JPH0453044A - 光磁気記録媒体 - Google Patents
光磁気記録媒体Info
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- JPH0453044A JPH0453044A JP15978090A JP15978090A JPH0453044A JP H0453044 A JPH0453044 A JP H0453044A JP 15978090 A JP15978090 A JP 15978090A JP 15978090 A JP15978090 A JP 15978090A JP H0453044 A JPH0453044 A JP H0453044A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【産業上の利用分野1
本発明は、レーザ光を用いて記録・再生あるいは消去を
行う光記録において、特に超高密度記録に有用な光磁気
記録膜の構造および記録・再生の方式に関する。 【従来の技術】 近年の高度情報化社会の進展に伴い、高密度でしかも大
容量のファイルメモリに対するニーズが高まっている。 これに応えるメモリの一つとして光メモリが注目されて
いる。近年、多くの企業から書き換え可能な光磁気記録
装置が製品化されている。更に現在では、次期あるいは
次々期の製品化を日桁して、その高性能化に関する研究
が盛んに行われている。その=一つに記録密度の向j−
があり、実現するための一手法として、短波長の光(現
製品の83OnII+より短い波長で、例えば600n
m台以下)を用いて記録や再生を行うのが有効であるこ
とが知られている。その場合問題となるのは、光の波長
が短くなるにつれて光磁気膜の磁気光学効果が小さくな
り、安定した再生出力が得られない場合があるという点
である。こオtを解決した手段として、U S P −
J 695514に示されるような軽希土類元素と鉄族
元素との合金を用いることが有効であることが知られて
いた。
行う光記録において、特に超高密度記録に有用な光磁気
記録膜の構造および記録・再生の方式に関する。 【従来の技術】 近年の高度情報化社会の進展に伴い、高密度でしかも大
容量のファイルメモリに対するニーズが高まっている。 これに応えるメモリの一つとして光メモリが注目されて
いる。近年、多くの企業から書き換え可能な光磁気記録
装置が製品化されている。更に現在では、次期あるいは
次々期の製品化を日桁して、その高性能化に関する研究
が盛んに行われている。その=一つに記録密度の向j−
があり、実現するための一手法として、短波長の光(現
製品の83OnII+より短い波長で、例えば600n
m台以下)を用いて記録や再生を行うのが有効であるこ
とが知られている。その場合問題となるのは、光の波長
が短くなるにつれて光磁気膜の磁気光学効果が小さくな
り、安定した再生出力が得られない場合があるという点
である。こオtを解決した手段として、U S P −
J 695514に示されるような軽希土類元素と鉄族
元素との合金を用いることが有効であることが知られて
いた。
【発明が解決し2ようとする課題】
上記従来技術では、光デイスクメモリの高密度化の一つ
の手法であるレーザ光を短波長化した場合、十分な再生
高力が得られるだけの磁気光学効果を有する膜は得られ
なかった。一方、白金族元素あるいはAuと鉄族元素と
を交互に積層した膜が短波長において大きなカー効果を
有していることが知られている。しかし、この膜は磁気
光学的特性は優れているが保磁力は小さく、記録した情
報を安定に保持できない場合があった。そこで本発明で
は、この交互積層多層膜と希土類−鉄族元素系の合金膜
とを交換結合させた膜において、交換結合力を交互積層
多層膜の各々の膜厚比に勾配を持たせることにより制御
した。本発明の目的は、短波長領域で最大の磁気光学効
果が得られ、かつ優れた磁気特性を持った光磁気記録媒
体を提供することにより、超高密度光記録を実現するこ
とにある。 [課題を解決するための手段] Pt、Rh、Pd等に代表される白金族元素やAuとF
e、Co、Ni等に代表される鉄族元素とを交互に積層
した膜を記録膜どして用いると、波長の短い光に対して
大きな磁気光学効果を示した。しかし、この交互積層多
層膜の保磁力は1 kOe以下と非常に小さく、保磁力
