JPH0449612A - X線露光装置 - Google Patents

X線露光装置

Info

Publication number
JPH0449612A
JPH0449612A JP2158691A JP15869190A JPH0449612A JP H0449612 A JPH0449612 A JP H0449612A JP 2158691 A JP2158691 A JP 2158691A JP 15869190 A JP15869190 A JP 15869190A JP H0449612 A JPH0449612 A JP H0449612A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
pressure
valve
window material
exposure
beam line
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2158691A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2959579B2 (ja
Inventor
Ryuichi Ebinuma
隆一 海老沼
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Canon Inc
Original Assignee
Canon Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Canon Inc filed Critical Canon Inc
Priority to JP2158691A priority Critical patent/JP2959579B2/ja
Priority to DE69130009T priority patent/DE69130009T2/de
Priority to EP91305364A priority patent/EP0462756B1/en
Priority to US07/716,970 priority patent/US5170418A/en
Publication of JPH0449612A publication Critical patent/JPH0449612A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP2959579B2 publication Critical patent/JP2959579B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70008Production of exposure light, i.e. light sources
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/708Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
    • G03F7/70808Construction details, e.g. housing, load-lock, seals or windows for passing light in or out of apparatus
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/708Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
    • G03F7/70808Construction details, e.g. housing, load-lock, seals or windows for passing light in or out of apparatus
    • G03F7/70841Constructional issues related to vacuum environment, e.g. load-lock chamber
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/708Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
    • G03F7/70858Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/708Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
    • G03F7/70858Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature
    • G03F7/70866Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature of mask or workpiece

