JPH0449269A - 光学活性なペンタン誘導体 - Google Patents
光学活性なペンタン誘導体Info
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
本発明は、新規な光学活性化合物およびその中間体、並
びにそれらの製造方法に関する。
びにそれらの製造方法に関する。
[従来の技術]
ビタミンEはトコールのメチル化誘導体で、天然には8
種の化合物、即ち、α−1β−1γ−およびδ−トコフ
ェロール、並びにα−1β−1γ−およびδ−トコトリ
エノールが存在する。トコフェロールおよびトコトリエ
ノールには、6体、1体およびd1体の光学異性体が存
在するが、天然のものは全て6体である。また、合成ト
コフェロールは、−mにはジアステレオマー混合物とし
て調製される。そして、トコフェロールの生理活性が、
クロマン環上の2位−炭素原子におけるキラリティーに
大きく左右されることは知られている。
種の化合物、即ち、α−1β−1γ−およびδ−トコフ
ェロール、並びにα−1β−1γ−およびδ−トコトリ
エノールが存在する。トコフェロールおよびトコトリエ
ノールには、6体、1体およびd1体の光学異性体が存
在するが、天然のものは全て6体である。また、合成ト
コフェロールは、−mにはジアステレオマー混合物とし
て調製される。そして、トコフェロールの生理活性が、
クロマン環上の2位−炭素原子におけるキラリティーに
大きく左右されることは知られている。
光学活性な出発材料を用いて光学活性なトコフェロール
類を合成する方法は、例えば、N、Cohen等、Jo
urnal of the American Che
mical 5ociety、101:2λ0ctob
er 24.1979.6710−6716に記載され
ている。
類を合成する方法は、例えば、N、Cohen等、Jo
urnal of the American Che
mical 5ociety、101:2λ0ctob
er 24.1979.6710−6716に記載され
ている。
Cohen等の方法は、光学活性なベンゾビラン誘導体
を出発材料として用い、その出発材料のキラリティーを
維持したままで、光学活性なりロマンー2−メタノール
誘導体を調製し、このクロマン誘導体からWittig
カップリングによって、目的とする光学活性なα−トコ
フェロールを得るものである。しかしながら、この方法
では、光学活性出発材料を得るなめに分割操作を必要と
し、更に、合成工程の途中で有害な青酸を用いる必要が
あった。
を出発材料として用い、その出発材料のキラリティーを
維持したままで、光学活性なりロマンー2−メタノール
誘導体を調製し、このクロマン誘導体からWittig
カップリングによって、目的とする光学活性なα−トコ
フェロールを得るものである。しかしながら、この方法
では、光学活性出発材料を得るなめに分割操作を必要と
し、更に、合成工程の途中で有害な青酸を用いる必要が
あった。
[発明が解決しようとする課題]
従って、本発明の目的は、入手が容易な光学活性出発材
料から誘導することができ、分割操作や有害な試薬を用
いずに、天然型配置あるいは非天然型配置のトコフェロ
ール類を任意に調製することのできる中間体を提供する
ことにある。
料から誘導することができ、分割操作や有害な試薬を用
いずに、天然型配置あるいは非天然型配置のトコフェロ
ール類を任意に調製することのできる中間体を提供する
ことにある。
[課題を解決するための手段]
前記の目的は、本発明により、一般式(1)(式中、R
1は炭素数1〜4個の低級アルキル基であり、R2はア
ルコキシ部分の炭素数が1〜4個の低級アルコキシカル
ボニル基であるか、あるいはヒドロキシ基もしくは保護
されたヒドロキシ基で置換されているかまたは非置換の
、直鎖状もしくは分校状の炭素数1〜7個のアルキル基
であり、Aは、ヒドロキシ基、保護されたヒドロキシ基
、ハロゲン原子、エチニル基、または式%式% で表される基であって、Bは水素原子、ヒドロキシ基、
保護されたヒドロキシ基、またはアシルオキシ基であり
、Dは水素原子であるが、但しAとBとは一緒になって
アセタール基またはエポキシ基であることができるもの
とし、AとDとは一緒になってエチリデン基であること
ができるものとし、更にBとDとは一緒になって直接結
合であることができるものとし、そして式中で※、*お
よび、、を付したキラル中心炭素原子における立体配置
は、それぞれ独立に、択一的にS−配置またはR−配置
のいずれか一方の配置のみをとるものとする) で表される光学活性なペンタン化合物によって達成する
ことができる。
1は炭素数1〜4個の低級アルキル基であり、R2はア
ルコキシ部分の炭素数が1〜4個の低級アルコキシカル
ボニル基であるか、あるいはヒドロキシ基もしくは保護
されたヒドロキシ基で置換されているかまたは非置換の
、直鎖状もしくは分校状の炭素数1〜7個のアルキル基
であり、Aは、ヒドロキシ基、保護されたヒドロキシ基
、ハロゲン原子、エチニル基、または式%式% で表される基であって、Bは水素原子、ヒドロキシ基、
保護されたヒドロキシ基、またはアシルオキシ基であり
、Dは水素原子であるが、但しAとBとは一緒になって
アセタール基またはエポキシ基であることができるもの
とし、AとDとは一緒になってエチリデン基であること
ができるものとし、更にBとDとは一緒になって直接結
合であることができるものとし、そして式中で※、*お
よび、、を付したキラル中心炭素原子における立体配置
は、それぞれ独立に、択一的にS−配置またはR−配置
のいずれか一方の配置のみをとるものとする) で表される光学活性なペンタン化合物によって達成する
ことができる。
また、本発明は、前記の各化合物を製造する方法を提供
するものでもある。その製造方法は以下の各工程からな
る。
するものでもある。その製造方法は以下の各工程からな
る。
(a)一般式(II)
U式中、Rxは炭素数1〜4個の低級アルキル基、例え
ば、メチル基、エチル基、n−プロピル基、またはn−
ブチル基であり、Rxはヒドロキシ基を保護する基、好
ましくは、場合により炭素数1〜4個の低級アルコキシ
基で置換されていることのある炭素数1〜4個の低級ア
ルキル基(例えばメチル基、メトキシメチル基、または
メトキシエトキシメチル基)、ベンジル基若しくは置換
ベンジル基、置換フェニル基(例えばp−メトキシフェ
ニル基)、または炭素数1〜4個の低級アルコキシ基で
置換されているシリル基(例えばt−ブチルジメチルシ
リル基)であり、そして※および本は前記と同じ意味で
ある] で表される光学活性なバレロラクトン化合物を開環して
、一般式(Ia) ロキシヘキサン酸化合物のヒドロキシ基を保護して、一
般式(I b ) (式中、Rt、Rx、※および*は前記と同じ意味であ
り、そして、Raは炭素数1〜4個の低級アルキル基で
ある) で表される相当する(即ち、キラル中心炭素原子※およ
び*が各々有していた立体配置を各々そのit保存して
)光学活性なヒドロキシヘキサン酸化合物を得る工程。
ば、メチル基、エチル基、n−プロピル基、またはn−
ブチル基であり、Rxはヒドロキシ基を保護する基、好
ましくは、場合により炭素数1〜4個の低級アルコキシ
基で置換されていることのある炭素数1〜4個の低級ア
ルキル基(例えばメチル基、メトキシメチル基、または
メトキシエトキシメチル基)、ベンジル基若しくは置換
ベンジル基、置換フェニル基(例えばp−メトキシフェ
ニル基)、または炭素数1〜4個の低級アルコキシ基で
置換されているシリル基(例えばt−ブチルジメチルシ
リル基)であり、そして※および本は前記と同じ意味で
ある] で表される光学活性なバレロラクトン化合物を開環して
、一般式(Ia) ロキシヘキサン酸化合物のヒドロキシ基を保護して、一
般式(I b ) (式中、Rt、Rx、※および*は前記と同じ意味であ
り、そして、Raは炭素数1〜4個の低級アルキル基で
ある) で表される相当する(即ち、キラル中心炭素原子※およ
び*が各々有していた立体配置を各々そのit保存して
)光学活性なヒドロキシヘキサン酸化合物を得る工程。
(b)前記式(Ia)で表される光学活性なしドRx
(式中、R1,Ra、Rx、※および*は前記と同じ意
味であり、そして、Rbはヒドロキシ基を保護する基、
好ましくは、前記の基Rxに関して列記した基である) で表される相当する(即ち、キラル中心炭素原子※およ
び*が各々有していた立体配置を各々そのまま保存して
)光学活性な保護ヒドロキシヘキサン酸化合物を得る工
程。
味であり、そして、Rbはヒドロキシ基を保護する基、
好ましくは、前記の基Rxに関して列記した基である) で表される相当する(即ち、キラル中心炭素原子※およ
び*が各々有していた立体配置を各々そのまま保存して
)光学活性な保護ヒドロキシヘキサン酸化合物を得る工
程。
(c)前記式(Ib)で表される光学活性な保護ヒドロ
キシヘキサン酸化合物を還元して、−i式(式中、R1
、Rb、Rx、※および*は前記と同じ意味である) で表される相当する(即ち、キラル中心炭素原子※およ
び本が各々有していた立体配置を各々そのまま保存して
)光学活性なヘキシルアルコール化合物を得る工程。
キシヘキサン酸化合物を還元して、−i式(式中、R1
、Rb、Rx、※および*は前記と同じ意味である) で表される相当する(即ち、キラル中心炭素原子※およ
び本が各々有していた立体配置を各々そのまま保存して
)光学活性なヘキシルアルコール化合物を得る工程。
(d)前記式<Ic)で表される光学活性なヘキシルア
ルコール化合物のしドロキシ基を保護して、して、式(
Id) Rx (式中、R1、Rb、Rx、※および*は前記と同じ意
味であり、そして、Rcはヒドロキシ基を保護する基、
好ましくは、前記の基Rxに関して列記した基である) で表される相当する(即ち、キラル中心炭素原子※およ
び*が各々有していた立体配置を各々そのまま保存して
)光学活性なヘキシルエーテル化合物を得る工程。
ルコール化合物のしドロキシ基を保護して、して、式(
Id) Rx (式中、R1、Rb、Rx、※および*は前記と同じ意
味であり、そして、Rcはヒドロキシ基を保護する基、
好ましくは、前記の基Rxに関して列記した基である) で表される相当する(即ち、キラル中心炭素原子※およ
び*が各々有していた立体配置を各々そのまま保存して
)光学活性なヘキシルエーテル化合物を得る工程。
(e)前記式(Id)で表される光学活性なヘキシルエ
ーテル化合物と一般式(III)Rd−MgX’ (Ill) (式中、Rdは炭素数1〜6個の直鎮状または分枝状の
アルキル基、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基
またはブチル基、特にはイソブチル基であり、Xlはハ
ロゲン原子、例えば、塩素原子、臭素原子またはヨウ素
原子である) で表されるアルキルマグネシウムハロゲン化物とを反応
させて、一般式He) (式中、R1、Rb、Rd、Rx、※および*は前記と
同じ意味である) で表される相当する(即ち、キラル中心炭素原子※およ
び*が各々有していた立体配置を各々そのまま保存して
