JPH04373192A - 発光素子の製造方法 - Google Patents
発光素子の製造方法Info
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- JPH04373192A JPH04373192A JP17585491A JP17585491A JPH04373192A JP H04373192 A JPH04373192 A JP H04373192A JP 17585491 A JP17585491 A JP 17585491A JP 17585491 A JP17585491 A JP 17585491A JP H04373192 A JPH04373192 A JP H04373192A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、発光素子の製造方法に
関し、特に半導体レーザのような端面発光型発光素子の
特性選別方法に関する。
関し、特に半導体レーザのような端面発光型発光素子の
特性選別方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】この種従来の発光装置の製造方法につい
て半導体レーザを例に挙げ、図３、図４を参照して説明
する。まず、図３に示すように、厚さ４５０μｍのｎ型
ＩｎＰ基板１にＩｎＧａＡｓＰ活性層２、ｐ型ＩｎＰク
ラッド層３を結晶成長させ、このエピタキシャルウェハ
に溝を形成した後、ｐ型ＩｎＰブロック層４、ｎ型Ｉｎ
Ｐ層５、ｐ型ＩｎＰ層６、ｐ型ＩｎＧａＡｓＰキャップ
層７、をそれぞれ結晶成長させる。次に、メサ溝８を形
成し、その上にＳｉＯ２ 膜９を形成し、図３に示す電
極形成前ウェハの製造を完了する。
て半導体レーザを例に挙げ、図３、図４を参照して説明
する。まず、図３に示すように、厚さ４５０μｍのｎ型
ＩｎＰ基板１にＩｎＧａＡｓＰ活性層２、ｐ型ＩｎＰク
ラッド層３を結晶成長させ、このエピタキシャルウェハ
に溝を形成した後、ｐ型ＩｎＰブロック層４、ｎ型Ｉｎ
Ｐ層５、ｐ型ＩｎＰ層６、ｐ型ＩｎＧａＡｓＰキャップ
層７、をそれぞれ結晶成長させる。次に、メサ溝８を形
成し、その上にＳｉＯ２ 膜９を形成し、図３に示す電
極形成前ウェハの製造を完了する。
【０００３】このウェハに、図４の（ａ）に示すように
、各素子毎に分離した表面電極１０を形成し、ウェハの
厚さを１００μｍとする裏面研磨を行い、全面に裏面電
極１１を形成する。表面電極１０は、ＣｒＡｕＴｉＰｔ
Ａｕ、裏面電極１１はＡｕＧｅＡｕＮｉ等の多層膜をそ
れぞれ蒸着して形成される。
、各素子毎に分離した表面電極１０を形成し、ウェハの
厚さを１００μｍとする裏面研磨を行い、全面に裏面電
極１１を形成する。表面電極１０は、ＣｒＡｕＴｉＰｔ
Ａｕ、裏面電極１１はＡｕＧｅＡｕＮｉ等の多層膜をそ
れぞれ蒸着して形成される。
【０００４】次に、メサ溝８方向と垂直の面で、３００
μｍピッチで劈開を行い、図４の（ｂ）に示すように、
ウェハをバー１４に分割する。
μｍピッチで劈開を行い、図４の（ｂ）に示すように、
ウェハをバー１４に分割する。
【０００５】次に、図４の（ｃ）に示すように、バー１
４を金メッキの施されたステージ１５上に載せ固定し、
プローブ１６を表面電極１０に接触させることによりペ
レットの特性測定を行う。光出力の測定は受光素子１７
に流れる光電流により行う。選別は電流−電圧特性、電
流−光出力特性による。１つの素子の測定が終了する毎
に、プローブ１６は一旦表面電極から離れ、ステージ１
５がペレット間隔の３００μｍステップで移動した後、
プローブ１６は再び降下して、次の素子の測定を行う。 以下、同様の工程を経てバー１４の全ペレットについて
自動的に特性選別を行う。
４を金メッキの施されたステージ１５上に載せ固定し、
プローブ１６を表面電極１０に接触させることによりペ
レットの特性測定を行う。光出力の測定は受光素子１７
に流れる光電流により行う。選別は電流−電圧特性、電
流−光出力特性による。１つの素子の測定が終了する毎
に、プローブ１６は一旦表面電極から離れ、ステージ１
５がペレット間隔の３００μｍステップで移動した後、
プローブ１６は再び降下して、次の素子の測定を行う。 以下、同様の工程を経てバー１４の全ペレットについて
自動的に特性選別を行う。
【０００６】最後に３００μｍピッチでのダイシングを
行い、ブレーキングを行って各チップに分離する。
行い、ブレーキングを行って各チップに分離する。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】上述した従来の発光素
子の製造方法では、特性チェック装置へのバー供給のた
めに、バーを整列させる必要があり、また、１本１本の
バーを精度よく位置決めしてから特性測定する必要があ
