JPS61208618A - 磁気記録媒体 - Google Patents
磁気記録媒体Info
- Publication number
- JPS61208618A JPS61208618A JP4980985A JP4980985A JPS61208618A JP S61208618 A JPS61208618 A JP S61208618A JP 4980985 A JP4980985 A JP 4980985A JP 4980985 A JP4980985 A JP 4980985A JP S61208618 A JPS61208618 A JP S61208618A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- magnetic recording
- film
- recording medium
- protective film
- tables
- Prior art date
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- Pending
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- Magnetic Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
技術分野
本発明は磁気記録ディスク等の磁気記録媒体に関し、特
に潤滑化が図られかつ保護膜を有する連続膜媒体に関す
る。
に潤滑化が図られかつ保護膜を有する連続膜媒体に関す
る。
従来技術
磁気ディスク等の高密度記録を行う磁気記録媒体に於い
ては従来の磁性粉とバインダを含む塗布型の磁性膜を用
いた塗布型媒体に代わってバインダを含まないめっき、
スパッタ、蒸着等の方法により形成される連続的な磁性
膜を用いた連続膜媒体が提案され始めている。この連続
膜媒体は耐ヘッドクラツシユ性、耐候性若しくは耐蝕性
を与えるために保護膜が設けられることが多く、更に耐
ヘッドクラツシユ性を向上させかつ潤滑性を高めるため
に保護膜表面を潤滑剤により被覆することが行われる。
ては従来の磁性粉とバインダを含む塗布型の磁性膜を用
いた塗布型媒体に代わってバインダを含まないめっき、
スパッタ、蒸着等の方法により形成される連続的な磁性
膜を用いた連続膜媒体が提案され始めている。この連続
膜媒体は耐ヘッドクラツシユ性、耐候性若しくは耐蝕性
を与えるために保護膜が設けられることが多く、更に耐
ヘッドクラツシユ性を向上させかつ潤滑性を高めるため
に保護膜表面を潤滑剤により被覆することが行われる。
この潤滑剤としては塗布型媒体の場合と同様に一〇mF
*m0一単位(m#il乃至4の整数)から成る骨格を
有するパーフロロアルキルボ或いはCF30− (CF
2CF、 O) m −(CF20) n−CF3(m
、nは整数)等が一般に用いられる。しかし乍らこれ等
のパーフロロアルキルポリエーテルは保護膜との結合力
が弱いため装置使用時のディスクの回転によシディスク
の表面から飛散して減少し、最後には全て除去されてし
まうという欠点が有った。またコンタクトスタートスト
ップ方式の装置ではヘッドとディスクの接触によりこの
潤滑剤がディスク表面から除去されてしまう欠点が有っ
た。
*m0一単位(m#il乃至4の整数)から成る骨格を
有するパーフロロアルキルボ或いはCF30− (CF
2CF、 O) m −(CF20) n−CF3(m
、nは整数)等が一般に用いられる。しかし乍らこれ等
のパーフロロアルキルポリエーテルは保護膜との結合力
が弱いため装置使用時のディスクの回転によシディスク
の表面から飛散して減少し、最後には全て除去されてし
まうという欠点が有った。またコンタクトスタートスト
ップ方式の装置ではヘッドとディスクの接触によりこの
潤滑剤がディスク表面から除去されてしまう欠点が有っ
た。
発明の目的
本発明は上記に鑑みて成されたもので6シ、潤滑剤と保
護膜の結合力を高めることによシ潤滑剤が除去されるこ
とを防止した連続膜媒体の磁気記録媒体を提供すること
を目的とする。
護膜の結合力を高めることによシ潤滑剤が除去されるこ
とを防止した連続膜媒体の磁気記録媒体を提供すること
を目的とする。
・発明の構成
本発明による磁気記録媒体は保護膜上に−CmF2mO
(mは1乃至4の整数)から成る骨格を有し、少くとも
一つ以上の官能基を有するパーフロロアルキルポリエー
テルが被覆されていることが特徴である。
(mは1乃至4の整数)から成る骨格を有し、少くとも
