JPH0445912A

JPH0445912A - 射出成形機の温度制御方法

Info

Publication number: JPH0445912A
Application number: JP15397090A
Authority: JP
Inventors: Masao Kamiguchi; 賢男上口; Tetsuaki Neko; 哲明根子
Original assignee: Fanuc Corp
Current assignee: Fanuc Corp
Priority date: 1990-06-14
Filing date: 1990-06-14
Publication date: 1992-02-14
Anticipated expiration: 2012-04-09
Also published as: JP2597920B2

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】産業上の利用分野本発明は、射出成形機における加熱シリンダの温度制御
に関する。

従来の技術射出成形機の加熱シリンダの温度制御は、従来、ＰＩＤ
方式の温度制御が行われている。すなわち、加熱シリン
ダの各加熱帯の温度を温度センサ等で検出し、この検出
温度が設定温度になるようにＰ（比例）、■　（積分）
、Ｄ（微分）制御のフィードバック制御が行われている
。そして、このフィードバック制御の比例ゲイン、積分
ゲイン、微分ゲインは最適になるように、ある決められ
た固定１、た値に設定されている。

発明が解決しようとする課題使用する樹脂の種類によって熱を吸収する度合いや、発
熱の度合いが異なる。そのため、温度制御のフィードバ
ックゲインを１組の値に固定している従来の温度制御方
式では、必ずしも使用する樹脂の種類に合った最適の温
度のフィードバック制御が得られないという欠点があっ
た。

また、温度制御の場合、フィードバックゲインを大きく
すると、定常状態では制御系は安定するが、温度上昇状
態から定常状態に移行する際にオーバシュートが生じ制
御が不安定になる。逆に、フィードバックゲインを小さ
くすると、温度上昇状態から定常状態に移行するときに
は制御は安定するが、定常状態では偏差が太き（なると
いう問題がある。

第４図はフィードバックゲインを大きく取ったときにお
ける温度変化を示した図で、温度立上がり時、すなわち
、温度を目標の設定温度まで上昇させるときには、短い
期間で上Ｈするが、ゲインが大きいことからオーバーシ
ュート、アンダーシュートが生じ、安定した定常状態に
なるのに時間を要し、安定した制御が得られない。

一方、第５図は、フィードバックゲインを小さく　した
場合のときの温度変化を示す図で、フィードバックゲイ
ンが小さいことから、温度立上がり時に目標の設定温度
に達するまでに時間がかかると共に、定常状態において
も、温度偏差が大きく、設定温度を保持できないという
問題がある。

以上のように、フィードバックゲインが大きす＋ｊぎても、また、小さすぎても問題があり、フィードバッ
クゲインの最適値を得ることは非常に困齢である。

そこで、本発明の第１の目的は、使用する樹脂に応じて
最適の温度制御が得られる温度制御方式を提供すること
にある。

さらに、本発明の第２の目的は、温度上昇状態から定常
状態に移行する間において、制御系の安定を得ると共に
、定常状態においても、温度偏差を小さくし、安定した
温度制御方法を提供することにある。

課題を解決するための手段本発明は、射出成形機における加熱シリンダの温度を検
出し、該検出温度が設定温度になるようにフィードバッ
ク制御する射出成形機の温度制御方法において、本発明
は、樹脂の種類に応じて最適のフィードバックゲインを
予め射出成形機の制御装置に記憶させておき、制御装置
は、設定された樹脂に対応するフィードバックゲインを
読みだし、その読み出したフィードバックゲインによっ
て温度のフィードバック制御を行うようにする。

また、温度偏差が所定値より大きいときは、上記フィー
ドバック制御系のゲインを小さくシ、上記温度偏差が上
記所定値以下のときには、上記ゲインを大きくすること
によって、温度上昇状態から定常状態に移行する過渡期
においても安定した温度制御を得ると共に、定常状態に
おいても温度偏差の小さい安定した制御を実施できるよ
うにした。