った。従って、従来のウェハをバーに分割してからペレ
ットの特性選別を行う方法では、作業時間が長く、量産
性に乏しく、コストが高くつくという問題点があった。
子の製造方法では、特性チェック装置へのバー供給のた
めに、バーを整列させる必要があり、また、１本１本の
バーを精度よく位置決めしてから特性測定する必要があ
った。従って、従来のウェハをバーに分割してからペレ
ットの特性選別を行う方法では、作業時間が長く、量産
性に乏しく、コストが高くつくという問題点があった。
【０００８】また、特性チェック装置へのバー供給のた
めのハンドリングにより、バーのかけ、割れが生じると
いう問題点もあった。また、バーの長尺化も化合物半導
体のもろさのため限度があり、チップのコストダウンに
限界があった。
めのハンドリングにより、バーのかけ、割れが生じると
いう問題点もあった。また、バーの長尺化も化合物半導
体のもろさのため限度があり、チップのコストダウンに
限界があった。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明の発光素子の製造
方法は、複数の端面発光型の発光素子がマトリックス状
に作り込まれているウェハに溝を形成して各発光素子の
光放出面を露出させる工程と、裏面電極を形成する工程
と、ウェハ状態のままでの各発光素子の特性チェックを
、端面で隣接している発光素子を光検出器として用いる
ことによって行う工程と、を有すものである。
方法は、複数の端面発光型の発光素子がマトリックス状
に作り込まれているウェハに溝を形成して各発光素子の
光放出面を露出させる工程と、裏面電極を形成する工程
と、ウェハ状態のままでの各発光素子の特性チェックを
、端面で隣接している発光素子を光検出器として用いる
ことによって行う工程と、を有すものである。
【００１０】
【実施例】次に、本発明の実施例について図面を参照し
て説明する。図１は本発明の第１の実施例を示す斜視図
である。まず、図３に示す構造に素子を作り込んだ電極
形成前ウェハを作成し、このウェハ上に、図１の（ａ）
に示すように、各レーザの素子毎に分離した表面電極１
０を形成する。
て説明する。図１は本発明の第１の実施例を示す斜視図
である。まず、図３に示す構造に素子を作り込んだ電極
形成前ウェハを作成し、このウェハ上に、図１の（ａ）
に示すように、各レーザの素子毎に分離した表面電極１
０を形成する。
【００１１】次に、３００μｍピッチで３０μｍの深さ
にドライエッチングして、共振器となるミラー端面１２
を形成する。ミラー端面１２はメサ溝８の方向に垂直と
なるように形成する。更に、ウェハ厚が１００μｍにな
るまで裏面を研磨した後、全面に裏面電極１１を形成し
、図１の（ｂ）に示されるように半導体レーザウェハ１
３を作成する。
にドライエッチングして、共振器となるミラー端面１２
を形成する。ミラー端面１２はメサ溝８の方向に垂直と
なるように形成する。更に、ウェハ厚が１００μｍにな
るまで裏面を研磨した後、全面に裏面電極１１を形成し
、図１の（ｂ）に示されるように半導体レーザウェハ１
３を作成する。
【００１２】次に、この半導体レーザウェハ１３をステ
ージ１５上にセットし、真空吸着により固定する。プロ
ーブ１６が一つの半導体レーザ素子の表面電極１０に接
触し、モニタプローブ１８が、端面が隣り合った半導体
レーザ素子の表面電極１０に接触するように位置合わせ
を行う。プローブ１６と接触している半導体レーザ素子
を発光させ、モニタプローブ１８により隣接した半導体
レーザ素子に逆バイアスをかけ、これに流れる光電流を
測定して、特性チェックを行う。一つの素子についての
測定が完了したら自動的にステージ１５を１ピッチずつ
移動させて、図１の（ｃ）に示す特性チェック動作を繰
り返す。位置合わせは、最初のペレットについてのみ行
えば、その後はそのウェハに関しては自動送りに任すこ
とができる。全ての半導体レーザ素子について測定が完
了した後、半導体レーザウェハ１３をステージ１５から
降ろす。
ージ１５上にセットし、真空吸着により固定する。プロ
ーブ１６が一つの半導体レーザ素子の表面電極１０に接
触し、モニタプローブ１８が、端面が隣り合った半導体
レーザ素子の表面電極１０に接触するように位置合わせ
を行う。プローブ１６と接触している半導体レーザ素子
を発光させ、モニタプローブ１８により隣接した半導体
レーザ素子に逆バイアスをかけ、これに流れる光電流を
測定して、特性チェックを行う。一つの素子についての
測定が完了したら自動的にステージ１５を１ピッチずつ
移動させて、図１の（ｃ）に示す特性チェック動作を繰
り返す。位置合わせは、最初のペレットについてのみ行
えば、その後はそのウェハに関しては自動送りに任すこ
とができる。全ての半導体レーザ素子について測定が完
了した後、半導体レーザウェハ１３をステージ１５から