一つ以上の官能基を有するパーフロロアルキルポリエー
テルが被覆されていることが特徴である。
以下図面を参照しつつ本発明による磁気記録媒体の実施
例について詳細に説明する。
例について詳細に説明する。
図面は磁気記録媒体の断面を模式的に示しており、アル
ミニウム基板1上にはニッケル・リンめっき膜2がおよ
そ10μ犠の厚さに形成されている。
ミニウム基板1上にはニッケル・リンめっき膜2がおよ
そ10μ犠の厚さに形成されている。
このニッケル・リンめっき膜2上には磁性媒体としてコ
バルト・ニッケル・リン合金がおよそ0.05μ偽の厚
さにめっきされて磁性体層3を形成している。この磁性
体層3上にはテトラヒドロキシシラン(St (OH)
4 )がスピンコードされS i 02保護膜4がほぼ
0.1μ惧の厚さに形成される。この様にして得られた
ディスク上にはさらに官能基を有す1乃至6炭素原子の
アルキル基または−RII/ 0H−C(OH)2 C
mFzm+x (mはl乃至4の電数)の中から選ば
れる。次に、このパーフロロアルキルポリエーテル希釈
液をスピンコードされたディスクを200℃で30分間
焼成することによシディスクが完成する。
バルト・ニッケル・リン合金がおよそ0.05μ偽の厚
さにめっきされて磁性体層3を形成している。この磁性
体層3上にはテトラヒドロキシシラン(St (OH)
4 )がスピンコードされS i 02保護膜4がほぼ
0.1μ惧の厚さに形成される。この様にして得られた
ディスク上にはさらに官能基を有す1乃至6炭素原子の
アルキル基または−RII/ 0H−C(OH)2 C
mFzm+x (mはl乃至4の電数)の中から選ば
れる。次に、このパーフロロアルキルポリエーテル希釈
液をスピンコードされたディスクを200℃で30分間
焼成することによシディスクが完成する。
第1表はこの様にして得られたボリア0ロアルキルボリ
エーテルの被覆5を有するディスクの耐蝕性をテストし
た結果を示している。上記ディスクとの比較のために官
能基のないバー70ロアルキルボリエーテルを用いた点
以外は全く同様の工程で作成されたディスクを用意し、
2枚のダイス上記の結果によシ明らかな様に官能基を有
するポリフロロアルキルポリエーテルを用いた場合は、
浸漬後も膜厚が殆んど変化せず官能基のないポリフロロ
アルキルポリエーテルを用いた場合に比較してはるかに
優れた耐候性を有する。
エーテルの被覆5を有するディスクの耐蝕性をテストし
た結果を示している。上記ディスクとの比較のために官
能基のないバー70ロアルキルボリエーテルを用いた点
以外は全く同様の工程で作成されたディスクを用意し、
2枚のダイス上記の結果によシ明らかな様に官能基を有
するポリフロロアルキルポリエーテルを用いた場合は、
浸漬後も膜厚が殆んど変化せず官能基のないポリフロロ
アルキルポリエーテルを用いた場合に比較してはるかに
優れた耐候性を有する。
次に、前記の例で用いたテトラヒドロキシシランをスピ
ンコードする方法の代わりに、Sin、をターゲットと
したスパッタ法によシ保護膜4を約0.05μ鴇の厚さ
に形成した例について説明する。
ンコードする方法の代わりに、Sin、をターゲットと
したスパッタ法によシ保護膜4を約0.05μ鴇の厚さ
に形成した例について説明する。
この場合のディスクも図面に示された前記の例と同一の
断面の構成を有する。この保護膜4上に前記の例と同様
の官能基を有するパーフロロアルキルポリエーテル HO−CH* CFx0 (CF、CFO)m
(CF!0)n−CF、−C迅OH(m、nは整数)の
希釈液をスピンコードシ200℃で30分焼成し潤滑剤
膜5を形成する。
断面の構成を有する。この保護膜4上に前記の例と同様
の官能基を有するパーフロロアルキルポリエーテル HO−CH* CFx0 (CF、CFO)m
(CF!0)n−CF、−C迅OH(m、nは整数)の
希釈液をスピンコードシ200℃で30分焼成し潤滑剤
膜5を形成する。
以上の様にして作成されたディスクの潤滑剤膜の結合力
をテストした結果が第2表に示されている。上記のディ
スクとの比較のために官能基のないパー70ロアルキル
ホリエーテル F3C−0−’(CF、 CF、 O) m−(CF2
0) n−CF3(m、nは整数)を用いて同様の方法
によシ作成されたディスクを用意し、2枚のディスクを
温度50℃で毎分10 、000回転の回転速度で1,
000時間回転させ、その前後に於ける潤滑剤膜厚を測
定した。
をテストした結果が第2表に示されている。上記のディ
スクとの比較のために官能基のないパー70ロアルキル
