JPH0448551Y2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0448551Y2 JPH0448551Y2 JP1983146995U JP14699583U JPH0448551Y2 JP H0448551 Y2 JPH0448551 Y2 JP H0448551Y2 JP 1983146995 U JP1983146995 U JP 1983146995U JP 14699583 U JP14699583 U JP 14699583U JP H0448551 Y2 JPH0448551 Y2 JP H0448551Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light
- voltage
- light emitting
- circuit
- voltage level
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 claims description 11
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 8
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 15
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 7
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 3
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 230000032683 aging Effects 0.000 description 1
- 244000145845 chattering Species 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 230000000087 stabilizing effect Effects 0.000 description 1
Description
【考案の詳細な説明】
本考案は磁気カード等の光学的遮断物を検出す
る遮断物検出回路に関する。
る遮断物検出回路に関する。
従来、この種の遮断物検出回路、例えば磁気カ
ードリーダ等のカード検出回路においては第１図
に示すように発光ダイオードLED１よりなる発
光素子からの光をフオトトランジスタよりなる受
光素子Pt１で電流に変換してこの電流を抵抗Ｒ
１で電圧に変換し、それを抵抗Ｒ２を介してシユ
ミツト型の集積回路IC１に印加することにより、
遮断物であるカードCD１が発光素子LED１と受
光素子Pt１との間に有るか否かを判定していた。
ードリーダ等のカード検出回路においては第１図
に示すように発光ダイオードLED１よりなる発
光素子からの光をフオトトランジスタよりなる受
光素子Pt１で電流に変換してこの電流を抵抗Ｒ
１で電圧に変換し、それを抵抗Ｒ２を介してシユ
ミツト型の集積回路IC１に印加することにより、
遮断物であるカードCD１が発光素子LED１と受
光素子Pt１との間に有るか否かを判定していた。
しかしこの回路では現在は半透明の磁気カード
などが用いられるようになつてきたことによりカ
ードCD１の光透過率が10％以上になると、受光
素子Pt１の暗電流と光電流の判別がつかなくな
つてカードCD１の有無を検出できなくなる。又
発光素子LED１及び受光素子Pt１よりなるセン
サーの経時変化で光・電流変換特性が変化した場
合にも同様である。
などが用いられるようになつてきたことによりカ
ードCD１の光透過率が10％以上になると、受光
素子Pt１の暗電流と光電流の判別がつかなくな
つてカードCD１の有無を検出できなくなる。又
発光素子LED１及び受光素子Pt１よりなるセン
サーの経時変化で光・電流変換特性が変化した場
合にも同様である。
本考案は遮断物の光透過率が高い、例えば50％
程度になつても、又センサーの経時変化があつて
も遮断物を充分に検出できるようにするために遮
断物が無い時の受光素子電流による電圧を記憶し
てこれと受光素子電流による電圧とを比較する構
成とした遮断物検出回路を提供することを目的と
する。
程度になつても、又センサーの経時変化があつて
も遮断物を充分に検出できるようにするために遮
断物が無い時の受光素子電流による電圧を記憶し
てこれと受光素子電流による電圧とを比較する構
成とした遮断物検出回路を提供することを目的と
する。
以下図面を参照しながら本考案について実施例
をあげて説明する。
をあげて説明する。
第２図は本考案の第１の実施例を示し、図中
LED２は発光ダイオードよりなる発光素子、Pt
２はフオトトランジスタよりなる受光素子、Ｒ３
は半固定抵抗、Ｍ１はダイオードＤ１、コンデン
サＣ１及び抵抗Ｒ４よりなる電圧レベル記憶回
路、RF１は半固定抵抗Ｒ５、コンデンサＣ２及
び抵抗Ｒ６〜Ｒ８よりなるレベル設定回路、IC
