JPH0453369B2 - - Google Patents

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JPH0453369B2
JPH0453369B2 JP61025019A JP2501986A JPH0453369B2 JP H0453369 B2 JPH0453369 B2 JP H0453369B2 JP 61025019 A JP61025019 A JP 61025019A JP 2501986 A JP2501986 A JP 2501986A JP H0453369 B2 JPH0453369 B2 JP H0453369B2
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infrared rays
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    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
    • G01J5/00—Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry
    • G01J5/02—Constructional details
    • G01J5/08—Optical arrangements
    • G01J5/0803—Arrangements for time-dependent attenuation of radiation signals
    • G01J5/0805—Means for chopping radiation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02—Details
    • H01L31/0216—Coatings
    • H01L31/02161—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
    • H01L31/02162—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for filtering or shielding light, e.g. multicolour filters for photodetectors
    • H01L31/02164—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for filtering or shielding light, e.g. multicolour filters for photodetectors for shielding light, e.g. light blocking layers, cold shields for infrared detectors
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    • H01L31/02—Details
    • H01L31/0232—Optical elements or arrangements associated with the device
    • H01L31/02327—Optical elements or arrangements associated with the device the optical elements being integrated or being directly associated to the device, e.g. back reflectors

Description

【発明の詳細な説明】 〔概要〕 本発明は、赤外線透過材からなる基体１０、該
基体１０の片面上に形成された赤外線吸収体層１
１、該吸収体層の上に形成された誘電体層１２お
よび該誘電体層の上に形成された赤外線反射体層
１３よりなる遮光部１６と、前記赤外線透過材か
らなる基体１０と前記各層１１〜１３が形成され
た面と同じ側の面の該基体１０の上に形成された
前記誘電体層１２よりなる開口部１５とを有する
コールドシールドを備えていることを特徴とし、
前記遮光部の赤外線吸収作用および干渉作用によ
り該遮光部に入射する赤外線をほぼ消滅させると
ともに、前記開口部に入射する赤外線をほぼその
まま透過させることにより、赤外線検知の高精度
化を図る。
〔産業上の利用分野〕
本発明は赤外線検知器に関するものであり、更
に詳しく言えば赤外線検知器のコールドシールド
の構造に関するものである。
〔従来の技術〕
第４図は従来例に係る赤外線検知器の断面図で
あり、２は基台１の上に固着された赤外線を検知
する検知素子である。３はコールドシールドであ
り、例えば表面が黒化処理されたアルミニウムに
よつて形成されている。コールドシールド３は赤
外線を吸収する作用を有するとともに、赤外線の
発光源とならないように、基台１内の不図示の冷
却装置によつて十分に冷却されている。
このようにコールドシールド３によつて不要
な、又は不都合な赤外線を排除し、一方その開口
を通過した赤外線のみを検知素子２に導くことに
よつて赤外線検知の高精度化を図つている。
〔発明が解決しようとする問題点〕
第５図は第４図の部分拡大図であり、４，５は
検知素子２の受光部、６は電極である。また７は
例えばゲルマニウム等で形成される容器の窓であ
る。
ところで窓７を通して検知素子２に入射する赤
外線のうち受光部４に直接入射する赤外線８はそ
のまま該受光部４で検知されるが、電極６に入射
する赤外線９は該電極６によつて反射され、更に
窓７等によつて反射されて例えば受光部５に入射
することがある。
このように従来例の赤外線検知器によれば、実
際には入射すべきでない受光部５にも赤外線が入
射することになり、検知の精度が低下する場合が
ある。
本発明はかかる従来例の問題点に鑑みて創作さ
れたものであり、高精度の赤外線検知を可能とす
る赤外線検知器の提供を目的とする。
〔問題点を解決するための手段〕
本発明の赤外線検知器は、赤外線透過材からな
る基体１０、該基体１０の片面上に形成された赤
外線吸収体層１１、該吸収体層の上に形成された
誘電体層１２および該誘電体層の上に形成された
赤外線反射体層１３よりなる遮光部１６と、前記
赤外線透過材からなる基体１０と前記各層１１〜
１３が形成された面と同じ側の面の該基体１０の
上に形成された前記誘電体層１２よりなる開口部
１５とを有するコールドシールドを備えているこ
とを特徴とする。
〔作用〕
開口部１５は光学的に透過性の良好な屈折率の
組み合わせに係る赤外線透過材からなる基体１０
と誘電体層１２から構成されているので、該開口
部に入射する赤外線は効率良く受光部に導くこと
ができる。遮光部１６に入射する赤外線は屈折率
の相違によつてその一部はまず基体１０と吸収体
層１１との境界で反射する。一方その残りは吸収
体層１１を通過するが、その一部は吸収体層１１
によつて吸収される。吸収体層１１に吸収されず
誘電体層１２を透過する赤外線は反射体層１３に
よつて反射され誘電体層１２を通つて再び吸収体
層１１に入射する。ここでさらに吸収されるが、
その残りの赤外線は吸収体層１１から外へ出る。
ところで吸収体層１１で反射する赤外線と反射
