JPH0452739A - 異種メモリ適応型アドレス指定用制御装置 - Google Patents

異種メモリ適応型アドレス指定用制御装置

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JPH0452739A
JPH0452739A JP2156186A JP15618690A JPH0452739A JP H0452739 A JPH0452739 A JP H0452739A JP 2156186 A JP2156186 A JP 2156186A JP 15618690 A JP15618690 A JP 15618690A JP H0452739 A JPH0452739 A JP H0452739A
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dram
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 [目 次コ 概要 産業上の利用分野 従来の技術(第6〜9図) 発明が解決しようとする課題 課題を解決するための手段(第1図) 作 用(第1図) 実施例(第2〜5図) 発明の効果 [概 要コ 256にビットDRAM、LMビットDRAMのように
異種メモリを使用する場合のアドレス割付方式に関し、 アドレス割付の仕方に工夫を施すことにより、アドレス
セレクタ等の回路の共用化をはかれるようにすることを
目的とし、 コラムアドレス量ビット、ロウアドレスNビットでアド
レスが指定される読み書き可能な大容量メモリ使用時と
、コラムアドレス(M−m)ビット、ロウアドレス(N
−n)ビットでアドレスが指定される読み書き可能な小
容量メモリ使用時とについて、大容量メモリ使用時は、
コラムアドレス量ビットおよびロウアドレスNビットを
縦列にした(M+N)ビットでアドレスを指定すると共
に、小容量メモリ使用時は、コラムアドレス(M−m)
ビット、メモリ選択情報mビット、ロウアドレス(N−
n)ビットおよびメモリ選択情報nビットを縦列にした
(M+N)ビットでアドレスおよび選゛択すべきメモリ
指定するように構成する。
[産業上の利用分野] 本発明は、256にビットDRAM、LMビットDRA
Mのように異種メモリを使用する場合のアドレス割付方
式に関する。
近年、半導体技術の進歩に伴い、メモリの大容量化が進
んでいるが、例えば1MビットのDRAM(特に2ポ一
トDRAM)はまだ普及率が低く、あまり使用されてい
ない。
ところで、メモリの高速アクセス等の要求に応えるには
、メモリ容量としてIMビット程度ある方が良いので、
一般には256にビットのDRAMを4個用いて、IM
ビットDRAMの代用としている。
しかし、今後1MビットDRAMの普及率が高くなって
くると、256にビットのDRAMを4個使用するとい
うことはしないで、IMビットDRAMを1個使用する
ようになる可能性が高い。
[従来の技術] 第6図は画像ワークステーションでの画像データ処理系
のブロック図であるが、この第6図において、1はフレ
ームメモリで、このフレームメモリ1は、A/D変換器
IAからのディジタル画像データを一旦スドアしておく
もので、このフレームメモリ1として、上記の256に
ピッt、 D RAMを4個またはIMビットDRAM
を1個が使用される。
2は制@LSIで、この制@LSI2は、cpU3から
アドレスAや制御データDを受けてフレームメモリ1ヘ
アドレスAや制御データDを出力する制御インタフェー
スである。
4は表示部で、この表示部4は、フレームメモリ1から
D/A変換器IBを経由したアナログ画像データを受け
て画像を表示するもので、CRTや液晶デイスプレィが
使用される。
このような構成により、入力されてきた画像データは一
旦フレームメモリ1に記憶されるが、このときフレーム
メモリ1へ書き込まれるアドレスは、制御LSI2で指
定される。
その後は、画像データがフレームメモリ1から読み出さ
れて、表示部4にて表示されるが、このときフレームメ
モリ1から読み出されるアドレスも、同様にして、制御
LSI2で指定される。
ところで、上記したように、フレームメモリ1として、
第9図(a)に示すごとく、256にビットDRAMを
4個使用する場合と、第9図(b)に示すごとく、IM
ビットDRAMを1個使用する場合とがある。
さらに、256にビットDRAMを4個使用する場合の
アドレス割付を示すと、第7図(a)のようになり、I
MビットDRAMを1個使用する場合のアドレス割付を
示すと、第7図(b)のようになる。
ここで、256にビットDRAMを4個使用する場合の
アドレス割付は、第7図(a)のように。
コラムアドレス(Columu Address)Co
−C−r (8ビット分)、ロウアドレス(Rot++
 Address) Ro” R7(8ビツト分)、バ
ンクセレクト(Bank 5elect)Bo、B1(
2ビツト分)を縦列にした18ビツト構成となっている
一方、IMビットDRAMを1個使用する場合のアドレ
ス割付は、第7図(b)のように、コラムアドレス(C
olumu Address) Co−C,(9ビツト
分)、ロウアドレス(Row Address) R,
−R,(9ビツト分)を縦列にした18ビツト構成とな
っている。
また、256にビットDRAMを4個使用した場合にお
いて、上記のアドレス割付に従った制御LS I 2.