２は比較回路を構成するシユミツト型の集積回
路、Ｒ９，Ｒ１０は抵抗である。
LED２は発光ダイオードよりなる発光素子、Pt
２はフオトトランジスタよりなる受光素子、Ｒ３
は半固定抵抗、Ｍ１はダイオードＤ１、コンデン
サＣ１及び抵抗Ｒ４よりなる電圧レベル記憶回
路、RF１は半固定抵抗Ｒ５、コンデンサＣ２及
び抵抗Ｒ６〜Ｒ８よりなるレベル設定回路、IC
２は比較回路を構成するシユミツト型の集積回
路、Ｒ９，Ｒ１０は抵抗である。
発光ダイオードLED２からの光は遮断物CD２
の有無を検出すべき場所、例えば磁気カードの通
路を介してフオトトランジスタPt２で受光され
て電流に変換され、この電流が抵抗Ｒ３により電
圧Epに変換される。この電圧Epは初期に半固定抵
抗Ｒ３により調整し設定することができる。抵抗
Ｒ３で発生した光電流による電圧（遮断物CD２
が検出場所に無い時の電圧）が電圧レベル記憶回
路Ｍ１におけるダイオードＤ１、抵抗Ｒ４を通し
てコンデンサＣ１に蓄えられ、その出力電圧E1
がレベル設定回路RF１において抵抗Ｒ５，Ｒ６
で分割されて基準電圧E2が設定され、この電圧
E2を中心として抵抗Ｒ７，Ｒ８により定められ
る幅のヒステリシス（集積回路IC２のチヤタリ
ング防止のためのもの）を持つスライスレベル
E3が決定される。シユミツト型集積回路IC２は
上記スライスレベルE3が（＋）端子に加えられ
て抵抗Ｒ３の電圧Epが（−）端子に加えられ、こ
れらを比較する。発光ダイオードLED２とフオ
トトランジスタPt２との間が遮光されていない
場合には抵抗Ｒ３の電圧EpがスライスレベルE3
より高くなり、シユミツト型集積回路IC２の出
力Ｓが低レベルになる（第３図参照）。発光ダイ
オードLED２とフオトトランジスタPt２との間
が遮断物CD２で遮光されると、抵抗Ｒ３の電圧
Epが遮断物CD２の透光率によつて定まる電圧E′p
まで降下してスライスレベルE3よりも低電位に
なり、出力Ｓが高電位に反転する。ここに各遮断
物CD２の透光率によつてE′pが異なってもE′p＜
E3となるように抵抗Ｒ３，Ｒ５によつてE1，E2
の値を調整しE3の値を決めてあり、抵抗R5，R6
による分圧比は略遮断物の透過率に応じた値に設
定すればよい。この結果、遮断物の透過率が異な
る場合にも対応することができ、例えばカードリ
ーダにおいて磁気カードを検出する場合には透過
率の異なる種々のカードリーダに共通に使用する
ことができる。また、透過率50％の遮断物は検出
して透過率70％の遮断物は検出しないというよう
な設定を任意に行うことができる。遮断物CD２
が発光ダイオードLED２とフオトトランジスタ
Pt２との間を通過してフオトトランジスタPt２
に再び光が当ると、E′pはEpまで上昇してE3より
高い電位となり，Ｓが再び反転して低電位とな
る。尚コンデンサＣ２はE2を安定させるための
ものである。
の有無を検出すべき場所、例えば磁気カードの通
路を介してフオトトランジスタPt２で受光され
て電流に変換され、この電流が抵抗Ｒ３により電
圧Epに変換される。この電圧Epは初期に半固定抵
抗Ｒ３により調整し設定することができる。抵抗
Ｒ３で発生した光電流による電圧（遮断物CD２
が検出場所に無い時の電圧）が電圧レベル記憶回
路Ｍ１におけるダイオードＤ１、抵抗Ｒ４を通し
てコンデンサＣ１に蓄えられ、その出力電圧E1
がレベル設定回路RF１において抵抗Ｒ５，Ｒ６
で分割されて基準電圧E2が設定され、この電圧
E2を中心として抵抗Ｒ７，Ｒ８により定められ
る幅のヒステリシス（集積回路IC２のチヤタリ
ング防止のためのもの）を持つスライスレベル
E3が決定される。シユミツト型集積回路IC２は
上記スライスレベルE3が（＋）端子に加えられ
て抵抗Ｒ３の電圧Epが（−）端子に加えられ、こ
れらを比較する。発光ダイオードLED２とフオ
トトランジスタPt２との間が遮光されていない
場合には抵抗Ｒ３の電圧EpがスライスレベルE3
より高くなり、シユミツト型集積回路IC２の出
力Ｓが低レベルになる（第３図参照）。発光ダイ
オードLED２とフオトトランジスタPt２との間
が遮断物CD２で遮光されると、抵抗Ｒ３の電圧
Epが遮断物CD２の透光率によつて定まる電圧E′p
まで降下してスライスレベルE3よりも低電位に
なり、出力Ｓが高電位に反転する。ここに各遮断
物CD２の透光率によつてE′pが異なってもE′p＜
E3となるように抵抗Ｒ３，Ｒ５によつてE1，E2
の値を調整しE3の値を決めてあり、抵抗R5，R6
による分圧比は略遮断物の透過率に応じた値に設
定すればよい。この結果、遮断物の透過率が異な
る場合にも対応することができ、例えばカードリ
ーダにおいて磁気カードを検出する場合には透過
率の異なる種々のカードリーダに共通に使用する
ことができる。また、透過率50％の遮断物は検出
して透過率70％の遮断物は検出しないというよう
な設定を任意に行うことができる。遮断物CD２
が発光ダイオードLED２とフオトトランジスタ
Pt２との間を通過してフオトトランジスタPt２
に再び光が当ると、E′pはEpまで上昇してE3より