増大という課題を持っていた。これを解決するために、
磁気光学効果を示しかつ大きな垂直磁気異方性を有する
層とこの交互積層膜とを交換結合させた記録膜を用いる
ことにより保磁力の増大を図ることができた。 具体的には、磁気光学効果を示し、かつ大きな垂直磁気
異ノフ性を有する層どして希土類元素と鉄族)[二素の
合名、さらにはN b + T 11 T a t C
rの内より選は扛る少なくとも一種の元素を含む合金1
用いた。この時、交互積層多層膜の短波長における十分
な磁気光学効果を得るには、交互積層膜の厚さは50Å
以上必要であった。さらに、交互積層多層膜する際に、
各層の膜厚比に勾配包持たせるごとにより交換結合力が
強くなることを見出した。そして、同時に保磁力も増大
させることができた。 この記録膜の上にさらに金属膜を設けた。これにより記
録膜の温度分布が制御できるので耐熱性の向上、および
磁区形状の制御ができた。特に、磁界変調記録方式につ
いては、磁区の後端の”尾”を短くすることができ、ピ
ット間干渉を除去できるので、高密度記録にとって有利
となる6さらにこの金属膜の存在により先の効果に加え
て記録膜の酸化も防ぐことができ、ディスクの信頼性向
」−がはか第1だ。 この金属、膜の材料として、Ag、Pb、Pd、。 Cu、AQ、F’t、A1、、Rhl Crより選ばれ
る少なくとも一種の元素を主体どし、これに主几素以外
の先の元素或いは、1′j1丁’a、Nb、Ni、W、
Moの内より選ばれる少なくとも一種の元素シ含有させ
ることで、記録膜の熱分布を制御することができ、記録
感度や消去感度を任意に選択できる。 また、これらの元素には、金属膜自身の耐食性を向上さ
せる効果もあり、さらにディスク信頼性の向J二を図る
ことができる。さらには、この金属膜の存在により、光
磁気膜の構造緩和や各層間の相互拡散を抑制できるので
、磁気特性の変動、さらには再生出力の低下などを防ぐ
ことができた。 また、短波長での磁気光学効果をさらに増大させるには
、記録膜の膜厚を光が透過する厚さとし、記録膜内や或
いは磁気光学効果増大膜を設けるなどして、光多重干渉
を利用すれば良い。その場合、金属膜は反射膜としても
作用する。
の手法であるレーザ光を短波長化した場合、十分な再生
高力が得られるだけの磁気光学効果を有する膜は得られ
なかった。一方、白金族元素あるいはAuと鉄族元素と
を交互に積層した膜が短波長において大きなカー効果を
有していることが知られている。しかし、この膜は磁気
光学的特性は優れているが保磁力は小さく、記録した情
報を安定に保持できない場合があった。そこで本発明で
は、この交互積層多層膜と希土類−鉄族元素系の合金膜
とを交換結合させた膜において、交換結合力を交互積層
多層膜の各々の膜厚比に勾配を持たせることにより制御
した。本発明の目的は、短波長領域で最大の磁気光学効
果が得られ、かつ優れた磁気特性を持った光磁気記録媒
体を提供することにより、超高密度光記録を実現するこ
とにある。 [課題を解決するための手段] Pt、Rh、Pd等に代表される白金族元素やAuとF
e、Co、Ni等に代表される鉄族元素とを交互に積層
した膜を記録膜どして用いると、波長の短い光に対して
大きな磁気光学効果を示した。しかし、この交互積層多
層膜の保磁力は1 kOe以下と非常に小さく、保磁力
増大という課題を持っていた。これを解決するために、
磁気光学効果を示しかつ大きな垂直磁気異方性を有する
層とこの交互積層膜とを交換結合させた記録膜を用いる
ことにより保磁力の増大を図ることができた。 具体的には、磁気光学効果を示し、かつ大きな垂直磁気
異ノフ性を有する層どして希土類元素と鉄族)[二素の
合名、さらにはN b + T 11 T a t C
rの内より選は扛る少なくとも一種の元素を含む合金1
用いた。この時、交互積層多層膜の短波長における十分
な磁気光学効果を得るには、交互積層膜の厚さは50Å
以上必要であった。さらに、交互積層多層膜する際に、
各層の膜厚比に勾配包持たせるごとにより交換結合力が
強くなることを見出した。そして、同時に保磁力も増大
させることができた。 この記録膜の上にさらに金属膜を設けた。これにより記
録膜の温度分布が制御できるので耐熱性の向上、および
磁区形状の制御ができた。特に、磁界変調記録方式につ
いては、磁区の後端の”尾”を短くすることができ、ピ
ット間干渉を除去できるので、高密度記録にとって有利
