JPH041148A - 光学活性なアルケニル置換ヘプタン誘導体 - Google Patents

光学活性なアルケニル置換ヘプタン誘導体

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JPH041148A
JPH041148A JP2100718A JP10071890A JPH041148A JP H041148 A JPH041148 A JP H041148A JP 2100718 A JP2100718 A JP 2100718A JP 10071890 A JP10071890 A JP 10071890A JP H041148 A JPH041148 A JP H041148A
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JP
Japan
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group
configuration
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hydrogen atom
carbon atoms
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Application number
JP2100718A
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English (en)
Inventor
Seiichi Takano
誠一 高野
Kuniro Ogasawara
國郎 小笠原
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Adeka Corp
Original Assignee
Asahi Denka Kogyo KK
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Publication date
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Publication of JPH041148A publication Critical patent/JPH041148A/ja
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    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02PCLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P20/00Technologies relating to chemical industry
    • Y02P20/50Improvements relating to the production of bulk chemicals
    • Y02P20/55Design of synthesis routes, e.g. reducing the use of auxiliary or protecting groups

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  • Pyrane Compounds (AREA)
  • Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野] 本発明は、新規な光学活性化合物およびその中間体、並
びにそれらの製造方法に関する。
[従来の技術] (+)−バクチオールは、例えばオランダヒュ(Pso
ralea  corylifoliaL、)の種子中
に存在する不規則フェノール系モノテルペンであり、強
壮剤として用いられている[例えば、G、Mehtaら
、 TetrahedronLetter、4561 
(1966)参照]。また、抗微生物活性および昆虫幼
若ホルモン特性を示すことか報告されている[例えば、
V、A。
Pr1khodkoら、Microbiol。
Zh、(Kiev)、41,400 (1979):N
、に、Joshiら、Symposium  onBi
ological  Approach  t。
Problems  in  MedicineInd
ustry、andAgricultureBomba
y、235 (1974)参照]。更に、その天然型の
立体構造は、(S)−(十)−リナロールとそのラセミ
合成との相関関係から、間接的に式(III a ) で表されるものとされている[例えば、A、S。
C,P、Raoら、Tetrahedron、29゜1
127 (1973);J、Carnduffら。
J、Chem、Soc、、Chem、Commun、、
606 (1967)参照]。
従来、(+)−バクチオールのキラリティーを化学合成
によって導入するために長い工程を用いる試みがあった
が、成功していなかった。
[発明が解決しようとする課題] 従って、本発明の目的は、光学活性な(+)−バクチオ
ール(天然型)または(−)−バクチオール(非天然型
)の化学合成を可能にすることにある。更に詳しく述べ
れば、光学活性なバクチオールを合成するにあたり、合
成工程が短くてしかも簡単であり、キラル中心の導入率
が高く、更に大量合成が可能な中間体を提供することに
ある。