Landscapes

  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Public Health (AREA)
  • Environmental & Geological Engineering (AREA)
  • Epidemiology (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Atmospheric Sciences (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • X-Ray Techniques (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野] 本発明は露光装置に関し、特に、シンクロトロン放射光
(以下、SOR光と称す)を用いて露光が行なわれるX
線露光装置に関する。
[従来の技術] SOR光によって露光が行なわれるX線露光装置は、S
OR光を発生するシンクロトロン放射光装置と、マスク
やウェハ等を収容する露光チャンバとがビームラインを
介して、超高真空状態に置かれるシンクロトロン放射光
装置と接続される。
このように構成されたX線露光装置においては、ビーム
ラインや露光チャンバにリークが生じた場合にはシンク
ロトロン放射光装置に大気が侵入してしまう危険性があ
る。このことを防ぐ従来のものとして特開昭64−61
700号公報に記載された第5図に示されるようなもの
がある。
シンクロトロン放射光装置(不図示)にて発生するSO
R光501は、ビームライン503および該ビームライ
ン503中に設けられた窓材507を通って露光チャン
バ513内のマスク512およびウェハ511を照射す
る。ビームライン503には、真空リークにより発生す
る衝撃波の進行を遅らせるための衝撃波遅延管502お
よびSOR光501を拡げるためのミラーチャンバ50
5が径路中に順に設けられ、ミラーチャンバ505と窓
材507との間には圧力センサ506が、また、シンク
ロトロン放射光装置と衝撃波遅延管504との間には圧
力センサ506の検出状態に応じて動作する緊急遮断弁
502が設けられている。露光チャンバ513に収容さ
れるマスク515およびウェハ511は、マスク予備室
516内に収容されるマスク515およびウェハ予備室
509内に収容されるウェハ511とゲート弁514お
よびゲート弁510をそれぞれ介して交換される。
ビームライン503にリークが生じたときや露光チャン
バ513にリークが生じて窓材507が破損したときは
、これに伴なって圧力センサ512の検出圧力が上昇し
て緊急遮断弁502が閉じられてシンクロトロン放射光
発生装置に大気が侵入することが防止される。
[発明が解決しようとする課題] 上述した従来のX線露光装置においては、異常圧力を検
出するための圧力センサが窓材よりシンクロトロン放射
光装置側(上流側)に設けられている。したがって、露
光チャンバにリークが発生した場合、これを直接検知す
ることができず、窓材に破損が生じた後に検出されるこ
とになるが、窓材が破損するとその破片が露光チャンバ
およびビームライン中に飛散してしまうため、回復処理
に大変手間がかかり、露光動作再開までの時間も長くか
かるという問題点がある。本発明は、上記従来の技術が
有する問題点に鑑みてなされたもので、露光チャンバに
リークが発生した場合のシンクロトロン放射光装置の保
護を、窓材に破損が生じることなく行なうことのできる
X線露光装置を実現することを目的とする。
[課題を解決するための手段] 本発明のX線露光装置は、 シンクロトロン放射光を発生するシンクロトロン放射光
装置と、 シンクロトロン放射光装置とビームラインを介して接続
され、該ビームライン中に設けられた窓材を介して入射
されるシンクロトロン放射光により露光処理が行なわれ
る露光チャンバとによって構成されるX線露光装置にお
いて、 露光チャンバ内の圧力を検出する圧力検知手段と、 窓材とシンクロトロン放射光装置との間のビームライン
に設けられた遮断弁と、 ビームライン中の、窓材と遮断弁の間の部分と窓材と露
光チャンバの間の部分とを連通させるバイパスと、バイ
パスの径路中に設けられた連通弁と、 ビームライン中の窓材と遮断弁の間の部分の真空排気を
行なうための真空ポンプと、 ビームラインと真空ポンプを結ぶ管路中に設けられたポ
ンプ弁と、 圧力検知手段の検出圧力に応じて遮断弁、連通弁および
ポンプ弁の開閉状態を制御する制御装置とを具備し、 制御装置は、露光動作時の検出圧力が予め定められた所
定の圧力よりも低い定常状態を示すものである場合には
、遮断弁およびポンプ弁を開状態、連通弁を閉状態とし
、露光動作時の検出圧力が予め定められた所定の圧力を
超えた場合には遮断弁およびポンプ弁を閉状態とした後
に連通弁を開状態とするものである。
この場合、窓材とシンクロトロン放射光装置との間のビ
ームラインに設けられた遮断弁と同様に開閉状態が制御
される第2の遮断弁を、窓材と露光チャンバとの間のビ
ームラインに設けてもよい。
また、窓材と露光チャンバとの間のビームラインに設け
られた遮断弁と制御装置のみの構成とし7てもよい。
〔作   用〕
露光動作時に露光チャンバにリークが生じてしまい、検
出圧力が上昇して所定の圧力を超えた場合には遮断弁と
ポンプ弁が閉じられた後に連通弁が開けられる。連通弁
が開けられる前に遮断弁が閉じられるため、露光チャン