ホリエーテル F3C−0−’(CF、 CF、 O) m−(CF2
0) n−CF3(m、nは整数)を用いて同様の方法
によシ作成されたディスクを用意し、2枚のディスクを
温度50℃で毎分10 、000回転の回転速度で1,
000時間回転させ、その前後に於ける潤滑剤膜厚を測
定した。
第2表
上記の結果によシ明らかな如く、官能基の無い場合は潤
滑剤膜が完全に除去されてしまうのに対し、官能基を有
するパーフロロポリアルキルエーテルを用いた場合には
膜厚の減少は僅かである。
滑剤膜が完全に除去されてしまうのに対し、官能基を有
するパーフロロポリアルキルエーテルを用いた場合には
膜厚の減少は僅かである。
また上記の例では保護膜4としてS i O,が用いら
れていたが、この膿にRh、Ni酸化物、NiC0酸化
物、At、o、、TiN、St、N4 、Tic、C等
も用いられる。この様な保護膜4の場合にも官能基を有
するパーフロロポリアルキルエーテルを用いることによ
シ結合力が高められる。またパー70口以上説明した如
く、本発明による磁気記録媒体は保護膜上に一〇mF*
mO一単位(mは1乃至4の整数)から成る骨格を有し
少くとも1以上の官能基を有する潤滑剤を被覆した構造
であるため保護膜と潤滑剤との結合力が高く、優れた耐
ヘッドクラツシユ性、耐候性が得られるものである。
れていたが、この膿にRh、Ni酸化物、NiC0酸化
物、At、o、、TiN、St、N4 、Tic、C等
も用いられる。この様な保護膜4の場合にも官能基を有
するパーフロロポリアルキルエーテルを用いることによ
シ結合力が高められる。またパー70口以上説明した如
く、本発明による磁気記録媒体は保護膜上に一〇mF*
mO一単位(mは1乃至4の整数)から成る骨格を有し
少くとも1以上の官能基を有する潤滑剤を被覆した構造
であるため保護膜と潤滑剤との結合力が高く、優れた耐
ヘッドクラツシユ性、耐候性が得られるものである。
図は本発明による磁気記録媒体の構造の一例を示す断面
図である。 主要部分の符号の説明 1・・・アルミニウム基板 2・・・ニッケル・リンめっキ膜 3・・・磁性体層 4・・・保護膜5・・・潤
滑剤膜
図である。 主要部分の符号の説明 1・・・アルミニウム基板 2・・・ニッケル・リンめっキ膜 3・・・磁性体層 4・・・保護膜5・・・潤
滑剤膜
Claims (5)
- (1)磁気記録層と、該磁気記録層上に設けられた保護
膜と、該保護膜を被覆する−CmF_2mO−単位(m
は1乃至4の整数)から成る骨格を有し少くとも1以上
の官能基を有するパーフロロアルキルポリエーテル膜か
ら成ることを特徴とする磁気記録媒体。 - (2)前記保護膜は金属膜、金属酸化膜、無機酸化膜、
窒化膜、炭化物膜の内の一つであることを特徴とする特
許請求の範囲第1項に記載の磁気記録媒体。 - (3)前記保護膜はRh、Ni酸化物、NiCo酸化物
、SiO_2、Al_2O_3、TiN、SiN_4、
TiC、Cの中から選ばれることを特徴とする特許請求
の範囲第2項に記載の磁気記録媒体。 - (4)前記官能基は−CO_2R(Rは水素、1乃至6
炭素原子のアルキル基)、▲数式、化学式、表等があり
ます▼(R′、R″水素、1乃至6炭素原子のアルキル
基または−R′″OH(R′″は2乃至6炭素原子のア
ルキル基■、−CmH_2m、−CmH_2mNR′R
″、▲数式、化学式、表等があります▼、−C(OH)
_2CmF_2m+1(mは1乃至4の整数)の内から
選ばれることを特徴とする特許請求の範囲第1項乃至第
3項のいずれか一項に記載の磁気記録媒体。 - (5)前記パーフロロアルキルポリエーテルが▲数式、
化学式、表等があります▼、 ▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式、化学式、
表等があります▼ 、▲数式、化学式、表等があります▼ 、▲数式、化学式、表等があります▼ の内から選ばれ、m及びnが整数であることを特徴とす
る特許請求の範囲第1項乃至第4項のいずれか一項に記
載の磁気記録媒体。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP4980985A JPS61208618A (ja) | 1985-03-13 | 1985-03-13 | 磁気記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP4980985A JPS61208618A (ja) | 1985-03-13 | 1985-03-13 | 磁気記録媒体 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS61208618A true JPS61208618A (ja) | 1986-09-17 |
