JPH0448797B2 - - Google Patents
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- JPH0448797B2 JPH0448797B2 JP63299278A JP29927888A JPH0448797B2 JP H0448797 B2 JPH0448797 B2 JP H0448797B2 JP 63299278 A JP63299278 A JP 63299278A JP 29927888 A JP29927888 A JP 29927888A JP H0448797 B2 JPH0448797 B2 JP H0448797B2
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- disilacyclohexane
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07F—ACYCLIC, CARBOCYCLIC OR HETEROCYCLIC COMPOUNDS CONTAINING ELEMENTS OTHER THAN CARBON, HYDROGEN, HALOGEN, OXYGEN, NITROGEN, SULFUR, SELENIUM OR TELLURIUM
- C07F7/00—Compounds containing elements of Groups 4 or 14 of the Periodic Table
- C07F7/02—Silicon compounds
- C07F7/08—Compounds having one or more C—Si linkages
- C07F7/0803—Compounds with Si-C or Si-Si linkages
- C07F7/0805—Compounds with Si-C or Si-Si linkages comprising only Si, C or H atoms
- C07F7/0807—Compounds with Si-C or Si-Si linkages comprising only Si, C or H atoms comprising Si as a ring atom
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、高分子化学における架橋剤として、
また種々の化合物合成の中間体として有用な新規
ジシラシクロヘキサン化合物及びその製造方法に
関する。
また種々の化合物合成の中間体として有用な新規
ジシラシクロヘキサン化合物及びその製造方法に
関する。
従来、ビニルジシランのSi−Si結合の開裂を伴
う反応としては、一般式： 〔式中、Vi：ビニル基、Me：メチル基、Ｌ：リ
ガンド〕 で表されるモノビニルジシランとジシクロペンタ
ンとのパラジウム触媒による不均化反応、及び次
式： Me5Si2Vi＋EtoH〔Pt〕 −−−−――→ Me3SiH＋EtOSiMe2Vi 〔式中、Et：エチル基、Meは前記と同じ〕 で表されるモノビニルジシランとエタノールとの
白金触媒によるソルボリシス反応が知られている
のみである（Advance in Organometallic
Chemistry，19（1981）213〜255）。
う反応としては、一般式： 〔式中、Vi：ビニル基、Me：メチル基、Ｌ：リ
ガンド〕 で表されるモノビニルジシランとジシクロペンタ
ンとのパラジウム触媒による不均化反応、及び次
式： Me5Si2Vi＋EtoH〔Pt〕 −−−−――→ Me3SiH＋EtOSiMe2Vi 〔式中、Et：エチル基、Meは前記と同じ〕 で表されるモノビニルジシランとエタノールとの
白金触媒によるソルボリシス反応が知られている
のみである（Advance in Organometallic
Chemistry，19（1981）213〜255）。
本発明の目的は、高分子合成の架橋剤として、
また種々の化合物合成の中間体として有用な新規
ジシラシクロヘキサン化合物を提供することにあ
る。また本発明の目的は、Si−Si結合の開裂を伴
う反応ではあるが、前記従来の反応とは全く異な
る反応により、該ジシラシクロヘキサン化合物を
製造する方法を提供することにある。
また種々の化合物合成の中間体として有用な新規
ジシラシクロヘキサン化合物を提供することにあ
る。また本発明の目的は、Si−Si結合の開裂を伴
う反応ではあるが、前記従来の反応とは全く異な
る反応により、該ジシラシクロヘキサン化合物を
製造する方法を提供することにある。
本発明は、下記一般式（）：
〔式中、複数のＲは同一でも異つてもよく、低級
アルキル基である〕 で表されるジシラシクロヘキサン化合物を提供す
るものである。
アルキル基である〕 で表されるジシラシクロヘキサン化合物を提供す
るものである。
本発明のジシラシクロヘキサン化合物は、前記
一般式（）で表されるものであるが、一般式
（）において、複数のＲは同一でも異なつても
よく、低級アルキル基であり、例えば、メチル
基、エチル基、プロピル基、ブチル基等またはこ
れらの低級アルキル基の水素原子の一部もしくは
全部が、フツ素、塩素、ヨウ素等のハロゲン原
子、アルコキシ基、シリル基、シロキシ基等によ