[課題を解決するための手段] 前記の目的は、本発明により、一般式(I)呪 [式中、R1は水素原子または炭素数1〜4個の低級ア
ルキル基であり、R2は水素原子または炭素数1〜4個
の低級アルキル基であり、R3は炭素数1〜4個の低級
アルキル基であり、R4は一般式(a) −CH2−〇R7(a) (式中、R7は水素原子またはヒドロキシ基を保護する
基である) で表される基もしくは一般式(b) (式中、R8は水素原子、ヒドロキシ基、炭素数1〜4
個の低級アルキル基または炭素数1〜4個の低級アルコ
キシ基である) で表される基であってR5はヒドロキシ基であるか、あ
るいはR4とR5とが一緒になってオキソ基であるもの
とし、YおよびZは両者の直接結合であるかまたはそれ
ぞれ水素原子てあり、R6は一般式(c) 一〇(−〇)−〇R9(C) (式中、R9は水素原子または炭素数1〜4個の低級ア
ルキル基である) て表される基または一般式(d) −C(○H)RIORII       (d)(式中
、RloおよびR11は、それぞれ独立に水素原子また
は炭素数1〜4個の低級アルキル基である) で表される基であり、そして式中で※を付したキラル中
心炭素原子における立体配置は、択一的にS−配置また
はR−配置のいずれが一方の配置のみをとるものとし、
更に式中で*を付した環炭素原子がキラル中心炭素原子
である場合においてそのキラル中心炭素原子における立
体配置は、択一的にS−配置またはR−配置のいずれか
一方の配置のみをとるものとするコ で表される光学活性なアルケニル置換へブタン化合物に
よって達成することができる。
また、本発明は、前記の化合物を製造する方法を提供す
るものでもある。その製造方法は以下の各工程からなる
(a)一般式(IV) シ基で置換されていることのある炭素数1〜4個の低級
アルキル基(例えばメチル基、メトキシメチル基、また
はメトキシエトキシメチル基)、ベンジル基若しくは置
換ベンジル基、置換フェニル基(例えばp−メトキシフ
ェニル基)、または炭素数1〜4個の低級アルコキシ基
で置換されているシリル基(例えばt−ブチルジメチル
シリル基)であり、そして式中で*を付したキラル中心
炭素原子における立体配置は、択一的にS−配置または
R−配置のいずれか一方の配置のみをとるものとする] で表される光学活性な(S)−または(R)−不飽和バ
レロラクトン化合物と、一般式(V)[式中、R3は炭
素数1〜4個の低級アルキル基、例えばメチル基または
エチル基であり、R7は水素原子またはヒドロキシ基を
保護する基、好ましくは、場合により炭素数1〜4個の
低級アルコキ[式中、R1は水素原子または炭素数1〜
4個の低級アルキル基であり、R2は水素原子または炭
素数1〜4個の低級アルキル基であり、Aはリチウムま
たはマグネシウムハライド(例えばマグネシウムフロマ
イド、マグネシウムクロライド、またはマグネシウムヨ
ーシト)である] で表される有機金属化合物とを、1価の銅イオン(例え
はヨウ化銅)の存在下に反応させ、一般式(R)−飽和
バレロラクトン化合物を得る工程。
(b)前記一般式(IIa)で表される飽和バレロラク
トン化合物を還元して、一般式(Ilb)(式中で※を
付したキラル中心炭素原子における立体配置は、択一的
にS−配置またはR−配置のいずれか一方の配置のみを
とるものとし、そして、R1、R2、R3、R7および
*は前記と同じ意味である) で表される相当する(即ち、キラル中心炭素原子*が有
していたS−立体配置またはR−立体配置をそのまま保
存して)光学活性な(S)−または(式中、R1、R2
、R3、R7、※および*は前記と同じ意味である) で表される相当する(即ち、キラル中心炭素原子※およ
び*が有していたS−立体配置またはR立体配置をその
まま保存して)光学活性なバレロラクトール化合物を得
る工程。
(C)前記一般式(Ilb)で表されるバレロラクトー
ル化合物と一般式(VI) (R12)3P=CHC(=O)OR9(Vl)(式中
、R9は炭素数1〜4個の低級アルキル基であり、R1
2はフェニル基である) で表されるリンイレン化合物とを反応させ、一般式(I
a) (式中、R1、R2、R3,R7、R9、※および*は
前記と同じ意味である) で表される相当する(即ち、キラル中心炭素原子※およ
び*が有していたS−立体配置またはR−立体配置をそ
のまま保存して)光学活性なオクテン酸エステル化合物
を得る工程。
(d)前記一般式(Ia)で表されるオクテン酸エステ
ル化合物を位置選択的に水素化して、一般式(Ib) (式中、R1、R2、R3、R7、R9、※および*は
前記と同じ意味である) で表される相当する(即ち、キラル中心炭素原子※およ
び*が有していたS−立体配置またはR−立体配置をそ
のまま保存して)光学活性なオクタン酸エステル化合物
を得る工程。
(e)前記一般式(Ib)で表されるオクタン酸エステ
ル化合物をジアルキル化して、一般式(式中、R10お
よびR11は、それぞれ独立に炭素数1〜4個の低級ア
ルキル基であり、R1、R2、R3、R7、※および*
は前記と同じ意味である) で表される相当する(即ち、キラル中心炭素原子※およ
び*が有していたS−立体配置またはR−立体配置をそ
のまま保存して)光学活性なオクタンジオール化合物を
得る工程。
(f)前記一般式(Ic)で表されるオクタンジオール
化合物の保護基を脱離して、一般式(Id)※および*
が有していたS−立体配置またはR〜立体配置をそのま
ま保存して)光学活性なオクタントリオール化合物を得