降ろす。
【００１３】最後に、半導体レーザウェハ１３を端面１
２と垂直方向にスクライブし、テープに貼り付け、ロー
ラを転動させてブレーキングを行い、テープを引き伸ば
して、各レーザチップに分離する。
２と垂直方向にスクライブし、テープに貼り付け、ロー
ラを転動させてブレーキングを行い、テープを引き伸ば
して、各レーザチップに分離する。
【００１４】このように、従来例で必要であったレーザ
バーを整列させ、レーザバーを１個ずつステージ上に位
置決め載置し、レーザバー毎にプローブの位置決めを行
う工程等がなくなり、本発明では、１枚のウェハにつき
１回の供給と、１回の位置合わせで済むので、作業時間
を大幅に削減できる。実際、従来方法では、ウェハ１枚
について合計３０分の測定準備時間を要していたが、本
発明によりこの時間を１分に短縮することができた。
バーを整列させ、レーザバーを１個ずつステージ上に位
置決め載置し、レーザバー毎にプローブの位置決めを行
う工程等がなくなり、本発明では、１枚のウェハにつき
１回の供給と、１回の位置合わせで済むので、作業時間
を大幅に削減できる。実際、従来方法では、ウェハ１枚
について合計３０分の測定準備時間を要していたが、本
発明によりこの時間を１分に短縮することができた。
【００１５】図２は、本発明の第２の実施例の工程を示
す斜視図である。図２の（ｂ）までの工程は図１に示し
た先の実施例と同様であるので図示のみにとどめその説
明は省略する。
す斜視図である。図２の（ｂ）までの工程は図１に示し
た先の実施例と同様であるので図示のみにとどめその説
明は省略する。
【００１６】図２の（ｂ）のように作成された半導体レ
ーザウェハ１３を図２の（ｃ）に示すようにステージ１
５上に載せ、特性チェックする。この動作をステージ１
５を１ピッチずつ移動させて繰り返す。この際、モニタ
プローブ１８を２本用い、測定する素子の両端面からの
光を検出し、少なくともどちらか一方のモニタプローブ
１８で良品の判定がでれば、良品とする。本実施例では
、光検出器として正常に動作しない素子が仮にあったと
しても、誤判定を起こす確率を十分減少させることがで
きるという利点がある。
ーザウェハ１３を図２の（ｃ）に示すようにステージ１
５上に載せ、特性チェックする。この動作をステージ１
５を１ピッチずつ移動させて繰り返す。この際、モニタ
プローブ１８を２本用い、測定する素子の両端面からの
光を検出し、少なくともどちらか一方のモニタプローブ
１８で良品の判定がでれば、良品とする。本実施例では
、光検出器として正常に動作しない素子が仮にあったと
しても、誤判定を起こす確率を十分減少させることがで
きるという利点がある。
【００１７】なお、光検出器として使用される素子がい
ずれもオープン、ショート等があって明らかに故障して
いる場合には、該当のペレットを保留にして、保留品の
みペレッタイズ後に別途特性選別をするようにすればよ
い。
ずれもオープン、ショート等があって明らかに故障して
いる場合には、該当のペレットを保留にして、保留品の
みペレッタイズ後に別途特性選別をするようにすればよ
い。
【００１８】以上、好ましい実施例について説明したが
、本発明はこれら実施例に限定されるものではなく、例
えば端面発光型半導体レーザに代えて端面発光型の発光
ダイオードにも適用しうるものである。また、溝の形成
方法も実施例の方法に代えて例えば、エッチングと劈開
とを併用する手段等を採用することもできる。
、本発明はこれら実施例に限定されるものではなく、例
えば端面発光型半導体レーザに代えて端面発光型の発光
ダイオードにも適用しうるものである。また、溝の形成
方法も実施例の方法に代えて例えば、エッチングと劈開
とを併用する手段等を採用することもできる。
【００１９】
【発明の効果】以上説明したように、本発明は、ウェハ
状態のまま個々の発光素子を、端面を対向させている他
の発光素子を光検出器として用いて特性チェックするも
のであるので、本発明によれば、バー状態で測定を行う
場合に要した工数、手間が省略され、自動化が容易にな
り、ペレットの特性選別工程にかかる時間を大幅に短縮
することができる。従って、本発明によれば、量産性が
向上し、製造コストを飛躍的に低減させることができる
。
状態のまま個々の発光素子を、端面を対向させている他
の発光素子を光検出器として用いて特性チェックするも
のであるので、本発明によれば、バー状態で測定を行う
場合に要した工数、手間が省略され、自動化が容易にな
り、ペレットの特性選別工程にかかる時間を大幅に短縮
することができる。従って、本発明によれば、量産性が
向上し、製造コストを飛躍的に低減させることができる
。
【００２０】また、受光素子および光学系の位置合わせ
が不要となり、設備の簡略化が可能となり、測定時間も
さらに短縮化することができる。