作　　　　用使用する樹脂が制御装置に設定されると、制御装置は、
設定されている樹脂に対応するフィードバックゲインを
読みだし、読み出したフィードバックゲインによって温
度のフィードバック制御を行う。そのため、使用する樹
脂の種類に適したフィードバックゲインを用いて温度が
制御されるから最適の温度制御ができる。

さらに、温度上昇状態時（温度の立上がり時）では、温
度偏差は大きい。このような温度偏差が大きいときには
、フィードバックゲインを小さ（して温度のフィードバ
ック制御を行う。フィードバックゲインが小さいこきか
ら、加熱シリンダの温度が目標とする設定温度に達する
には時間を要するが、射出成形機の射出動作をまだ開始
していないので問題はない。そして、温度偏差が所定値
以下になると、すなわち、定常状態になると、フィード
バックゲインを大きくする。その結果、小さな温度偏差
でも応答がよくなり、温度偏差は小さくなり制御は安定
する。

実施例第２図は、本発明の一実施例の射出成形機の要部ブロッ
ク図である。

第１図において、１はスクリュー、２は加熱シリンダ、
３は射出用のスクリュー１を軸方向に駆動するサーボモ
ータ、４は該サーボモータ３の回転を検出し、スクリュ
ー位置を検出するためのパルスコーダである。加熱シリ
ンダ２は複数の加熱帯に分けられ、各加熱帯にはバンド
ヒータＢ１〜Ｂｎが装着され、各バンドヒータＢ１〜Ｂ
ｎは開閉器７−１〜７−ｎを介して電源６に接続され、
加熱シリンダ２を加熱するようになっている。また、各
加熱帯には温度変換器５の温度センサ部Ｓ１〜Ｓｎが配
設され、各加熱帯の温度を検出するようになっている。

符号２０は、射出成形機を制御する制御装置としての数
値制御装置（以下、ＮＣ装置という）で、該ＮＣ装ｆｆ
１２０はＮＣ用のマイクロプロセッサ（以下、ＣＰＵと
いう）２１とプログラマブルマシンコントローラ（以下
、ＰＭＣという）用のＣＰＵ２２を有しており、２ＭＣ
用ＣＰＵ２２には射出成形機のシーケンス動作を制御す
るシーケンスプログラム等を記憶１．たＲＯＭ２３とデ
ータの一時記憶に用いられるＲＡＭ２４が接続されてい
る。

ＮＣ用ＣＰ　Ｕ　２１には射出成形機を全体的に制御す
る管理プログラムを記憶したＲＯＭ２５および射出用、
クランプ用、スクリュー回転用、エジェクタ用等の各軸
のサーボモータを駆動制御するサーボ回路がサーボイン
ターフェイス２６を介して接続されている。なお、第２
図では射出用サーボモータ３．該サーボモータ３のサー
ボ回路２７のみ図示している。また、２９はバブルメモ
リやＣＭＯＳメモリで構成される不揮発性の共有Ｒ，Ａ
Ｍで、射出成形機の各動作を制御するＮＣプログラム等
を記憶するメモリ部と各種設定値、パラメータ、マクロ
変数を記憶する設定メモリ部とを有している。

３０はバスアービタコントローラ（以下、ＢＡＣという
）で、該ＢＡＣ３０にはＮＣ用ＣＰＵ２１及び２ＭＣ用
ＣＰＵ２２．共有ＲＡＭ２９．入力回路３１．出力回路
３２の各バスが接続され、該ＢＡＣ３０によって使用す
るバスを制御するようになっている。また、３４はオペ
レータパネルコントローラ３３を介してＢΔＣ３０に接
続されたＣＲＴ表示装置付手動データ入力装置（以下、
ＣＲＴ／ＭＤＩという）であり、ソフトキーやテンキー
等の各種操作キーを操作することにより様々な指令及び
設定データの入力ができるようになっている。なお、２
８はＮＣ用ＣＰＵ２１にバス接続されたＲＡＭでデータ
の一時記憶等に利用されるものである。