る工程。
(g)前記一般式(Id)で表されるオクタントリオー
ル化合物を酸化的に開裂して、一般式(式中、R1、R
2、R3、R10、R11、※および*は前記と同じ意
味である) で表される相当する(即ち、キラル中心炭素原子10R
11 (式中、R1、R2、R3、R10、R11および※は
前記と同じ意味である) で表される相当する(即ち、キラル中心炭素原子※が有
していたS−立体配置またはR−立体配置をそのまま保
存して)光学活性なヒドロキシヘプタナール化合物を得
る工程。
(h)前記−服式(Ie)で表されるヒドロキシヘプタ
ナール化合物と一般式(VII)(式中、R8は水素原
子、ヒドロキシ基、炭素数1〜4個の低級アルキル基ま
たは炭素数1〜4個の低級アルコキシ基、例えば、メト
キシ基またはエトキシ基であり、そしてXはハロゲン原
子、例えば、臭素原子、塩素原子またはヨウ素原子であ
る) で表されるベンゼンマグネシウムハライド化合物とを反
応させ、一般式(If) (式中、R1、R2、R3、R8、R10、R11およ
び※は前記と同じ意味である) で表される相当する(即ち、キラル中心炭素原子※が有
していたS−立体配置またはR−立体配置をそのまま保
存して)光学活性なフェニルヘプタンジオール化合物を
得る工程。
(i)前記一般式(If)で表されるフェニルヘプタン
ジオール化合物を脱水して、−i式(III)(式中、
R1、R2、R3、R8、RIOlRllおよび※は前
記と同じ意味である) で表される相当する(即ち、キラル中心炭素原子※が有
していたS−立体配置またはR−立体配置をそのまま保
存して)光学活性なフェニルへプトジエン化合物を得る
工程。
次に、工程(a)から工程(i)について説明する。
」lし←弘と 不飽和バレロラクトン(IV)と有機金属化合物(V)
との反応は、不活性カス(例えば、アルゴンガスまたは
窒素ガス)の雰囲気下で、低温下(例えば、0〜−10
0°C1特には−10〜−80°C)にて、無水のエー
テル性溶媒(例えは、エーテルまたはテトラヒドロフラ
ン)中で実施する。有機金属化合物(V)としては、例
えは、ビニルマグネシウムハライドまたはビニルリチウ
ムを用いることができる。
不飽和バレロラクトン(TV)における5位キラル中心
炭素原子の立体配置は変化せずに、飽和バレロラクトン
化合物(rra)の5位に導入される。
また、飽和バレロラクトン化合物(IIa)の3位に新
たにキラル中心が導入される。3位に導入される立体配
置の種類は、不飽和バレロラクトン化合物(【■)の5
位キラル中心炭素原子における立体配置に依存する。即
ち、アルケニル基の導入は5位置換基に対して選択的に
アンチ側に起こる。
得られた化合物を必要により精製(例えば、シリカゲル
カラムクロマトグラフィー処理)して、次の工程に用い
る。
この工程(a)で出発材料として用いる不飽和バレロラ
クトン化合物(rv)は、例えば以下の方法によって調
製することができる。
初めに、一般式(VIII) (式中、R7および*は前記と同じ意味である)で表さ
れる光学活性な(S)−または(R)−グリシドール化
合物と式(IX) H(、−C−COOR13 (IX) [式中、R13は水素原子;アルキル基、特には炭素数
1〜4個の低級アルキル基(例えばメチル基またはエチ
ル基);フェニル置換アルキル基、特にはフェニル基で
置換された炭素数1〜4個の低級アルキル基(例えばベ
ンジル基);アルケニル基、特には炭素数1〜4個の低
級アルケニル基(例えばアリル基);フェニル基:置換
フェニル基、特には炭素数1〜4個の低級アルキル基ま
たはアルコキシ基で置換されたフェニル基(例えばp−
メトキシ基);またはトリアルキルシリル基、特にトリ
低級アルキルシリル基(例えは、トリメチルシリル基)
である] で表されるプロパルギル酸またはその誘導体とを反応さ
せ、一般式(X) H (式中、R7、R13および*は前記と同じ意味である
) で表される相当する(即ち、キラル中心炭素原子*か有
していたS−立体配置またはR−立体配置をそのまま保
存して)光学活性な(S)−まなは(R)−ヘキシノエ
ート化合物を得る。
前記のグリシドール(VIII)はキラル中心1個を有
し、8体およびR体が存在する。それらの8体およびR
体はそれぞれ公知の化合物である。
グリシドール(VII)とプロパルギル酸またはその誘
導体(IX)との反応は、不活性ガス(例えば、アルゴ
ンガスまたは窒素ガス)雰囲気にて、低温下(例えば、
O〜−120’C1特には−10〜−100″C)で、
非プロトン性溶媒(例えば、テトラヒドロフラン、トル
エン、ヘキサンまたはエーテル)中で、強塩基(例えば
、アルキルリチウム)およびルイス酸触媒(例えば、三
フッカホウ素、特に三フッ化ホウ素・エーテルンの存在
下にて実施する。この反応により、出発材料であるり刃
シドール(Vlll)由来のキラル中心炭素原子におけ
る立体配置が、ヘキシノエート化合物(X)に導入され
る。精製にはシリカゲルカラムクロマトグラフィーを用
いることができる。
続いて、前記一般式(X)で表されるヘキシノエート化
合物と一般式(XI ) M’M“(R3)2          (XI)(式
中、Mlは1価の金属イオン、例えばリチウムまたは銅
であり、Ml+は2価の金属イオン、例えば銅またはマ
グネシウムであり、そしてR3は前記と同じ意味である
) で表される求核剤とを反応させ、一般式(IV)で表さ
れる相当する(即ち、キラル中心炭素原子*か有してい