)光学活性なアルキル置換ヘキサン化合物を得る工程。
ーテル化合物と一般式(III)Rd−MgX’ (Ill) (式中、Rdは炭素数1〜6個の直鎮状または分枝状の
アルキル基、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基
またはブチル基、特にはイソブチル基であり、Xlはハ
ロゲン原子、例えば、塩素原子、臭素原子またはヨウ素
原子である) で表されるアルキルマグネシウムハロゲン化物とを反応
させて、一般式He) (式中、R1、Rb、Rd、Rx、※および*は前記と
同じ意味である) で表される相当する(即ち、キラル中心炭素原子※およ
び*が各々有していた立体配置を各々そのまま保存して
)光学活性なアルキル置換ヘキサン化合物を得る工程。
(f)前記式(re)で表される光学活性なアルキル置
換ヘキサン化合物の保護しドロキシ基から保護基を脱離
して、式(If> (式中、R1、Rd、※および*は前記と同じ意味であ
る) で表される相当する(即ち、キラル中心炭素原子※およ
び本が各々有していた立体配置を各々そのまま保存して
)光学活性なアルキルジオール化合物を得る工程。
換ヘキサン化合物の保護しドロキシ基から保護基を脱離
して、式(If> (式中、R1、Rd、※および*は前記と同じ意味であ
る) で表される相当する(即ち、キラル中心炭素原子※およ
び本が各々有していた立体配置を各々そのまま保存して
)光学活性なアルキルジオール化合物を得る工程。
(g)前記式(If)で表される光学活性なアルキルジ
オール化合物と一般式(rv) Re−CHO (rv) (式中、Reは置換されているまたは非置換の芳香族基
、例えばフェニル基である) で表されるアルデヒド化合物とを反応させて、最大(I
g) (式中、R1−Rd、Re、※および*は前記と同じ意
味である) で表される相当する(即ち、キラル中心炭素原子※およ
び*が各々有していた立体配置を各々そのまま保存して
)光学活性なアルキルアセタール化合物を得る工程。
オール化合物と一般式(rv) Re−CHO (rv) (式中、Reは置換されているまたは非置換の芳香族基
、例えばフェニル基である) で表されるアルデヒド化合物とを反応させて、最大(I
g) (式中、R1−Rd、Re、※および*は前記と同じ意
味である) で表される相当する(即ち、キラル中心炭素原子※およ
び*が各々有していた立体配置を各々そのまま保存して
)光学活性なアルキルアセタール化合物を得る工程。
(h)前記式(Ig)で表される光学活性なアルキルア
セタール化合物をハロゲン化剤で処理して、−最大(I
h) で表される相当する(即ち、キラル中心炭素原子※およ
び*が各々有していた立体配置を各々そのまま保存して
)光学活性なアシルオキシアルカン化合物を得る工程。
セタール化合物をハロゲン化剤で処理して、−最大(I
h) で表される相当する(即ち、キラル中心炭素原子※およ
び*が各々有していた立体配置を各々そのまま保存して
)光学活性なアシルオキシアルカン化合物を得る工程。
(i)前記式(Ih)で表される光学活性なアシルオキ
シアルカン化合物をエポキシ化して、−i式(Ii) Re (式中、R1、Rd、Re、※および*は前記と同じ意
味であり、そしてX2はハロゲン原子、例えは、前記×
1に関して列記したものである)(式中、R1、Rd、
※および*は前記と同じ意味である) で表される相当する(即ち、キラル中心炭素原子※およ
び*が各々有していた立体配置を各々そのまま保存して
)光学活性なエポキシアルカン化合物を得る工程。
シアルカン化合物をエポキシ化して、−i式(Ii) Re (式中、R1、Rd、Re、※および*は前記と同じ意
味であり、そしてX2はハロゲン原子、例えは、前記×
1に関して列記したものである)(式中、R1、Rd、
※および*は前記と同じ意味である) で表される相当する(即ち、キラル中心炭素原子※およ
び*が各々有していた立体配置を各々そのまま保存して
)光学活性なエポキシアルカン化合物を得る工程。
(j)前記式(Ii)で表される光学活性なエポキシア
ルカン化合物を金属アセチリドと反応させて、−最大(
Ij) (式中、R1,Rd、※および*は前記と同じ意味であ
る) で表される相当する(即ち、キラル中心炭素原子※およ
び*が各々有していた立体配置を各々そのまま保存して
)光学活性なα、β−アルキン化合物を得る工程。
ルカン化合物を金属アセチリドと反応させて、−最大(
Ij) (式中、R1,Rd、※および*は前記と同じ意味であ
る) で表される相当する(即ち、キラル中心炭素原子※およ
び*が各々有していた立体配置を各々そのまま保存して
)光学活性なα、β−アルキン化合物を得る工程。
[以下余白]
次に、工程(a)から工程(k)について説明する。
m仁U
バレロラクトン化合物(II )のエステル化開環は、
0℃〜100℃、特には室温において、親水性溶媒(例
えば、メチルアルコール、エチルアルコールまたはベン
ジルアルコール)中で、アルカリ金属炭酸塩(例えば、
炭酸カリウム)またはアルカリ金属アルコキシドの存在
下にて実施する。
0℃〜100℃、特には室温において、親水性溶媒(例
えば、メチルアルコール、エチルアルコールまたはベン
ジルアルコール)中で、アルカリ金属炭酸塩(例えば、
炭酸カリウム)またはアルカリ金属アルコキシドの存在
下にて実施する。
この工程(a)において、バレロラクトン化合物(II
)における3位および5位のキラル中心戻素原子の立体
配置は変化せずに、ヒドロキシヘキサン酸エステル化合
物(Ia)にそのまま保存される。
)における3位および5位のキラル中心戻素原子の立体
配置は変化せずに、ヒドロキシヘキサン酸エステル化合
物(Ia)にそのまま保存される。
得られた化合物を精製せずに次の工程(b)に用いるこ
とができるが、必要により精製(例えば、シリカゲルカ
ラムクロマトグラフィー処理)してもよい。
とができるが、必要により精製(例えば、シリカゲルカ
ラムクロマトグラフィー処理)してもよい。
この工程(a)で出発材料として用いるバレロラクトン
化合物(II)は、例えば以下の方法によって調製する
ことができる。
化合物(II)は、例えば以下の方法によって調製する
ことができる。
初めに、−最大(■)
(式中、Rxおよび*は前記と同じ意味である)で表さ
れる光学活性な(S)−または(R)−グリシドール化
合物と一般式(VI) HC=C−C○○Ry (Vl) [式中、Ryは水素原子;アルキル基、特には炭素数1
〜4個の低級アルキル基(例えばメチル基またはエチル
基):フェニル置換アルキル基、特にはフェニル基で置
換された炭素数1〜4個の低級アルキル基(例えばベン
ジル基);アルケニル基、特には炭素数1〜4個の低級
アルケニル基(例えばアリル基);フェニル基;置換フ
ェニル基、特には炭素数1〜4個の低級アルキル基また
はアルコキシ基で置換されたフェニル基(例えばP−メ
トキシ基);またはトリアルキルシリル基、特にトリ低
級アルキルシリル基(例えば、トリメチルシリル基)で
あるコ で表されるプロパルギル酸またはその誘導体とを反応さ
せ、−最大(VII) (式中、Rx、Ryおよび*は前記と同じ意味である) で表される相当する(即ち、キラル中心炭素原子*が有
していたS−立体配置またはR−立体配置をそのまま保
存して)光学活性な(S)−または(R)−ヘキシノエ
ート化合物を得る。
れる光学活性な(S)−または(R)−グリシドール化
合物と一般式(VI) HC=C−C○○Ry (Vl) [式中、Ryは水素原子;アルキル基、特には炭素数1
〜4個の低級アルキル基(例えばメチル基またはエチル
基):フェニル置換アルキル基、特にはフェニル基で置
換された炭素数1〜4個の低級アルキル基(例えばベン
ジル基);アルケニル基、特には炭素数1〜4個の低級
アルケニル基(例えばアリル基);フェニル基;置換フ
ェニル基、特には炭素数1〜4個の低級アルキル基また
はアルコキシ基で置換されたフェニル基(例えばP−メ
トキシ基);またはトリアルキルシリル基、特にトリ低
級アルキルシリル基(例えば、トリメチルシリル基)で
あるコ で表されるプロパルギル酸またはその誘導体とを反応さ
せ、−最大(VII) (式中、Rx、Ryおよび*は前記と同じ意味である) で表される相当する(即ち、キラル中心炭素原子*が有
していたS−立体配置またはR−立体配置をそのまま保
存して)光学活性な(S)−または(R)−ヘキシノエ
ート化合物を得る。
前記のグリシドール(V)は炭素原子*にキラル中心1
個を有し、8体およびR体が存在する。
個を有し、8体およびR体が存在する。
それらの8体およびR体はそれぞれ公知の化合物である
。
。
グリシドール(V)とプロパルギル酸またはその誘導体
(VI)との反応は、不活性ガス(例えば、アルゴンガ
スまたは窒素ガス)雰囲気にて、低温下(例えば、0〜
−120℃、特には−10〜−100℃)で、非プロト
ン性溶媒(例えば、テトラヒドロフラン、トルエン、ヘ
キサンまたはエーテル)中で、強塩基(例えば、アルキ
ルリチウム〉およびルイス酸触媒(例えば、三フッ化ホ
ウ素、特に三フッ化ホウ素・エーテル)の存在下にて実
施する。この反応により、出発材料であるグリシドール
(V)由来のキラル中心炭素原子*における立体配置が
、ヘキシノエート化合物(VII)に導入される。精製
にはシリカゲルカラムクロマトグラフィーを用いること
ができる。
(VI)との反応は、不活性ガス(例えば、アルゴンガ
スまたは窒素ガス)雰囲気にて、低温下(例えば、0〜
−120℃、特には−10〜−100℃)で、非プロト
ン性溶媒(例えば、テトラヒドロフラン、トルエン、ヘ
キサンまたはエーテル)中で、強塩基(例えば、アルキ
ルリチウム〉およびルイス酸触媒(例えば、三フッ化ホ
ウ素、特に三フッ化ホウ素・エーテル)の存在下にて実
施する。この反応により、出発材料であるグリシドール
(V)由来のキラル中心炭素原子*における立体配置が
、ヘキシノエート化合物(VII)に導入される。精製
にはシリカゲルカラムクロマトグラフィーを用いること
ができる。
続いて、前記一般式(VII )で表されるヘキシノエ
ート化合物をリンドラ−触媒存在下に、常圧下で1モル
当量の水素を吸収させた後、トルエン中で加熱して、一
般式(VIII) (式中、Rxおよび*は前記と同じ意味である)で表さ
れる相当する(即ち、キラル中心炭素原子*が有してい
たS−立体配置またはR−立体配置をそのまま保存して
)光学活性な(S)−または(R)−不飽和バレロラク
トン化合物を得ることができる。
ート化合物をリンドラ−触媒存在下に、常圧下で1モル
当量の水素を吸収させた後、トルエン中で加熱して、一
般式(VIII) (式中、Rxおよび*は前記と同じ意味である)で表さ
れる相当する(即ち、キラル中心炭素原子*が有してい
たS−立体配置またはR−立体配置をそのまま保存して
)光学活性な(S)−または(R)−不飽和バレロラク
トン化合物を得ることができる。
ヘキシノエート化合物(Vll )における5位キラル
中心炭素原子*の立体配置は変化せずに、不飽和バレロ
ラクトン化合物(VII)の5位に導入される。
中心炭素原子*の立体配置は変化せずに、不飽和バレロ
