JPH0447524A - 磁気記録媒体 - Google Patents
磁気記録媒体Info
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- JPH0447524A JPH0447524A JP15720390A JP15720390A JPH0447524A JP H0447524 A JPH0447524 A JP H0447524A JP 15720390 A JP15720390 A JP 15720390A JP 15720390 A JP15720390 A JP 15720390A JP H0447524 A JPH0447524 A JP H0447524A
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- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 25
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 23
- 239000000314 lubricant Substances 0.000 claims abstract description 16
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 5
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 claims abstract description 3
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 claims description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 3
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims description 3
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 claims description 2
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 claims 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 abstract description 16
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 abstract description 7
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 abstract description 7
- 238000007747 plating Methods 0.000 abstract description 6
- 230000001050 lubricating effect Effects 0.000 abstract description 4
- VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N methane Chemical compound C VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 4
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 3
- 239000007789 gas Substances 0.000 abstract description 3
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 abstract description 3
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 abstract description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 3
- 229910001096 P alloy Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 150000001721 carbon Chemical class 0.000 abstract description 2
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 abstract description 2
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 4
- 229910000990 Ni alloy Inorganic materials 0.000 abstract 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 abstract 1
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 abstract 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 27
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 6
- 239000004721 Polyphenylene oxide Substances 0.000 description 5
- 125000005010 perfluoroalkyl group Chemical group 0.000 description 5
- 229920000570 polyether Polymers 0.000 description 5
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 4
- OFNHPGDEEMZPFG-UHFFFAOYSA-N phosphanylidynenickel Chemical compound [P].[Ni] OFNHPGDEEMZPFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N Carbon dioxide Chemical compound O=C=O CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N Zirconium dioxide Chemical compound O=[Zr]=O MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- UGFAIRIUMAVXCW-UHFFFAOYSA-N Carbon monoxide Chemical compound [O+]#[C-] UGFAIRIUMAVXCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IGOJDKCIHXGPTI-UHFFFAOYSA-N [P].[Co].[Ni] Chemical compound [P].[Co].[Ni] IGOJDKCIHXGPTI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012300 argon atmosphere Substances 0.000 description 1