たS−立体配置またはR−立体配置をそのまま保存して
)光学活性な(S)−または(R)−不飽和バレロラク
トン化合物を得ることができる。
この工程は、不活性ガス(例えば、アルゴンガスまたは
窒素ガス)の雰囲気下で、低温下(例えば、○〜−10
0°C1特には−10〜−80’C)にて、非プロトン
性溶媒(例えば、テトラヒドロフラン、トルエン、ヘキ
サンまたはエーテル)中で、銅(I)化合物(例えば、
Cu 1.CuCN)の存在下で実施する。求核剤とし
ては、例えは、リチウムジアルキルキュープレート、リ
チウムジフェニルキュープレート、またはアルキル若し
くはフェニルマグネシウムハライドを用いることができ
る。
ヘキシノエート化合物(IX)における5位キラル中心
炭素原子の立体配置は変化せずに、不飽和バレロラクト
ン化合物(IV)の5位に導入される。
得られた化合物を必要により精製(例えは、シリカゲル
カラムクロマトグラフィー処理)して、次の工程(a)
に用いる。
工丘工旦り この工程は、不活性ガス(例えば、アルゴンガスまたは
窒素ガス)の雰囲気下で、低温下(例えば、0〜−10
0°C1特には−10〜−80°C)にて、非プロトン
性溶媒(例えば、テトラヒドロフラン、エチルエーテル
またはジオキサン)中で、前記一般式(XI)の求核剤
の存在下で実施する。
この工程(b)において4位および5位キラル中心炭素
原子の立体配置は変化せずに保存される。
得られた化合物を必要により精製(例えば、シリカゲル
カラムクロマトグラフィー処理)して、次の工程に用い
る。
工程ユ旦L バレロラクトール化合物(Irb)とリンイレン化合物
(Vl)との反応は、不、活性ガス(例えば、アルゴン
ガスまたは窒素ガス)の雰囲気下で、常温下(例えば、
0〜50℃、特には10〜30°C)にて、無水有機溶
媒(例えば、塩化メチレンまたはテトラヒドロフラン)
中で実施する。リンイレン化合物(VI)としては、例
えば、エトキシカルボニルメチレントリフェニルホスホ
ランを用いることができる。
この工程(C)において2つのキラル中心炭素原子の立
体配置は変化せずに保存される。
得られた化合物を必要により精製(例えば、シリカゲル
カラムクロマトグラフィー処理)して、次の工程に用い
る。
工程ユ亘L 2重結合の還元は、不活性ガス(例えば、アルコンカス
または窒素ガス)雰囲気にて、アルコール性溶媒(例え
ば、低級アルコールまたはその含水物)中で、常温下で
、金属マグネシウムを用いて行う。
この工程(d)において2つのキラル中心炭素原子の立
体配置は変化せずに保存される。
得られた化合物を必要により精製(例えば、シリカゲル
カラムクロマトグラフィー処理)して、次の工程に用い
る。
工程」旦り この工程は、不活性ガス(例えば、アルゴンガスまたは
窒素ガス)雰囲気にて、低温下(例えば、0〜−120
°C1特には−10〜−100°C)で、非プロトン性
溶媒(例えば、テトラヒドロフラン、トルエン、ヘキサ
ンまたはエーテル)中で、メチルリチウムまたはメチル
マグネシウムハライドを用いて行う。
この工程(e)において2つのキラル中心炭素原子の立
体配置は変化せずに保存される。
得られた化合物を必要により精製(例えば、シリカゲル
カラムクロマトグラフィー処理)して、次の工程に用い
る。
工程ユニL この工程は、不活性ガス(例えば、アルゴンカスまたは
窒素ガス)雰囲気にて、低温下(例えば、○〜−120
℃、特には−10〜−100°C)て、非プロトン性溶
媒(例えば、テトラヒドロフラン、トルエン、ヘキサン
またはエーテル)中で、液体アンモニウムまたは低級ア
ルキル第1アミン中で、アルカリ金属(例えば、ナトリ
ウム、リチウムまたはカリウム)またはアルカリ土類金
属(例えば、カルシウム)の存在下で行なわれる。
この工程(f)において2つのキラル中心炭素原子の立
体配置は変化せずに保存される。
得られた化合物を必要により精製(例えば、シリカゲル
カラムクロマトグラフィー処理)して、次の工程に用い
る。
工丘ユ且工 この工程は、不活性ガス(例えば、アルゴンカスまたは
窒素ガス)雰囲気にて、常温下で、含水アルコール性溶
媒(例えば、低級アルコールまたはその含水物)中で過
ヨウ素酸ナトリウムを用いて、またはベンゼン中で四酢
酸鉛を用いて行う。
この酸化的開裂操作によって、工程(a)で用いた出発
材料・不飽和バレロラクトン化合物由来のキラル中心は
消滅するが、工程(a)で導入されたキラル中心炭素原
子における立体配置は変化せずに保存される。
得られた化合物を必要により精製(例えば、シリカゲル
カラムクロマトグラフィー処理)して、次の工程に用い
る。
工程」立L ヒドロキシヘプタナール化合物(Ie)とベンゼンマグ
ネシウムハライド化合物(VII)との反応は、不活性
ガス(例えば、アルゴンガスまたは窒素ガス)雰囲気に
て、低温下(例えば、0〜=120°C1特には−10
〜−100°C)で、エーテル性溶媒(例えば、テトラ
ヒドロフラン)を用いて行う。
この反応によって、工程(a)で導入されたキラル中心
炭素原子における立体配置は変化せずに保存される。ま
た、フェニル基が置換されている炭素原子に新たにキラ
ル中心が生成するが、これはS一体とR一体との混合体
であることができる。
得られた化合物を必要により精製(例えば、シリカゲル
カラムクロマトグラフィー処理)して、次の工程に用い
る。
工程A土Y この工程は、不活性ガス(例えば、アルゴンカスまたは
窒素ガス)雰囲気にて、非プロトン性溶媒(例えば、塩
化メチレン)中で、第3アミンのアルキルスルホン酸ク