り置換されているものなどを挙げることができ
る。
一般式（）で表されるものであるが、一般式
（）において、複数のＲは同一でも異なつても
よく、低級アルキル基であり、例えば、メチル
基、エチル基、プロピル基、ブチル基等またはこ
れらの低級アルキル基の水素原子の一部もしくは
全部が、フツ素、塩素、ヨウ素等のハロゲン原
子、アルコキシ基、シリル基、シロキシ基等によ
り置換されているものなどを挙げることができ
る。
上記一般式（）で表されるジシラシクロヘキ
サン化合物は、例えば、一般式（）： 〔式中、複数のＲは前記一般式（）で定義のと
うりである〕 で表される１，２−ジビニルジシラン化合物を白
金族金属系触媒の存在下で反応させることによ
り、該１，２−ジビニルジシランの二重化物とし
て製造される。この１，２−ジビニルジシラン化
合物としては、例えば、１，２−ジビニルテトラ
メチルジシラン、１，２−ジビニル−１，２−ジ
エチル−１，２−ジメチルジシラン、１，２−ジ
ビニル−１，２−ビス−トリメチルシリルメチル
−ジメチルジシラン等を挙げることができる。
サン化合物は、例えば、一般式（）： 〔式中、複数のＲは前記一般式（）で定義のと
うりである〕 で表される１，２−ジビニルジシラン化合物を白
金族金属系触媒の存在下で反応させることによ
り、該１，２−ジビニルジシランの二重化物とし
て製造される。この１，２−ジビニルジシラン化
合物としては、例えば、１，２−ジビニルテトラ
メチルジシラン、１，２−ジビニル−１，２−ジ
エチル−１，２−ジメチルジシラン、１，２−ジ
ビニル−１，２−ビス−トリメチルシリルメチル
−ジメチルジシラン等を挙げることができる。
上記の製造に用いられる白金族金属系触媒は特
に限定されず、例えば、塩化白金酸、アルコール
変性塩化白金酸、白金ビニルシロキサン、白金
黒、塩化白金酸とオレフインもしくはアルデヒド
との錯体を挙げることができ、特に塩化白金酸及
びアルコール変性塩化白金酸、白金ビニルシロキ
サンが高活性である点で好ましい。この白金系触
媒の使用料は、通常、反応液全体に対して白金分
で１〜100ppm程度である。白金系触媒の使用量
が少なすぎると反応速度が遅くなり能率的でな
く、多すぎると種々の副反応が生じ、一般式
（）で表されるジシラシクロヘキサン化合物の
収率が低下するおそれがある。
に限定されず、例えば、塩化白金酸、アルコール
変性塩化白金酸、白金ビニルシロキサン、白金
黒、塩化白金酸とオレフインもしくはアルデヒド
との錯体を挙げることができ、特に塩化白金酸及
びアルコール変性塩化白金酸、白金ビニルシロキ
サンが高活性である点で好ましい。この白金系触
媒の使用料は、通常、反応液全体に対して白金分
で１〜100ppm程度である。白金系触媒の使用量
が少なすぎると反応速度が遅くなり能率的でな
く、多すぎると種々の副反応が生じ、一般式
（）で表されるジシラシクロヘキサン化合物の
収率が低下するおそれがある。
上記製造は、通常、有機溶媒中で行われ、代表
的な有機媒とおしては、例えば、ｎ−ペンタン、
ｎ−ヘキサン、ｎ−ヘプタン、ｎ−オクタン等の
脂肪族炭化水素；ベンゼン、トルエン、キシレン
等の芳香族炭化水素；テトラヒドロフラン、ジオ
キサン、ジブチルエーテル等のエーテル類などを
挙げることができる。有機溶媒の使用量は特に限
定されず、出発物質である一般式（）の１，２
−ジビニルジシランの量の２〜５倍（重量基準）
が好適である。有機溶媒量が少なすぎるとジシラ
シクロヘキサン化合物の収率が低下し、多すぎる
と反応速度が低下する結果、反応に長時間を要す
る。
的な有機媒とおしては、例えば、ｎ−ペンタン、
ｎ−ヘキサン、ｎ−ヘプタン、ｎ−オクタン等の
脂肪族炭化水素；ベンゼン、トルエン、キシレン
等の芳香族炭化水素；テトラヒドロフラン、ジオ
キサン、ジブチルエーテル等のエーテル類などを
挙げることができる。有機溶媒の使用量は特に限
定されず、出発物質である一般式（）の１，２
−ジビニルジシランの量の２〜５倍（重量基準）
が好適である。有機溶媒量が少なすぎるとジシラ
シクロヘキサン化合物の収率が低下し、多すぎる
と反応速度が低下する結果、反応に長時間を要す
る。
反応の温度は、通常、約50〜200℃、さらには
80〜140℃が好適であり、通常、２〜５時間で反
応は終了する。反応温度が低すぎると反応に長時
間を要し、実用的でない。また反応温度が高すぎ
ると生成した一般式（）のジシラシクロヘキサ
ン化合物の重合が起こるため収率が低下する。
80〜140℃が好適であり、通常、２〜５時間で反
応は終了する。反応温度が低すぎると反応に長時
間を要し、実用的でない。また反応温度が高すぎ
ると生成した一般式（）のジシラシクロヘキサ
ン化合物の重合が起こるため収率が低下する。
また、反応は窒素、アルゴン等の乾燥した不活
性雰囲気下で実施することが望ましい。
性雰囲気下で実施することが望ましい。
以下、実施例により本発明を詳細に説明する
が、本発明の範囲をこれら実施例に限定するもの
ではない。特記しない限り「部」は「重量部」を
意味する。
が、本発明の範囲をこれら実施例に限定するもの
ではない。特記しない限り「部」は「重量部」を
意味する。
実施例 １
１，２−ジビニルテトラメチルジシラン５部、
トルエン20部及び白金−ビニルシロキサン（白金
分１％）0.025部を、窒素ガスで置換した反応器