高い電位となり，Ｓが再び反転して低電位とな
る。尚コンデンサＣ２はE2を安定させるための
ものである。
この第１の実施例は遮断物CD２により発光ダ
イオードLED２からの光を遮断する時間が継続
して１分以上続かない場合に有効であり、発光ダ
イオードLED２とフオトトランジスタPt２との
間の遮光状態が長時間続くと、コンデンサＣ１の
放電が進んでE3がE′p以下となり、Ｓが低電位に
なる可能性がある（第４図参照）。つまり遮断物
の透光率が高く抵抗Ｒ３で発生する暗電流による
電圧が高い場合その遮断物が長時間継続して発光
ダイオードLED２とフオトトランジスタPt２と
の間を遮光し続けると、コンデンサＣ１に充電さ
れた電圧E2が降下し、スライスレベルE3が暗電
流による電圧E′pを下廻つてしまう。
イオードLED２からの光を遮断する時間が継続
して１分以上続かない場合に有効であり、発光ダ
イオードLED２とフオトトランジスタPt２との
間の遮光状態が長時間続くと、コンデンサＣ１の
放電が進んでE3がE′p以下となり、Ｓが低電位に
なる可能性がある（第４図参照）。つまり遮断物
の透光率が高く抵抗Ｒ３で発生する暗電流による
電圧が高い場合その遮断物が長時間継続して発光
ダイオードLED２とフオトトランジスタPt２と
の間を遮光し続けると、コンデンサＣ１に充電さ
れた電圧E2が降下し、スライスレベルE3が暗電
流による電圧E′pを下廻つてしまう。
そこで発光ダイオードLED２とフオトトラン
ジスタPt２との間の遮光状態が長時間続くと予
想される場合には第５図に示す本考案の第２の実
施例のごとくコンデンサＣ１の電荷をトランジス
タTr１を介して放電させてその時定数が充分に
長くなるように設計すれば発光ダイオードLED
２とフオトトランジスタPt２との間が遮光され
てもE3を長時間にわたつてE′p＜E3に保つことが
できる。なお第５図においてＲ１１，Ｒ１２は抵
抗、Ｄ２は必要に応じて設けられるダイオードで
ある。この第２の実施例では透光率50％の遮断物
に対して充分に１時間を越えて出力信号Ｓを保障
し得るような定数設定が可能である。
ジスタPt２との間の遮光状態が長時間続くと予
想される場合には第５図に示す本考案の第２の実
施例のごとくコンデンサＣ１の電荷をトランジス
タTr１を介して放電させてその時定数が充分に
長くなるように設計すれば発光ダイオードLED
２とフオトトランジスタPt２との間が遮光され
てもE3を長時間にわたつてE′p＜E3に保つことが
できる。なお第５図においてＲ１１，Ｒ１２は抵
抗、Ｄ２は必要に応じて設けられるダイオードで
ある。この第２の実施例では透光率50％の遮断物
に対して充分に１時間を越えて出力信号Ｓを保障
し得るような定数設定が可能である。
発光ダイオードLED２とフオトトランジスタ
Pt２との間が遮光された際にE3をさらに長時間
に渡つてE′p＜E3に保ちたい場合には第６図に示
す本考案の第３の実施例のごとくトランジスタ
Tr１の代りに集積回路IC３を用いたボルテージ
フオロワ回路を入れダイオードＤ１の代りに電界
効果トランジスタFETを入れてもよい。この第
３の実施例では通常は電界効果トランジスタ
FETがオフでE1がEpに追従した変化をしないの
で、発光ダイオードLED２とフオトトランジス
タPt２との間が遮光されていないときのEpがフ
オトトランジスタPt２の経時的変化によつて変
化した場合及び初期設定を行う場合にはセツト信
号SETでトランジスタTr２をオフさせて電界効
果トランジスタFETをオンさせることによつて
E1をEpに設定すればよい。なお第６図において
Ｒ１３〜Ｒ１５は抵抗である。
Pt２との間が遮光された際にE3をさらに長時間
に渡つてE′p＜E3に保ちたい場合には第６図に示
す本考案の第３の実施例のごとくトランジスタ
Tr１の代りに集積回路IC３を用いたボルテージ
フオロワ回路を入れダイオードＤ１の代りに電界
効果トランジスタFETを入れてもよい。この第
３の実施例では通常は電界効果トランジスタ
FETがオフでE1がEpに追従した変化をしないの
で、発光ダイオードLED２とフオトトランジス
タPt２との間が遮光されていないときのEpがフ
オトトランジスタPt２の経時的変化によつて変
化した場合及び初期設定を行う場合にはセツト信
号SETでトランジスタTr２をオフさせて電界効
果トランジスタFETをオンさせることによつて
E1をEpに設定すればよい。なお第６図において
Ｒ１３〜Ｒ１５は抵抗である。
以上のように本考案による遮断物検出回路にあ
つては、受光素子と発光素子との間が遮断されて
いないときの受光素子電流から得られる電圧を記
憶し、この電圧を分圧して比較の基準電圧レベル
を設定するようにしたので、設定が容易かつ確実
であると共に電源電圧の変動にも影響されず、高
透過率の遮断物でも確実に検出することができ、
センサーの経時変化や温度変化による光・電流変
換特性の変化に強くなる。しかも磁気カードのよ
うに遮断物の透過率が異なる場合にも容易に対応
することができるから種々の磁気カードリーダに