出力回路３２はサーボ回路２７に接続され、射出用サー
ボモータ３の出力トルクを制限するドルクリミツ）・値
を出力するようになっており、さらに開閉器７−１〜７
−ｎに接続され、該開閉器７−１〜７−ｎをオン、オフ
させ、バンドヒータＢ１〜Ｂｎに電源６を接続してオン
、オフ制御するようになっている。また、温度変換器５
にも接続され、チャンネル（温度センサ部）を指定し、
該チャンネルの検出温度をディジタル信号に変換してＮ
Ｃ装置２０の入力回路３１に出力するようになっている
。

以上のような構成において、ＮＣ装置２０は、共有ＲＡ
Ｍ２９に格納された射出成形機の各動作を制御するＮＣ
プログラム及び上記設定メモリ部に記憶された各種成形
条件等のパラメータやＲＯＭ２３に格納されているシー
ケンスプログラムにより、２ＭＣ用ＣＰＵ２２がシーケ
ンス制御を行いながら、ＮＣ用ＣＰｔＪ２１が射出成形
機の各軸のサーボ回路へサーボインターフェイス２６を
介してパルス分配し、射出成形機を制御するものである
。

第３図は樹脂の種類に応じて最適のフィードバックゲイ
ン等のパラメータを記憶させたテーブルＴの説明図で、
各樹脂毎（樹脂１．樹脂２．・・・樹脂ｉ、・・・）、
加熱帯毎（Ｂｌ、Ｂ２．・・・Ｂｔ。

Ｂｎ、）に最適の温度制御周期ｔｌ）ｌ＋ｓ温度上昇時
における比例、積分、微分ゲインＰｉ、　　　ＩｉＤ：
１．＋１．定常状態時の比例、積分１微分ゲインＰ２□
、１２゜、Ｄ２．、が設定記憶されている。なお、温度
上昇時のゲインは定常状態時のゲインより小さい値に設
定されている。すなわち、Ｐ１□。

〈Ｐ２１ｊ１　Ｉ１１１〈Ｉ２１；、Ｄ　１１１　＜　
Ｄ　２　Ｌ　１である。このようなテーブルＴを共有Ｒ
Ａ、Ｍ２９内に予め設定記憶させておく。もしくは、上
記テーブルＴを外部記憶装置に記憶しておき、使用する
樹脂を設定するときに、記憶装置をオペレータパネルコ
ントローラ３３を介ｊ、てＮＣ装置２０に接続し、使用
する樹脂を設定したとき、設定された樹脂に対応する各
データ、すなわち温度制御周期ｔｐ１、温度上昇時にお
ける比例、積分、微分ゲインＰ　１１ｊ、　　Ｉ　ｉ　
ｌｂ　Ｄ　１　、＋１定常状態時の比例。

積分、微分ゲインＰ２＋１．１２．１．Ｄ２１＋を該テ
ーブルＴから読みだし、共有Ｒ，Ａ、　Ｍ　２９のワー
クメモリ部に実行する温度制御周期ｔｐｌ　Ｓ’１ｆｉ
Ａ度上竹時における比例２積分、微分ゲインＰ：Ｉ−ｉ
、１１ｉ、Ｄｌｉ、定常状態時の比例、積分、微分ゲイ
ンＰ２ｉ、Ｉ２ｉ、Ｄ２ｉ　　（ｉ＝１．２．＝−ｎ）
として設定記憶させる。また、上記テーブル゛Ｆを共有
ＲＡＭ２９に設定記憶させている場合にも、使用する樹
脂が設定されると、該テーブルＴから同様に対応するデ
ータを読みだし共有Ｒ，Ａ、　Ｍ　２９のワークメモリ
部に検定記憶させる。