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- 229910002092 carbon dioxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001569 carbon dioxide Substances 0.000 description 1
- 229910002091 carbon monoxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 description 1
- 239000006247 magnetic powder Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 230000000750 progressive effect Effects 0.000 description 1
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- MTPVUVINMAGMJL-UHFFFAOYSA-N trimethyl(1,1,2,2,2-pentafluoroethyl)silane Chemical compound C[Si](C)(C)C(F)(F)C(F)(F)F MTPVUVINMAGMJL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Landscapes
- Magnetic Record Carriers (AREA)
- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野］
本発明は、磁気ディスクや磁気テープなどの磁気記録媒
体に関し、さらに詳しくは、保護膜及び潤滑膜を有する
磁気記録媒体に関する。
体に関し、さらに詳しくは、保護膜及び潤滑膜を有する
磁気記録媒体に関する。
磁気記録媒体は、磁性粉を樹脂で固めた塗布型媒体から
変化して金属薄膜を用いた連続薄膜媒体が用いられてい
る。この連続薄膜媒体には磁気ヘッドとの接触、さらに
は摺動による摩耗、損傷を防ぐために磁性膜上に保護膜
及び潤滑膜が被覆されている。
変化して金属薄膜を用いた連続薄膜媒体が用いられてい
る。この連続薄膜媒体には磁気ヘッドとの接触、さらに
は摺動による摩耗、損傷を防ぐために磁性膜上に保護膜
及び潤滑膜が被覆されている。
この保護膜としては、酸化珪素、ジルコニア、カーボン
などが用いられ、その中でもカーボンが最も広く用いら
れている。このカーボンによる保護膜は、その製造方法
としては、アルゴン雰囲気中でスパッタリングするのが
一般的である。
などが用いられ、その中でもカーボンが最も広く用いら
れている。このカーボンによる保護膜は、その製造方法
としては、アルゴン雰囲気中でスパッタリングするのが
一般的である。
また、潤滑剤としては、平均分子量ｉ 、 ｏｏｏ〜３
０．０００のパフロロアルキルポリエーテルが最も多く
用いられている。
０．０００のパフロロアルキルポリエーテルが最も多く
用いられている。
［発明が解決しようとする課題］
上述のような磁気記録媒体に用いられるカーボン膜は、
その膜中に多くの酸素を含んでいるために、磁気ヘッド
との接触を繰り返していると、カーボン膜が一酸化炭素
や二酸化炭素となって昇華し、摩耗が進行する問題があ
った。これを解決するために、スパッタ雰囲気のガスと
して還元性のある水素ガスを添加することが行われてい
る。
その膜中に多くの酸素を含んでいるために、磁気ヘッド
との接触を繰り返していると、カーボン膜が一酸化炭素
や二酸化炭素となって昇華し、摩耗が進行する問題があ
った。これを解決するために、スパッタ雰囲気のガスと
して還元性のある水素ガスを添加することが行われてい
る。
しかしながら、カーボン膜中に酸素が少なくなると、パ
ーフロロアルキルポリエーテルとの結合力が弱くなり、
磁気ヘッドとの摺動によりパーフロロアルキルポリエー
テルが除去されてしまう問題が発生していた。
ーフロロアルキルポリエーテルとの結合力が弱くなり、
磁気ヘッドとの摺動によりパーフロロアルキルポリエー
テルが除去されてしまう問題が発生していた。
上述のような問題を解決するために、本発明では、磁気
記録媒体の磁気膜上に（、−Ｈ結合を有するカーボン膜
を被覆し、さらにその上に少なくとも１以上の極性基を
有する潤滑剤を被覆して構成したことを特徴とするもの
である。
記録媒体の磁気膜上に（、−Ｈ結合を有するカーボン膜
を被覆し、さらにその上に少なくとも１以上の極性基を
有する潤滑剤を被覆して構成したことを特徴とするもの
である。
本発明の磁気記録媒体は、カーボン膜の酸化による摩耗
が防止されると共に、カーボン膜のＣ−Ｈ結合と潤滑剤
の極性基との間に水素結合が生じ、潤滑剤が除去される
ことなく優れた耐へ・ンドクラッシュ性が得られる。
が防止されると共に、カーボン膜のＣ−Ｈ結合と潤滑剤
の極性基との間に水素結合が生じ、潤滑剤が除去される
ことなく優れた耐へ・ンドクラッシュ性が得られる。
以下、本発明の実施例を添付した第１図に基づいて説明
する。
する。
この図は磁気記録媒体の断面を拡大して示す説明図であ
り、符号１で示すアルミニウム基板上にニッケル・リン
めっき層２が、１０μｍの厚さに形成されている。この
ニッケル・リンめっき層２上には、磁性層３としてコバ
ルト・ニッケル・リン合金がおよそその厚さ０．０５μ
ｍにめっきにより形成されている。さらにこの磁性層３
上にはメタン／水素を反応ガスとしたプラズマＣＶＤ法
により保護層としてのカーボン膜４が、はぼ２００人の
厚さに被覆されている。そして、このカーボン膜４上に
極性基を有する潤滑剤’ ＨＯＣＨｚ ＣＦ ｚＯ−
（Ｃ，Ｆ、０）ｐ−（ＣＦ２０）（１−ＣＦ２−ＣＨ２
０Ｈ（Ｐ、Ｑは整数）Ａの希釈液がスビソコートされて
潤滑剤層５が形成されている。
り、符号１で示すアルミニウム基板上にニッケル・リン
めっき層２が、１０μｍの厚さに形成されている。この
ニッケル・リンめっき層２上には、磁性層３としてコバ
ルト・ニッケル・リン合金がおよそその厚さ０．０５μ
ｍにめっきにより形成されている。さらにこの磁性層３
上にはメタン／水素を反応ガスとしたプラズマＣＶＤ法
により保護層としてのカーボン膜４が、はぼ２００人の
厚さに被覆されている。そして、このカーボン膜４上に
極性基を有する潤滑剤’ ＨＯＣＨｚ ＣＦ ｚＯ−
（Ｃ，Ｆ、０）ｐ−（ＣＦ２０）（１−ＣＦ２−ＣＨ２
０Ｈ（Ｐ、Ｑは整数）Ａの希釈液がスビソコートされて
潤滑剤層５が形成されている。
ここで、潤滑剤中の極性基は、ｒ−ｃｏｗ Ｒ（但し、
Ｒは水素又は１ないし６炭素原子のアルキル基）Ｊ、’
０ −ＣＮＲ’ Ｒ“（但し、Ｒ” 、Ｒ“は水素又は１
ないし６炭素原子のアルキル基）」又はｒ−ＯＨＪより
選んだものが使用されている。
Ｒは水素又は１ないし６炭素原子のアルキル基）Ｊ、’
０ −ＣＮＲ’ Ｒ“（但し、Ｒ” 、Ｒ“は水素又は１
ないし６炭素原子のアルキル基）」又はｒ−ＯＨＪより
選んだものが使用されている。
上述のように構成された磁気記録媒体、言い換えると、