バ内の気体がシンクロトロン放射光装置に侵入すること
はない。この連通弁が開けられることにより、窓材に圧
力が加わらなくなるため、窓材に破損が生じることがな
くなる。また、上記のビームライン中の所定の部分を真
空排気するための真空ポンプが設けられている。露光動
作を再開するときには、連通弁を閉じた後にポンプ弁を
開けて窓材と遮断弁との間に侵入した露光チャンバ内の
気体は真空排気し、この後に遮断弁を開けることにより
遮断弁を閉じたときと同様にシンクロトロン放射光装置
に露光チャンバ内の気体が侵入することを防ぐことがで
きる。
[実 施 例] 次に、本発明の実施例について図面を参照して説明する
第1図(a)は本発明の第1の実施例の構成を示す図で
ある。
シンクロトロン放射光装置(不図示)にて発生するSO
R光101は、ビームライン103および該ビームライ
ン103中に設けられた窓材107を通って露光チャン
バ113内のマスク112およびウェハ111を照射す
る。ビームライン103には、真空リークにより発生す
る衝撃波の進行を遅らせるための衝撃波遅延管102お
よびSOR光101を拡げるためのミラーチャンバ10
5が径路中に順に設けられ、ミラーチャンバ105と窓
材107どの間には圧力センサ106が、また、シンク
ロトロン放射光装置と衝撃波遅延管104との間には圧
力センサ106の検出状態に応じて動作する緊急遮断弁
102が設けられている。露光チャンバ113に収容さ
れるマスク115およびウェハ111は、マスク予備室
116内に収容されるマスク115およびウェハ予備室
109内に収容されるウェハ111とゲート弁114お
よびゲート弁110をそれぞれ介して交換される。
第5図に示した従来例と同様にビームライン103にリ
ークが生じたときや露光チャンバ113にリークが生じ
て窓材107が破損したときは、これに伴なって圧力セ
ンサ117の検出圧力が上昇して緊急遮断弁102が閉
じられてシンクロトロン放射光発生装置に大気が侵入す
ることが防止される。
本実施例のビームライン103には上記の各構成のほか
に、露光チャンバ113内の圧力を検出するための圧力
検知手段である圧力センサ117と、ミラーチャンバ1
05と窓材107どの間を遮断する遮断弁118と、該
遮断弁118と窓材107の間の部位と露光チャンバ1
13とを連通弁120を介してバイパスするバイパス1
19と、窓材107と遮断弁118との間の領域を真空
排気する真空排気手段としての真空ポンプ123とが設
けられている。該真空ポンプ123は開閉弁であるポン
プ弁122を介在させた管路によりビームラインの前記
領域に連通されている。圧力センサ117は8材107
と露光チャンバ118との間に設けられ、圧力センサ1
22は窓材107と遮断弁118との間に設けられてい
る。また、露光チャンバ113には、その室内をポンプ
弁126を介して真空排気する真空ポンプ125が設け
られている。上記のように構成されたビームライン10
3、露光チャンバ113の外部には各圧力センサ117
,122の検出する圧力に応じて遮断弁118、連通弁
120および各ポンプ弁124.126の動作を制御す
る制御装置121が設けられている。
露光チャンバ113内に収容されるウェハ111は、ビ
ームライン103および窓材107を通り、マスク11
2によって部分的に遮光されたSOR光101によって
露光される。この露光時において、マスク112にはS
OR光101が照射されることによる発熱が生じるため
、露光チャンバ113内は必要な熱伝導が生じる程度に
減圧された気体雰囲気(He : 150Torr)と
されている。また、窓材107としてはSOR光101
をよく透過することが必要とされるため、Beを薄く 
(10ALm〜20μm)加工したものが用いられてい
る。上記の露光チャンバ113内の圧力p6 (150
Torr)は、この厚さにおける窓材107の耐圧PL
よりも低く設定されている。
第5図に示した従来例と同様に、露光に使用されるマス
ク112およびウェハ111をマスク予備室116およ
びウェハ予備室109にそれぞれ収容されるマスク11
5およびウェハ108と交換する際には、ウェハ予備室
109およびマスク予備室116は露光チャンバ113
内と同様の雰囲気に置換されたいわゆるロードロックさ
れた状態とされる。
露光チャンバ113、ウェハ予備室109およびマスク
予備室106のそれぞれにはすべて図示しないが上記の
ような室内雰囲気を実現するための真空排気手段および
ガス導入手段が設けられ、圧力調整が行なわれるもので
、第1図には露光チャンバ113に開閉弁であるポンプ
弁126を介在させ管路により連通された真空排気手段
である真空ポンプ125のみが示されている。
通常の露光時において、緊急遮断弁102、遮断弁11
8およびポンプ弁122は開状態とされ、連通弁120
は閉状態とされて、真空ポンプ123によってもビーム
ライン103を真空状態とすることが行なわれている。
露光動作中のビームライン103にリークが生じた場合
には、このことは第5図に示した従来例と同様に圧力セ
ンサ106により検出され、緊急遮断弁102が閉じら
れてシンクロトロン放射光装置の保護がなされる。また
、露光チャンバ113に関するリークの検出および窓材
107の保護は制御装置121の制御により行なわれる
第2図(a)は露光動作中の制御装置121の動作を示
すフローチャートである。
制御装置121は、露光動作時においては圧力センサ1
17により検出される露光チャンバ113内の圧力Pが