となる6さらにこの金属膜の存在により先の効果に加え
て記録膜の酸化も防ぐことができ、ディスクの信頼性向
」−がはか第1だ。 この金属、膜の材料として、Ag、Pb、Pd、。 Cu、AQ、F’t、A1、、Rhl Crより選ばれ
る少なくとも一種の元素を主体どし、これに主几素以外
の先の元素或いは、1′j1丁’a、Nb、Ni、W、
Moの内より選ばれる少なくとも一種の元素シ含有させ
ることで、記録膜の熱分布を制御することができ、記録
感度や消去感度を任意に選択できる。 また、これらの元素には、金属膜自身の耐食性を向上さ
せる効果もあり、さらにディスク信頼性の向J二を図る
ことができる。さらには、この金属膜の存在により、光
磁気膜の構造緩和や各層間の相互拡散を抑制できるので
、磁気特性の変動、さらには再生出力の低下などを防ぐ
ことができた。 また、短波長での磁気光学効果をさらに増大させるには
、記録膜の膜厚を光が透過する厚さとし、記録膜内や或
いは磁気光学効果増大膜を設けるなどして、光多重干渉
を利用すれば良い。その場合、金属膜は反射膜としても
作用する。
【作用]
白金族元素あるいはAuと鉄族元素との交互積層多層膜
を希土類−鉄族元素系合金と交換結合させた複層構造を
持つ光磁気記録膜において、交互積層多層膜の各層のい
ずれか一方あるいは両方の層の膜厚を徐々に変え、膜厚
方向に膜厚比の勾配を持たせることにより交換結合力が
増大した。さらに記録膜全体として記録や再生に1分な
保磁力を得ることができた。また、波長の短い領域で大
きなカー回転角を持つという白金族元素あるいはAuと
鉄族元素との交互積層多層膜の特性を生かすことができ
、大きな再生信号出力が得られ、超高密度記録を実現で
きた。 (実施例] 〔実施例 1〕 第1図に、本実施例において作製した光記録膜の断面構
造1示す。 凹凸の案内溝を有するプラスチックまたはガラス等の基
板1上にスパッタリング法により情報記録膜各形成した
。この情報記録膜は交互積層膜2として、白金族元素2
−2としてptを鉄族元素2−1としてCoを交互に積
層した多層膜の上に希土類−鉄族元素系合金膜3として
T b z4F e g6C010を連続積層した。交
互積層多層膜2は二元同時スパッタ法により作製した。 −1−記二元同時スバッタは、放電ガスにArを、ター
ゲットにはP tおよびCOを使用し、放電ガス圧力5
mTorr、投入電力密度6.3W/aJにて実施し
た。 また、T b F e Co膜3の作製もスパッタリン
グ法により行った。ターゲラl−にTbFeCo合金を
用い、放電ガスはArとし、スパッタ条件は放電ガス圧
力5 imTorr 、投入RF電力密度4.3W/d
である。なお、本実施例ではガラスやプラスチックの基
板1を用いたが、本発明の効果は基板1の材質に依存す
るものではない。また、第4図に示したように、基板1
と記録膜2の間に下地膜5を設けた場合も、本発明の効
果は変わらない。 まず、基板」−にP t / Coの組み合オ)せを1
0組形成した。各層の膜厚は、最初はPtが一層あたり
18人、Co層が5人で、途中からp t、層のみを薄
くして最終的に12人になるようにした。 この制御は投入する電力を変化させることにより行う。 続いてT b 24 F e sac 010を900
人積層した。さらにその上に金属膜としてA Q so
T j、 10膜を500人の膜厚に形成した。その
時のスパッタ条件はターゲットにA Q T i合金を
、放電ガスにArをそれぞれ用い、放電ガス圧力は10
mTorr、投入RF電力密度は3.2W/aJとした
。 このようにして作製した記録膜の磁気光学効果の波長依
存性を第2図に示す、従来使用していた希土類−鉄族元
素系合金は、波長800r+m付近において0.3°以
上のカー回転角を有しているが、短い光の波長に対して
はこの値の約半分になっていた。この合金に白金族元素
あるいはAuと鉄族元素あるいはその合金の多層膜を交
換結合させた本発明では、波長400nmでのカー回転
角は0゜55°と、800nw*での値の、5倍以上も
増大した。また、Pt/Co交互積層膜での保磁力は5
000eと非常に小さかったが、T b F e Co
との交換結合膜にすることにより、4 kOeの保磁力
を得ることができた。この磁気特性や磁気光学効果は、
交互積層膜と合金の内部応力、各膜厚、あるいは記録膜