体層１３で反射する赤外線が丁度打ち消し合うよ
うに光学的位相差を与え、かつそれらの強度がほ
ぼ等しくなるように層の厚さや屈折率を設定する
と、遮光部１６から外へ出る赤外線を消滅させる
ことができる。
このように本発明によれば開口部１５に入射す
る赤外線は有効に検知素子の受光部に導くことが
でき、一方遮光部１６に入射する赤外線は該遮光
部により消滅させることができる。このため検知
素子の電極等で反射した光が本来入射すべきでな
い受光部にも入射して検知精度が低下する従来例
の問題点を解決することができる。
〔実施例〕
次に図を参照しながら本発明の実施例について
説明する。第１図は本発明の実施例に係る赤外線
検知器のコールドシールドの断面図であり、１０
は赤外線透過材からなる基体である。基体１０と
して例えばZnS材が用いられる。１１は赤外線吸
収体層であり、例えばCr材又はNi材が用いられ
る。１２は誘電体層であり、例えばCeF3材が用
いられる。１３は赤外線反射体層であり、例えば
Al材が用いられる。また１４は誘電体層であり、
例えば誘電体層１２と同様に、CeF3材が用いら
れる。
１５はコールドシールドの開口部であり、上方
から入射する赤外線を効率良く透過して不図示の
受光部に導くものである。この部分は構造的には
誘電体層１４、基体１０および誘電体層１２の三
層構造となつている。
１６はコールドシールドの遮光部であり、この
部分に入射する赤外線を吸収したり、あるいは干
渉させることにより、効率良く消滅させるもので
ある。この部分は構造的には誘電体層１４、基体
１０、赤外線吸収体層１１、誘電体層１２、赤外
線反射体層１３の五層構造となつている。
なお誘電体層１４が存在しない場合にも本発明
の基本的効果を得ることができるが、基体１０の
両面に該誘電体層１４および誘電体層１２を形成
することにより、開口部１５の赤外線の透過効率
をより一層高くすることができる。
次に第１図の実施例の作用について説明する。
ここで上方から開口部１５に入射する赤外線の波
長をλ、基体１０の屈折率をn1とし、誘電体層
１２，１４の屈折率をn2、膜厚をd1とする。周
知のようにn2＝√1かつn2×d1＝λ／４を満た
すとき最高の透過率を示すから、このような条件
に合致する構造の開口部を通過する赤外線は最高
の透過効率で受光部に到達する。
次に遮光部１６に入射する赤外線１７は基体１
０の屈折率n1と赤外線吸収体層１１の屈折率n3
が異なるため、この境界でその一部を反射する
（赤外線１８）。残りの赤外線は赤外線吸収体層１
１に吸収されながらも誘電体層１２を通つて赤外
線反射体層１３に達する。ここで反射された赤外
線は再び誘電体層１２を通り赤外線吸収体層１１
に吸収されながらもその一部は赤外線吸収体層１
１から射出する（赤外線１９）。
ところで赤外線１８と赤外線１９の強度を等し
く、かつ位相を半波長ずらしておくことによりこ
れらの赤外線を相殺し、実質的に遮光部１６から
赤外線が外側に出ることを防止することができ
る。
なお赤外線１８と赤外線１９の強度の調整は吸
収体層１１の材質と膜厚の調整により可能であ
る。また位相差の調整は誘電体層２の膜厚の調整
により可能である。特に基体１０、吸収体層１
１、誘電体層１２、反射体層１３の各屈折率n1，
n2，n3，n4の間にn1＜n2，n3＜n4又はn1＞n2，
n3＞n4の関係があるとき、反射のときの位相反
転の有無による位相差が生じないから半波長差を
与える誘電体層１２の膜厚は前述の開口部１５で
定めた透過効率のもつとも高いときの膜厚d1（n2
×d1＝λ／４）に一致することになる。このよ
うに開口部１５と遮光部１６の誘電体層１２の膜
厚は同じでよいから製造上極めて容易にとなる利
点もある。
このように本発明の実施例によれば開口部１５
を介して高い透過効率で受光部に赤外線を導くこ
とができる。また遮光部１６に入射する赤外線は
実質的に消滅させることができるので、従来例の
ように電極等に反射した赤外線が再び窓等に再反
射された後に本来入射すべきでない受光部に入射
することを防止することができ、このため検知精
度の大幅な向上を図ることが可能となる。
第２図は本発明の実施例に係るコールドシール
ド２０を検知素子２１の上に設けた状態を示す上
面図であり、第３図は第２図のＡ−A′の矢視断
面図である。
第２図においてコールドシールド２０の遮光部
１６（斜線で示す。）は受光部２２以外の部分を
遮蔽しており、開口部１５は受光部２２の直上に
設けられている。このようにして開口部１５に入
射する赤外線は該開口部１５を介してその真下の
受光部２２のみに導かれる。一方、遮光部１６に
入射する赤外線は該遮光部１６の吸収作用および
干渉作用によつて消滅するので、従来例のように
電極２３等の反射を介して別の受光部に達すると
いう不都合は生じない。
〔本発明の効果〕
以上説明したように本発明によれば遮光部の赤
外線吸収作用および干渉作用により該遮光部に入
射する赤外線をほぼ消滅されることができるとと
もに、開口部に入射する赤外線を高効率で透過さ
せて検知素子の所定の受光部に導くことができる
ので、精度の良い赤外線検知が可能となる。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明の実施例に係る赤外線検知器の
コールドシールドの断面図、第２図は本発明の実
施例に係るコールドシールドを検知素子の上方に
設けた状態を示す上面図、第３図は第２図のＡ−
A′矢視断面図、第４図は従来例に係る赤外線検
知器の断面図、第５図は第４図の部分拡大図であ
る。 符号の説明、１……基台、２，２１……検知素
子、３，２０……コールドシールド、４，５，２
２……受光部、６，２３……電極、７……窓、
８，９，１７，１８，１９……赤外線、１０……
赤外線透過材からなる基体、１１……赤外線吸収
体層、１２，１４……誘電体層、１３……赤外線
反射体層、１５……開口部、１６……遮光部。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 １ 赤外線透過材からなる基体１０、該基体１０
    の片面上に形成された赤外線吸収体層１１、該吸
    収体層の上に形成された誘電体層１２および該誘
    電体層の上に形成された赤外線反射体層１３より
    なる遮光部１６と、 前記赤外線透過材からなる基体１０と前記各層
    １１〜１３が形成された面と同じ側の面の該基体
    １０の上に形成された前記誘電体層１２よりなる
    開口部１５とを有するコールドシールドを備えて
    いることを特徴とする赤外線検知器。 ２ 前記各層１１〜１３の形成された面と反対側
    の前記基体１０の面に誘電体層１４が形成されて
    いることを特徴とする特許請求の範囲第１項に記
    載の赤外線検知器。 ３ 前記誘電体層１２，１４の赤外線の屈折率は
    前記基体１０の屈折率より小さく、かつ１より大
    きいことを特徴とする特許請求の範囲第１項又は
    第２項のいずれかに記載の赤外線検知器。 ４ 前記赤外線吸収体１３の材質はクロム又はニ
    ツケルであることを特徴とする特許請求の範囲第
    １項〜第３項のいずれかに記載の赤外線検知器。
JP61025019A 1986-02-07 1986-02-07 赤外線検知器 Granted JPS62201325A (ja)