所定の圧力P。(P * < P。
<PL)を超えるものであるかを常時監視しており(ス
テップS1)、マスク予備室106やウェハ予備室10
9におけるロードロックの失敗や、露光チャンバ113
内の圧力調整が失敗して圧力Pが所定の圧力P。を超え
た場合には遮断弁118および各ポンプ弁124.12
6を閉状態としくステップS2)、続いて連通弁120
を開状態とする(ステップS3)。
圧力Pが窓材107の耐圧PLに達するまえに遮断弁1
18が閉められることにより少なくとも窓材107の破
片がビームライン103の上流に飛散することを防止す
ることができ、また圧力Pが窓材107の耐圧PLに達
するまえに連通弁122を開けることにより窓材107
に圧力が加わることを防止することができ、窓材107
が破損することを防ぐことができる。
第2図(b)は、露光チャンバ113に生じたリークが
修理され、露光動作再立上げ時における制御装置121
の動作を示すフローチャートである。
制御装置121は、再立上げ時にはポンプ弁126を開
としくステップS4)、真空ポンプ125による露光チ
ャンバ113内の真空排気を行なわせる。この動作は圧
力センサ117が検出する圧力Pが所定の値PA(10
−”To r r近辺)を下回るまで続けられ(ステッ
プS5)、P<PAとなると、連通弁120を閉じる(
ステップS6)。次に、ポンプ弁124を開とし、また
、露光チャンバ113内へのHeの導入を開始する(ス
テップS7)、この後、圧力センサ122が検出する圧
力Pが露光時においてはビームライン103に要求され
る真空度10−’Torrを下回るものであるかを確認
しくステップS8)、さらに、露光チャンバ113内の
室内圧力が露光時の所定の圧力であり、露光可能なもの
であるかを確認した後に(ステップS9)、遮断弁11
8を開ける(ステップ510)。
上記のような動作を行なわせることにより、ビームライ
ン103中にHeが侵入することを防ぐことができ、露
光を円滑に再開することができる。
第3図は本発明の第2の実施例の構成を示す図である。
本実施例は第1図に示した第1の実施例の構成を簡略化
し、遮断弁301をあらたに設けたものであるため、同
様の構成のものには第1図と同一番号を付し、説明は省
略する。
本実施例においては第1図中に示した遮断弁118、バ
イパス119、連通弁120、ポンプ弁12.2および
真空ポンプ123が省かれ、露光チャンバ113内の窓
材107近傍であり、圧力センサ117を間にはさむ位
置に制御装置121により動作が制御される遮断弁30
1が設けられている。なお、第3図においては露光チャ
ンバ113に設けられる真空ポンプ125およびポンプ
弁126は不図示とされている。
制御装置121は圧力センサ117により検出された圧
力Pが所定の圧力P0を超えたときに遮断弁301を閉
じ、窓材107にさらに圧力が加わることを防ぐことに
より窓材107が破損されることを防止する。
第4図は本発明の第3の実施例の構成を示す図である。
本実施例は第1の実施例の構成と第2の実施例の構成と
を組み合わせたものであり、第1の実施例のものに、バ
イパス119の露光チャンバ113側の連通部と露光チ
ャンバ113との間に遮断弁301を設けたものである
。このため、第1および第2の実施例と同様の構成のも
のには第1図および第3図と同一の番号を付して説明は
省略する。
本実施例の動作は第2図(a)、(b)に示した第1の
実施例とほぼ同様のものであり、遮断弁118の開閉動
作と遮断弁301の開閉動作どが連動するものとなって
いる。これにより、遮断弁118および遮断弁301が
閉じられた後には窓材107にはリークによる応力がか
かることがなくなるので安全性がさらに向上した。
[発明の効果] 本発明は以上説明したように構成されているので、以下
に記載するような効果を奏する。
請求項1に記載されたものにおいては、露光チャンバの
リークをいち早く検出することができるので露光チャン
バのリークにより、窓材が破損されることおよびシンク
ロトロン放射光装置に露光チャンバ内の気体が侵入する
ことを阻止することができる。
請求項2に記載のものにおいては、上記各効果のうちの
窓材の破損防止効果がさらに向上する。
請求項3に記載したものにおいては、露光チャンバのリ
ークによる窓材の破損防止を簡単な構成にて実現するこ
とができる効果がある。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の第1の実施例の構成を示す図、第2図
(a)、(b)はそれぞれ第1図中の制御装置121の
動作を、示すフローチャート、第3図および第4図はそ
れぞれ本発明の第2の実施例および第3の実施例の構成
を示す図、第5図は従来例の構成を示す図である。 101・・・SOR光、   102−・・緊急遮断弁
、103・・・ビームライン、104−・・衝撃波遅延
管105・・・ミラーチャンバ、 106.117,122・・・圧力センサ、107・・
・窓材、 108、ll!−・ウェハ、 109・・・ウェハ予備室、 110.114・・・ゲート弁、 112.115・・・マスク、 113・・・露光チャンバ 16・・・マスク予備室、 18.301・・・遮断弁、 19・・・バイパス、  120−・・連通弁、21・
・・制御装置、 24.126軸・ポンプ弁、 23.125・・・真空ポンプ、 1〜SIO・・・ステップ。 特許出願人  キャノン株式会社 代 理 人  弁理士 苦杯 忠 第2図(b)