成膜時の基板温度を変化させることにより、制御するこ
とができる。 このディスクに、波長530ruaのレーザ光を用い、
回転数; 2400 rpm を記録レーザパワー;7
++W、記録周波数; l 5MHz、再生レーザ出力
;2.0−一、記録位置;r=30mmなる条件で記録
した。得られた再生出力は搬送波対雑音比で50dBで
あった。さらに偏光顕微鏡により形成された記録磁区を
観察したところ、長さ0.3μm9幅0゜7μ鳳の良好
形状の記録磁区が形成されていた。 これは光変調記録の結果である。 この他、磁界変調記録方式を用いて記録したときの磁区
形状の模式図を第3図に示す。同図(a)は従来の記録
膜の磁区形状を示し、(b)は本発明での記録磁区を示
している。この図より明らかなように、本発明の実施例
では、矢羽根型磁区の尾の長さが従来例に比して極めて
短い。このことはピット間干渉を著しく小さくできるこ
とを意味し、ピットエツジ記録にとって好適であり、超
高密度記録に有利である。 この効果は、Pt/Co交互積層膜とTbFeCoの交
換結合膜に限定されるものではなく、Pt以外にもPd
やRhでも違いはない。また、COについても同様で、
Fe、NiあるいはFeC0,FeNi、NiCo等の
合金でも同様の効果が得られた。希土類−鉄族元素系合
金についていえば、Tb以外にもHo、Dyでも同様の
効果があり、希土類−鉄族元素合金にさらにNb、Ti
。 Ta、Crなどの元素を含有した合金を用いても同じで
ある。 さらに、これらの元素を含むと膜の耐食性は著しく向上
した。さらに、Pt;/CoをPt/PtC0にかえた
交換結合膜を作製したところ、pt/ G oを用いた
ディスクと同様の効果があり、さらに垂直磁気異方性が
増大する傾向がみられた。 〔実施例2〕 本実施例において製造した光ディスクの構造は実施例1
と同様で、断面構造は第1図に示す通りである。凹凸の
案内溝を有するプラスチックあるいはガラス基板】上に
スパッタリング法により情報記録膜を形成した。その条
件は、ターゲットにT b F e Co 、 P t
、 F e Coを用いた以外は実施例1と同様であ
る。 まず、基板1上にP t / F e Coの交互積層
多層膜2を9組積層した。各層の膜厚は、最初はPtが
一層あたり15人、FeCo層が3人で、途中からFe
Co層のみを厚くして最終的に6人になるようにした。 この部分の膜厚は150人である。続いてTbxaFe
ssCoe3を150人積層し、さらにその上に、金属
膜としてA Q *oT a t。 膜4を500人形成した。その時のスパッタ条件は実施
例1と同様である。この場合、記録膜の全膜厚が350
Å以下であると光が透過する膜厚であるので、AQTa
膜は反射膜としての効果も合わせもつ。 このようにして作製した記録膜の磁気光学効果の波長依
存性を第5図に示す。 この膜と同様な構造の膜で、T b F e Co膜厚
を900人にした時の磁気光学効果と比較すると、反射
構造でのカー回転角は波長によってわずかに差はあるが
、約0.15°増大した。また、保磁力はP t、 /
F e Co交互積層多層膜のみでは1に、Oe以下
であったものが、交換結合膜では3 、5 kOeと大
きく増大した。交互積層多層膜の各膜厚比に勾配をつけ
、交換結合力を強めたことにより、カー回転角の温度依
存性の測定結果から交換結合エネルギーが他の静磁エネ
ルギーより小さくなるのは、60〜180℃の間であり
、記録・再生に十分であった。 このディスクに、実施例1で作製したディスクと同様の
条件にて、半径r=30mm位置に記録および再生を行
った。記録感度や特性は実施例1と同様で、得られた再
生出力は52dBであった。偏光顕微鏡の観察により、
長さ0.3μm1幅0.6μmの良好形状を有する磁区
が確認された。 また、この記録膜の温度分布は、金属層の熱伝導率を選
ぶことにより容易に制御できることから、磁区形状を任
意に選択できる。それにより、ビットエツジ記録に好適
であり、磁界変調記録方式を用いた場合にも有効な記録
膜を形成できる。 また、本実施例のディスクに最適記録パワーより]、m
W大きなパワーを用いて記録、消去を行ったところ、記
録/再生/消去を10’回以上繰り返してもC/Nの劣
化は見られなかった。さらに。 これらの効果はP t / F e Co交互積層膜と
TbFeCoの交換結合膜に限るものではなく、Pt以