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KR1019870000959A KR900005916B1 (ko) 1986-02-07 1987-02-06 적외선 검출기
EP87301053A EP0232184B1 (en) 1986-02-07 1987-02-06 Infrared detector
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Families Citing this family (26)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01164073A (ja) * 1987-09-11 1989-06-28 Canon Inc 光電変換装置
US4814620A (en) * 1987-12-01 1989-03-21 Honeywell Inc. Tilted array with parallel cold shield
US4812653A (en) * 1987-12-01 1989-03-14 Honeywell Inc. Sharp edge for thick coatings
US4812655A (en) * 1987-12-09 1989-03-14 Honeywell Inc. Prism cold shield
FR2651315B1 (fr) * 1989-08-22 1991-11-15 Detecteurs Infra Rouges Ste Fs Dispositif de detection infra-rouge.
US5089705A (en) * 1990-02-16 1992-02-18 Fujitsu Limited Infrared detector having dewar with film coatings to suppress reflections
US5277782A (en) * 1991-12-13 1994-01-11 Optical Radiation Corporation Baffled cold shields for infrared detector
JP2783238B2 (ja) * 1996-02-09 1998-08-06 日本電気株式会社 Ｉｒ信号通信装置
US6374255B1 (en) * 1996-05-21 2002-04-16 Immersion Corporation Haptic authoring
US6256011B1 (en) * 1997-12-03 2001-07-03 Immersion Corporation Multi-function control device with force feedback
DE19842403B4 (de) * 1998-09-16 2004-05-06 Braun Gmbh Strahlungssensor mit mehreren Sensorelementen
US6693626B1 (en) * 1999-12-07 2004-02-17 Immersion Corporation Haptic feedback using a keyboard device
US6904823B2 (en) * 2002-04-03 2005-06-14 Immersion Corporation Haptic shifting devices
WO2004036405A2 (en) 2002-10-15 2004-04-29 Immersion Corporation Products and processes for providing force sensations in a user interface
GB2418475B (en) * 2003-06-09 2007-10-24 Immersion Corp Interactive gaming systems with haptic feedback
JP5368847B2 (ja) * 2009-03-26 2013-12-18 パナソニック株式会社 赤外線放射素子
US8692172B2 (en) * 2009-04-21 2014-04-08 Raytheon Company Cold shield apparatus and methods
US9104791B2 (en) * 2009-05-28 2015-08-11 Immersion Corporation Systems and methods for editing a model of a physical system for a simulation
US9466335B2 (en) 2011-04-28 2016-10-11 Entrotech, Inc. Hermetic hard disk drives comprising integrally molded filters and related methods
US9190115B2 (en) * 2011-04-28 2015-11-17 Entrotech, Inc. Method of assembling a disk drive
JP6003605B2 (ja) * 2012-12-12 2016-10-05 Tdk株式会社 赤外線検知装置
US9866924B2 (en) 2013-03-14 2018-01-09 Immersion Corporation Systems and methods for enhanced television interaction
EP3134898A4 (en) 2014-04-22 2017-12-13 Entrotech, Inc. Re-workable sealed hard disk drives, cover seals therefor, and related methods
EP3152757A1 (en) 2014-06-09 2017-04-12 Entrotech, Inc. Laminate-wrapped hard disk drives and related methods
US9601161B2 (en) 2015-04-15 2017-03-21 entroteech, inc. Metallically sealed, wrapped hard disk drives and related methods
BR112023001510A2 (pt) * 2020-07-29 2023-02-14 Dow Global Technologies Llc Métodos para fazer e para melhorar a solubilidade de 1,4,5,8-tetracis(r-fenilamino)antraceno-9,10-diona, mistura de reação de 1,4,5,8-tetracis(r-fenilamino)antraceno-9,10-diona, composição de matéria, e, método para marcar um hidrocarboneto de petróleo líquido

