力により、
封止樹脂と表面保護膜との界面で剥離が発生することを
抑制することができる。
第１図は本発明の一実施例における半導体装置の入力回
路パッド部近傍の断面図、第２図は従来の半導体装置の
入力回路パッド部近傍の断面図である。 １・・・・・・半導体基板、２・・・・・・層間絶縁膜
（下層）、３・・・・・・金属配線パッド部、４・・・
・・・表面保護膜、５・・・・・・金属ワイヤ、６・・
・・・・封止樹脂、７・・・・・・金属配線回路部、８
・・・・・・ポリシリコン配線、９・・・・・・層間絶
縁膜（上層）、１０・・・・・・コンタクト窓。
路パッド部近傍の断面図、第２図は従来の半導体装置の
入力回路パッド部近傍の断面図である。 １・・・・・・半導体基板、２・・・・・・層間絶縁膜
（下層）、３・・・・・・金属配線パッド部、４・・・
・・・表面保護膜、５・・・・・・金属ワイヤ、６・・
・・・・封止樹脂、７・・・・・・金属配線回路部、８
・・・・・・ポリシリコン配線、９・・・・・・層間絶
縁膜（上層）、１０・・・・・・コンタクト窓。
Claims (1)
- 半導体基板と、前記半導体基板上に形成された第１の
絶縁膜と、前記第１の絶縁膜上に形成され入力回路信号
ノード以外あるいはどのノードとも電気的に接続してい
ない導電層と、前記導電層を含む領域上に形成された第
２の絶縁膜と、前記導電膜上で前記第２の絶縁膜に複数
のコンタクト窓を設けたことを特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2167185A JPH0456228A (ja) | 1990-06-25 | 1990-06-25 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2167185A JPH0456228A (ja) | 1990-06-25 | 1990-06-25 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0456228A true JPH0456228A (ja) | 1992-02-24 |
Family
ID=15845005
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2167185A Pending JPH0456228A (ja) | 1990-06-25 | 1990-06-25 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0456228A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006214585A (ja) * | 2005-02-02 | 2006-08-17 | Robert Bosch Gmbh | 抑振装置及びこのような装置を含む構造 |
-
1990
- 1990-06-25 JP JP2167185A patent/JPH0456228A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006214585A (ja) * | 2005-02-02 | 2006-08-17 | Robert Bosch Gmbh | 抑振装置及びこのような装置を含む構造 |
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