フレームメモリ1間のアドレス指定用制御ブロック図を
示すと、第8図(a)のようになる。すなわち、この第
8図(a)において、21はアドレスセレクタで、この
アドレスセレクタ21は、コラムアドレス線およびロウ
アドレス線に接続されて、コラムアドレスC3−C7ま
たはロウアドレスR8−R7のいずれかを選択して出力
するもので、制御LSrZ側に設けられている。
11A〜110はチップイネーブル用ゲート回路で、こ
れらのチップイネーブル用ゲート回路11A〜11Dは
、バンク切替線(Bo線、81線)に接続されることに
より、バンクセ1./クト2ビット分B。、B1を受け
て、4個のうちのどのDRAMを選択するのかというチ
ップイネーブル信号CE1〜CE4を出力するもので、
フレームメモリ1側に設けられている。
なお、第9図(a)においては、選択されるDRAMを
チップイネーブル信号CEI〜CE4と同じ符号を付け
て示している。
また、制御LSI2からフレームメモリ1へは、コラム
アドレス選択線(CASg)を通じてコラムアドレス選
択信号CAS (実際は反転信号。以下、同じ。)が供
給されるとともに、ロウアドレス選択線(RAS線)を
通じてロウアドレス選択信号RAS (実際は反転信号
。以下、同じ。)が供給されるようになっている。
このような構成により、バンクセレクトB。。
B1の組合せによって、所要のDRAMが選択され、更
にコラムアドレス選択信号CASとコラムアドレスC3
−C7,ロウアドレス選択信号RASとロウアドレスR
8−R7とで、所要のアドレスが選択されて、画像デー
タの書き込みあるいは読み出しが行なわれる。
一方、IMビットDRAMを1個使用した場合において
、上記のアドレス割付に従った制御LSI2.フレーム
メモリ1間のアドレス指定用制御ブロック図を示すと、
第8図(b)のようになる。
すなわち、この第8図(b)において、22はアドレス
セレクタで、このアドレスセレクタ22は、コラムアド
レス線、ロウアドレス線+E3a線、81線に接続され
ることにより、1〜18ビツト分を受けて、コラムアド
レスC0〜C8またはロウアドレスR8−R9のいずれ
かを選択して出力するようになっており、制御LSI2
側に設けられている。
また、制御LSI2からフレームメモリ1へは、コラム
アドレス選択線(CAS線)を通じてコラムアドレス選
択信号CASが供給されるとともに、ロウアドレス選択
II(RASg)を通じてロウアドレス選択信号RAS
が供給されるようになっている。
このような構成により、コラムアドレス選択信号CAS
とコラムアドレスC3−C6,ロウアドレス選択信号R
ASとロウアドレスR6−R8とで、所要のアドレスが
選択されて、画像データの書き込みあるいは読み出しが
行なわれる。
[発明が解決しようとする課題] しかしながら、このような従来の方式では、256にビ
ットDRAM使用時とIMビットDRAM使用時とで共
通に使えるアドレスは、第7図(a)、(b)からもわ
かるように、最初の8ビツトだけで、残りの10ビツト
については1ビツトずつずれてしまう。従って、256
にビットDRAM使用時のアドレスセレクタ21とIM
ビットDRAM使用時のアドレスセレクタ22とを共用
することができず、最初に256にピッl−D RAM
を使用しており、その後にIMビットDRAMに置き換
える場合などは、共用できない回路を2組分組付けてお
くことになるので、回路規模が大きくなってしまうとい
う問題点がある。
さらに、2ボ一トDRAMを使用する場合などは、アク
セスの仕方が複数あるため、更にそのためのセレクト回
路が256にビットDRAM使用時とIMビビッDRA
M使用時とのそれぞれについて必要となり、上記の不具
合が更に大きくなる。