Ｃ−Ｈ結合を有するカーボン膜と、その上に極性基をも
つ潤滑膜を被覆した磁気ディスクのＣ３Ｓ （Ｃｏｎｔ
ａｃｔ ５ｔａｒｔ Ｓｔ。
Ｃ−Ｈ結合を有するカーボン膜と、その上に極性基をも
つ潤滑膜を被覆した磁気ディスクのＣ３Ｓ （Ｃｏｎｔ
ａｃｔ ５ｔａｒｔ Ｓｔ。
ｐ）寿命の測定結果を第１表に示しである。
この表は、磁性膜４までは同一構成であり、保護膜５、
潤滑剤６が夫々アルゴンガス雰囲気中でスバ、り法によ
り形成されたカーボンと、パーフロロアルキルポリエー
テルの組み合わせである磁気ディスクと、プラズマＣＶ
Ｄ法により形成されたカーボン膜とパーフロロアルキル
ポリエーテルの組み合わせである磁気ディスクとを用意
し、本発明による磁気ディスクとの３枚を薄膜ヘッド（
材質：アルミナ、チタンカーバイト）でＣ３Ｓを繰り返
し、ヘッドクラッシュが発生するまでの回数を測定した
ものである。
潤滑剤６が夫々アルゴンガス雰囲気中でスバ、り法によ
り形成されたカーボンと、パーフロロアルキルポリエー
テルの組み合わせである磁気ディスクと、プラズマＣＶ
Ｄ法により形成されたカーボン膜とパーフロロアルキル
ポリエーテルの組み合わせである磁気ディスクとを用意
し、本発明による磁気ディスクとの３枚を薄膜ヘッド（
材質：アルミナ、チタンカーバイト）でＣ３Ｓを繰り返
し、ヘッドクラッシュが発生するまでの回数を測定した
ものである。
第 １ 表
以上の結果から明らかなように、Ｃ−Ｈ結合を有するカ
ーボン膜と、極性基を有する潤滑剤層とが形成された本
発明により得たる磁気ディスクは他のディスクに比較し
て優れたＣ３Ｓ特性を有する。
ーボン膜と、極性基を有する潤滑剤層とが形成された本
発明により得たる磁気ディスクは他のディスクに比較し
て優れたＣ３Ｓ特性を有する。
Ｃ発明の効果〕
以上のように、本発明によると、磁性層上にＣ−Ｈ結合
を有するカーボン膜を被膜形成し、その上に少なくとも
１以上の極性基を有する潤滑剤層を被膜するという構成
を採用したことから、カーボンの酸化による摩耗が防止
されると共に、カーボン膜のＣ−Ｈ結合と潤滑剤層の極
性基との間において、水素結合が生じるために潤滑剤が
除去されず、優れた耐ヘツドクラツシユ性能を有する磁
気記録媒体を提供することができる。
を有するカーボン膜を被膜形成し、その上に少なくとも
１以上の極性基を有する潤滑剤層を被膜するという構成
を採用したことから、カーボンの酸化による摩耗が防止
されると共に、カーボン膜のＣ−Ｈ結合と潤滑剤層の極
性基との間において、水素結合が生じるために潤滑剤が
除去されず、優れた耐ヘツドクラツシユ性能を有する磁
気記録媒体を提供することができる。
第１図は本発明の磁気記録媒体の一部を拡大して示す断
面図である。 １・・・・・・アルミニウム基板、２・・・・・・ニッ
ケル・リンめっき層、３・・・・・・磁性層、４・・・
・・・保護膜としてのカーボン膜、５・・・・・・潤滑
膜。 出願人 日 本 電 気 株式会社 代理人 弁理士 高 橋 勇 第 図
面図である。 １・・・・・・アルミニウム基板、２・・・・・・ニッ
ケル・リンめっき層、３・・・・・・磁性層、４・・・
・・・保護膜としてのカーボン膜、５・・・・・・潤滑
膜。 出願人 日 本 電 気 株式会社 代理人 弁理士 高 橋 勇 第 図
Claims (3)
- （１）、磁性膜上に被覆されたＣ−Ｈ結合を有するカー
ボン膜と、このカーボン膜上に被覆され、少なくとも１
以上の極性基を有する潤滑剤層とを備えて成ることを特
徴とした磁気記録媒体。 - （２）、前記カーボン膜が水素ガスを含む雰囲気中で、
スパッタリング法またはプラズマＣＶＤ法、あるいはイ
オンビーム法により形成された請求項１記載の磁気記録
媒体。 - （３）、前記極性基が、「−ＣＯ＿２Ｒ」、▲数式、化
学式、表等があります▼又は「−ＯＨ」等のアルキル基 により成ることを特徴とした請求項１記載の磁気記録媒
体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15720390A JPH0447524A (ja) | 1990-06-15 | 1990-06-15 | 磁気記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15720390A JPH0447524A (ja) | 1990-06-15 | 1990-06-15 | 磁気記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0447524A true JPH0447524A (ja) | 1992-02-17 |
Family
ID=15644460
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15720390A Pending JPH0447524A (ja) | 1990-06-15 | 1990-06-15 | 磁気記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0447524A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07235046A (ja) * | 1994-02-22 | 1995-09-05 | Nec Corp | 磁気記録媒体 |
| US6468617B1 (en) | 1993-07-20 | 2002-10-22 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Apparatus for fabricating coating and method of fabricating the coating |
| US6835523B1 (en) | 1993-05-09 | 2004-12-28 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Apparatus for fabricating coating and method of fabricating the coating |
-
1990
- 1990-06-15 JP JP15720390A patent/JPH0447524A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6835523B1 (en) | 1993-05-09 | 2004-12-28 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Apparatus for fabricating coating and method of fabricating the coating |
| US6468617B1 (en) | 1993-07-20 | 2002-10-22 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Apparatus for fabricating coating and method of fabricating the coating |
| JPH07235046A (ja) * | 1994-02-22 | 1995-09-05 | Nec Corp | 磁気記録媒体 |
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