次に本実施例の動作を説明する。

第１−図（ａ）、　　（ｂ）は本実施例における温度制
御処理のフローチャー１・である。

まず、成形条件設定時において、加熱シリンダの各加熱
帯の設定温度ＴＳｔ　　（ｉ＝１．２．３・・・ｎ）を
設定すると共に、使用する樹脂を設定し、上述したよう
にして、テーブルＴから設定樹脂に対応するデータを読
みだし、共有ＲＡＭ２９のワ冒一りメモリ部に実行する温度制御周期ｔｐｉ、温度上昇
時における比例１積分、微分ゲインＰｌｉＴ：ｌ−ｉ、
Ｄｌｉ、定常状態時の比例、積分、微分ゲインＰ２ｉ、
１２ｉ、Ｄ２ｉ　　（ｉ−１，２゜口）として設定記憶
させる。さらに１、フィードバックゲインを変える温度
偏差の値αを設定記憶させておく。また、他の成形条件
等も設定記憶させておく。

こうｊ、て成形条件を設定した後、射出成形機を稼働さ
せれば、ＮＣ装置２０のＰＭＣ用ＣＰＵ２２は第１−図
（ａ）、　　（＋））に示す温度制御処理を所定周期ご
と開始する。なお、この温度制御処理周期は、加熱帯の
バンドヒータＢ１〜Ｂｎをオン／オフ制御するオン／オ
フ周期より十分短い周期である。

ＰＭＣ用ＣＰＵ２２は、まず、指標ｉを１−にセットシ
（ステップ１．００）、各加熱帯ごとに設けられている
フラグＦ２１〜Ｆ２ｎ、Ｆ１１〜Ｆ１ｎのうち、指標ｉ
に対応するフラグＦ２ｉ、Ｆｌｉが１にセットされてい
るか否か判断する（ステ、Ｌ　　Ｚツブ１０１．１０２）。なお、これらフラグＦ１１〜Ｆ
　１　ｎ、、　　Ｆ　２１〜Ｆ　２　ｎは初期設定で０
にセットされている。フラグＦ２ｉ、Ｆｉｔが１でなけ
れば、ＰＭＣ用ＣＰＵ２２はＢＡ、Ｃ３０，出力回路３
２を介ｊ７て温度変換器５を切換え、指標ｊで示される
温度センサＳｉからの検出温度を入力回路３１に入力さ
せるようにし、この温度センサＳｉからの検出温度Ｔａ
ｉを読み取る（ステップ１０３）。次に、前回バンドヒ
ータＢｉをオンさせるときに検出されていた当該加熱帯
の温度偏差を記憶するＩノジスタＥ　：ｌ−ｊの値をＩ
ノジスタＥＱｉに格納し、設定されている当該加熱帯の
設定温度ＴＳｉからステップ１０３で読み取った検出温
度Ｔａｉを減じて温度偏差を求めＩノジスタＥｌｊに格
納する（ステップ１．０４，１．０５）。そして、温度
偏差の積算値を記憶する１ノジスタＥＳｉにリジスタＥ
ｌｆに記憶する温度偏差の値を加算する（ステップ１０
６）。次にレジスタＥｌｆに記憶した温度偏差の値の絶
対値が設定値α以上か否か判断しくステップ１０７）、
設定値α以上であれば（始めは設定値α以上である）、
共有ＲＡ、　Ｍ　２９のワークメモリ上に設定されてい
る温度上昇時の値の小さいゲインＰｌｉ、Ｉｌｉ、ＤＩ
　ｉを読みだし読み出したゲインを用いてオン時間ｔｏ
ｎを算出する。すなわち、次の第１式で示す演算を行っ
てオン時間ｔｏｎを算出する（ステップコ０８）。

↑ｏｎ＝Ｐ１ｉ・Ｅ１ｉ＋ｌ１ｉＩＩＥＳｉ−ト　Ｄｉ
　　ｉ、　　　＠　　　（Ｅｌ　　１−ＥＯｉ）・（１
）なお第１式において、Ｅｌｊ、ＥＳｉ、ＥＯｉは夫々の
１ノジスタの値、すなわち、現時点において検出された
温度偏差、温度偏差の積算値、前回検出された温度偏差
を意味する。