本発明は、このような問題点に鑑みなされたもので、ア
ドレス割付の仕方に工夫を施すことにより、アドレスセ
レクタ等の回路の共用化をはかれるようにした、異種メ
モリを使用する場合のアドレス割付方式を提供すること
を目的としている。
[W題を解決するための手段] 第1図(a)、(b)は本発明の原理説明図である。
まず、コラムアドレス量ビットとロウアドレスNビット
とでアドレスが指定される読み書き可能な大容量メモリ
を使用する場合のアドレス割付は、第1図(b)に示す
ように、コラムアドレス量ビットおよびロウアドレスN
ビットを縦列にしたようなアドレス割付とする。
一方、コラムアドレス(M−m)ビットとロウアドレス
(N−n)ビットとでアドレスが指定される読み書き可
能な小容量メモリを複数個使用して大容量メモリと同等
にする場合のアドレス割付は、第1図(a)に示すよう
に、コラムアドレス(M−m)ビット、メモリ選択情報
mビット、ロウアドレス(N−n)ビットおよびメモリ
選択情報nビットを縦列にしたようなアドレス割付とす
る。
そして、メモリ選択情報mビットおよびnビットで:最
大mn個の小容量メモリが選択されるように構成されて
いる。
なお、上記のM、N、m、nは全て自然数である。
[作 用コ 上述の本発明の異種メモリを使用する場合のアドレス割
付方式では、まず大容量メモリを使用する場合は、コラ
ムアドレス量ビットおよびロウアドレスNビットを縦列
にした(M+N)ビットでアドレスが指定されており、
これにより、これらのコラムアドレスおよびロウアドレ
スで、所要のアドレスが選択されて、この大容量メモリ
へのデータの書き込みあるいは読み出しが行なわれる。
一方、小容量メモリを複数個使用する場合は、コラムア
ドレス(M−m)ビット、メモリ選択情報mビット、ロ
ウアドレス(N−n)ビットおよびメモリ選択情報nビ
ットを縦列にした(M+N)ビットでアドレスおよび選
択されるべきメモリが指定されているので、上記のメモ
リ選択情報の組合せによって、所要の小容量メモリが選
択され、更にコラムアドレスおよびロウアドレスで、所
要のアドレスが選択されて、選択された小容量メモリへ
のデータの書き込みあるいは読み出しが行なわれる。
[実施例コ 以下、図面を参照して本発明の詳細な説明する。
さて、本実施例も、例えば第6図に示すような画像ワー
クステーションでの画像データ処理系のフレームメモリ
およびその制御用LSIならびにその周辺部の技術につ
いてのものであるが、この場合でも、上記のフレームメ
モリとして、第3図(a)に示すように、256にビッ
トDRAMを4個使用することと、第3図(b)に示す
ように、IMビビッDRAMを1個使用することを考慮
している。
そして、256にビットDRAMを4個使用する場合の
アドレス割付を示すと、第4図(a)のようになり、I
MビビッDRAMを1個使用する場合のアドレス割付を
示すと、第4図(b)のようになる。
ここで、256にビットDRAMを4個使用する場合の
アドレス割付は、第4図(a)のように、コラムアドレ
スC8−C7(8ビット分)、メモリ選択情報としての
横方向のバンク切替情報(RASセレクト)R8(1ビ
ット分)、ロウアドレスR0〜R7(8ビット分)、メ
モリ選択情報とじての縦方向のバンク切替情報(バンク
セレクト)BS (1ビット分)を縦列にした18ビツ
トとなっている。
一方、IMビビッDRAMを1個使用する場合のアドレ
ス割付は、第4図(b)のように、コラムアドレスCa
〜C,(9ビット分)、ロウアドレスR8−R8(9ビ
ット分)を縦列にした18ビツトとなっている。
また、256にビットDRAMを4個使用した場合にお
いて、上記のアドレス割付に従った制御LS I 2.