に仕込み、均一溶液とし、110℃で５時間加熱し
た。得られた反応混合物をガスクロマトグラフイ
ーで分析すると原料である１，２−ジビニルテト
ラメチルジシランが完全に消滅し２種の化合物が
ほぼ等量生成していることがわかつた。この反応
混合物を真空下フラツシユ蒸留に供し、生成した
２種の化合物からなる混合物を分離した。次に、
この生成化合物の混合物を分取ガスクロマトグラ
フイー（カラム：内径10mm、長さ３ｍ；充填剤：
SE−30 ５％ ユニポートHPに担持）により各
ピーク成分に単離した。単離された各成分を
NMRスペクトル分析、ガスクロマトグラフイ
ー／質量分析（GC／MASS）及び元素分析（Ｃ，
Ｈ，Si）に供した。得られたデータよ、ガスクロ
マトグラフイーによつて分離されたピーク成分の
うち保持時間の長いものが１，１，４，４−テト
ラメチル−２，５−ビス（ビニルジメチルシリ
ル）−１，４−ジシラシクロヘキサン（以下、「化
合物（ｉ）と略記する）（収率50％）であること
がわかつた。分析結果を以下に示す。
トルエン20部及び白金−ビニルシロキサン（白金
分１％）0.025部を、窒素ガスで置換した反応器
に仕込み、均一溶液とし、110℃で５時間加熱し
た。得られた反応混合物をガスクロマトグラフイ
ーで分析すると原料である１，２−ジビニルテト
ラメチルジシランが完全に消滅し２種の化合物が
ほぼ等量生成していることがわかつた。この反応
混合物を真空下フラツシユ蒸留に供し、生成した
２種の化合物からなる混合物を分離した。次に、
この生成化合物の混合物を分取ガスクロマトグラ
フイー（カラム：内径10mm、長さ３ｍ；充填剤：
SE−30 ５％ ユニポートHPに担持）により各
ピーク成分に単離した。単離された各成分を
NMRスペクトル分析、ガスクロマトグラフイ
ー／質量分析（GC／MASS）及び元素分析（Ｃ，
Ｈ，Si）に供した。得られたデータよ、ガスクロ
マトグラフイーによつて分離されたピーク成分の
うち保持時間の長いものが１，１，４，４−テト
ラメチル−２，５−ビス（ビニルジメチルシリ
ル）−１，４−ジシラシクロヘキサン（以下、「化
合物（ｉ）と略記する）（収率50％）であること
がわかつた。分析結果を以下に示す。
NMR（CCl4，テトラメチルシラン外部基準）
δ（ppm）；−0.04〜−0.42（ｍ，2H）
0.02（ｓ，24H）
0.04〜1.16（ｍ，4H）
5.56〜6.68（ｍ，6H）
GC／MSS：340（M+）
元素分析：
Ｃ Ｈ Si
測定値：56.29 10.64 31.67
理論値：56.39 10.65 32.96
（理論値はC16H36Si4として計算）
実施例 ２
白金ビニルシロキサンの代りに、塩化白金酸
（H2PtCl6・6H2O）を２−エチルヘキサノールに
溶解し白金分１％としたものを触媒として使用し
た以外は実施例１と同様にして反応させた。実施
例１で得られたと同じ結果が得られた。
（H2PtCl6・6H2O）を２−エチルヘキサノールに
溶解し白金分１％としたものを触媒として使用し
た以外は実施例１と同様にして反応させた。実施
例１で得られたと同じ結果が得られた。
実施例 ３
トルエンの代わりにキシレンを溶いた以外は実
施例１と同様に反応を行つた。実施例１と同一物
質が得られた。また、ジオキサンを溶媒として使
用した場合も同一物質が得られた。
施例１と同様に反応を行つた。実施例１と同一物
質が得られた。また、ジオキサンを溶媒として使
用した場合も同一物質が得られた。
実施例 ４
溶媒としてキシレンを用い、反応温度を140℃
に変えた以外は実施例１と同様に反応させた。化
合物（）が30％の収率で得られた。また他の生
成物の収量は微量であつた。
に変えた以外は実施例１と同様に反応させた。化
合物（）が30％の収率で得られた。また他の生
成物の収量は微量であつた。
実施例 ５
反応時間を48時間に変えた以外は実施例１と同
様にして反応させた。得られた生成化合物をガス
クロマトグラフイー分析に供したところ、化合物
（）に由来するピークのみが測定された。（収率
45％） 〔発明の効果〕 本発明の新規なジシラシクロヘキサン化合物は
分子中にビニル基を２個有しているため高分子化
学における架橋剤として、また種々の高分子化合
物の製造における中間原料等として有用である。
様にして反応させた。得られた生成化合物をガス
クロマトグラフイー分析に供したところ、化合物
（）に由来するピークのみが測定された。（収率
45％） 〔発明の効果〕 本発明の新規なジシラシクロヘキサン化合物は
分子中にビニル基を２個有しているため高分子化
学における架橋剤として、また種々の高分子化合
物の製造における中間原料等として有用である。
また、本発明の製造方法によれば、該新規なジ
シラシクロヘキサン化合物を容易にかつ高収率で
製造することができる。
シラシクロヘキサン化合物を容易にかつ高収率で
製造することができる。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 下記一般式（）： 〔式中、複数のＲは同一でも異なつてもよく、低
級アルキル基である〕で表されるジシラシクロヘ
キサン化合物。 ２ 一般式（）： 〔式中、複数のＲは前記一般式（）で定義のと
おりである〕 で表される１，２−ジビニルジシラン化合物を白