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3963926A (en) * 1975-01-09 1976-06-15 Texas Instruments Incorporated Detector cold shield
US4179181A (en) * 1978-04-03 1979-12-18 American Optical Corporation Infrared reflecting articles
FR2487512A1 (fr) * 1980-07-22 1982-01-29 Thomson Csf Dispositif detecteur de rayonnement infrarouge
US4431918A (en) * 1981-03-27 1984-02-14 Honeywell Inc. Etchable glass cold shield for background limited detectors
US4446372A (en) * 1981-07-01 1984-05-01 Honeywell Inc. Detector cold shield
JPS60195502A (ja) * 1984-03-19 1985-10-04 Canon Inc 金属回転多面鏡
JPS60198774A (ja) * 1984-03-22 1985-10-08 Fujitsu Ltd 赤外線検知素子
FR2577073B1 (fr) * 1985-02-06 1987-09-25 Commissariat Energie Atomique Dispositif matriciel de detection d'un rayonnement lumineux a ecrans froids individuels integres dans un substrat et son procede de fabrication

Also Published As

Publication number Publication date
EP0232184A3 (en) 1989-06-07
DE3783144D1 (de) 1993-02-04
US4795907A (en) 1989-01-03
EP0232184B1 (en) 1992-12-23
JPS62201325A (ja) 1987-09-05
DE3783144T2 (de) 1993-04-22
KR900005916B1 (ko) 1990-08-16
KR870008175A (ko) 1987-09-24
EP0232184A2 (en) 1987-08-12

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