JPH0441171Y2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0441171Y2 JPH0441171Y2 JP11092986U JP11092986U JPH0441171Y2 JP H0441171 Y2 JPH0441171 Y2 JP H0441171Y2 JP 11092986 U JP11092986 U JP 11092986U JP 11092986 U JP11092986 U JP 11092986U JP H0441171 Y2 JPH0441171 Y2 JP H0441171Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- bubbling
- raw material
- tank
- material liquid
- gas
- Prior art date
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- Expired
Links
- 230000005587 bubbling Effects 0.000 claims description 42
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 38
- 239000002994 raw material Substances 0.000 claims description 32
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 26
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 claims description 15
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 claims description 6
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 claims description 5
- 208000037998 chronic venous disease Diseases 0.000 description 6
- 229910003902 SiCl 4 Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000007664 blowing Methods 0.000 description 1
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000011144 upstream manufacturing Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本考案は化学気相蒸着処理における原料ガスの
供給装置に関する。
供給装置に関する。
［従来の技術及びその問題点］
化学気相蒸着法（以下、CVD法と称す）によ
り金属表面にSi等の蒸着物を生成させる処理が行
われる。このような処理では、常温で液体、高温
で強い腐食性をもつ物質を原液の状態からガス化
し、これを高温状態にしてキヤリアガスとともに
CVD処理炉に導く必要がある。
り金属表面にSi等の蒸着物を生成させる処理が行
われる。このような処理では、常温で液体、高温
で強い腐食性をもつ物質を原液の状態からガス化
し、これを高温状態にしてキヤリアガスとともに
CVD処理炉に導く必要がある。
従来このような処理用ガスは、バブリングタン
ク内に入れられた原料液（例えば、SiCl4液）中
にキヤリアガス（例えばArガス）を吹き込み、
該キヤリアガスを原料液の蒸気で飽和蒸気圧状態
にして取り出すことにより得られ、この処理ガス
は加熱後、CVD処理炉に送り込まれる。
ク内に入れられた原料液（例えば、SiCl4液）中
にキヤリアガス（例えばArガス）を吹き込み、
該キヤリアガスを原料液の蒸気で飽和蒸気圧状態
にして取り出すことにより得られ、この処理ガス
は加熱後、CVD処理炉に送り込まれる。
しかし、連続式CVD処理プロセスでは大量の
処理ガスを必要とするためバブリングタンク内の
液量の変化が激しく、このため処理用ガス濃度が
不安定となるという大きな問題がある。また、バ
ブリング中タンク内に原料液を補給する必要があ
るため、補給装置が複雑で且つその操作が難し
く、長時間の安定操業が困難となる。
処理ガスを必要とするためバブリングタンク内の
液量の変化が激しく、このため処理用ガス濃度が
不安定となるという大きな問題がある。また、バ
ブリング中タンク内に原料液を補給する必要があ
るため、補給装置が複雑で且つその操作が難し
く、長時間の安定操業が困難となる。
本考案はこのような従来の問題に鑑みなされた
もので、処理用ガスをCVD処理設備に常に安定
して供給することができ、しかも原料液の補給も
複雑な操作を伴うことなく自動的に行わしめるこ
とができる装置の提供をその目的とする。
もので、処理用ガスをCVD処理設備に常に安定
して供給することができ、しかも原料液の補給も
複雑な操作を伴うことなく自動的に行わしめるこ
とができる装置の提供をその目的とする。
［問題を解決するための手段］
このため本考案は、バブリングタンクを備え、
該バブリングタンク内に入れられた原料液中にキ
ヤリアガスを吹込み、該キヤリアガスを原料液の
蒸気で飽和蒸気圧状態にして取り出すようにした
化学気相蒸着処理設備における処理用ガス供給装
置において、複数のバブリングタンクと、キヤリ
アガスを前記複数のバブリングタンクに順次供給
してバブリングさせるガス供給配管と、内部にオ