ロライドを用いて行う。
この工程においては、工程(a)で導入されたキラル中
心炭素原子における立体配置は変化せずに保存される。
得られた化合物を必要により精製(例えば、シリカゲル
カラムクロマトグラフィー処理)して、次の工程に用い
る。
こうして得られたフェニルへブトジエン化合物(III
)は、バクチオールの前駆体として有用である。
[実施例] 以下、実施例によって本発明を更に具体的に説明するが
、これらは本発明の範囲を限定するものではない。
ルー3−ビニル−δ−バレロラクトンのなお、前記の式
中でBnはベンジル基である(以下同様)。
アルゴン気流下および一30℃で、ヨウ化銅156mg
 (0,78ミリモル)の無水ジエチルエーテル懸濁液
4mlに、ビニルマグネシウムフロマイト(2,2M)
の無水テトラヒド口フラン溶液0.7mlを加えて10
分間攪拌し、更に同し温度でラクトン体(1)90mg
 (0,39ミリモル)の無水ジエチルエーテル溶液3
mlを加え、10分間攪拌した0反応液に飽和塩化アン
モニウム水溶液を加え、ジエチルエーテルで抽出し、飽
和塩化ナトリウム水溶液で洗浄し、無水硫酸マグネシウ
ムで乾燥し、減圧下で溶媒を留去した。
得られた残留物をシリカゲルカラムクロマトグラフィー
によりジエチルエーテル/ヘキサン(1:3、v/v)
流分から、標記のビニルラクトン体(2)74mg (
73%)を得た。理化学的データは以下のとおりである
IRv(neat)max、cm−”:2900゜17
30.1235.1110.738’H−NMR(CD
C] 3)δニア、35 (s。
5H)、5.77 (dd、LH,J=18.0.10
.5Hz)、5.10 (m。
2H)、4.58 (s、2H)、4.50(m、LH
)、3.60 (d、2H,J=3.5Hz>、2.7
3 (d、LH,J=18Hz)、2.25 (d、I
H,J=18Hz)、1.76 (m、2H)、1.1
4(s、3H) MS  m/z : 261 (M”1)。
91 (100%) exact   mass: C1682103(M”)に対する理論値:261.1
490 実測値:261.152に の例1で用いた出発材料ラクトン体(1)は以下の方法
で調製した。
テトラヒドロフラン70m1にプロパルギル酸メチル2
.50m1 (28,1ミリモル)を溶かした溶液中に
、−90℃の冷却下で、n−ブチルリチウム(n−ヘキ
サン中の1.56モル溶液)18.0ml (28,0
ミリモル)を40分間かけて滴下した0滴下終了後、更
に20分間攪拌した。同じ温度下で、テトラヒドロフラ
ン20m1に(S)−0−ベンジルグリシドール3.5
5g(21,6ミリモル)を溶かした溶液をカニユーレ
で更に加え、5分間攪拌した。得られた黄褐色溶液に、
三フッ化ホウ素・ジエチルエーテル3.50m1 (2
8,0ミリモル)を10分間かけて滴下し、同じ温度で
1時間攪拌した。
得られた反応液に飽和塩化アンモニウム水溶液20m1
を加え、室温まで昇温させな後、ジエチルエーテル20
0m1で抽出した。有機相を飽和炭酸水素ナトリウム水
溶液20m1および飽和塩化ナトリウム水溶液20m1
で順に洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥し、減圧下
で溶媒を留去させた。
残留物をカラムクロマトグラフィー(シリカゲル200
g使用)で処理し、ジエチルエーテル/n−ヘキサン(
1:1)の流分から(R)−メチル−6−ベンジルオキ
シ−5−ヒドロキシ−2−ヘキシノエート〔以下、2−
ヘキシノエート体と称する]4.50g(収率:84%
)を得な。
2−ヘキシノエート体の理化学的データは以下のとおり
である。
[α]D =  −14,7°(cm1.07、CHC
13) 沸点:160〜165℃(0、3m m Hg )(K
uge l roh l ) 1H−NMR(CDC13、δ) :2.60 (2)
(。
d、J=6.0Hz)、2.60 (LHlbrs、C
20で消失)、3.40 3.75 (2H,m)、3.78 (3H2s)、3
.90−4.10 (LH,m)。
4.58 (2H,s)、7.3 (5H,5)IRv
 (neat)max  cm−1:3330 (br
)、2260.1710M5  m/e:248(M+
)。
91 (100%) 元素分析: 理論値(C14H1604): C=67.71.H=6.50 測定値:C=67.66、H=6.76続いて、アルゴ
ン気流下で、テトラヒド口フラン150m1にヨウ化銅
8.5mg (42,27ミリモル)を懸濁させ、この
懸濁液に0℃下でメチルリチウム(1,06モルのエー
テル溶液)79.8ml (84,54ミリモル)を加
え、同じ温度で10分間攪拌した。得られた反応液を6
0°Cに冷却し、前記のヘキシノエート体4.5g (
18,1ミリモル)をテトラヒドロフラン10m1に溶
解した溶液を加え、1時間攪拌した。更に同じ温度で飽
和塩化アンモニウム水溶液20m1を徐々に加え、室温
まで昇温させな後、ジエチルエーテルを加え、有機相を
飽和塩化ナトリウム水溶液で洗浄し、無水硫酸マクネシ
ウムで乾燥し、減圧下で溶媒を留去させた。
残留物をカラムクロマトグラフィー(シリカゲル)で処
理しなところ、エーテル/ヘキサン(1:2)の流分か
らはトランスエステル体248mgが得られ、そして、
エーテル/ヘキサン(1:1)の流分からは、無色油状
物質としてα、β−不飽和ラクトう体(1)3.82g