こうして求められたオン時間ｔｏｎが当該加熱帯ｆｊ）
に設定されワークメモリ」二に記憶されている温度制御
周期（オン／オフ周期）ｔ、ｐｉより大きいか否か判断
し、大きいときのみオン時間をこの温度制御周期（オン
／オフ周期）ｔｐｉに変える（ステップ１１０．１１−
１．）。すなわち、温度制御周期（オン／オフ周期）全
期間をオン時間とする。次に、温度制御周期（オン／オ
フ周期）ｔｐｉからオン時間ｔｏｎを減じてオフ時間ｔ
Ｏｆｆを求め（ステップ１１２）、タイマＴｌ　ｉ。

Ｔ２ｉに夫々オン時間ｔ、ｏｎ、オフ時間ｔｏｆｆを設
定する（ステップ１１３，１１４）。そして、タイマＴ
１ｉをスタートさせると共にＢＡＣ３０゜出力回路３２
を介して開閉器７−ｉをオンに１．指標ｉに対応する加
熱帯のバンドヒータＢｉを作動させ、フラグＦｌｉを１
にセットする（ステップ１１５．１１６，１１７）。次
にタイマＴ１ｉがタイムアツプしたか否か判断しくステ
ップ１１８）、始めはタイムアツプしていないので、ス
テップ１２４に移行し、指標ｉを１インクリメンＩ−Ｌ
、、該指標ｊが加熱帯の数（バンドヒータの数）ｎ以下
か否か判断しくステップ１２５）、ｎ以下であれば、ス
テップ１−０１に戻りステップ１−０１−以下の処理を
繰り返す。

射出成形機の稼働開始直後ではフラグＦ２］−〜Ｆ２ｎ
、Ｆｌｌ−１〜Ｆｉｎは初期設定でＯであり、各温度偏
差（Ｅ１１〜Ｅｉｎ、）は設定値αより大きいので、指
標ｉがｎを越えるまでステップ１０１−〜↑０８，１１
０　ｃ、１：ｌｉ、）、１１２〜１１８．１２４，１２
５の処理が繰り返し実施され、各バンドヒータＢ１〜Ｂ
　Ｔｌは大きいゲインのＰＩ３−〜Ｐ’、Ｉ　ｎ、　　
Ｉ　］、　１〜Ｉ　：１．ｎ、　Ｄｉ　１〜Ｄ　ｉｎに
よって算出されたオン時間によって各加熱帯を加熱する
ことになる。

こうして、各バンドヒータＢ１〜Ｂｎを作動開始させ、
指標ｊがバンドヒータの数ｎを越えると、当該処理周期
の処理は終了する。

次の処理周期では、各フラグＦ１１〜Ｆｉｎが１にセッ
トされていることから、ステップ１００゜１０１の処理
をし、ステップ１−０２からステップ１コ８に移行して
タイマＴｌｉがタイムアツプしたか否か判断し、タイム
アツプしてなければステップ１−２４に移行し、指標ｉ
を１インクリメントし、該指標ｊがｎ以下であればステ
ップ１０１に戻り、指標ｉがｎを越えるまでステップ１
０１゜：ｌ−０２，’、１．’、ｌ−８，１−２４，：
１．２５の処理を繰り返；７、当該処理周期の処理を終
了する。

次の処理周期以降も、上述した処理を繰り返すが、ステ
ップ１−１８でタイマ゛ｒ１１がタイムアツプしたこと
が検出されると、ＢＡＣ３０，出力回路３２を介して、
指標ｉに対応する開閉器７をオフにしくステップ１１９
）、フラグＦ　１　ｉを０、Ｆ２ｉを１にセットする（
ステップ１２０）。

そして、タイマＴ２ｉをスタートさせ、ステップ１１４
で設定されたオン時間ｔｏｆｆの計測を開始しくステッ
プ１２１）、該タイマＴ２ｉがタイムアツプしたか否か
判断しくステップ１２２）、タイムアツプしてなければ
、ステップ１２４に移行し、指標ｉを１インクリメンｌ
−１，、指標ｉがｎを越えてなければ、ステップ１０１
に戻り上述した処理を繰り返す。