ーバーフロー槽を備えた原料液供給タンクと、一
端が前記オーバーフロー槽に接続され、分岐した
他端が前記各バブリングタンクに接続された原料
液供給配管と、前記オーバーフロー槽に原料液を
供給するための供給配管とからなることをその基
本的特徴とする。
該バブリングタンク内に入れられた原料液中にキ
ヤリアガスを吹込み、該キヤリアガスを原料液の
蒸気で飽和蒸気圧状態にして取り出すようにした
化学気相蒸着処理設備における処理用ガス供給装
置において、複数のバブリングタンクと、キヤリ
アガスを前記複数のバブリングタンクに順次供給
してバブリングさせるガス供給配管と、内部にオ
ーバーフロー槽を備えた原料液供給タンクと、一
端が前記オーバーフロー槽に接続され、分岐した
他端が前記各バブリングタンクに接続された原料
液供給配管と、前記オーバーフロー槽に原料液を
供給するための供給配管とからなることをその基
本的特徴とする。
［作用］
本考案装置では、複数のバブリングタンクにキ
ヤリアガスを次々と通してバブリングすることに
より安定した濃度を有する処理ガスを得ることが
できる。すなわち、ガス供給管を通るキヤリアガ
スは複数のバブリングタンクを順番に経由して各
タンクでバブリングがなされ、これにより原料液
を安定した精度で飽和蒸気圧にすることができ
る。
ヤリアガスを次々と通してバブリングすることに
より安定した濃度を有する処理ガスを得ることが
できる。すなわち、ガス供給管を通るキヤリアガ
スは複数のバブリングタンクを順番に経由して各
タンクでバブリングがなされ、これにより原料液
を安定した精度で飽和蒸気圧にすることができ
る。
また各バブリングタンクは原料液供給タンクの
オーバーフロー槽と連通しており、このため各バ
ブリングタンクの液面レベルはオーバーフロー槽
の液面レベルに支配され、オーバーフロー槽で常
に原料液をオーバーフロー状態としておくことに
より各バブリングタンク内の液面レベルは自動的
に常に一定に保たれる。
オーバーフロー槽と連通しており、このため各バ
ブリングタンクの液面レベルはオーバーフロー槽
の液面レベルに支配され、オーバーフロー槽で常
に原料液をオーバーフロー状態としておくことに
より各バブリングタンク内の液面レベルは自動的
に常に一定に保たれる。
［実施例］
第１図は本考案の一実施例を示すものである。
本考案の装置は、複数のバブリングタンクＡ〜
Ｃと、キヤリアガスを前記複数のバブリングタン
クに順次供給してバブリングさせるガス供給配管
１と、内部にオーバーフロー槽２１を備えた原料
液供給タンク２と、オーバーフロー槽２１とバブ
リングタンクＡ〜Ｃを連絡する原料液供給配管３
と、オーバーフロー槽２１に原料を供給するため
の供給配管４とから構成されている。
Ｃと、キヤリアガスを前記複数のバブリングタン
クに順次供給してバブリングさせるガス供給配管
１と、内部にオーバーフロー槽２１を備えた原料
液供給タンク２と、オーバーフロー槽２１とバブ
リングタンクＡ〜Ｃを連絡する原料液供給配管３
と、オーバーフロー槽２１に原料を供給するため
の供給配管４とから構成されている。
前記バブリングタンクＡ〜Ｃは密閉式のタンク
であり、連続的に配置されている。
であり、連続的に配置されている。
前記ガス供給配管１は、本管５、この本管５か
ら各バブリングタンク内に延出するバブリング管
６及びガス取出管７から構成されている。また各
バブリングタンクに対応したバブリング管接続位
置とガス取出管接続位置との間のガス供給部位に
は遮断弁８が設けられ、さらに、各バブリング管
６及びガス取出管７にもそれぞれ遮断弁９が設け
られている。
ら各バブリングタンク内に延出するバブリング管
６及びガス取出管７から構成されている。また各
バブリングタンクに対応したバブリング管接続位
置とガス取出管接続位置との間のガス供給部位に
は遮断弁８が設けられ、さらに、各バブリング管
６及びガス取出管７にもそれぞれ遮断弁９が設け
られている。
前記原料液供給タンク２は密閉式であり、その
内部にオーバーフロー槽２１が配設されている。
内部にオーバーフロー槽２１が配設されている。
前記原料液供給配管３は、一端がオーバーフロ
ー槽２１の底部に接続され、他端側が分岐し、各
分岐管３１が各バブリングタンクの底部に接続さ
れている。
ー槽２１の底部に接続され、他端側が分岐し、各
分岐管３１が各バブリングタンクの底部に接続さ
れている。
前記供給配管４は、系外から原料液を供給する
本管４１と、オーバーフロー槽２１からオーバー
フローした原料液を上記本管４１に戻して循環使
用するための返送管４２とから構成され、この返
送管４２はポンプ１０を備えている。
本管４１と、オーバーフロー槽２１からオーバー
フローした原料液を上記本管４１に戻して循環使
用するための返送管４２とから構成され、この返
送管４２はポンプ１０を備えている。
第２図は本考案の他の実施例を示すもので、ガ
ス供給配管１を、全バブリングタンクＡ〜Ｃを直
列的に結ぶような配管系としたものである。すな
わち、隣接するバブリングタンク間において上流
側のタンクのガス取出管７′が次の下流側のタン
クにバブリング管８′として延出している。なお、
その他の構成は第１図と同様である。
ス供給配管１を、全バブリングタンクＡ〜Ｃを直
列的に結ぶような配管系としたものである。すな
わち、隣接するバブリングタンク間において上流
側のタンクのガス取出管７′が次の下流側のタン
クにバブリング管８′として延出している。なお、
その他の構成は第１図と同様である。
以上のような本考案の装置では、キヤリアガス
は複数のバブリングタンクを順番に経由して各タ
ンクでバブリングがなされ、これにより処理ガス
を安定した精度で飽和蒸気圧にすることができ
る。このようなキヤリアガスの流れは、第１図の