ラクトン化合物(VII)の5位に導入される。
得られた化合物を必要により精製(例えば、シリカゲル
カラムクロマトグラフィー処理)して、次の工程に用い
る。
カラムクロマトグラフィー処理)して、次の工程に用い
る。
続いて、不飽和バレロラクトン化合物(VIII)と一
般式(IX) MrM” (R1) 2 (IX)
(式中、Mlは1価の金属イオン、例えばリチウムまた
は銅であり、Mlは2価の金属イオン、例えば銅または
マグネシウムであり、そしてR1は前記と同じ意味であ
る) で表される求核剤とを反応させ、相当する(即ち、キラ
ル中心炭素原子*が有していた立体配置をそのまま保存
して)光学活性なバレロラクトン化合物(II)を得る
ことができる。
般式(IX) MrM” (R1) 2 (IX)
(式中、Mlは1価の金属イオン、例えばリチウムまた
は銅であり、Mlは2価の金属イオン、例えば銅または
マグネシウムであり、そしてR1は前記と同じ意味であ
る) で表される求核剤とを反応させ、相当する(即ち、キラ
ル中心炭素原子*が有していた立体配置をそのまま保存
して)光学活性なバレロラクトン化合物(II)を得る
ことができる。
この工程は、不活性ガス(例えば、アルゴンガスまたは
窒素ガス)の雰囲気下で、低温下(例えば、0〜−10
0℃、特には−10〜−80℃)にて、非プロトン性溶
媒(例えば、テトラヒドロフラン、トルエン、ヘキサン
またはエーテル)中で、銅(I)化合物(例えば、Cu
I、CuCN)の存在下で実施する。求核剤としては、
例えば、リチウムジアルキルキュープレート、リチウム
ジフェニルキュープレート、またはアルキル若しくはフ
ェニルマグネシウムハライドを用いることができる。
窒素ガス)の雰囲気下で、低温下(例えば、0〜−10
0℃、特には−10〜−80℃)にて、非プロトン性溶
媒(例えば、テトラヒドロフラン、トルエン、ヘキサン
またはエーテル)中で、銅(I)化合物(例えば、Cu
I、CuCN)の存在下で実施する。求核剤としては、
例えば、リチウムジアルキルキュープレート、リチウム
ジフェニルキュープレート、またはアルキル若しくはフ
ェニルマグネシウムハライドを用いることができる。
ヘキシノエート化合物(VII )における5位キラル
中心炭素原子*の立体配置は変化せずに、バレロラクト
ン化合物(II)の5位に導入される。
中心炭素原子*の立体配置は変化せずに、バレロラクト
ン化合物(II)の5位に導入される。
また、バレロラクトン化合物(II )に新たにキラル
中心※が導入される。このキラル中心※における立体配
置の種類は、不飽和バレロラクトン化合物(IX)の5
位キラル中心炭素原子*における立体配置に依存する。
中心※が導入される。このキラル中心※における立体配
置の種類は、不飽和バレロラクトン化合物(IX)の5
位キラル中心炭素原子*における立体配置に依存する。
即ち、3位のアルキル基の導入は5位置換基に対して選
択的にアンチ側に起こる。
択的にアンチ側に起こる。
得られた化合物を、必要により精製(例えば、シリカゲ
ルカラムクロマトグラフィー処理)して、工程(a)に
用いる。
ルカラムクロマトグラフィー処理)して、工程(a)に
用いる。
工程」旦L
ヒドロキシ基の保護は、0〜50℃、特には室温におい
て、非プロトン性溶媒(例えば、ジメチルホルムアミド
)またはエーテル性溶媒(例えば、エチルエーテルまた
はテトラヒドロフラン)中で、トリアルキルシリルハラ
イドを用いて実施する。
て、非プロトン性溶媒(例えば、ジメチルホルムアミド
)またはエーテル性溶媒(例えば、エチルエーテルまた
はテトラヒドロフラン)中で、トリアルキルシリルハラ
イドを用いて実施する。
この工程(b)において、ヒドロヘキサン酸化合物(I
a)における2個のキラル中心炭素原子※および*の立
体配置は変化せずに、保護ヒドロキシヘキサン酸化合物
(Ib)にそのまま保存される。
a)における2個のキラル中心炭素原子※および*の立
体配置は変化せずに、保護ヒドロキシヘキサン酸化合物
(Ib)にそのまま保存される。
得られた化合物を必要により精製(例えば、シリカゲル
カラムクロマトグラフィー処理)して、次の工程に用い
る。
カラムクロマトグラフィー処理)して、次の工程に用い
る。
工程ユ立L
エステル部分の還元は、低温または常温下(例えば、−
10〜+20℃、特には0〜10℃において、エーテル
性溶媒(例えば、テトラヒドロフラン、エーテルまたは
ジオキサン)中で、ノ1イドライド還元剤(例えば、水
素化アルミニウムリチウム)を用いて実施する。
10〜+20℃、特には0〜10℃において、エーテル
性溶媒(例えば、テトラヒドロフラン、エーテルまたは
ジオキサン)中で、ノ1イドライド還元剤(例えば、水
素化アルミニウムリチウム)を用いて実施する。
この工程(C)において、保護ヒドロヘキサン酸化合物
(Ib)における2個のキラル中心炭素原子※および*
の立体配置は変化せずに、ヘキシルアルコール化合物(
Ic)にそのまま保存される。
(Ib)における2個のキラル中心炭素原子※および*
の立体配置は変化せずに、ヘキシルアルコール化合物(
Ic)にそのまま保存される。
得られた化合物を必要により精製(例えば、シリカゲル
カラムクロマトグラフィー処理)して、次の工程に用い
る。
カラムクロマトグラフィー処理)して、次の工程に用い
る。
工程ユ旦L
ヒドロキシ基のスルホン酸エステル化は、低温または常
温下(例えば、−10〜+30℃、特には0℃から室温
において、非プロトン性溶媒(例えば、ハロゲン化アル
キル、例えばジクロロメタン、エーテルまたはテトラヒ
ドロフラン)中で、第3級アミン(例えば、ピリジン、
トリエチルアミン、4−N、N−ジメチルアミノピリジ
ン)の存在下にて、アルキルまたは芳香族スルホン酸ク
ロリド(例えば、メタンスルホン酸クロリド若しくはト
ルエンスルホン酸クロリド)を用いて実施する。
温下(例えば、−10〜+30℃、特には0℃から室温
において、非プロトン性溶媒(例えば、ハロゲン化アル
キル、例えばジクロロメタン、エーテルまたはテトラヒ
ドロフラン)中で、第3級アミン(例えば、ピリジン、
トリエチルアミン、4−N、N−ジメチルアミノピリジ
ン)の存在下にて、アルキルまたは芳香族スルホン酸ク
ロリド(例えば、メタンスルホン酸クロリド若しくはト
ルエンスルホン酸クロリド)を用いて実施する。
この工程(d)において、ヘキシルアルコール化合物(
Ic)における2個のキラル中心炭素原子※および*の
立体配置は変化せずに、ヘキシルエーテル化合物(Id
)にそのまま保存される。
Ic)における2個のキラル中心炭素原子※および*の
立体配置は変化せずに、ヘキシルエーテル化合物(Id
)にそのまま保存される。
得られた化合物を必要により精製(例えば、シリカゲル
カラムクロマトグラフィー処理)して、次の工程に用い
る。
カラムクロマトグラフィー処理)して、次の工程に用い
る。
工丘ユ二二
ヘキシルエーテル化合物(Id)とアルキルマグネシウ
ムハロゲン化物(III)との反応は、低温下(例えば
、−78〜+10℃、特には0〜5℃)において、エー
テル性溶媒(例えば、エーテルまたはテトラヒドロフラ
ン)中で、銅塩(例えば、ヨウ化第1銅またはシアン化
第1銅)の存在下にて、アルキル若しくは芳香族リチウ
ム化合物、またはアルキル若しくは芳香族マグネシウム
ハライドを用いて実施する。
ムハロゲン化物(III)との反応は、低温下(例えば
、−78〜+10℃、特には0〜5℃)において、エー
テル性溶媒(例えば、エーテルまたはテトラヒドロフラ
ン)中で、銅塩(例えば、ヨウ化第1銅またはシアン化
第1銅)の存在下にて、アルキル若しくは芳香族リチウ
ム化合物、またはアルキル若しくは芳香族マグネシウム
ハライドを用いて実施する。
この工程(e)において、ヘキシルエーテル化合物(I
d)における2個のキラル中心炭素原子※および*の立
体配置は変化せずに、アルキル置換ヘキサン化合物(I
e)にそのまま保存される。
d)における2個のキラル中心炭素原子※および*の立
体配置は変化せずに、アルキル置換ヘキサン化合物(I
e)にそのまま保存される。
得られた化合物を必要により精製(例えば、シリカゲル
カラムクロマトグラフィー処理)して、次の工程に用い
る。
カラムクロマトグラフィー処理)して、次の工程に用い
る。
、工11
保護基の脱離は、常温ないし高温下(例えば、室温ない
し50℃、特には室温)において、アルコール性溶媒(
例えば、メタノールまたはエタノール)中で、パラジウ
ム触媒(例えば、水酸化パラジウムまたはパラジウム炭
素)の存在下にて、水素気流下で実施する。
し50℃、特には室温)において、アルコール性溶媒(
例えば、メタノールまたはエタノール)中で、パラジウ
ム触媒(例えば、水酸化パラジウムまたはパラジウム炭
素)の存在下にて、水素気流下で実施する。
この工程(f)において、アルキル置換ヘキサン化合物
(Ie)における2個のキラル中心炭素原子※および*
の立体配置は変化せずに、アルキルジオール化合物(I
f)にそのまま保存される。
(Ie)における2個のキラル中心炭素原子※および*
の立体配置は変化せずに、アルキルジオール化合物(I
f)にそのまま保存される。
得られた化合物を必要により精製(例えば、シリカゲル
カラムクロマトグラフィー処理)して、次の工程に用い
る。
カラムクロマトグラフィー処理)して、次の工程に用い
る。
工程ユ且工
芳香族アルデヒド化合物(rv)としては、ベンズアル
デヒド化合物、例えば、バラメトキシベンズアルデヒド
、特にはベンズアルデヒドを用いることができる。反応
は、高温下(例えば、80〜100℃)において、共沸
性溶媒(例えば、ベンゼンまたはトルエン)中で実施す
る。
デヒド化合物、例えば、バラメトキシベンズアルデヒド
、特にはベンズアルデヒドを用いることができる。反応
は、高温下(例えば、80〜100℃)において、共沸
性溶媒(例えば、ベンゼンまたはトルエン)中で実施す
る。
この工程(g)において、アルキルジオール化合物(I
f)における2個のキラル中心炭素原子※および*の立
体配置は変化せずに、芳香族アセタール化合物(Ig)
にそのまま保存される。
f)における2個のキラル中心炭素原子※および*の立
体配置は変化せずに、芳香族アセタール化合物(Ig)
にそのまま保存される。
得られた化合物を必要により精製(例えば、シリカゲル
カラムクロマトグラフィー処理)して、次の工程に用い
る。
カラムクロマトグラフィー処理)して、次の工程に用い
る。
、工程」」ロー
アセタール部分の開裂は、0〜40℃、特には10〜2
0℃において、ハロゲン化炭化水素溶媒(例えば、四塩
化炭素またはジクロロメタン)中で、特にn−ハロゲン
化カルボン酸イミド(例えばN−ブロモコハク酸イミド
)を用いて実施する。
0℃において、ハロゲン化炭化水素溶媒(例えば、四塩
化炭素またはジクロロメタン)中で、特にn−ハロゲン
化カルボン酸イミド(例えばN−ブロモコハク酸イミド
)を用いて実施する。
この工程(h)において、芳香族アセタール化合物(I
g>における2個のキラル中心炭素原子※および*の立
体配置は変化せずに、アシルオキシアルカン化合物(I
h)にそのまま保存される。