こうして、タイマＴ１１がタイムアツプしてオン時間が
経過したものは開閉器がオフとなりオフ時間の計測が開
始される。

そして、次の周期からはフラグＦ２ｉが１でオフ時間の
計測を開始しているものはステップ１０１−からステッ
プ１２２に移行し、タイマＴ２ｉがタイムアツプしたか
否か判断され、また、オン時間中のものはステップ１−
０２からステップ］１−８に移行して上述した処理が繰
り返されることとなる。

また、ステップ１２２でタイマＴ２ｉがタイムアツプし
たことが検出されると、フラグＦ２ｉを０にセットする
。このようにしてフラグＦ２　ｉ。

Ｆｉｔが０となると、次の処理周期では、前述したステ
ップ１０３以下の処理が実施されることとなる。

ＰＭＣ用ＣＰＵ２２は上述した処理を処理周期ごと繰り
返１７、各開閉器７−１〜７−ｎをオン／オフし、各バ
ンドヒータＢ１〜Ｂｎによって夫々の加熱帯を加熱する
ことになる。かくして、加熱帯の温度が上昇ＩＪ、設定
温度に近付き、温度偏差（Ｅｉｉ）が設定値αより小さ
くなると、ＰＭＣ用ＣＰＵ２２はステップ１０７でこれ
を検出し、ステップ１０９に移行してワークメモリから
定常状態時の各フィードバックゲインＰ２ｉ、Ｔ２ｉ。

Ｄ２ｉを読みだし、この読み出した大きいゲインで、次
の第２式の演算を行ってオン時間ｔｏｎを算出する。

ｔｏｎ＝Ｐ２ｉ−Ｅ１ｉ＋Ｉ２ｉφＥＳｉ＋Ｄ２１＠　
（Ｅｌｌ−ＥＯｌ）・・・（２）なお第２式において、Ｅｉｉ、ＥＳｉ、ＥＯｉは夫々の
１ノジスタの値、すなわち、現時点において検出された
温度偏差、温度偏差の積算値、前回検出された温度偏差
を意味する。

そして前述した処理を繰り返し実施することとなる。

こうして、温度偏差が大きいときには、小さいフィード
バックゲイン、ＰＩ　ｉ、　　Ｉ　１−　ｉ、　　Ｄ：
Ｉ−ｉによってオン時間ｔｏｎが算出され、温度偏差が
小さいときには大きいフィードバックゲイン、Ｐ２ｉ、
１２ｉ、Ｄ２ｔによってオン時間が算出され、算出され
たオン時間によって設定されている温度制御周期（オン
／オフ周期）ｔｐｉ中、開閉器７−ｔをオンにし各加熱
帯をオン／オフ制御することになる。

第６図は、本実施例による温度制御による温度変化の状
態を示す図で、温度が上昇し温度偏差が設定された値α
以下になると、フィードバックゲインは小さい値から、
大きい値に変えられて温度制御が行われ、温度上昇時（
温度立上がり時）にはフィードバークゲインが小さいの
で、第４図に示すようなオーバシュート、アンダーシュ
ートが起きず、制御は安定となる。また、定常状態にお
いては、フィードバックゲインが大きいので第５図に示
すように温度偏差が大きくなることはなく安定した温度
制御が行われる。

なお、上記実施例においては樹脂の種類、加熱帯に応じ
て、温度制御周期ｊｐ＋＋ｓ温度上７時における比例１
積分、微分ゲインＰ１．．．．ｌＩＤ１，１、定常状態
時の比例、積分、微分ゲインＰ２１ｊ、Ｉ２１１．Ｄ２
１ｊをテーブルに記憶させていたが、温度制御周期が各
加熱帯に対して同一であれば、樹脂の種類ごとに温度制
御周期を設定記憶させておけばよく、また、すべての樹
脂に対して同一温度制御周期であれば、テーブルに設定
せずプログラム化しておいてもよい。さらに、フィード
バックゲインを温度上４時と定常状態時に分ける必要が
なければ、樹脂の種類ごと（さらには加熱帯ごと）に１
組のフィードバックゲインをテーブルに設定記憶させて
おけばよい。また、樹脂の種類ごとにフィードバックゲ
インを変えずに、温度上昇時か定常状態時かに応じてフ
ィードバックゲインを変えるようにする場合には、加熱
帯ごとに温度上昇時、定常状態時のフィードバックゲイ
ンをテーブルに設定記憶させておけばよい。