フレームメモリ1間のアドレス指定用制御ブロック図を
示すと、第2図(a)のようになる。すなわち、この第
2図(a)において、21はアドレスセレクタで、この
アドレスセレクタ21は、コラムアドレス線およびロウ
アドレス線に接続されていて、これらの線からコラムア
ドレス00〜C7またはロウアドレスR0〜R7のいず
れかを選択して出力するもので、制御LSI2側に設け
られている。
23A、23BはRAS選択用ゲート回路で、これらの
RAS選択用ゲート回路23A、23Bは、バンク切替
情報R8を供給するR8線と、ロウアドレス選択線(R
AS線)とに接続されることにより、横方向のバンク切
替信号RASI、RAS2 (実際は反転信号。以下、
同じ。)を出力するもので、制御LSIZ側に設けられ
ている。
また、その他、制御LSI2からフレームメモリ1へは
、コラムアドレス選択線(CAS線)を通じてコラムア
ドレス選択信号CASが供給されるとともに、バンク切
替情報BSを供給するBS線を通じてバンク切替情報B
Sが供給されるようになっている。
このような構成により、ロウアドレス選択信号RASI
、RAS2.バンク切替情報BSの組合せによって、所
要のDRAMが選択されるとともに、更にコラムアドレ
ス選択信号CASとコラムアドレス00〜C7,ロウア
ドレス選択信号RAS1、RAS2とロウアドレスR0
〜R7とで、所要のアドレスが選択されて、画像データ
の書き込みあるいは読み出しが行なわれる。
一方、IMビビッDRAMを1個使用した場合において
、上記のアドレス割付に従った制御LSI2.フレーム
メモリ1間のアドレス指定用制御ブロック図を示すと、
第2図(b)のようになる。
まず、この第2図(b)かられかるように、前述の2に
ビットDRAMを4個使用した場合と同様のアドレスセ
レクタ21が使用されている。すなわち、このアドレス
セレクタ21は、コラムアドレス線およびロウアドレス
線に接続されていて、これらの線からコラムアドレスC
0〜C7またはロウアドレスR8−R7のいずれかを選
択して出力するもので、制御LSI2側に設けられてい
る。
また、この第2図(b)において、24はアドレスセレ
クタで、このアドレスセレクタ24は、R8線とBS線
とに接続されて、R5線からのコラムアドレスC8また
はBS線からのロウアドレスR8を選択的に出力するよ
うになっている。なお、このアドレスセレクタ24は制
御LSIZ側に設けられている。
また、制御LSI2からフレームメモリ1へは、コラム
アドレス選択線(CAS線)を通じてコラムアドレス選
択信号CASが供給されるとともに、ロウアドレス選択
線(RAS線)を通じてロウアドレス選択信号RASが
供給されるようになっている。
このような構成により、CAS線を通じて供給されるコ
ラムアドレス選択信号CASとコラムアドレス線および
R5線を通じて供給されるコラムアドレス00〜C,、
RAS線を通じて供給されるロウアドレス選択信号RA
Sとロウアドレス線およびBS線を通じて供給されるロ
ウアドレスR0〜R5とで、所要のアドレスが選択され
て、画像データの書き込みあるいは読み出しが行なわれ
る。
このようにアドレス割付の仕方に工夫を施すことにより
、256にビットDRAMを使用する場合とIMビビッ
DRAMを使用する場合とで、アドレスセレクタの共用
化をはかることができ、これにより256にビット/1
Mピット両方のDRAMを使用する場合でも、小規模の
アドレス指定用制御回路で実現することができる。
なお、2ポ一トDRAMを用い、アドレスとして、2ポ
一トDRAMの読み出しアドレス(X。
Y方向)RXI 〜RX9.RYO−RY8.CPUア
ドレス(X、Y方向)CPI〜CP9.CP10〜CP
15.PAO,PAL、  トランスファ時のアドレス