g>における2個のキラル中心炭素原子※および*の立
体配置は変化せずに、アシルオキシアルカン化合物(I
h)にそのまま保存される。
得られた化合物を精製せずに次の工程に用いることがで
きるが、精製(例えば、シリカゲルカラムクロマトグラ
フィー処理)シてもよい。
きるが、精製(例えば、シリカゲルカラムクロマトグラ
フィー処理)シてもよい。
、工程」」」−
エポキシ化は、アルコール溶媒(例えば、含水メタノー
ル)中で、アルカリ水酸化物(例えば、水酸化ナトリウ
ムまたは水酸化カリウム)の存在下にて、常温(特には
10〜20℃)において、攪拌下に実施する。
ル)中で、アルカリ水酸化物(例えば、水酸化ナトリウ
ムまたは水酸化カリウム)の存在下にて、常温(特には
10〜20℃)において、攪拌下に実施する。
この工程(i)において、アシルオキシアルカン化合物
(Ih)における2個のキラル中心炭素原子※および*
の立体配置は変化せずに、エポキシアルカン化合物(I
t)にそのまま保存される。
(Ih)における2個のキラル中心炭素原子※および*
の立体配置は変化せずに、エポキシアルカン化合物(I
t)にそのまま保存される。
得られた化合物を精製せずに次の工程に用いることがで
きるが、精製(例えば、シリカゲルカラムクロマトグラ
フィー処理)してもよい。
きるが、精製(例えば、シリカゲルカラムクロマトグラ
フィー処理)してもよい。
二丘ユ1L
末端アセチレン基の導入は、低温ないし常温(例えば、
0〜30”C1特にはやく20℃)において、極性溶媒
(例えば、ジメチルスルホキシド)中で、今風アセチリ
ド(例えば、リチウムアセチリド・エチレンジアミン複
合体)を用いて実施する。
0〜30”C1特にはやく20℃)において、極性溶媒
(例えば、ジメチルスルホキシド)中で、今風アセチリ
ド(例えば、リチウムアセチリド・エチレンジアミン複
合体)を用いて実施する。
この工程(j>において、エポキシアルカン化合物(I
i)における2個のキラル中心炭素原子※および*の立
体配置は変化せずに、末端アルキン化合物(Ij)にそ
のまま保存される。
i)における2個のキラル中心炭素原子※および*の立
体配置は変化せずに、末端アルキン化合物(Ij)にそ
のまま保存される。
工程ユU
前記式(Ij)で表される光学活性な末端アルキン化合
物の不飽和結合を内部転移させて、−最大(X) (式中、R+、Rd、※および*は前記と同じ意味であ
る) で表される相当する(即ち、キラル中心炭素原子※およ
び本が各々有していた立体配置を各々そのまま保存して
)光学活性な内部アルキン化合物を得る工程、この工程
は、例えば、高野ら、「シンセシス」、1986年、8
11頁に記載の方法によって実施することができる。
物の不飽和結合を内部転移させて、−最大(X) (式中、R+、Rd、※および*は前記と同じ意味であ
る) で表される相当する(即ち、キラル中心炭素原子※およ
び本が各々有していた立体配置を各々そのまま保存して
)光学活性な内部アルキン化合物を得る工程、この工程
は、例えば、高野ら、「シンセシス」、1986年、8
11頁に記載の方法によって実施することができる。
この工程(k)によって得られた化合物を、例えば、C
hanら、J、Org、Chem、、41.3497
(1976)に記載の方法によって、Z−オレフィンに
還元し、更にクライゼン転位を経てビタミンEの側鎖部
分に誘導することができる。
hanら、J、Org、Chem、、41.3497
(1976)に記載の方法によって、Z−オレフィンに
還元し、更にクライゼン転位を経てビタミンEの側鎖部
分に誘導することができる。
更に、本発明者が見い出したところによれば、前記工程
(k)で得られた内部アルキン化合物(X)から、前記
の経路とは別の経路で、ビタミンE側鎖部分を誘導する
ことができる。この経路は、以下の工程(m)ないし工
程(p)からなる。
(k)で得られた内部アルキン化合物(X)から、前記
の経路とは別の経路で、ビタミンE側鎖部分を誘導する
ことができる。この経路は、以下の工程(m)ないし工
程(p)からなる。
工程」工り
前記式(X)で表される光学活性な内部アルキン化合物
を接触水素化して、−最大(XI )(式中、R1、R
d、※および*は前記と同じ意味である) で表される相当する(即ち、キラル中心炭素原子※およ
び本が各々有していた立体配置を各々そのまま保存して
)光学活性なZ−アルケン化合物を得る工程、この工程
は、例えば、高野ら、「シンセシスJ、1986年、8
11頁に記載の方法によって実施することができる。
を接触水素化して、−最大(XI )(式中、R1、R
d、※および*は前記と同じ意味である) で表される相当する(即ち、キラル中心炭素原子※およ
び本が各々有していた立体配置を各々そのまま保存して
)光学活性なZ−アルケン化合物を得る工程、この工程
は、例えば、高野ら、「シンセシスJ、1986年、8
11頁に記載の方法によって実施することができる。
、二Uリ−
前記式(XI)で表される光学活性なZ−アルケン化合
物と一般式(XTI) (Rf ) 3S ncHzX3(Xll)(式中、R
fは、アルキル基であり、そして×3はハロゲン原子、
例えば、塩素原子、臭素原子またはヨウ素原子である) で表されるハロゲン化物(例えば、トリn−ブチルスズ
化メチルヨーシト)と反応させて、−最大(式中、Rr
、Rd、Rf、※および*は前記と同じ意味である) で表される相当する(即ち、キラル中心炭素原子※およ
び*が各々有していた立体配置を各々そのまま保存して
)光学活性なトリアルキルスズ化メチルオキシ−・アル
クン化合物を得る工程。
物と一般式(XTI) (Rf ) 3S ncHzX3(Xll)(式中、R
fは、アルキル基であり、そして×3はハロゲン原子、
例えば、塩素原子、臭素原子またはヨウ素原子である) で表されるハロゲン化物(例えば、トリn−ブチルスズ
化メチルヨーシト)と反応させて、−最大(式中、Rr
、Rd、Rf、※および*は前記と同じ意味である) で表される相当する(即ち、キラル中心炭素原子※およ
び*が各々有していた立体配置を各々そのまま保存して
)光学活性なトリアルキルスズ化メチルオキシ−・アル
クン化合物を得る工程。
この工程(n)の反応は、−20〜10°C1持には一
5〜Q″Cにおいて、エーテル性溶媒(例えば、テトラ
ヒドロフランまたはエーテル)中で、アルカリ金属ハイ
ドライド(例えば、カリウムハイドライド)を用いて実
施する。
5〜Q″Cにおいて、エーテル性溶媒(例えば、テトラ
ヒドロフランまたはエーテル)中で、アルカリ金属ハイ
ドライド(例えば、カリウムハイドライド)を用いて実
施する。
この工程(n)において、2−アルケン化合物(XI)
における2個のキラル中心炭素原子※および*の立体配
置は変化せずに、トリアルキルスズ化メチルオキシ−ア
ルケン化合物(Ik)にそのまま保存される。
における2個のキラル中心炭素原子※および*の立体配
置は変化せずに、トリアルキルスズ化メチルオキシ−ア
ルケン化合物(Ik)にそのまま保存される。
得られた化合物を、場合により精製(例えば、シリカゲ
ルカラムクロマトグラフィー処理)して、次の工程に用
いる。
ルカラムクロマトグラフィー処理)して、次の工程に用
いる。
工程ユ旦り
前記式(Ik)で表される光学活性なトリアルキルスズ
化メチルオキシ−アルケン化合物をアルキルリチウムで
処理して、不安定な一般式(Im)(式中、R1、Rd
、※および*は前記と同じ意味である) で表される相当する(即ち、キラル中心炭素原子※およ
び*が各々有していた立体配置を各々そのまま保存して
)光学活性なβ、γ−アルケンアニオン化合物を経て、
一般弐〇n) (式中、R1、Rd、※および、°、は前記と同じ意味
である) で表される相当する(即ち、キラル中心炭素原子※が有
していた立体配置をそのまま保存して)光学活性なγ、
δ−アルケン化合物を得る工程、ここで、キラル中心*
は消失するが、新たにキラル中心炭素原子、°、が導入
される。新たに導入されるキラル中心炭素原子、°、の
立体配置は、消失するキラル中心*の立体配置に依存す
る。即ち、消失するキラル中心*の酸素原子の立体配置
と同一方向からヒドロキシメチル基の転移反応が起こり
、新たなキラル中心炭素原子8゛、を形成する。
化メチルオキシ−アルケン化合物をアルキルリチウムで
処理して、不安定な一般式(Im)(式中、R1、Rd
、※および*は前記と同じ意味である) で表される相当する(即ち、キラル中心炭素原子※およ
び*が各々有していた立体配置を各々そのまま保存して
)光学活性なβ、γ−アルケンアニオン化合物を経て、
一般弐〇n) (式中、R1、Rd、※および、°、は前記と同じ意味
である) で表される相当する(即ち、キラル中心炭素原子※が有
していた立体配置をそのまま保存して)光学活性なγ、
δ−アルケン化合物を得る工程、ここで、キラル中心*
は消失するが、新たにキラル中心炭素原子、°、が導入
される。新たに導入されるキラル中心炭素原子、°、の
立体配置は、消失するキラル中心*の立体配置に依存す
る。即ち、消失するキラル中心*の酸素原子の立体配置
と同一方向からヒドロキシメチル基の転移反応が起こり
、新たなキラル中心炭素原子8゛、を形成する。
この工程(0)においては、低温下(例えば、−100
〜0℃、特には−70〜−50℃)において、ニーデル
性溶媒(例えば、エーテルまたはテトラヒドロフラン)
中で、アルキルリチウム(例えば、n−ブチルリチウム
またはメチルリチウム)の存在下にて処理すると、γ、
δ−アルケン化合物(In)を得ることができる。
〜0℃、特には−70〜−50℃)において、ニーデル
性溶媒(例えば、エーテルまたはテトラヒドロフラン)
中で、アルキルリチウム(例えば、n−ブチルリチウム
またはメチルリチウム)の存在下にて処理すると、γ、
δ−アルケン化合物(In)を得ることができる。
この工程([0)によって得られた化合物を、例えば、
5cottら、He lv、Chim。
5cottら、He lv、Chim。
acta、59.290 (1976)、またはCha
nら、JOC,43,3435(1978)に記載の方
法によって、直接還元してビタミンEの側鎖部分を誘導
することができる。
nら、JOC,43,3435(1978)に記載の方
法によって、直接還元してビタミンEの側鎖部分を誘導
することができる。
「以下余白]
[実施例]
以下、実施例によって本発明を更に具体的に説明するが
、これらは本発明の範囲を限定するものではない。
、これらは本発明の範囲を限定するものではない。
曵皿数
なお、前記の式中で、Bnはベンジル基である(以下同
様)。
様)。
メチルラクトン体(1)1.6g (6,8ミリモル)
のメチルアルコール10m1の溶液に炭酸カリウム2.
0g (14,5ミリモル)を加え、室温で3時間攪拌
した0反応液をジエチルエーテルで希釈し、5%塩酸水
溶液を加え、有機層を飽和炭酸水素ナトリウム水溶液お
よび飽和塩化ナトリウム水溶液で順次洗浄し、無水硫酸
マグネシウムで乾燥した後、減圧下で溶媒を留去し、粗
製エステル体(2)1.75gを得た。理化学的データ
は以下のとおりである。
のメチルアルコール10m1の溶液に炭酸カリウム2.