また、本実施例では、温度上昇時用と定常状態用の２種
類のフィードバックゲインを用い、そのときの状態に応
じて切換え使用したが、温度偏差の大小に応じて複数の
フィードバックゲインを用意して温度偏差に応じて切換
えてもよい。また、本実施例では樹脂別にフィードバッ
クゲインを切換えたが、外気温や風速に応じてフィード
バックゲイン切換えてもよい。

発明の効果本発明においては、使用する樹脂に対１７てその樹脂に
最適のフィードバックゲインを選択し、使用できるよう
にし、だので、最適の温度制御が可能になる。また、制
御対象の加熱シリンダの状態に応じて温度制御のフィー
ドバックゲインを変えて、加熱シリンダの温度を設定温
度に対してオーバシュート、アンダーシュートが生じな
いように、もしくは、生じても小さなものとし、かつ温
度偏差も小さく制御するように１．たので、安定した温
度制御を得ることができる。そして、従来のように、温
度」二昇時にも、また、定常状態時にも安定した制御状
態を得るよ・うな、最適の１つの固定したフィードバッ
クゲインを求める必要がないので制御系の設定が非常に
簡単になる。

【図面の簡単な説明】

第１図（ａ）、　　（ｂ）は、本発明の一実施例の温度
制御のフローチャート、第２図は同実施例の要部ブロッ
ク図、第３図は、温度制御のパラメータを記憶するテー
ブルの説明図、第４図は、温度制御のフィードバックゲ
インを大きな値に固定したときの温度変化を示す説明図
、第５図は、温度制御のフィードバックゲインを小さな
値に固定したときの温度変化を示す説明図、第６図は、
本発明の実施例における温度制御の温度変化を示す説明
図である。］−・・・スクリュー、２・・・加熱シリンダ、Ｂ１−
〜Ｂｎ・・・バンドヒータ、Ｓ１〜Ｓｎ・・・センサ部
、７−１〜７−ｎ・・・開閉器、６・・・電源、５・・
・温度変換器、２０・・・数値制御装置。ヒ

Claims

【特許請求の範囲】

（１）射出成形機における加熱シリンダの温度を検出し
、該検出温度が設定温度になるようにフィードバック制
御する射出成形機の温度制御方法において、樹脂の種類
毎に上記フィードバック系のゲインを予め制御装置に記
憶させておき、制御装置は、設定された樹脂に対応する
フィードバックゲインを読み出し、読み出したゲインに
基づいて温度のフィードバック制御を行うようにした射
出成形機の温度制御方法。
（２）射出成形機における加熱シリンダの温度を検出し
、該検出温度が設定温度になるようにフィードバック制
御する射出成形機の温度制御方法において、設定温度と
検出温度の差である温度偏差が所定値より大きいときは
、上記フィードバック制御系のゲインを小さくし、上記
温度偏差が上記所定値以下のときには、上記ゲインを大
きくすることを特徴とする射出成形機の温度制御方法。
（３）射出成形機における加熱シリンダの温度を検出し
、該検出温度が設定温度になるようにフィードバック制
御する射出成形機の温度制御方法において、樹脂の種類
毎に温度上昇状態時のフィードバックゲインと温度定常
状態時のフィードバックゲインとを予め制御装置に記憶
させておき、制御装置は、設定された樹脂に対応するフ
ィードバックゲインを読み出し、設定温度と検出温度の
差である温度偏差が所定値より大きいときは、温度上昇
状態時のフィードバックゲインを用い、上記温度偏差が
上記所定値以下のときには、定常状態時のフィードバッ
クゲインを用いて制御することを特徴とする射出成形機
の温度制御方法。