外のPdやRhを用いてもなんら違いはない。 また、FeCoについても同様で、FeNi、NiCo
の合金あるいはFe、Co、Ni単体でも同様の効果が
得られた。 希土類−鉄族元素系合金として、Tb以外の希土類元素
、例えばDyやHoでも同様の効果があり、希土類−鉄
族元素合金にさらにNb、Ti。 Ta、Crなどの元素を含有した合金を用いると、磁気
特性を低下させずに膜の耐食性を増すことができた。さ
らにTbFeCoにNdやPrを5〜15at%添加す
ると短波長領域の光に対してTbFeCoのみの場合よ
りさらに大きなカー回転角が得られた。この効果はNd
やPrの他にCeやSmを添加しても同様である。この
他TbFeC0にGdを加えてもカー回転角の増大の効
果が見られた。
を希土類−鉄族元素系合金と交換結合させた複層構造を
持つ光磁気記録膜において、交互積層多層膜の各層のい
ずれか一方あるいは両方の層の膜厚を徐々に変え、膜厚
方向に膜厚比の勾配を持たせることにより交換結合力が
増大した。さらに記録膜全体として記録や再生に1分な
保磁力を得ることができた。また、波長の短い領域で大
きなカー回転角を持つという白金族元素あるいはAuと
鉄族元素との交互積層多層膜の特性を生かすことができ
、大きな再生信号出力が得られ、超高密度記録を実現で
きた。 (実施例] 〔実施例 1〕 第1図に、本実施例において作製した光記録膜の断面構
造1示す。 凹凸の案内溝を有するプラスチックまたはガラス等の基
板1上にスパッタリング法により情報記録膜各形成した
。この情報記録膜は交互積層膜2として、白金族元素2
−2としてptを鉄族元素2−1としてCoを交互に積
層した多層膜の上に希土類−鉄族元素系合金膜3として
T b z4F e g6C010を連続積層した。交
互積層多層膜2は二元同時スパッタ法により作製した。 −1−記二元同時スバッタは、放電ガスにArを、ター
ゲットにはP tおよびCOを使用し、放電ガス圧力5
mTorr、投入電力密度6.3W/aJにて実施し
た。 また、T b F e Co膜3の作製もスパッタリン
グ法により行った。ターゲラl−にTbFeCo合金を
用い、放電ガスはArとし、スパッタ条件は放電ガス圧
力5 imTorr 、投入RF電力密度4.3W/d
である。なお、本実施例ではガラスやプラスチックの基
板1を用いたが、本発明の効果は基板1の材質に依存す
るものではない。また、第4図に示したように、基板1
と記録膜2の間に下地膜5を設けた場合も、本発明の効
果は変わらない。 まず、基板」−にP t / Coの組み合オ)せを1
0組形成した。各層の膜厚は、最初はPtが一層あたり
18人、Co層が5人で、途中からp t、層のみを薄
くして最終的に12人になるようにした。 この制御は投入する電力を変化させることにより行う。 続いてT b 24 F e sac 010を900
人積層した。さらにその上に金属膜としてA Q so
T j、 10膜を500人の膜厚に形成した。その
時のスパッタ条件はターゲットにA Q T i合金を
、放電ガスにArをそれぞれ用い、放電ガス圧力は10
mTorr、投入RF電力密度は3.2W/aJとした
。 このようにして作製した記録膜の磁気光学効果の波長依
存性を第2図に示す、従来使用していた希土類−鉄族元
素系合金は、波長800r+m付近において0.3°以
上のカー回転角を有しているが、短い光の波長に対して
はこの値の約半分になっていた。この合金に白金族元素
あるいはAuと鉄族元素あるいはその合金の多層膜を交
換結合させた本発明では、波長400nmでのカー回転
角は0゜55°と、800nw*での値の、5倍以上も
増大した。また、Pt/Co交互積層膜での保磁力は5
000eと非常に小さかったが、T b F e Co
との交換結合膜にすることにより、4 kOeの保磁力
を得ることができた。この磁気特性や磁気光学効果は、
交互積層膜と合金の内部応力、各膜厚、あるいは記録膜
成膜時の基板温度を変化させることにより、制御するこ
とができる。 このディスクに、波長530ruaのレーザ光を用い、
回転数; 2400 rpm を記録レーザパワー;7
++W、記録周波数; l 5MHz、再生レーザ出力
;2.0−一、記録位置;r=30mmなる条件で記録
した。得られた再生出力は搬送波対雑音比で50dBで
あった。さらに偏光顕微鏡により形成された記録磁区を