共通に用いられ、透過率50％の遮断物は検出して
透過率70％の遮断物は検出しないというような設
定も任意に行うことができる。
つては、受光素子と発光素子との間が遮断されて
いないときの受光素子電流から得られる電圧を記
憶し、この電圧を分圧して比較の基準電圧レベル
を設定するようにしたので、設定が容易かつ確実
であると共に電源電圧の変動にも影響されず、高
透過率の遮断物でも確実に検出することができ、
センサーの経時変化や温度変化による光・電流変
換特性の変化に強くなる。しかも磁気カードのよ
うに遮断物の透過率が異なる場合にも容易に対応
することができるから種々の磁気カードリーダに
共通に用いられ、透過率50％の遮断物は検出して
透過率70％の遮断物は検出しないというような設
定も任意に行うことができる。
第１図は従来の遮断物検出回路を示す回路図、
第２図は本考案の第１の実施例を示す回路図、第
３図及び第４図は同実施例を説明するための波形
図、第５図及び第６図は本考案の第２及び第３の
実施例を示す回路図である。 LED２……発光素子、Pt２……受光素子、Ｍ
１……電圧レベル記憶回路、RF１……レベル設
定回路、IC２……シユミツト型の集積回路。
第２図は本考案の第１の実施例を示す回路図、第
３図及び第４図は同実施例を説明するための波形
図、第５図及び第６図は本考案の第２及び第３の
実施例を示す回路図である。 LED２……発光素子、Pt２……受光素子、Ｍ
１……電圧レベル記憶回路、RF１……レベル設
定回路、IC２……シユミツト型の集積回路。
Claims (1)
- 遮断物が発光素子からの光をさえぎることによ
り上記遮断物の存在を検出するようになした遮断
物検出回路において、上記発光素子からの光を受
光し電流に変換する受光素子と、この受光素子と
上記発光素子との間が遮断されていないときの上
記受光素子の電流によつて得られる電圧を記憶す
る電圧レベル記憶回路と、この電圧レベル記憶回
路の出力電圧を分割して所定の電圧レベルを作る
レベル設定回路と、このレベル設定回路で作つた
電圧レベルと、上記受光素子の電流によつて得ら
れる電圧とを比較する比較回路とを有してなる遮
断物検出回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14699583U JPS6054986U (ja) | 1983-09-22 | 1983-09-22 | 遮断物検出回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14699583U JPS6054986U (ja) | 1983-09-22 | 1983-09-22 | 遮断物検出回路 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6054986U JPS6054986U (ja) | 1985-04-17 |
| JPH0448551Y2 true JPH0448551Y2 (ja) | 1992-11-16 |
Family
ID=30327017
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14699583U Granted JPS6054986U (ja) | 1983-09-22 | 1983-09-22 | 遮断物検出回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6054986U (ja) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5255652A (en) * | 1975-11-01 | 1977-05-07 | Hitachi Ltd | System for detecting object by light |
| JPS53114310A (en) * | 1977-03-16 | 1978-10-05 | Toshiba Corp | Paper leaf detector |
-
1983
- 1983-09-22 JP JP14699583U patent/JPS6054986U/ja active Granted
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5255652A (en) * | 1975-11-01 | 1977-05-07 | Hitachi Ltd | System for detecting object by light |
| JPS53114310A (en) * | 1977-03-16 | 1978-10-05 | Toshiba Corp | Paper leaf detector |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6054986U (ja) | 1985-04-17 |
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