が不要となり、設備の簡略化が可能となり、測定時間も
さらに短縮化することができる。
【００２１】さらに、ウェハ周辺部の既に不良となって
いる発光素子以外は、ペレットに直接触れずに、搬送、
測定できるため、チップのかけ等を防止して歩留りを向
上させることができ、またペレットの取り扱いも容易に
なる。
いる発光素子以外は、ペレットに直接触れずに、搬送、
測定できるため、チップのかけ等を防止して歩留りを向
上させることができ、またペレットの取り扱いも容易に
なる。
【図１】本発明の第１の実施例の工程を示す斜視図。
【図２】本発明の第２の実施例の工程を示す斜視図。
【図３】電極形成前のウェハの断面図。
【図４】従来例の工程を示す斜視図。
１…ｎ型ＩｎＰ基板、 ２…ＩｎＧａＡｓＰ活性
層、 ３…ｐ型ＩｎＰクラッド層、 ４…
ｐ型ＩｎＰブロック層、 ５…ｎ型ＩｎＰ層、
６…ｐ型ＩｎＰ層、 ７…ｐ型ＩｎＧａＡ
ｓＰキャップ層、 ８…メサ溝、 ９…Ｓ
ｉＯ２ 膜、 １０…表面電極、 １１…
裏面電極、 １２…ミラー端面、 １３…
半導体レーザウェハ、 １４…バー、 １
５…ステージ、１６…プローブ、 １７…受光素
子、 １８…モニタプローブ。
層、 ３…ｐ型ＩｎＰクラッド層、 ４…
ｐ型ＩｎＰブロック層、 ５…ｎ型ＩｎＰ層、
６…ｐ型ＩｎＰ層、 ７…ｐ型ＩｎＧａＡ
ｓＰキャップ層、 ８…メサ溝、 ９…Ｓ
ｉＯ２ 膜、 １０…表面電極、 １１…
裏面電極、 １２…ミラー端面、 １３…
半導体レーザウェハ、 １４…バー、 １
５…ステージ、１６…プローブ、 １７…受光素
子、 １８…モニタプローブ。
Claims (1)
- 【請求項１】 複数の端面発光型の発光素子が作り込
まれているウェハに溝を形成して各発光素子の光放出面
を露出させる工程と、ウェハ状態のまま各発光素子を、
端面を介して隣接する発光素子を光検出器として使って
検査・選別する工程と、を有する発光素子の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17585491A JPH04373192A (ja) | 1991-06-21 | 1991-06-21 | 発光素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17585491A JPH04373192A (ja) | 1991-06-21 | 1991-06-21 | 発光素子の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04373192A true JPH04373192A (ja) | 1992-12-25 |
Family
ID=16003364
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17585491A Pending JPH04373192A (ja) | 1991-06-21 | 1991-06-21 | 発光素子の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04373192A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102449456A (zh) * | 2009-04-01 | 2012-05-09 | 奥兰若技术有限公司 | 牺牲波导测试结构 |
-
1991
- 1991-06-21 JP JP17585491A patent/JPH04373192A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102449456A (zh) * | 2009-04-01 | 2012-05-09 | 奥兰若技术有限公司 | 牺牲波导测试结构 |
| JP2012523014A (ja) * | 2009-04-01 | 2012-09-27 | オクラロ テクノロジー リミテッド | 犠牲導波管試験構造 |
| US8916874B2 (en) | 2009-04-01 | 2014-12-23 | Oclaro Technology Limited | Sacrificial waveguide test structures |
| CN102449456B (zh) * | 2009-04-01 | 2015-12-16 | 奥兰若技术有限公司 | 牺牲波导测试结构 |
| US9395488B2 (en) | 2009-04-01 | 2016-07-19 | Oclaro Technology Limited | Sacrificial waveguide test structures |
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