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1、シンクロトロン放射光を発生するシンクロトロン放
    射光装置と、 前記シンクロトロン放射光装置とビームラインを介して
    接続され、該ビームライン中に設けられた窓材を介して
    入射されるシンクロトロン放射光により露光処理が行な
    われる露光チャンバとによって構成されるX線露光装置
    において、 前記露光チャンバ内の圧力を検出する圧力検知手段と、 前記窓材と前記シンクロトロン放射光装置との間の前記
    ビームラインに設けられた遮断弁と、前記ビームライン
    中の、前記窓材と遮断弁の間の部分と前記窓材と露光チ
    ャンバの間の部分とを連通させる連通弁を介在させたバ
    イパスと、前記ビームライン中の前記窓材と遮断弁の間
    の部分の真空排気を行なうための真空排気手段と、前記
    ビームラインと真空排気手段とを結ぶ管路中に設けられ
    たポンプ弁と、 前記圧力検知手段の検出圧力に応じ、露光動作時の前記
    検出圧力が予め定められた所定の圧力よりも低い定常状
    態を示すものである場合には、前記遮断弁およびポンプ
    弁を開状態、前記連通弁を閉状態とし、露光動作時の前
    記検出圧力が予め定められた所定の圧力を超えた場合に
    は前記遮断弁およびポンプ弁を閉状態とした後に前記連
    通弁を開状態とする制御装置を備えたことを特徴とする
    X線露光装置。 2、請求項1記載のX線露光装置において、窓材とシン
    クロトロン放射光装置との間のビームラインに設けられ
    た遮断弁と同様に開閉状態が制御される第2の遮断弁が
    、窓材と露光チャンバとの間のビームラインに設けられ
    ているX線露光装置。 3、シンクロトロン放射光を発生するシンクロトロン放
    射光装置と、 前記シンクロトロン放射光装置とビームラインを介して
    接続され、該ビームライン中に設けられた窓材を介して
    入射されるシンクロトロン放射光により露光処理が行な
    われる露光チャンバとによって構成されるX線露光装置
    において、 前記露光チャンバ内の圧力を検出する圧力検知手段と、 前記窓材と前記露光チャンバとの間の前記ビームライン
    に設けられた遮断弁と、 前記圧力検知手段の検出圧力に応じ、露光動作時の前記
    検出圧力が予め定められた所定の圧力よりも低い定常状
    態を示すものである場合には前記遮断弁を開状態とし、
    露光動作時の前記検出圧力が予め定められた所定の圧力
    を超えた場合には前記遮断弁を閉状態とする制御装置を
    備えたことを特徴とするX線露光装置。
JP2158691A 1990-06-19 1990-06-19 X線露光装置 Expired - Fee Related JP2959579B2 (ja)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2158691A JP2959579B2 (ja) 1990-06-19 1990-06-19 X線露光装置
DE69130009T DE69130009T2 (de) 1990-06-19 1991-06-13 Röntgenbelichtungsvorrichtung
EP91305364A EP0462756B1 (en) 1990-06-19 1991-06-13 X-ray exposure apparatus
US07/716,970 US5170418A (en) 1990-06-19 1991-06-18 X-ray exposure apparatus