(Y方向)TYO〜TY8を持ち、これらのアドレスを
選択的にDRAMへ供給する場合の回路図を示すと、第
5図のようになる。
この第5図において、25は5−1アドレスセレクタで
、この5−1アドレスセレクタ25は上記の5種のアド
レス群のうち1種のアドレス群を選択して出力するもの
である。そして、この5−1アドレスセレクタ25で選
択されたアドレスのうち下位8ビツトまではそのまま出
力され、9ビツト目は2−1セレクタ26へ入力されて
、IMビビッDRAM使用時に、9ビツト目のアドレス
として出力されるようになっている。
さらに、2ポ一トDRAMの読み出しアドレス線および
CPUアドレス線のうちそれぞれの9ビツト目のアドレ
ス線(RX9.RY8.CF2゜PA2)は、上記のア
ドレス割付から、IMビビッDRAM使用時は、アドレ
ス情報を送っているが、256にビットDRAM使用時
は、メモリ選択情報を送っているので、上記のアドレス
線のうち8ビツト目のアドレス線は、2−1セレクタ2
7−1.27−2に接続されている。
ここで、2−1セレクタ26−1は、Y方向アドレス線
からのRY8.PA2のうちの1つを選択するもので、
選択されたアドレスは2−1セレクタ26へ入力されて
、256にビットDRAM使用時に、Y方向バンクセレ
クト信号として出力されるようになっている。
また、2−1セレクタ26−2は、X方向アドレス線か
らのRX9.CF2のうちの1つを選択するもので、選
択されたアドレスはX方向バンクセレクト信号として出
力され、256にビットDRAM使用時には、RASI
、RAS2の切替信号となる。なお、IMビビッDRA
M使用時には、この信号は無視され、RAS、1だけが
選択されるようになっている。
従って、256にビットDRAM使用時には、5−1ア
ドレスセレクタ25からの上位8ビツトがアドレスとし
て使用され、2−1セレクタ26゜27−1.27−2
からの信号で、所要のDRAMが選択される。
一方、IMビビッDRAM使用時には、5−1アドレス
セレクタ25からの全9ビツトがアドレスとして使用さ
れる。
このようにアクセスの仕方が複数ある2ボ一トDRAM
を使用する場合には、5−1アドレスセレクタ25を共
用できることで1回路規模の小型化に寄与するところが
特に大きいという利点がある。
なお、上記の実施例では、256にビットDRAMとI
MビビッDRAMとを使用する場合について説明したが
、コラムアドレス量ビットとロウアドレスNビットとで
アドレスが指定される読み書き可能な大容量メモリと、
コラムアドレス(M−m)ビットとロウアドレス(N−
n)ビットとでアドレスが指定される読み書き可能な小
容量メモリとを使用する場合についても、前記の実施例
とほぼ同様にして本発明を適用することができる。
すなわち、大容量メモリを使用する場合は、コラムアド
レス量ビットおよびロウアドレスNビットを縦列にした
(M+N)ビットでアドレスを指定すると共に、小容量
メモリを複数個使用する場合は、コラムアドレス(M 
−m )ビット、メモリ選択情報mビット、ロウアドレ
ス(N−n)ビットおよびメモリ選択情報nビットを縦
列にした(M+N)ビットでアドレスおよび選択すべき
メモリを指定するのである。そして、この場合、メモリ
選択情報mビットおよびnビットで、最大mn個の該小
容量メモリを選択しうるように構成される。
[発明の効果コ 以上詳述したように、本発明の異種メモリを使用する場
合のアドレス割付方式によれば、アドレス割付の仕方に
工夫を施すことにより、小容量メモリを使用する場合と
大容量メモリを使用する場合とで、アドレスセレクタの
共用化をはかることができ、これにより両方のメモリを
使用しうるアドレス指定用制御回路の小規模化を実現で