0g (14,5ミリモル)を加え、室温で3時間攪拌
した0反応液をジエチルエーテルで希釈し、5%塩酸水
溶液を加え、有機層を飽和炭酸水素ナトリウム水溶液お
よび飽和塩化ナトリウム水溶液で順次洗浄し、無水硫酸
マグネシウムで乾燥した後、減圧下で溶媒を留去し、粗
製エステル体(2)1.75gを得た。理化学的データ
は以下のとおりである。
IRν(neat)max、cm−” :3350.1
735 1H−NMR(CDCI 3)δ: 7.33 (s。
735 1H−NMR(CDCI 3)δ: 7.33 (s。
5H)、4.56 (s、2H)、3.66(s、3H
)、3.64 (m、 IH)。
)、3.64 (m、 IH)。
3.48 (m、2H)、2.28 (m、2H)、1
.80 (m、2H)、1.00 (d。
.80 (m、2H)、1.00 (d。
3H,J=6.5Hz)
MS m/e : 266 (M+)。
91 (100%)
exact mass:
CC15H2204(”)に対する理論値:266.1
518 実測値:266.149に の例1で用いた出発材料ラクトン体(1)は以下の方法
で調製した。
518 実測値:266.149に の例1で用いた出発材料ラクトン体(1)は以下の方法
で調製した。
テトラヒドロフラン70m1にプロパルギル酸メチル2
.50m1 (28,1ミリモル)を溶かした溶液中に
、−90℃の冷却下で、n−ブチルリチウム(n−ヘキ
サン中の1.56モル溶液)18.0ml (28,0
ミリモル)を40分間かけて滴下しな0滴下終了後、更
に20分間攪拌した。同じ温度下で、テトラヒドロフラ
ン20m1に(S)−0−ベンジルグリシドール3.5
5g(21,6ミリモル)を溶かした溶液をカニユーレ
で更に加え、5分間攪拌した。得られた黄褐色溶液に、
三フッ化ホウ素・ジエチルエーテル3.50m1 (2
8,0ミリモル)を10分間かけて滴下し、同じ温度で
1時間攪拌した。
.50m1 (28,1ミリモル)を溶かした溶液中に
、−90℃の冷却下で、n−ブチルリチウム(n−ヘキ
サン中の1.56モル溶液)18.0ml (28,0
ミリモル)を40分間かけて滴下しな0滴下終了後、更
に20分間攪拌した。同じ温度下で、テトラヒドロフラ
ン20m1に(S)−0−ベンジルグリシドール3.5
5g(21,6ミリモル)を溶かした溶液をカニユーレ
で更に加え、5分間攪拌した。得られた黄褐色溶液に、
三フッ化ホウ素・ジエチルエーテル3.50m1 (2
8,0ミリモル)を10分間かけて滴下し、同じ温度で
1時間攪拌した。
得られた反応液に飽和塩化アンモニウム水溶液20m1
を加え、室温まで昇温させな後、ジエチルエーテル20
0m1で抽出した。有機相を飽和炭酸水素ナトリウム水
溶液20m1および飽和塩化ナトリウム水溶液20m1
で順に洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥し、減圧下
で溶媒を留去させた。
を加え、室温まで昇温させな後、ジエチルエーテル20
0m1で抽出した。有機相を飽和炭酸水素ナトリウム水
溶液20m1および飽和塩化ナトリウム水溶液20m1
で順に洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥し、減圧下
で溶媒を留去させた。
残留物をカラムクロマトグラフィー(シリカゲル200
g使用)で処理し、ジエチルエーテル/n−ヘキサン(
1:1)の流分から(R)−メチル−6−ベンジルオキ
シ−5−ヒドロキシ−2−ヘキシノエート[以下、2−
ヘキシノエート体と称するコ4.50g(収率:84%
)を得た。
g使用)で処理し、ジエチルエーテル/n−ヘキサン(
1:1)の流分から(R)−メチル−6−ベンジルオキ
シ−5−ヒドロキシ−2−ヘキシノエート[以下、2−
ヘキシノエート体と称するコ4.50g(収率:84%
)を得た。
2−ヘキシノエート体の理化学的データは以下のCHC
13) 沸点=160〜165℃(0,3mmHg)(Kuge
lrohl) 1H−NMR(CDC13、δ): 2.60 (2H
。
13) 沸点=160〜165℃(0,3mmHg)(Kuge
lrohl) 1H−NMR(CDC13、δ): 2.60 (2H
。
d、J=6.0Hz)、2.60 (IH。
brs、DzOで消失)、3.40−
3.75 (2H,m)、3.78 (3H。
S)、3.90−4.10 (IH,m)。
4.58 (2H,s)、7.3 (5H,5)IR1
/ (neat)max cm 。
/ (neat)max cm 。
3330 (br)、2260.1710M5 m/
e :248 (M”)。
e :248 (M”)。
91 (100%)
元素分析:
理論値(C14H1604):
cm67.71″、H=6.50
測定値:cm67.66、H=6.76続いて、前記の
ヘキシノエート体7.90gをベンゼン300m1に溶
解し、キノリン15滴を加えた。この混合物にリンドラ
−触媒380mgを懸濁させ、室温および常圧下に1モ
ル当量の水素を吸収させた0反応終了後、触媒を炉別し
、炉液を5%塩酸と飽和炭酸水素ナトリウム水溶液で洗
浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥し、減圧下で溶媒を
留去させると、無色油状物6.59gが得られた。この
油状物をトルエン200m1に溶解し、ピリジニウムp
−トルエンスルホネート300mgを加え、1時間加熱
還流した。減圧下で溶媒を留去後、残留物をカラムクロ
マトグラフィー(シリカゲル)で精製したところ、エー
テル/ヘキサン(2:1)流分からα、β−不飽和ラク
トう体5.3g(全体で80%)が得られた。
ヘキシノエート体7.90gをベンゼン300m1に溶
解し、キノリン15滴を加えた。この混合物にリンドラ
−触媒380mgを懸濁させ、室温および常圧下に1モ
ル当量の水素を吸収させた0反応終了後、触媒を炉別し
、炉液を5%塩酸と飽和炭酸水素ナトリウム水溶液で洗
浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥し、減圧下で溶媒を
留去させると、無色油状物6.59gが得られた。この
油状物をトルエン200m1に溶解し、ピリジニウムp
−トルエンスルホネート300mgを加え、1時間加熱
還流した。減圧下で溶媒を留去後、残留物をカラムクロ
マトグラフィー(シリカゲル)で精製したところ、エー
テル/ヘキサン(2:1)流分からα、β−不飽和ラク
トう体5.3g(全体で80%)が得られた。
[(2]D = +7.0° (cm1.0゜CH
Cl3) ヨウ化銅1.57g (8,24ミリモル)を無水ジエ
チルエーテルに懸濁させ、メチルリチウム(ジエチルエ
ーテル中の1.09M)15.0ml (16,5ミリ
モル)を水冷下にて滴下し、同じ温度で30分間攪拌し
た。続いて、同じ温度で、前記のα、β−不飽和ラクト
う体598mg(2,75ミリモル)の無水ジエチルエ
ーテル5ml溶液を滴下し、30分間同じ温度で攪拌し
た。
Cl3) ヨウ化銅1.57g (8,24ミリモル)を無水ジエ
チルエーテルに懸濁させ、メチルリチウム(ジエチルエ
ーテル中の1.09M)15.0ml (16,5ミリ
モル)を水冷下にて滴下し、同じ温度で30分間攪拌し
た。続いて、同じ温度で、前記のα、β−不飽和ラクト
う体598mg(2,75ミリモル)の無水ジエチルエ
ーテル5ml溶液を滴下し、30分間同じ温度で攪拌し
た。
反応液に飽和塩化アンモニウム水溶液を加え、ジエチル
エーテルで抽出した。有機層を飽和炭酸水素ナトリウム
水溶液および飽和塩化ナトリウム水溶液で順次洗浄し、
無水硫酸マグネシウムで乾燥し、減圧下で溶媒を留去し
、得られた残留物をシリカゲルカラムクロマトグラフィ
ーで処理してジエチルエーテル−ヘキサンD : 1.
v/v)流分からメチルラクトン体(1)474mg
(74%)を得た。理化学的データは以下のとおりであ
る。
エーテルで抽出した。有機層を飽和炭酸水素ナトリウム
水溶液および飽和塩化ナトリウム水溶液で順次洗浄し、
無水硫酸マグネシウムで乾燥し、減圧下で溶媒を留去し
、得られた残留物をシリカゲルカラムクロマトグラフィ
ーで処理してジエチルエーテル−ヘキサンD : 1.
v/v)流分からメチルラクトン体(1)474mg
(74%)を得た。理化学的データは以下のとおりであ
る。
[αコW = −33,33’
(cm1.014.CHCl3)
IRL/ (neat)max、cm−”:2950゜
1735.12B0.1080,740゜’H−NMR
(C’DC+ 3)δ 7.35 (m。
1735.12B0.1080,740゜’H−NMR
(C’DC+ 3)δ 7.35 (m。
5)(>、4.75 (s、2H)、4,744.40
(m、IH)、3.64 (dd。
(m、IH)、3.64 (dd。
IH,J=11.0,5.2Hz)
3.59 (dd、IH,J=11.0”5.2Hz)
、2.58 (dd、IH,J=16.6.9.2l−
1z)、1.97 (ddd。
、2.58 (dd、IH,J=16.6.9.2l−
1z)、1.97 (ddd。
IH,J=14.8.7.7.5.5Hz)。
1.59 (ddd、LH,J=14.8゜7.4,4
.8Hz)、1.08 (d、3H。
.8Hz)、1.08 (d、3H。
J=6.3)(z)
MS m/e : 234 (M”)。
91 (100%)
元素分析:
C148180Bに対する理論値:
C=71.77、H=7.74
実測値:C=71.68.8=7.80ルヘキサノエー
トの舌シ+r′! なお、前記の式中てTBSはt−ブチルジメチルシリル
基である(以下同様)。
トの舌シ+r′! なお、前記の式中てTBSはt−ブチルジメチルシリル
基である(以下同様)。
粗製エステル体(2)1.75gのジメチルホルムアミ
ド20m1の溶液にイミダゾール1.75g (25,
72ミリモル)とt−ブチルジメチルシリルクロライド
1.93g (12,86ミリモル)を加え、室温で15時間攪拌し
た0反応液をジエチルエーテルで希釈し、飽和炭酸水素
ナトリウム水溶液および飽和塩化ナトリウム水溶液で順
次洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した後、減圧下
で溶媒を留去し、得られた残留物をシリカゲルカラムク
ロマトグラフィーで処理してジエチルエーテル−ヘキサ
ン(1:5、v/v)流分からシリル体(3)1.9g
(76%)を得た。理化学的データは以下のとおつであ
る。
ド20m1の溶液にイミダゾール1.75g (25,
72ミリモル)とt−ブチルジメチルシリルクロライド
1.93g (12,86ミリモル)を加え、室温で15時間攪拌し
た0反応液をジエチルエーテルで希釈し、飽和炭酸水素
ナトリウム水溶液および飽和塩化ナトリウム水溶液で順
次洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した後、減圧下
で溶媒を留去し、得られた残留物をシリカゲルカラムク
ロマトグラフィーで処理してジエチルエーテル−ヘキサ
ン(1:5、v/v)流分からシリル体(3)1.9g
(76%)を得た。理化学的データは以下のとおつであ
る。
Lα」o = +8.84° (cm0.996゜
CHCl 3) IRν(neat)max、cm−1: 1735’H
−NMR(CDCI 3)δ: 7.32 (s。
CHCl 3) IRν(neat)max、cm−1: 1735’H
−NMR(CDCI 3)δ: 7.32 (s。
5H)、4.52 (s、2H)、3.90(m、LH
)、3.65 (s、2H)。
)、3.65 (s、2H)。
3.38 (d、2H,J=5.4Hz)。
2−5 2.0 (m、2H)、0.98 (m。
2H)、0.95 (d、3H,6,4Hz)。
0.88 (s、9H)、0.06 (s、6H)MS
m/e : 380 (M”)。
m/e : 380 (M”)。
91 (100%)
exact mass:
C20)133035i (M” 31)に対する理
論値: 349.2199 実測値二349.2201 サン−1−オールの」巳τ′l シリルエステル体(3)1.9g (5ミリモル)の無
水テトラヒドロフラン5mlの溶液を、水素化アルミニ
ウムリチウム379mg (10ミリモル)の無水テト
ラヒドロフラン40m1の溶液に水冷下で加え、同じ温
度で10分間攪拌した1反応液に濃水酸化アンモニウム
水溶液を加え、室温で3時間攪拌した0反応液をセライ
ト枦通し、r液から減圧下で溶媒を留去し、得られた残
留物をシリカゲルカラムクロマトグラフィーで処理して
ジエチルエーテル−ヘキサン(1: 2.v/v)流分
からアルコール体(4)1.75g (99%)を得た
。理化学的データは以下のとおりである。
論値: 349.2199 実測値二349.2201 サン−1−オールの」巳τ′l シリルエステル体(3)1.9g (5ミリモル)の無
水テトラヒドロフラン5mlの溶液を、水素化アルミニ
ウムリチウム379mg (10ミリモル)の無水テト
ラヒドロフラン40m1の溶液に水冷下で加え、同じ温
度で10分間攪拌した1反応液に濃水酸化アンモニウム
水溶液を加え、室温で3時間攪拌した0反応液をセライ
ト枦通し、r液から減圧下で溶媒を留去し、得られた残
留物をシリカゲルカラムクロマトグラフィーで処理して
ジエチルエーテル−ヘキサン(1: 2.v/v)流分
からアルコール体(4)1.75g (99%)を得た
。理化学的データは以下のとおりである。
[α]J = +5.49” (cm1.03゜
CHCI 3) IR1/ (neat)max、cm−”:’H−NM
R(にDCI 3)δニア、32(s”1)()、4.
53 (s、2H)、3.90(m、1l−1)、3.
65 (m、2H)Bn 3.39 (d、2H,J=5.1Hz)。
CHCI 3) IR1/ (neat)max、cm−”:’H−NM
R(にDCI 3)δニア、32(s”1)()、4.
53 (s、2H)、3.90(m、1l−1)、3.