Family
ID=12841455
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP4980985A Pending JPS61208618A (ja) | 1985-03-13 | 1985-03-13 | 磁気記録媒体 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS61208618A (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS61208620A (ja) * | 1985-03-13 | 1986-09-17 | Sony Corp | 磁気デイスク |
JPS63298816A (ja) * | 1987-05-29 | 1988-12-06 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 磁気ディスク媒体 |
JPH05303738A (ja) * | 1992-04-08 | 1993-11-16 | Nec Corp | 磁気記憶体 |
US6365012B1 (en) | 1990-07-24 | 2002-04-02 | Nippon Sheet Glass Co., Ltd. | Magnetic recording medium and a method of manufacturing the same |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5647926A (en) * | 1979-09-21 | 1981-04-30 | Hitachi Ltd | Magnetic recording medium |
JPS56124127A (en) * | 1979-01-08 | 1981-09-29 | Minnesota Mining & Mfg | Magnetic recording medium |
JPS57198542A (en) * | 1981-05-29 | 1982-12-06 | Sekisui Chem Co Ltd | Magnetic recording medium |
-
1985
- 1985-03-13 JP JP4980985A patent/JPS61208618A/ja active Pending
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS56124127A (en) * | 1979-01-08 | 1981-09-29 | Minnesota Mining & Mfg | Magnetic recording medium |
JPS5647926A (en) * | 1979-09-21 | 1981-04-30 | Hitachi Ltd | Magnetic recording medium |
JPS57198542A (en) * | 1981-05-29 | 1982-12-06 | Sekisui Chem Co Ltd | Magnetic recording medium |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS61208620A (ja) * | 1985-03-13 | 1986-09-17 | Sony Corp | 磁気デイスク |
JPS63298816A (ja) * | 1987-05-29 | 1988-12-06 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 磁気ディスク媒体 |
US6365012B1 (en) | 1990-07-24 | 2002-04-02 | Nippon Sheet Glass Co., Ltd. | Magnetic recording medium and a method of manufacturing the same |
JPH05303738A (ja) * | 1992-04-08 | 1993-11-16 | Nec Corp | 磁気記憶体 |
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