 (収率:91%)が得られた。α、β−不飽和不飽和
ラクトフッの理化学的データは以下のとおりである。
[α]D  =  +120.9° (cm1.12゜
CHC13) 1H−NMR(CDC13,δ): 1.98(3H,
s)、2.35 (LH,dd、J18Hz、5.1H
z)、2.50 (IH。
dd、J=18Hz、、12Hz)、3.69(2H,
d、J=4.6Hz)、4,404.75 (LH,m
)、5.80 (LH。
brs)、7.34 (5H,5) IRν(neat)max  cm−1: 1720゜
1255.1122 MS  m/e : 232 (M”)。
111(100%) 元素分析: 理論値(C14H1603): C=72.38.H=6.95 測定値:C=72.52.H=7.142:  (2R
S  4S、6R)−5−ペンシルシメ ルー2−ヒド
ロ シー4−メチル−4−ビニルート−ヒドロビランの アルゴン気流下および一30°Cで、無水テトラヒドロ
フラン(20ml)中のラクトン体(2)580mg 
(2,23ミリモル)の溶液に、水素化アルミニウムジ
イソブチル(1,0M)のトルエン溶液2.9mlを加
えて10分間攪拌した。
反応液に10%水酸化ナトリウム水溶液を加え、3時間
攪拌した後、セライトr遇し、P液から減圧下で溶媒を
留去した。こうして得られた粗製ラクトール体(3)は
、精製せずに次の反応に用いた。ラクトール体(3)の
理化学的データは以下のとおりである。
IRν(neat)max、 cm ’:3380゜2
900.1450,910,738 ’H−NMR(CDCl 3)δニア。
58)、5.73 (dd、LH。
17.5,11.0Hz)、5゜ 38)、4.56 (s、2H) (m、LH)、3.40 (m 2.0−1.1  (m、5H)。
3H) 33(s 0(m。
3.80 2H)。
1.03 (s。
MS  m/z : 262 (M”1)69 (10
0%) exact   mass: C16H2002(M”−820)に対する理論値:2
44.1463 実測値:244.1459 フラン エ ルの亀す を得た。理化学的データは以下のとおりである。
アルゴン気流下および室温で、ジクロロメタン(20m
 l )中のラクトール体(3)540mg(2,06
ミリモル)の溶液に、トリフェニルホスホランエトキシ
カルボニルメチレン2.15mg(6,18ミリモル)
を加えて36時間加熱還流した0反応液にシリカゲルを
加え、減圧下で溶媒を留去した。得られた残留物をシリ
カゲルカラムクロマトグラフィーによりジエチルエーテ
ル/ヘキサン(1:3.v/v)流分から、標記のエス
テル体(4)620mg (84%、2工程)IRしく
neat)max、cm−’ : 3450゜2900
.1715,1641.738’H−NMR(CDC1
3)δ: 7.33 (s。
5H)、6.92 (dt、IH,J=15.6,7.
6.Hz)、5.90 (m。
2H)、5.05 (m、2H)、4.54(s、2H
)、4.17 (q、2H,J=7.1Hz)、3.9
5 (m、LH)。
3.83 (m、2H)、2.30 (m。
3H)、   2.05 (m、2H)、1.28(t
、3H,J=7.1Hz)、1.05(s、3H) MS  m/z : 332 (M”)、33B (M
+1)。
91 (100%) exact  mass: C20H2804(M”)に対する理論値二332.1
988 実測値:332.1956 4二 (5R,7R−8−ベンジルオキシ−72剪l土
土Ω謝製 アルゴン気流下および室温で、メチルアルコール(30
ml)中のエステル体(4)600mg(1,8ミリモ
ル)の溶液に、マグネシウム432mg (18ミリモ
ル)を加えて4時間攪拌した。水冷下で、反応液に10
%塩酸水溶液を加え、ジエチルエーテルで抽出し、飽和
塩化ナトリウム水溶液で洗浄し、無水硫酸マグネシウム
で乾燥し、減圧下で溶媒を留去した。得られた残留物を
シリカゲルカラムクロマトグラフィーによりジエチルエ
ーテル/ヘキサン(1: 2.v/v)流分から、標記
の飽和エステル体(5)348mg(61%)を得た。
理化学的データは以下のとおりである。
[α]%F  =   5.1075゜(C二1.22
6.CHCl3> IR1/ (neat)max、cm−’:3450゜
2900.1735.738 1H−NMR(CDC13)δ: 7.33 (s。
51()、5.83 (dd、LH,J=17.1,1
1.0Hz)、5.0 (m。
2H)、4.55 (s、2H)、3゜90(m、LH
)、3.35 (m、2H)。
3.66 (s、3H)、2.30 (m。
3H)、1.8−1.1 (m、6H)。
1.03 (s、3H) MS  m/z : 320 (M”)、213(M”
−BnO)、91 (100%)exact  mas
s: C1282103(M”−Bn○)に対する理論値:2
13.1491 実測値:213.1465 一ビニルー フランの;。1 H3 アルゴン気流下および一30°Cで、無水テトラヒドロ
フラン(5ml)中のエステル体(5)310mg (
0,969ミリモル)の溶液に、無水テトラヒドロフラ
ン(15ml>中のメチルリチウム(1,08モル)4
.5mlの溶液を加えて、同じ温度で30分間攪拌した
0反応液に飽和塩化アンモニウム水溶液を加え、ジエチ
ルエーテルで抽出した。有機相を飽和塩化ナトリウム水
溶液で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥し、減圧下