65 (m、2H)Bn 3.39 (d、2H,J=5.1Hz)。
1.8−1.1 (m、5H)、0.94 (d。
3H,J=4.9Hz)、0.88 (s、9H)、0
.062 (s、6H) MS m/e : 353 (M”)。
.062 (s、6H) MS m/e : 353 (M”)。
91 (100%)
exact mass:
C:zoHr603Si (M”+1)に対する理論値
二353.2511 実測値:353.2514 一トシルオキシヘキサンのW (二J なお、前記の式中で、Tsはトシル基である(以下同様
)。
二353.2511 実測値:353.2514 一トシルオキシヘキサンのW (二J なお、前記の式中で、Tsはトシル基である(以下同様
)。
アルコール体<4)1.75g (4,97ミリモル)
のジクロロメタン45m1の溶液に、トリエチルアミン
2.76mg (19,9ミリモル)およびトシルクロ
ライド1.9g (9,9ミリモル)を水冷下で加え、
室温で20時間攪拌した。
のジクロロメタン45m1の溶液に、トリエチルアミン
2.76mg (19,9ミリモル)およびトシルクロ
ライド1.9g (9,9ミリモル)を水冷下で加え、
室温で20時間攪拌した。
反応液をジクロロメタンで希釈し、飽和炭酸水素ナトリ
ウム水溶液および飽和塩化ナトリウム水溶液で順次洗浄
し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した後、減圧下で溶媒
を留去し、得られた残留物をシリカゲルカラムクロマト
グラフィーで処理してジエチルエーテル−ヘキサン(1
: 10.v/v)流分からトシル体(5)2.9gを
得た。この生成物をそのまま次の工程に用いた。トシル
体の理化学的テークは以下のとおりである。
ウム水溶液および飽和塩化ナトリウム水溶液で順次洗浄
し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した後、減圧下で溶媒
を留去し、得られた残留物をシリカゲルカラムクロマト
グラフィーで処理してジエチルエーテル−ヘキサン(1
: 10.v/v)流分からトシル体(5)2.9gを
得た。この生成物をそのまま次の工程に用いた。トシル
体の理化学的テークは以下のとおりである。
[αコo = +8.08° (cm1.056゜
CHC]3.) 1Rv (neat)max、cm−’:2850.1
360.1170 ”H−NMR(CDC13)δ: 7.78 (m。
CHC]3.) 1Rv (neat)max、cm−’:2850.1
360.1170 ”H−NMR(CDC13)δ: 7.78 (m。
2H)、7.32 (m、7H)、4.50(s、2H
)、4.04 (t、2H,J=6、IHz)、3.8
2 (m、IH)。
)、4.04 (t、2H,J=6、IHz)、3.8
2 (m、IH)。
3.32 (d、2H,J=5.4Hz)。
2.43 (s、3H)、1.90−1.10(m、5
H)、0.84 (s、9H)。
H)、0.84 (s、9H)。
0.84 (d、3H,J=5.8Hz)。
0.013 (s、6H)
MS m/e : 506 (M”)、507(M”
+1)、91 (100%) exact mass: C27H4305Si S (M”+1 )に対する理
論値: 507.2599 実測値:507.2594 イソフチルフロマイド3.2ml (29,4ミリモル
)とマグネシウム823mg (34,3ミリモル)と
から調製したグリニヤール試薬の無水テトラヒドロフラ
ン90m1の溶液に、トシル体(5)2.9gの無水テ
トラヒドロフラン10m1の溶液を水冷下で加え、更に
ヨウ化銅300mgを加え、同じ温度で30分間攪拌し
な。反応液に飽和塩化アンモニウム水溶液を加え、ジエ
チルエーテルで抽出した。有機層を飽和塩化ナトリウム
水溶液で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した後、
液圧下て溶媒牙留去し、得られた残留物をシリカゲルカ
ラムクロマトグラフィーで”処理してヘキサン流分がら
アルキル体(6)1.79庄ノ土ン二m製 g[アルコール体(4)の総酸率97%コを得た。
+1)、91 (100%) exact mass: C27H4305Si S (M”+1 )に対する理
論値: 507.2599 実測値:507.2594 イソフチルフロマイド3.2ml (29,4ミリモル
)とマグネシウム823mg (34,3ミリモル)と
から調製したグリニヤール試薬の無水テトラヒドロフラ
ン90m1の溶液に、トシル体(5)2.9gの無水テ
トラヒドロフラン10m1の溶液を水冷下で加え、更に
ヨウ化銅300mgを加え、同じ温度で30分間攪拌し
な。反応液に飽和塩化アンモニウム水溶液を加え、ジエ
チルエーテルで抽出した。有機層を飽和塩化ナトリウム
水溶液で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した後、
液圧下て溶媒牙留去し、得られた残留物をシリカゲルカ
ラムクロマトグラフィーで”処理してヘキサン流分がら
アルキル体(6)1.79庄ノ土ン二m製 g[アルコール体(4)の総酸率97%コを得た。
理化学的データは以下のとおりである。
[αコ’X = +9. 63° (cm1
. 223゜CH013) IRν(neat)max、cm−”: 2960゜2
940.1460.1255.840゜”H−NMR(
CDC13)δ: 7.32 (s。
. 223゜CH013) IRν(neat)max、cm−”: 2960゜2
940.1460.1255.840゜”H−NMR(
CDC13)δ: 7.32 (s。
5H)、4.52 (s、2H)、3.90(m、IH
)、3.37 (d、2H,J=4.9Hz)、1.6
−1.1 (m、12H)、0.88 (s、9H)、
0.84 (d。
)、3.37 (d、2H,J=4.9Hz)、1.6
−1.1 (m、12H)、0.88 (s、9H)、
0.84 (d。
9H,J=4.9Hz)
MS m/e : 393 (M”+1)。
91 (100%)
exact mass:
C24H4502Si (M”+1)に対する理論値二
393.3188 実測値:393.3192 6 : (2R,4R)−4,8−ジメチルノナン−
12−ジオールの=ムリ シエーテル体(6L1.75g (4,46ミリモル)
のメチルアルコール20m1の溶液に、水酸化パラジウ
ム150mgとクロロホルム5mlとを加え、水素気流
下にて室温で6時間攪拌した。
393.3188 実測値:393.3192 6 : (2R,4R)−4,8−ジメチルノナン−
12−ジオールの=ムリ シエーテル体(6L1.75g (4,46ミリモル)
のメチルアルコール20m1の溶液に、水酸化パラジウ
ム150mgとクロロホルム5mlとを加え、水素気流
下にて室温で6時間攪拌した。
反応液をセライト濾過し、F液から減圧下で溶媒を留去
し、得られた残留物をシリカゲルカラムクロマトクラフ
ィーで処理してジエチルエーテル流分からジオール体(
7)800mg (95%)を得た。理化学的データは
以下のとおりである。
し、得られた残留物をシリカゲルカラムクロマトクラフ
ィーで処理してジエチルエーテル流分からジオール体(
7)800mg (95%)を得た。理化学的データは
以下のとおりである。
[α]’a = +9.33° (cm1.096
゜CHCl 3) IRν(neat)max、cm−1: 3350゜2
960.2940.1460 1H−NMR(CDC13)8 : 3.90−3.2
5 (m、3H)、2.44 (brs。
゜CHCl 3) IRν(neat)max、cm−1: 3350゜2
960.2940.1460 1H−NMR(CDC13)8 : 3.90−3.2
5 (m、3H)、2.44 (brs。
2H,D20で交換可能)、1.70−1.00 (m
、l0H)、0.93 (d、3H,J=5.4Hz)
、0.86 (d、6H。
、l0H)、0.93 (d、3H,J=5.4Hz)
、0.86 (d、6H。
J=6.1Hz)
MS m/e : 188 (M”) 。
57 (100%)
exact mass:
C11H2402(M”)に対する理論値=188.1
776 実測値:188.1761 Ω訓■ なお、前記の式中のphはフェニル基であるく以下同様
)。
776 実測値:188.1761 Ω訓■ なお、前記の式中のphはフェニル基であるく以下同様
)。
ジオール体(7)798mg (4,24ミリモル)の
ヘンゼン23m1の溶液に、ヘンスアルテヒド0.46
m1 (4,6ミリモル)とp−トルエンスルホン63
8mg (0,2ミリモル)とを加え、3時間加熱還流
した0反応液を室温に戻し、ジエチルエーテルで希釈し
、飽和炭酸水素ナトリウム水溶液および飽和塩化ナトリ
ウム水溶ン後で順次洗浄し、無水硫酸マクネシウムて乾
ルーし、滋圧下て溶媒を留去し、得られた残留1句をシ
リカゲルカラムクロマトクラフィーで処理してジエチル
エーテル−ヘキサン(1: 10.v/v)流分からア
セタール体(8)1.08g (92%)を得た。
ヘンゼン23m1の溶液に、ヘンスアルテヒド0.46
m1 (4,6ミリモル)とp−トルエンスルホン63
8mg (0,2ミリモル)とを加え、3時間加熱還流
した0反応液を室温に戻し、ジエチルエーテルで希釈し
、飽和炭酸水素ナトリウム水溶液および飽和塩化ナトリ
ウム水溶ン後で順次洗浄し、無水硫酸マクネシウムて乾
ルーし、滋圧下て溶媒を留去し、得られた残留1句をシ
リカゲルカラムクロマトクラフィーで処理してジエチル
エーテル−ヘキサン(1: 10.v/v)流分からア
セタール体(8)1.08g (92%)を得た。
理化学的データは以下のとおりである。
IRν(neat)max、cm−”:2950゜29
30.1460.1380.1090゜1H−NMR(
CDC13)δニア、6−7.3(m、5H)、5.9
3 (s、1/2H)。
30.1460.1380.1090゜1H−NMR(
CDC13)δニア、6−7.3(m、5H)、5.9
3 (s、1/2H)。
5.80 (s、1/2H)、4.4−4.0(m、2
H)、3.6 <m、IH)、1.7−1.1 (m、
l0H)、0.94 (d、3H,J=5.4Hz)、
0.86 (d、6H。
H)、3.6 <m、IH)、1.7−1.1 (m、
l0H)、0.94 (d、3H,J=5.4Hz)、
0.86 (d、6H。
J=6.1Hz)
MS m/e:276(M”−1)。
275 (100%)
exact mass:
CC13H2702(”−1)に対する理論値:275
.2010 実測値:275.1996 8: 2R4R−1−ブロモ−48−ジメ ルノナン
ー2−ベンゾエートの アセタール体(8)581mg (2,11ミリモル)
の四塩化炭素8mlの溶液に、n−フロモコハク酸イミ
ド1.Ig (6,3ミリモル)を室温下て加え、最初
しばらくの間ドライヤーで加温し、続いて室温で6時間
攪拌した0反応液をセライト?過し、iP液にジクロロ
メタンを力0えてから、飽和炭酸水素ナトリウム水溶液
、10%千オ硫酸ナトリウム水溶液および飽和塩化ナト
リウム水溶液で順次洗浄し、無水硫酸マクネシウムて乾
ヅシし、減圧下で溶媒と留去して、1■製のフロモヘン
ソエート体(9)956mgを得た。これを精製するこ
となく次の反応に用いた。理化学的データは以下のとお
りである。
.2010 実測値:275.1996 8: 2R4R−1−ブロモ−48−ジメ ルノナン
ー2−ベンゾエートの アセタール体(8)581mg (2,11ミリモル)
の四塩化炭素8mlの溶液に、n−フロモコハク酸イミ
ド1.Ig (6,3ミリモル)を室温下て加え、最初
しばらくの間ドライヤーで加温し、続いて室温で6時間
攪拌した0反応液をセライト?過し、iP液にジクロロ
メタンを力0えてから、飽和炭酸水素ナトリウム水溶液
、10%千オ硫酸ナトリウム水溶液および飽和塩化ナト
リウム水溶液で順次洗浄し、無水硫酸マクネシウムて乾
ヅシし、減圧下で溶媒と留去して、1■製のフロモヘン
ソエート体(9)956mgを得た。これを精製するこ
となく次の反応に用いた。理化学的データは以下のとお
りである。
IRJ/ (neat)max、cm−’:2860゜
2840.1720,1600,1270゜”H−NM
R(CDC13)δ: 8.05 (m。
2840.1720,1600,1270゜”H−NM
R(CDC13)δ: 8.05 (m。
2H)、7.52 (m、3H)、5.33(m、IH
)、3.61 (dd、2H,J=4.2,2.4Hz
)、1.85−1.10(m、l0H)、0.95 (
d、3H,J=6.1Hz>、0.83 (d、6H,
J=6.1Hz) MS m/e : 355 (M”+1)。
)、3.61 (dd、2H,J=4.2,2.4Hz
)、1.85−1.10(m、l0H)、0.95 (
d、3H,J=6.1Hz>、0.83 (d、6H,
J=6.1Hz) MS m/e : 355 (M”+1)。
105 (100%)
exact mass:
Cl8H2702Br (M”)に対する理論値=35
4.1194 実測値:354.1180 9: 2R4R−12−エボ シー48−ジメチルノ
ナンの舌巳Fノ 粗製のフロモヘンゾエート体(9>956mgのテトラ
ヒドロフラン8mlの溶液に、水酸化ナトリウム504
mg (12,6ミリモル)、水2mlおよびメチルア
ルコール2mlとを加え、室温で6時間攪拌した0反応
液にジエチルエーテルと水とを加え、有機層を飽和塩化
ナトリウム水溶液で洗浄し、無水硫酸マクネシウムで乾
燥し、減圧下て溶媒を留去して、粗製のエポキシ休(1
0)420mgを得た。これ3精製することなく次の反
応に用いた。理化学的データは以下のとおりである。
4.1194 実測値:354.1180 9: 2R4R−12−エボ シー48−ジメチルノ
ナンの舌巳Fノ 粗製のフロモヘンゾエート体(9>956mgのテトラ
ヒドロフラン8mlの溶液に、水酸化ナトリウム504
mg (12,6ミリモル)、水2mlおよびメチルア
ルコール2mlとを加え、室温で6時間攪拌した0反応
液にジエチルエーテルと水とを加え、有機層を飽和塩化
ナトリウム水溶液で洗浄し、無水硫酸マクネシウムで乾
燥し、減圧下て溶媒を留去して、粗製のエポキシ休(1
0)420mgを得た。これ3精製することなく次の反
応に用いた。理化学的データは以下のとおりである。
[αコo = +13.45° (cm1.568
゜CHCl3) IRν(neat)max、cm−1: 2950゜2
920.1460 ’H−NMR(CDC13)δ: 2.94 (m。
゜CHCl3) IRν(neat)max、cm−1: 2950゜2
920.1460 ’H−NMR(CDC13)δ: 2.94 (m。
IH)、2.74 (t、IH,J=5.1Hz)、2
.42 (dd、IH,J=5.1゜2.6Hz)、1
.85−1.10 (m。
.42 (dd、IH,J=5.1゜2.6Hz)、1
.85−1.10 (m。
10H)、0.97 (d、3)1.J=6.1Hz)
、0.86 (d、6H,J=6.1Hz> MS m/e :127 (M”−43>。
、0.86 (d、6H,J=6.1Hz> MS m/e :127 (M”−43>。
4B(100%)
10・ (4R,6R)−6,10−ジメチルウンデク
−1−イン−4−オールの 粗製のエポキシ体(10)420mgのジメチルスルホ
キシド6mlの溶液に、リチウムアセチリドエチレンジ
アミンコンプレックス683mg(6,3ミリモル)を
加え、室温で6時間攪拌した1反応液に、水冷下で、ジ
エチルエーテルと飽和塩化ナトリウム水溶液とを加え、
有機層を10%塩酸水溶液、飽和炭酸水素ナトリウム水
溶液および飽和塩化ナトリウム水溶液で順次洗浄し、無
水硫酸マグネシウムで乾燥し、減圧下で溶媒を留去し、
得られた残留1勿をシリカゲルカラムクロマトグラフィ
ーて処理してジエチルエーテル−ヘキサン(1:10.