観察したところ、長さ0.3μm9幅0゜7μ鳳の良好
形状の記録磁区が形成されていた。 これは光変調記録の結果である。 この他、磁界変調記録方式を用いて記録したときの磁区
形状の模式図を第3図に示す。同図(a)は従来の記録
膜の磁区形状を示し、(b)は本発明での記録磁区を示
している。この図より明らかなように、本発明の実施例
では、矢羽根型磁区の尾の長さが従来例に比して極めて
短い。このことはピット間干渉を著しく小さくできるこ
とを意味し、ピットエツジ記録にとって好適であり、超
高密度記録に有利である。 この効果は、Pt/Co交互積層膜とTbFeCoの交
換結合膜に限定されるものではなく、Pt以外にもPd
やRhでも違いはない。また、COについても同様で、
Fe、NiあるいはFeC0,FeNi、NiCo等の
合金でも同様の効果が得られた。希土類−鉄族元素系合
金についていえば、Tb以外にもHo、Dyでも同様の
効果があり、希土類−鉄族元素合金にさらにNb、Ti
。 Ta、Crなどの元素を含有した合金を用いても同じで
ある。 さらに、これらの元素を含むと膜の耐食性は著しく向上
した。さらに、Pt;/CoをPt/PtC0にかえた
交換結合膜を作製したところ、pt/ G oを用いた
ディスクと同様の効果があり、さらに垂直磁気異方性が
増大する傾向がみられた。 〔実施例2〕 本実施例において製造した光ディスクの構造は実施例1
と同様で、断面構造は第1図に示す通りである。凹凸の
案内溝を有するプラスチックあるいはガラス基板】上に
スパッタリング法により情報記録膜を形成した。その条
件は、ターゲットにT b F e Co 、 P t
、 F e Coを用いた以外は実施例1と同様であ
る。 まず、基板1上にP t / F e Coの交互積層
多層膜2を9組積層した。各層の膜厚は、最初はPtが
一層あたり15人、FeCo層が3人で、途中からFe
Co層のみを厚くして最終的に6人になるようにした。 この部分の膜厚は150人である。続いてTbxaFe
ssCoe3を150人積層し、さらにその上に、金属
膜としてA Q *oT a t。 膜4を500人形成した。その時のスパッタ条件は実施
例1と同様である。この場合、記録膜の全膜厚が350
Å以下であると光が透過する膜厚であるので、AQTa
膜は反射膜としての効果も合わせもつ。 このようにして作製した記録膜の磁気光学効果の波長依
存性を第5図に示す。 この膜と同様な構造の膜で、T b F e Co膜厚
を900人にした時の磁気光学効果と比較すると、反射
構造でのカー回転角は波長によってわずかに差はあるが
、約0.15°増大した。また、保磁力はP t、 /
F e Co交互積層多層膜のみでは1に、Oe以下
であったものが、交換結合膜では3 、5 kOeと大
きく増大した。交互積層多層膜の各膜厚比に勾配をつけ
、交換結合力を強めたことにより、カー回転角の温度依
存性の測定結果から交換結合エネルギーが他の静磁エネ
ルギーより小さくなるのは、60〜180℃の間であり
、記録・再生に十分であった。 このディスクに、実施例1で作製したディスクと同様の
条件にて、半径r=30mm位置に記録および再生を行
った。記録感度や特性は実施例1と同様で、得られた再
生出力は52dBであった。偏光顕微鏡の観察により、
長さ0.3μm1幅0.6μmの良好形状を有する磁区
が確認された。 また、この記録膜の温度分布は、金属層の熱伝導率を選
ぶことにより容易に制御できることから、磁区形状を任
意に選択できる。それにより、ビットエツジ記録に好適
であり、磁界変調記録方式を用いた場合にも有効な記録
膜を形成できる。 また、本実施例のディスクに最適記録パワーより]、m
W大きなパワーを用いて記録、消去を行ったところ、記
録/再生/消去を10’回以上繰り返してもC/Nの劣
化は見られなかった。さらに。 これらの効果はP t / F e Co交互積層膜と
TbFeCoの交換結合膜に限るものではなく、Pt以
外のPdやRhを用いてもなんら違いはない。 また、FeCoについても同様で、FeNi、NiCo
の合金あるいはFe、Co、Ni単体でも同様の効果が
得られた。 希土類−鉄族元素系合金として、Tb以外の希土類元素
、例えばDyやHoでも同様の効果があり、希土類−鉄
族元素合金にさらにNb、Ti。 Ta、Crなどの元素を含有した合金を用いると、磁気