金族金属系触媒の存在下で反応させることからな
る前記一般式（）のジシラシクロヘキサンの製
造方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63299278A JPH02145590A (ja) | 1988-11-26 | 1988-11-26 | 新規ジシラシクロヘキサン化合物及びその製造方法 |
| US07/440,726 US4937364A (en) | 1988-11-26 | 1989-11-24 | Novel disilacyclohexane compound and process for preparing the same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63299278A JPH02145590A (ja) | 1988-11-26 | 1988-11-26 | 新規ジシラシクロヘキサン化合物及びその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02145590A JPH02145590A (ja) | 1990-06-05 |
| JPH0448797B2 true JPH0448797B2 (ja) | 1992-08-07 |
Family
ID=17870477
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63299278A Granted JPH02145590A (ja) | 1988-11-26 | 1988-11-26 | 新規ジシラシクロヘキサン化合物及びその製造方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4937364A (ja) |
| JP (1) | JPH02145590A (ja) |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5281735A (en) * | 1993-07-20 | 1994-01-25 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy | Disilanoates of disilacyclohexadienes |
| KR100232045B1 (ko) * | 1993-10-14 | 1999-12-01 | 카나가와 치히로 | 실라시클로헥산화합물, 그의 제조방법 및 이것을 함유하는 액정조성물 |
| KR100974037B1 (ko) * | 2008-04-25 | 2010-08-04 | 제이에스아이실리콘주식회사 | 신규한 1,4-디실라사이클로헥산 유도체 및 이의 제조방법 |
| KR100928942B1 (ko) | 2008-05-26 | 2009-11-30 | 제이에스아이실리콘주식회사 | 직선형이나 고리형의 트리실라알칸의 제조방법 |
| US20180033614A1 (en) | 2016-07-27 | 2018-02-01 | Versum Materials Us, Llc | Compositions and Methods Using Same for Carbon Doped Silicon Containing Films |
| EP3515864B1 (en) * | 2016-09-22 | 2021-10-20 | Dow Silicones Corporation | Sih-free vinyldisilanes |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3178392A (en) * | 1962-04-09 | 1965-04-13 | Rohm & Haas | Heterocyclic and linear siliconmethylene and polysiloxane compounds containing siliconmethylene units and their preparation |
| NL130556C (ja) * | 1967-07-19 | 1900-01-01 | ||
| US4614812A (en) * | 1985-12-31 | 1986-09-30 | Union Carbide Corporation | Novel process for promoting hydrosilation reactions using a second hydrosilane |
-
1988
- 1988-11-26 JP JP63299278A patent/JPH02145590A/ja active Granted
-
1989
- 1989-11-24 US US07/440,726 patent/US4937364A/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US4937364A (en) | 1990-06-26 |
| JPH02145590A (ja) | 1990-06-05 |
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