で溶媒を留去した。得られた残留物をシリカゲルカラム
クロマトグラフィーによりジエチルエーテル/ヘキサン
(2: 1.v/v)流分から、標記のジオール体(6
)240mg (77%)を得た。理化学的データは以
下のとおりである。
[α]D  =  −5,83° (cm1.382゜
CHCl3) IRL/ (neat)max、cm−1:34002
920.1100,910,738 1H−NMR(CDC13)δ: 7.33 (S。
5H)、5.85 (dd、LH,J=17.1,11
゜OHz>、4.95 (m。
2H)、4.55 (s、2H)、3.90(m、IH
)、3.75 (m、2H)。
2.35 (brs、LH,D20と交換可能)、 1
.6−1.1 (m、 8H) 。
1.19 (s、6H)、1.03 (s、3H)MS
  m/z : 302 (M”−H2O)、181(
M”−Bn、H2O,2XCH3)、91(100%) exact  mass: CC12H210(”−Bn、H2O,2XCH3)に
対する理論値: 181.1630 実測値:181.1611 皿 H3 無水テトラヒドロフラン(4m l )中のジオール体
(6)228mg (0,713ミリモル)の溶液に、
液体アンモニア30m1を加えて、更に33℃でリチウ
ム50mg (7,1ミリモル)を加え、10分間攪拌
した0反応液に塩化アンモニウムを加え、常圧および室
温下でアンモニアを留去し、ジエチルエーテルを加え、
無水硫酸マグネシウムで乾燥し、減圧下で溶媒を留去し
た。得られた残留物をシリカゲルカラムクロマトグラフ
ィーにより酢酸エチル流分から、標記のトリオール体(
7)160mg (98%)を得た。理化学的データは
以下のとおりである。
[a]2g  =  +4.45° (cm1.048
゜メチルアルコール) IRν(neat)max、cm−” : 3350゜
2920.1460,1370.9001H−NMR(
CDC13)δ: 5.90 (dd。
LH,J=17.1,11.0Hz)。
5.0 (m、2H)、3.80 (m、LH)。
3.45 (m、2H)、2.6 (brs、3H1交
換可能)、 1.5−1.1 (m、 8H)、1.2
0 (s、6H)、0.88 (s。
3H) MS  m/z:183 (M”−CH302)、69
(100%) exact  mass: CC12H230(”−CH302)に対する理論値:
183.1791 実測値:18B、1770 ジフェニル −オクタンの;邑11 アルゴン気流下で、エチルアルコール(10ml)中の
トリオール体(7)160mg(0,696ミリモル)
の溶液に、水2ml中の過ヨウ素酸ナトリウム450m
g (2,1ミリモル)の懸濁液を加えて、室温で10
分間攪拌した。
反応液に水とジエチルエーテルとを加え、有機相を飽和
塩化ナトリウム水溶液で洗浄し、減圧下で溶媒を留去し
、残留物を無水テトラヒドロフラン1mlに溶解した。
P−ブロモアニソール0.43m1 (3,45ミリモ
ル)とマグネシウム86.4mg (3,6ミリモル)
とから調製したグリニヤール試薬の無水テトラヒドロフ
ラン(4ml >液に、前記の溶液を水冷下で加えた。
同じ温度で10分間攪拌した後、反応液に飽和塩化アン
モニウム水溶液を加え、ジエチルエーテルで抽出し、有
機相を飽和塩化ナトリウム水溶液で洗浄し、無水硫酸マ
グネシウムで乾燥し、減圧下で溶媒を留去した。得られ
た残留物をシリカゲルカラムクロマトグラフィーにより
ジエチルエーテル/ヘキサン(1:1.v/V)流分か
ら、標記のジオール体(8)152mg(75%)を得
た。理化学的データは以下のとおりである。
IRL/ (neat)max、cm−1:3400゜
2950.1610,1510.1240゜1170.
1038.830 ’H−NMR(CDC13)δ: 7.28 (m。
2H)、6.85 (d、2H,J=8.5Hz)、6
.12−5.65 (m、LH)。
5.05 (m、2H)、5.71 (m。
IH)、3.80 (s、3H)、1.9−1.1 (
m、l0H)、1.19 (s、6H)、1.10 (
s、3H) MS  ’m/z:306 (M”)、137(100
%) exact   mass: C19H3003(M”)C:Jtt6理論値:306
.2195 実測値二306.2182 8: (3R−1−−メト ジフェニル−37−ジメ 
ルー3−ビニル−トー1互二盗象芸り4匣災 アルゴン気流下で、ジクロロメタン(3ml )中のジ
オール体(8)110mg (0,359ミリモル)の
溶液に、塩化メタンスルホニル0.11m1 (1,4
38ミリモル)と、トリエチルアミン0.3ml (2
,15ミリモル)と4=ニジメチルアミノピリジン2m
gとを水冷下で加えて、室温で15時間攪拌した0反応
液にジクロロメタンを加え、飽和炭酸水素ナトリウム水
溶液および飽和塩化ナトリウム水溶液で順次洗浄し、無
水硫酸マグネシウムで乾燥し、減圧下で溶媒を留去した
。得られた残留物をシリカゲルカラムクロマトグラフイ
ーによりヘキサン流分から、標記のバクチオールメチル
エーテル体(9)65mg(67%)を得た。理化学的
データは以下のとおりである。
[α]摩 =  +31.18° (cm1.45゜C
HCl3) [α]D  =  +32.61° (cm0.83゜
CHCl3)[これは天然物のデータである]IRν(
neat)max、cm−1: 2980゜2940.