v/v)流分から外部アセチレン体(11)364mg
[アセタール体(8)から88%]を得た。理化学的
データは以下のとおりである。
−1−イン−4−オールの 粗製のエポキシ体(10)420mgのジメチルスルホ
キシド6mlの溶液に、リチウムアセチリドエチレンジ
アミンコンプレックス683mg(6,3ミリモル)を
加え、室温で6時間攪拌した1反応液に、水冷下で、ジ
エチルエーテルと飽和塩化ナトリウム水溶液とを加え、
有機層を10%塩酸水溶液、飽和炭酸水素ナトリウム水
溶液および飽和塩化ナトリウム水溶液で順次洗浄し、無
水硫酸マグネシウムで乾燥し、減圧下で溶媒を留去し、
得られた残留1勿をシリカゲルカラムクロマトグラフィ
ーて処理してジエチルエーテル−ヘキサン(1:10.
v/v)流分から外部アセチレン体(11)364mg
[アセタール体(8)から88%]を得た。理化学的
データは以下のとおりである。
[α]D = +5゜
CHCl3)
52° (cm1.088゜
IR1/ (neat)max、cm−1: 3360
゜3300.2100.1462 ”H−NMR(CDC] 3)δ: 3.86 (m。
゜3300.2100.1462 ”H−NMR(CDC] 3)δ: 3.86 (m。
IH)、2.37 (m、2H)、2.06(t、IH
,J=2.6Hz)、1.86(d、IH,J=5.I
Hz、D20と交換可能)、 1.7−1.0 (m、
l0H) 。
,J=2.6Hz)、1.86(d、IH,J=5.I
Hz、D20と交換可能)、 1.7−1.0 (m、
l0H) 。
0.91 (d、3H1J=5.8Hz)。
0.86 (d、6H,J=6.1Hz)MS m
/e 二 1 96 (M 勺 。
/e 二 1 96 (M 勺 。
57 (100%)
exact mass:
C13H240(M= )に対する理論値:196.1
827 実3!り値:]96.1812 11 : (4R,6R)−6,10−ジノルウンデ
ク−2〜インー4−オールの 外部アセチレン体(11)360mg (184ミリモル)のジメチルスルホキシド5m1の溶
液に、カリウムt−フチラード1.03g(9,18ミ
リモル)を室温下で加え、20分間攪拌した0反応液に
ジエチルエーテルと水とを加え、有機層を飽和塩化ナト
リウム水溶液で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燻し
、減圧下で溶媒を留去し、得られた残留物をシリカゲル
カラムクロマトグラフィーで処理し・てジエチルエーテ
ル−ヘキサン(1: ] O,v/v)流分がら内部ア
セチレン体(12)236.2mg (66%)を得た
。理化学的データは以下のとおりである。
827 実3!り値:]96.1812 11 : (4R,6R)−6,10−ジノルウンデ
ク−2〜インー4−オールの 外部アセチレン体(11)360mg (184ミリモル)のジメチルスルホキシド5m1の溶
液に、カリウムt−フチラード1.03g(9,18ミ
リモル)を室温下で加え、20分間攪拌した0反応液に
ジエチルエーテルと水とを加え、有機層を飽和塩化ナト
リウム水溶液で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燻し
、減圧下で溶媒を留去し、得られた残留物をシリカゲル
カラムクロマトグラフィーで処理し・てジエチルエーテ
ル−ヘキサン(1: ] O,v/v)流分がら内部ア
セチレン体(12)236.2mg (66%)を得た
。理化学的データは以下のとおりである。
[αコD = +10.36° (cm2.92゜
CHCl3) IRν(neat)max、cm−”:3330゜29
25.1462.1030 ”H−NMR(CDCl B)δ:4.4B (m。
CHCl3) IRν(neat)max、cm−”:3330゜29
25.1462.1030 ”H−NMR(CDCl B)δ:4.4B (m。
IH)、1.84 (d、3H,J=2.2Hz)、1
.90−1.05 (m、IIH)。
.90−1.05 (m、IIH)。
0.91 (d、3H,J=5.8Hz)0.86
(d、6H,J=6.1Hz)MS m/e:195
(M”−1)。
(d、6H,J=6.1Hz)MS m/e:195
(M”−1)。
69 (100%)
exact mass:
C138230(M”−1)に対する理論値:195.
1749 実勘]値:195.1747 本例11て得られた内部アセチレン体(12)の諸スペ
クトル値は、K、に、Chanら、J。
1749 実勘]値:195.1747 本例11て得られた内部アセチレン体(12)の諸スペ
クトル値は、K、に、Chanら、J。
○rg、Chem、、41.3497 (1976)に
記載の報告値とよく一致していた。
記載の報告値とよく一致していた。
ルウンデクー2−エンー4−オールの
内部アセチレン体(12)230mg
(1,173ミリモル)のヘキサン3mlの溶液に、キ
ノリンO,01m1とリンドラ−(Lindear)触
媒23mgとを加え、室温にて水素気流下で1時間攪拌
した0反応液をセライト沢過し、P液をジエチルエーテ
ルで希釈し、10%塩酸水溶液、飽和炭酸水素ナトリウ
ム水溶液および飽和塩化ナトリウム水溶液で順次洗浄し
、無水硫酸マクネシウムで乾燥し、減圧下で溶媒を留去
し、得られた残留物をシリカゲルカラムクロマトグラフ
ィーで処理してジエチルエーテル−ヘキサン(1: 2
0.v/v)流分からZ−オレフィン体(13)208
mg (90%)を得た。理化学的データは以下のとお
りである。
ノリンO,01m1とリンドラ−(Lindear)触
媒23mgとを加え、室温にて水素気流下で1時間攪拌
した0反応液をセライト沢過し、P液をジエチルエーテ
ルで希釈し、10%塩酸水溶液、飽和炭酸水素ナトリウ
ム水溶液および飽和塩化ナトリウム水溶液で順次洗浄し
、無水硫酸マクネシウムで乾燥し、減圧下で溶媒を留去
し、得られた残留物をシリカゲルカラムクロマトグラフ
ィーで処理してジエチルエーテル−ヘキサン(1: 2
0.v/v)流分からZ−オレフィン体(13)208
mg (90%)を得た。理化学的データは以下のとお
りである。
[α]’M = +19.95° (cm3.22
゜CHCl3) IRν(neat)max、cm−1: 3330゜2
960.2940,1462.1010’H−NMR(
CDC] 3)δ:5.8−5.2(m 2H)、4
.60 (m、LH)。
゜CHCl3) IRν(neat)max、cm−1: 3330゜2
960.2940,1462.1010’H−NMR(
CDC] 3)δ:5.8−5.2(m 2H)、4
.60 (m、LH)。
1.69 (dd、3H,J=6.3,1.2Hz)、
1.7−1.1 (m、IIH)。
1.7−1.1 (m、IIH)。
0.91 (d、3H,J=5.8Hz)。
0.86 (d、6H,J=6.1Hz)MS m/
e : 198 (M”) 。
e : 198 (M”) 。
71 (]○○%)
exact mass:
C131−+260(M+)に対する理論値=198.