特性を低下させずに膜の耐食性を増すことができた。さ
らにTbFeCoにNdやPrを5〜15at%添加す
ると短波長領域の光に対してTbFeCoのみの場合よ
りさらに大きなカー回転角が得られた。この効果はNd
やPrの他にCeやSmを添加しても同様である。この
他TbFeC0にGdを加えてもカー回転角の増大の効
果が見られた。
【発明の効果】
本発明によれば、特に短波長領域の光でのカー回転角が
得られ、さらに、十分な保磁力を有していることから、
記録した情報を安定に保持できる。 また、光の多重干渉を利用すると磁気光学効果をさらに
増大できた。この他、金属膜を記録膜上に形成すること
により、光記録媒体の温度分布を容易に制御でき、記録
磁区形状を任意に選択できる。 この膜はビットエツジ記録にも好適な記録膜構造である
。また、磁界変調記録を行うと矢羽根型記録磁区の“尾
”の長さを短くすることができるので、ピット間干渉を
抑制でき、高密度記録を可能にした。ゆえに、本発明の
光磁気記録媒体を用いることにより、波長の短い光を用
いて微小磁区を形成し、さらにビットエツジ記録方法を
用い、およびディスクのトラックピッチをつめる等を併
用することにより超高密度記録が達成されるものである
。
得られ、さらに、十分な保磁力を有していることから、
記録した情報を安定に保持できる。 また、光の多重干渉を利用すると磁気光学効果をさらに
増大できた。この他、金属膜を記録膜上に形成すること
により、光記録媒体の温度分布を容易に制御でき、記録
磁区形状を任意に選択できる。 この膜はビットエツジ記録にも好適な記録膜構造である
。また、磁界変調記録を行うと矢羽根型記録磁区の“尾
”の長さを短くすることができるので、ピット間干渉を
抑制でき、高密度記録を可能にした。ゆえに、本発明の
光磁気記録媒体を用いることにより、波長の短い光を用
いて微小磁区を形成し、さらにビットエツジ記録方法を
用い、およびディスクのトラックピッチをつめる等を併
用することにより超高密度記録が達成されるものである
。
第1図は光磁気ディスクの断面構造を示す模式図、第2
図、第5図はカー回転角の波長依存性を示す図、第3図
は磁界変調記録方式により記録した場合に得られる記録
磁区形状を示す模式図、第4図は下地膜を設けた光磁気
ディスクの断面構造を示す模式図である。 符号の説明 1・・・ディスク基板、 2・・・交互積層多層膜。 2−1・・・鉄族元素、あるいは白金族、Au−鉄族元
素合金層 2−2・・・白金族元素あるいはAu層3・・・希土類
−鉄族元素系合金膜 4・・・金属膜、 χ 図 叢 囁 浦長j λ(7を町
図、第5図はカー回転角の波長依存性を示す図、第3図
は磁界変調記録方式により記録した場合に得られる記録
磁区形状を示す模式図、第4図は下地膜を設けた光磁気
ディスクの断面構造を示す模式図である。 符号の説明 1・・・ディスク基板、 2・・・交互積層多層膜。 2−1・・・鉄族元素、あるいは白金族、Au−鉄族元
素合金層 2−2・・・白金族元素あるいはAu層3・・・希土類
−鉄族元素系合金膜 4・・・金属膜、 χ 図 叢 囁 浦長j λ(7を町
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、レーザ光を用いて記録、再生あるいは消去を行う光
記録において、カー(Kerr)効果を示しかつ大きな
垂直磁気異方性を有する層と、カー効果を示しかつ垂直
磁気異方性を有する層とを少なくとも一組磁気的に結合
するように積層した構造を持つ記録膜を用いたことを特
徴とする光磁気記録媒体。 2、特許請求の範囲第1項記載の、カー効果を示しかつ
垂直磁気異方性を有する層として、白金族元素あるいは
Auと鉄族元素あるいは鉄族元素系合金とを交互に積層
し、この膜の各層のいずれか一方あるいは両方の層の膜
厚を厚さ方向に変えたことを特徴とする光磁気記録媒体
。 3、特許請求の範囲第1項および第2項記載のカー効果
を示しかつ垂直磁気異方性を有する層として、まず白金
族元素のPt、Pd、RhとAuの内より選ばれる少な
くとも一種類の元素と、鉄族元素のFe、Co、Niの
内より選ばれる少なくとも一種類の元素とを交互に積層
するか、あるいは白金族元素のPt、Pd、RhとAu
の内より選ばれる少なくとも一種類の元素と、Pt、P
d、Rh、Auの内より選ばれる少なくとも1種類の元
素と鉄族元素とから成る合金層とを交互に積層し、かつ