1610,1518,1460゜1245.1178,
1040,978゜915.820 1H−NMR(CDCl 3)δ: 7.30 (d。
2HJ=8.8Hz)、6.83 (d、2H,J=8
.8Hz)、6.30 (d、LH。
J=16.4Hz)、6.05 (d、LH。
J=16.4Hz>、5.90 (dd、LH。
J=16.0,10.0Hz)、5.2−4.9 (m
、3H)、3.80 (s、、3H)、1.91 (m
、2H)、1.68 (s。
3H)、1.57 (s、3H)、1.4 (m。
2H)  、  1. 20  (s、  3H)MS
  m/z : 270 (M”)、187 (100
%)、172,159,134,121115.91.
41 9:(+ −バクチオールの=告1j アルゴン気流下で、ジエチルエーテル(4ml)にマグ
ネシウム42mg (1,74ミリモル)を加え、攪拌
下にヨウ化メチル011m1(1,59ミリモル)をゆ
っくり滴下し、滴下終了後しばらく加温し、更にこの混
合物にメチルエーテル体(9)120mg (0,44
ミリモル)を加えた。減圧下で溶媒を留去させ、残留物
を180°Cで10分間加熱した。室温に戻し、ジエチ
ルエーテルを加え、5%塩酸水溶液および飽和塩化ナト
リウム水溶液で順次洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾
燥し、減圧下で溶媒を留去し、残留物をシリカゲルカラ
ムクロマトグラフィーによりエーテル/ヘキサン(1:
 20.v/v)流分から、標記のく+)−バクチオー
ル(10)101mg(89%)を得た。理化学的デー
タは以下のとおりである。
[α]’8  =  +28.30゜ (cm0.75.CHCl3) [αコダ  =   +29.71 。
(cm1.07.CHCl3)[これは天然物のデータ
である] IRL/ (neat)max、cm−”: 3350
゜1610.1515.1440,1370゜1230
.1160.998,970゜910.810 ’H−NMR(CDC13)δ: 7.25 (m。
2H)、6.75 (m、2H)、6.28(d、LH
,J=16.4Hz)、6.05(d、IHJ=16.
41Hz)。
5.87 (m、LH)、5、O(m、3H)。
4.78 (s、LH,交換可能)、1.90(m、2
H)、1.66 (s、3H)。
1.57 (s、3H)、1.50 (m2H)、1.
19 (s、3H) [発明の効果] 本発明によれば、入手が容易な出発材料を用いて、光学
活性なバクチオールの2種の対掌体のいずれをも任意に
調製することができる。また、本発明は合成手順が単純
で、キラル中心の導入率が高く、大量生産にも適してい
る。更に、本発明で用いる製造方法によれば、キラリテ
ィーを有する出発材料にラセミ化を起こすことなく、キ
ラリティーを維持したままで目的生成物を得ることがで
きる。

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)一般式( I ) ▲数式、化学式、表等があります▼( I ) [式中、R_1は水素原子または炭素数1〜4個の低級
    アルキル基であり、R_2は水素原子または炭素数1〜
    4個の低級アルキル基であり、R_3は炭素数1〜4個
    の低級アルキル基であり、R_4は一般式(a) −CH_2−OR_7(a) (式中、R_7は水素原子またはヒドロキシ基を保護す
    る基である) で表される基もしくは一般式(b) ▲数式、化学式、表等があります▼(b) (式中、R_8は水素原子、ヒドロキシ基、炭素数1〜
    4個の低級アルキル基または炭素数1〜4個の低級アル
    コキシ基である) で表される基であってR_5はヒドロキシ基であるか、
    あるいはR_4とR_5とが一緒になってオキソ基であ
    るものとし、YおよびZは両者の直接結合であるかまた
    はそれぞれ水素原子であり、R_6は一般式(c) −C(=O)−OR_9(c) (式中、R_9は水素原子または炭素数1〜4個の低級
    アルキル基である) で表される基または一般式(d) −C(OH)R_1_0R_1_1(d) (式中、R_1_0およびR_1_1は、それぞれ独立
    に水素原子または炭素数1〜4個の低級アルキル基であ
    る) で表される基であり、そして式中で※を付したキラル中
    心炭素原子における立体配置は、択一的にS−配置また
    はR−配置のいずれか一方の配置のみをとるものとし、
    更に式中で*を付した環炭素原子がキラル中心炭素原子
    である場合においてそのキラル中心炭素原子における立
    体配置は、択一的にS−配置またはR−配置のいずれか
    一方の配置のみをとるものとする] で表される光学活性なアルケニル置換ヘプタン化合物。
  2. (2)一般式(II) ▲数式、化学式、表等があります▼(II) [式中、R_1は水素原子または炭素数1〜4個の低級
    アルキル基であり、R_2は水素原子または炭素数1〜
    4個の低級アルキル基であり、R_3は炭素数1〜4個
    の低級アルキル基であり、R_7は水素原子またはヒド
    ロキシ基を保護する基であり、Pは水素原子であってQ
    はヒドロキシ基であるかまたはPとQとが一緒になって
    オキソ基であるものとし、そして式中で※を付したキラ
    ル中心炭素原子における立体配置は、択一的にS−配置
    またはR−配置のいずれか一方の配置のみをとるものと
    する] で表される光学活性なアルケニル置換オキサン化合物。
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