場合には、本管５の各遮断弁８を閉じることによ
り得ることができる。
は複数のバブリングタンクを順番に経由して各タ
ンクでバブリングがなされ、これにより処理ガス
を安定した精度で飽和蒸気圧にすることができ
る。このようなキヤリアガスの流れは、第１図の
場合には、本管５の各遮断弁８を閉じることによ
り得ることができる。
またオーバーフロー槽２１と各バブリングタン
クＡ〜Ｃは原料液供給配管３により連通している
ため、この配管を通じ、各バブリングタンクに常
に原料液Ｐの補給がなされ、オーバーフロー槽２
１で原料液をオーバーフローさせておくことによ
り、各バブリングタンク内の液面レベルは常にオ
ーバーフロー槽の液面レベルと同じに維持され
る。
クＡ〜Ｃは原料液供給配管３により連通している
ため、この配管を通じ、各バブリングタンクに常
に原料液Ｐの補給がなされ、オーバーフロー槽２
１で原料液をオーバーフローさせておくことによ
り、各バブリングタンク内の液面レベルは常にオ
ーバーフロー槽の液面レベルと同じに維持され
る。
オーバーフロー槽からオーバーフローした原料
液Ｐは返送管４２により本管４１に戻され、循環
使用される。
液Ｐは返送管４２により本管４１に戻され、循環
使用される。
なお、本考案の装置はSiCl4を原料ガスとする
CVD処理等、任意なCVD処理プロセスに適用す
ることができる。
CVD処理等、任意なCVD処理プロセスに適用す
ることができる。
［考案の効果］
以上述べた本考案によれば、キヤリアガスを複
数のバブリングタンクで連続的にバブリング処理
し、しかもバブリングタンクの液量を常に一定に
保つた操業を行うことができるため、飽和蒸気圧
のSiCl4含有ガスを安定して供給することができ
る効果がある。
数のバブリングタンクで連続的にバブリング処理
し、しかもバブリングタンクの液量を常に一定に
保つた操業を行うことができるため、飽和蒸気圧
のSiCl4含有ガスを安定して供給することができ
る効果がある。
第１図は本考案の一実施例を示す説明図であ
る。第２図は本考案の他の実施例を示す説明図で
ある。 図において、Ａ〜Ｃはバブリングタンク、１は
ガス供給管、２は原料液供給タンク、３は原料液
供給配管、４は供給配管、２１はオーバーフロー
槽である。
る。第２図は本考案の他の実施例を示す説明図で
ある。 図において、Ａ〜Ｃはバブリングタンク、１は
ガス供給管、２は原料液供給タンク、３は原料液
供給配管、４は供給配管、２１はオーバーフロー
槽である。
Claims (1)
- バブリングタンクを備え、該バブリングタンク
内に入れられた原料液中にキヤリアガスを吹込
み、該キヤリアガスを原料液の蒸気で飽和蒸気圧
状態にして取り出すようにした化学気相蒸着処理
設備における処理用ガス供給装置において、複数
のバブリングタンクと、キヤリアガスを前記複数
のバブリングタンクに順次供給してバブリングさ
せるガス供給配管と、内部にオーバーフロー槽を
備えた原料液供給タンクと、一端が前記オーバー
フロー槽に接続され、分岐した他端が前記各バブ
リングタンクに接続された原料液供給配管と、前
記オーバーフロー槽に原料液を供給するための供
給配管とからなることを特徴とする化学気相蒸着
処理原料ガス供給装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11092986U JPH0441171Y2 (ja) | 1986-07-18 | 1986-07-18 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11092986U JPH0441171Y2 (ja) | 1986-07-18 | 1986-07-18 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6319570U JPS6319570U (ja) | 1988-02-09 |
| JPH0441171Y2 true JPH0441171Y2 (ja) | 1992-09-28 |
Family
ID=30990387
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11092986U Expired JPH0441171Y2 (ja) | 1986-07-18 | 1986-07-18 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0441171Y2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5155895B2 (ja) * | 2009-01-27 | 2013-03-06 | 日本エア・リキード株式会社 | 充填容器内の液体材料の供給装置および該液体材料の供給装置における充填容器内の液面管理方法 |
| JP6258720B2 (ja) * | 2014-02-07 | 2018-01-10 | 住友化学株式会社 | ハイドライド気相成長装置、およびこれを用いた基板処理方法 |
| JP6695701B2 (ja) | 2016-02-03 | 2020-05-20 | 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス | 処理液気化装置と基板処理装置 |
-
1986
- 1986-07-18 JP JP11092986U patent/JPH0441171Y2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6319570U (ja) | 1988-02-09 |
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