各層の厚さ方向に膜厚の勾配を持たせたことを特徴とす
る光磁気記録媒体。 4、特許請求の範囲第1項記載のカー効果を示しかつ大
きな垂直磁気異方性を有する層として、希土類元素と、
鉄族元素の合金、さらにNb、Ti、Ta、Crの内よ
り選ばれる少なくとも一種の元素を含む合金を用いたこ
とを特徴とする光磁気記録媒体。 5、特許請求の範囲第4項記載の希土類元素として、G
d、Ho、Dy、Tb、Ce、Pr、Nd、Smの内よ
り選ばれる少なくとも一種類の元素を、鉄族元素として
Fe、Co、Niの内より選ばれる少なくとも1種類の
元素とからなる合金を用いたことを特徴とする光磁気記
録媒体。 6、特許請求の範囲第1項記載の記録膜において、磁気
特性あるいは磁気光学特性を、記録膜成膜時の基板温度
、各層の内部応力、記録膜の膜厚の中から選ばれる少な
くとも一種の手法により磁気特性あるいは磁気光学特性
を制御したことを特徴とする光磁気記録媒体。 7、特許請求の範囲第1項から第6項記載の記録膜にお
いてその膜厚を、用いる光の波長でその一部が透過する
厚さとし、かつレーザ光入射方向と反対の側に金属膜を
設けたことを特徴とする光磁気記録媒体。 8、特許請求の範囲第7項記載の金属膜において、その
金属膜の膜厚、熱伝導率等を変えることにより、記録膜
の温度分布を制御したことを特徴とする光磁気記録媒体
。 9、特許請求の範囲第7項および第8項記載の金属膜と
して、Cu、Al、Pt、Pd、Au、Rh、Cr、A
g、Pbより選ばれる少なくとも一種の元素を主体とし
、これに主元素以外の先に示した元素あるいはTi、T
a、Nb、Ni、W、Moの内より選ばれる少なくとも
一種の元素を含有したことを特徴とする光磁気記録媒体
。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP15978090A JPH0453044A (ja) | 1990-06-20 | 1990-06-20 | 光磁気記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP15978090A JPH0453044A (ja) | 1990-06-20 | 1990-06-20 | 光磁気記録媒体 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0453044A true JPH0453044A (ja) | 1992-02-20 |
Family
ID=15701107
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP15978090A Pending JPH0453044A (ja) | 1990-06-20 | 1990-06-20 | 光磁気記録媒体 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0453044A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5370945A (en) * | 1991-07-22 | 1994-12-06 | Canon Kabushiki Kaisha | Magnetooptic recording medium |
JPH0794038A (ja) * | 1993-05-31 | 1995-04-07 | Tatsuta Electric Wire & Cable Co Ltd | 屋外用塩化ビニル絶縁電線 |
-
1990
- 1990-06-20 JP JP15978090A patent/JPH0453044A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5370945A (en) * | 1991-07-22 | 1994-12-06 | Canon Kabushiki Kaisha | Magnetooptic recording medium |
JPH0794038A (ja) * | 1993-05-31 | 1995-04-07 | Tatsuta Electric Wire & Cable Co Ltd | 屋外用塩化ビニル絶縁電線 |
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