1984 、−実測値:198−2011 本例12で得ちれたーZ−オレフィン体(13)の諸ス
ペクトル値は、K、に、Chanら、J。
1984 、−実測値:198−2011 本例12で得ちれたーZ−オレフィン体(13)の諸ス
ペクトル値は、K、に、Chanら、J。
○rg、Chem、、41.3497 (1976)に
記載の報告値とよく一致していた。
記載の報告値とよく一致していた。
スニに19匹りへ回設
なお、前記の式中でn−Buはn−ブチル基である。
2−オレフィン体(1B)161mg
(0,813ミリモル)の無水テトラヒドロフラン1m
lの溶液を、水素化カリウム97.9mg(2,44ミ
リモル)の無水テトラヒドロフラン4mlの溶液に水冷
下で加え、室温で30分間攪拌した。更に、ヨウ化トリ
n−ブチルスズ化メタン700mg (1,626ミリ
モル)の無水テトラヒドロフラン2mlの溶液を加え、
同じ温度で3時間攪拌した0反応液にジエチルエーテル
と水とを加え、有機層を飽和塩化ナトリウム水溶液で洗
浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥し、減圧下で溶媒を
留去し、得られた残留物をシリカゲルカラムクロマトグ
ラフィーで処理してジエチルエーテル−ヘキサン(1:
100.v/v)流分からエーテル体(14)308
mg (78%)を得た。
lの溶液を、水素化カリウム97.9mg(2,44ミ
リモル)の無水テトラヒドロフラン4mlの溶液に水冷
下で加え、室温で30分間攪拌した。更に、ヨウ化トリ
n−ブチルスズ化メタン700mg (1,626ミリ
モル)の無水テトラヒドロフラン2mlの溶液を加え、
同じ温度で3時間攪拌した0反応液にジエチルエーテル
と水とを加え、有機層を飽和塩化ナトリウム水溶液で洗
浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥し、減圧下で溶媒を
留去し、得られた残留物をシリカゲルカラムクロマトグ
ラフィーで処理してジエチルエーテル−ヘキサン(1:
100.v/v)流分からエーテル体(14)308
mg (78%)を得た。
理化学的データは以下のとおりである。
[α]D = +1.77°(cm2.32゜ヘキ
サン) IRν(neat)max、cm−” : 2960゜
2940.1460.1378.1045’H−NMR
(CDCl 3)δ: 5.65 (m。
サン) IRν(neat)max、cm−” : 2960゜
2940.1460.1378.1045’H−NMR
(CDCl 3)δ: 5.65 (m。
1)−1)、5.18 (m、IH)、3.903.7
7 (d、IH,J= 、3.41 (d、IH,J= 、1.68 (dd、3H,J 5Hz>、1.8−1.0 .1.0−0.8 (m、21 (m、IH)。
7 (d、IH,J= 、3.41 (d、IH,J= 、1.68 (dd、3H,J 5Hz>、1.8−1.0 .1.0−0.8 (m、21 (m、IH)。
10.3Hz)
10.3Hz)
=6.7. 1゜
(m、22H)
H)
MS m/e:445(M”l−59)。
291f’100%)
exact mass:
C22H460Sn (M”1−59>に対する理論値
: 445.2492 実測値:445.2481 エーテル体(14)300mg (0,617ミリモル
)の無水テトラヒドロフラン20m1の溶液に、n−ブ
チルリチウム(ヘキサン中の1.6M)0.77m1
(1,23ミリモル)を−70℃でゆっくり加え、同じ
温度で10分間攪拌し、更に一20°Cで30分間攪拌
した0反応液に飽和塩化アンモニウム水溶液を加え、ジ
エチルエーテルで希釈し、有機層を飽和炭酸水素ナトリ
ウム水溶液および飽和塩化ナトリウム水溶液で順次洗浄
し、無水硫酸マグネシウムで乾燥し、減圧下で溶媒を留
去し、得られた残留物をシリカゲルカラムクロマトグラ
フィーで処理してジエチルエーテル−ヘキサン(1:4
.v/v)流分からアルコール体(15)207mg
(77%)を得た。理化学的データは以下のとおりであ
る。
: 445.2492 実測値:445.2481 エーテル体(14)300mg (0,617ミリモル
)の無水テトラヒドロフラン20m1の溶液に、n−ブ
チルリチウム(ヘキサン中の1.6M)0.77m1
(1,23ミリモル)を−70℃でゆっくり加え、同じ
温度で10分間攪拌し、更に一20°Cで30分間攪拌
した0反応液に飽和塩化アンモニウム水溶液を加え、ジ
エチルエーテルで希釈し、有機層を飽和炭酸水素ナトリ
ウム水溶液および飽和塩化ナトリウム水溶液で順次洗浄
し、無水硫酸マグネシウムで乾燥し、減圧下で溶媒を留
去し、得られた残留物をシリカゲルカラムクロマトグラ
フィーで処理してジエチルエーテル−ヘキサン(1:4
.v/v)流分からアルコール体(15)207mg
(77%)を得た。理化学的データは以下のとおりであ
る。
[α]D = +21.85° (cm1.12゜
ヘキサン) IRL/ (neat)max、cm−’:3350゜
2960.2940,1460.1038”H−NMR
(CDC1B)δ: 5.40 (m。
ヘキサン) IRL/ (neat)max、cm−’:3350゜
2960.2940,1460.1038”H−NMR
(CDC1B)δ: 5.40 (m。
2H)、3.40 (brd、2H,J=7、IHz)
、2.32 (dt、IH,J=13.4.6.7Hz
)、1.94 (dd。
、2.32 (dt、IH,J=13.4.6.7Hz
)、1.94 (dd。
2HJ=13.4,5.8Hz)、1.7−1.05
(m、9H)、0.85 (d。
(m、9H)、0.85 (d。
12H,J=6.1Hz)、0.98 (d。
3H,J=6.5Hz)
MS m/e:212(M”)。
7(100%)
exact mass:
C14H280(M=)に対する理論値。
212.2140
実測値:212.2122
例15: (2R,6R)−2,6,10−トリメチ
ルランチカン−1−オールの オレフィン体(15)93mg (0,44ミリモル)
の酢酸エチル7mlの溶液に、10%パラジウム−炭素
15mgを加え、室温にて水素気流下で2時間攪拌した
0反応液をセライト濾過し、を液から減圧下で溶媒を留
去し、得られた残留物をシリカゲルカラムクロマトグラ
フィーで処理してジエチルエーテル−ヘキサン(1:1
5.v/V)流分からアルコール体(16)75mg(
80%)を得た。理化学的データは以下のとおりである
。
ルランチカン−1−オールの オレフィン体(15)93mg (0,44ミリモル)
の酢酸エチル7mlの溶液に、10%パラジウム−炭素
15mgを加え、室温にて水素気流下で2時間攪拌した
0反応液をセライト濾過し、を液から減圧下で溶媒を留
去し、得られた残留物をシリカゲルカラムクロマトグラ
フィーで処理してジエチルエーテル−ヘキサン(1:1
5.v/V)流分からアルコール体(16)75mg(
80%)を得た。理化学的データは以下のとおりである
。
[α]’ff = +8.78° (cm1.2゜
ヘキサン) IR1/ (neat)max、cm−”:33202
940.1460.1030 ’H−NMR(CDCI 3)δ: 3.46 (dd
。
ヘキサン) IR1/ (neat)max、cm−”:33202
940.1460.1030 ’H−NMR(CDCI 3)δ: 3.46 (dd
。
2H,J=6.1,2.7Hz)、1.7−1.0 (
m、16H)、0.92 (d、3H,J=6.3Hz
)、0.86 (d、9H。
m、16H)、0.92 (d、3H,J=6.3Hz
)、0.86 (d、9H。
J=6.3Hz)
13C−NMR(CDC13)δ:16.71゜19.
78,22.68,22.77 24.49,24.85,28.04゜32.83.3
3.58,35.86゜37.33,37.44,39
.43゜68.39 M5 m/e : 196 (M”−H2O)。
78,22.68,22.77 24.49,24.85,28.04゜32.83.3
3.58,35.86゜37.33,37.44,39
.43゜68.39 M5 m/e : 196 (M”−H2O)。
57 (100%)
本例15で得られたアルコール体(16)の諸スペクト
ル値は、T、イチカワら、Bull、Chem、Soc
、Jpn、41.1224 (1968)等に記載の報
告値とよく一致していた。
ル値は、T、イチカワら、Bull、Chem、Soc
、Jpn、41.1224 (1968)等に記載の報
告値とよく一致していた。
[発明の効果]
本発明によれば、入手が容易な光学活性メチルラクトン
を用いて、天然型α−トコフェロールの側鎖部分を、立
体選択的に自由に調製することができる新規の中間体が
提供される。また、この中間体は、その製造工程におい
て分割操作や、危険な試薬を用いる必要がないので、簡
単に、しかも安全に調製することができる。更に、本発
明によれば、前記の中間体を高度に立体選択的に調製す
ることができる。
を用いて、天然型α−トコフェロールの側鎖部分を、立
体選択的に自由に調製することができる新規の中間体が
提供される。また、この中間体は、その製造工程におい
て分割操作や、危険な試薬を用いる必要がないので、簡
単に、しかも安全に調製することができる。更に、本発
明によれば、前記の中間体を高度に立体選択的に調製す
ることができる。
1、事件の表示
平成2年特許願第157.816号
特許出願人 旭電化工業株式会社
特許出卯代理人 弁理士 森1)憲−
名称(038)旭電化工業株式会社
4、代理人
住所
〒101東京都千代田区神田須田町
1丁目14番6号 神田荒木ビル9階
5、補正の対象
明細書の1発明の詳細な説明」の欄
6、補正の内容
(1)(イ)明細書第60頁第1行に記載の式(11)
を以下のとおりに訂正します。
を以下のとおりに訂正します。
(ロ)同第68頁第7行および第10行のr (M”l
−59)J をそhぞれr (M”−59)J と訂正
します。
−59)J をそhぞれr (M”−59)J と訂正
します。
Claims (1)
- (1)一般式( I ) ▲数式、化学式、表等があります▼( I ) (式中、R_1は炭素数1〜4個の低級アルキル基であ
り、R_2はアルコキシ部分の炭素数が1〜4個の低級
アルコキシカルボニル基であるか、あるいはヒドロキシ
基もしくは保護されたヒドロキシ基で置換されているか
または非置換の、直鎖状もしくは分枝状の炭素数1〜7
個のアルキル基であり、Aは、ヒドロキシ基、保護され
たヒドロキシ基、ハロゲン原子、エチニル基、または式 ▲数式、化学式、表等があります▼ で表される基であり、Bは水素原子、ヒドロキシ基、保
護されたヒドロキシ基、またはアシルオキシ基であり、
Dは水素原子であるが、但しAとBとは一緒になってア
セタール基またはエポキシ基であることができるものと
し、AとDとは一緒になってエチリデン基であることが
できるものとし、更にBとDとは一緒になって直接結合
であることができるものとし、そして式中で※、*およ
び∴を付したキラル中心炭素原子における立体配置は、
それぞれ独立に、択一的にS−配置またはR−配置のい
ずれか一方の配置のみをとるものとする)で表される光
学活性なペンタン化合物。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2157816A JPH0449269A (ja) | 1990-06-14 | 1990-06-14 | 光学活性なペンタン誘導体 |
US07/714,613 US5136061A (en) | 1990-06-14 | 1991-06-13 | Optically active pentane derivatives and intermediates thereof, and process for manufacturing same |
US07/876,373 US5243096A (en) | 1990-06-14 | 1992-04-30 | Optically active pentane derivatives and intermediates thereof, and process for manufacturing same |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2157816A JPH0449269A (ja) | 1990-06-14 | 1990-06-14 | 光学活性なペンタン誘導体 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0449269A true JPH0449269A (ja) | 1992-02-18 |
Family
ID=15657929
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2157816A Pending JPH0449269A (ja) | 1990-06-14 | 1990-06-14 | 光学活性なペンタン誘導体 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5136061A (ja) |
JP (1) | JPH0449269A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5543636A (en) * | 1984-05-18 | 1996-08-06 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Insulated gate field effect transistor |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5243096A (en) * | 1990-06-14 | 1993-09-07 | Asahi Denka Kogyo K.K. | Optically active pentane derivatives and intermediates thereof, and process for manufacturing same |
US5600029A (en) * | 1994-03-09 | 1997-02-04 | Takeda Chemical Industries, Ltd. | Process for producing DL-tocopherols and intermediates therefor |
Family Cites Families (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CH422204A (de) * | 1963-07-18 | 1966-10-15 | Hoffmann La Roche | Riechstoffe |
US3584010A (en) * | 1964-07-07 | 1971-06-08 | Givaudon Corp | 1,1-ethylenedioxy-5-9-dimethyl-4,8-decadiene |
US3442930A (en) * | 1964-09-08 | 1969-05-06 | Eastman Kodak Co | Aldehyde-ester compounds |
US3989724A (en) * | 1967-11-02 | 1976-11-02 | Hoffmann-La Roche Inc. | Tetrahydropyran-2-ols |
US4045475A (en) * | 1975-01-27 | 1977-08-30 | Hoffmann-La Roche Inc. | Optically active alcohols and lower esters thereof |
DE3013672A1 (de) * | 1980-04-09 | 1981-10-15 | Consortium für elektrochemische Industrie GmbH, 8000 München | 2,4-dialkyl-2.6-heptadienal-derivate, verfahren zu deren herstellung und ihre anwendung als geruchs- und geschmacksstoffe |
JPS5711930A (en) * | 1980-06-24 | 1982-01-21 | Kuraray Co Ltd | Production of unsaturated alcohol |
JPS6032727A (ja) * | 1983-07-29 | 1985-02-19 | Toyo Sutoufuaa Chem:Kk | 光学活性アルコ−ルの製造方法 |
US4855481A (en) * | 1984-11-19 | 1989-08-08 | Merck Frosst Canada, Inc. | Process for the preparation of HMG-CoA reductase inhibitors and intermediate compounds employed therein |
-
1990
- 1990-06-14 JP JP2157816A patent/JPH0449269A/ja active Pending
-
1991
- 1991-06-13 US US07/714,613 patent/US5136061A/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5543636A (en) * | 1984-05-18 | 1996-08-06 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Insulated gate field effect transistor |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US5136061A (en) | 1992-08-04 |
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