きる利点がある。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の原理説明図、 第2図(a)は本発明の一実施例にかかる256にビッ
トDRAM使用時におけるアドレス指定用制御ブロック
図、 第2図(b)は本発明の一実施例にかかるIMビビッD
RAM使用時におけるアドレス指定用制御ブロック図、 第3図(a)は256にビットDRAM使用時のフレー
ムメモリ説明図、 第3図(b)はIMビビッDRAM使用時のフレームメ
モリ説明図、 第4図は256にビットDRAM使用時とIMビビッD
RAM使用時とにおけるアドレス割付を説明する図、 第5図は2ポ一トDRAM使用時のアドレス指定用制御
ブロック図、 第6図は画像ワークステーションでの画像データ処理系
のブロック図、 第7図は従来の256にビットDRAM使用時とIMビ
ビッDRAM使用時とにおけるアドレス割付を説明する
図、 第8図(a)は従来の256にビットDRAM使用時に
おけるアドレス指定用制御ブロック図、第8図(b)は
従来のIMビビッDRAM使用時におけるアドレス指定
用制御ブロック図、第9図(a)は従来の256にビッ
トDRAM使用時のフレームメモリ説明図。 第9図(b)は従来のIMビビッDRAM使用時のフレ
ームメモリ説明図である。 図において、 1はフレームメモリ、 IAはA/D変換器、 IBはD/A変換器、 2は制御LSI、 3はCPU、 4は表示部、 11A〜11Dはゲート回路、 2.1..22はアドレスセレクタ、 23A、23Bはゲート回路、 24はアドレスセレクタ、 25は5−1アドレスセレクタ、 26.27−1.27−2は2−1セレクタである。

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)コラムアドレスMビットとロウアドレスNビット
    とでアドレスが指定される読み書き可能な大容量メモリ
    を使用する場合と、コラムアドレス(M−m)ビットと
    ロウアドレス(N−n)ビットとでアドレスが指定され
    る読み書き可能な小容量メモリを複数個使用して該大容
    量メモリと同等にする場合とについて、 該大容量メモリを使用する場合は、コラムアドレスMビ
    ットおよびロウアドレスNビットを縦列にした(M+N
    )ビットでアドレスを指定すると共に、 該小容量メモリを複数個使用する場合は、コラムアドレ
    ス(M−m)ビット、メモリ選択情報mビット,ロウア
    ドレス(N−n)ビットおよびメモリ選択情報nビット
    を縦列にした(M+N)ビットでアドレスおよび選択す
    べきメモリを指定することを 特徴とする、異種メモリを使用する場合のアドレス割付
    方式。
  2. (2)該メモリ選択情報mビットおよびnビットで、最
    大mn個の該小容量メモリを選択しうるように構成され
    たことを特徴とする、請求項1記載の異種メモリを使用
    する場合のアドレス割付方式。
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Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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JPS62154395A (ja) * 1985-12-27 1987-07-09 Toshiba Corp メモリ制御回路
JPS6398046A (ja) * 1986-10-14 1988-04-28 Hitachi Ltd メモリ制御装置

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