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2158691A JP2959579B2 (ja) 1990-06-19 1990-06-19 X線露光装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH0449612A true JPH0449612A (ja) 1992-02-19
JP2959579B2 JP2959579B2 (ja) 1999-10-06

Family

ID=15677249

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2158691A Expired - Fee Related JP2959579B2 (ja) 1990-06-19 1990-06-19 X線露光装置

Country Status (4)

Country Link
US (1) US5170418A (ja)
EP (1) EP0462756B1 (ja)
JP (1) JP2959579B2 (ja)
DE (1) DE69130009T2 (ja)

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3184582B2 (ja) * 1991-11-01 2001-07-09 キヤノン株式会社 X線露光装置およびx線露光方法
JP2934185B2 (ja) 1996-03-15 1999-08-16 松下電器産業株式会社 Cdmaセルラ無線基地局装置および移動局装置および送信方法
JPH11312640A (ja) * 1998-02-25 1999-11-09 Canon Inc 処理装置および該処理装置を用いたデバイス製造方法
US7145987B2 (en) * 2003-07-24 2006-12-05 Nikon Corporation X-ray-generating devices and exposure apparatus comprising same
US7409037B2 (en) * 2006-05-05 2008-08-05 Oxford Instruments Analytical Oy X-ray fluorescence analyzer having means for producing lowered pressure, and an X-ray fluorescence measurement method using lowered pressure
CN109343101B (zh) * 2018-09-11 2023-03-14 东莞中子科学中心 用于白光中子源带电粒子探测谱仪的压差平衡控制方法

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS62222634A (ja) * 1986-03-18 1987-09-30 Fujitsu Ltd X線露光方法
JPS62291028A (ja) * 1986-06-10 1987-12-17 Nec Corp X線露光装置
JPS639930A (ja) * 1986-06-30 1988-01-16 Nec Corp X線露光装置
JPS6461700A (en) * 1987-08-31 1989-03-08 Nec Corp Synchrotron radiation light exposing device
JP2627543B2 (ja) * 1988-09-05 1997-07-09 キヤノン株式会社 Sor露光システム

Also Published As

Publication number Publication date
US5170418A (en) 1992-12-08
DE69130009T2 (de) 1999-01-28
DE69130009D1 (de) 1998-09-24
EP0462756A2 (en) 1991-12-27
JP2959579B2 (ja) 1999-10-06
EP0462756B1 (en) 1998-08-19
EP0462756A3 (en) 1993-11-18

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP0422814B1 (en) Exposure apparatus
KR940006184A (ko) 감압처리장치 및 감압처리방법
JPH0449612A (ja) X線露光装置
JP2766935B2 (ja) X線露光装置
JP2627543B2 (ja) Sor露光システム
JPH0449613A (ja) X線露光装置
JPH0449614A (ja) X線露光装置
JPH0831369A (ja) ガス供給装置
JPH10325900A (ja) X線装置およびこれを用いたx線露光装置ならびにデバイス製造方法
JP2762269B2 (ja) 螢光x線分析装置のx線発生制御機構
JPH04297577A (ja) 真空装置
JP2596636B2 (ja) バルブ付きx線取り出し窓
JP2004363369A (ja) チャンバ、露光装置、デバイスの製造方法
JPS5923417B2 (ja) 電子顕微鏡等用排気システム
JPH07171374A (ja) 排気系バルブの操作方法
JPS5912597Y2 (ja) 電子分光装置
JPH0511920B2 (ja)
JP3027778B2 (ja) 減圧装置昇圧用パージガス導入装置
JP3399587B2 (ja) 真空装置ベーキング方法およびベーキング装置
JPH076698U (ja) 炉の扉シール装置
JPH06196390A (ja) バルブの制御方法及びこれを用いたシステム
KR790001413B1 (ko) 고압스티이머의 섬유제품 도출입구 압력 시일장치
JP2503234B2 (ja) 高真空排気制御装置
JPH03279680A (ja) 真空処理装置
JPH0536673A (ja) 半導体製造装置

Legal Events

Date Code Title Description
FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20070730

Year of fee payment: 8

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080730

Year of fee payment: 9

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080730

Year of fee payment: 9

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090730

Year of fee payment: 10

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees