JP2012523014A - 犠牲導波管試験構造 - Google Patents

Abstract

犠牲光学試験構造は、未劈開の光チップ（１０）の光学機能を試験するように、未劈開の光チップ（１０）のウェーハ（１００）上に構築される。チップ（１０）がウェーハ（１００）から劈開されると、前記犠牲光学構造が無効化され、劈開された光チップ（１０）をその所望の最終機能に併せて用いることができる。前記試験構造は、劈開された光チップ（１０）上に残っていてもよいし、廃棄してもよい。
【選択図】図２Ａ

Description

関連出願データ

本出願は、米国仮特許出願番号第６１／１６５，６０６号（出願日：２００９年４月１日）による恩恵を主張する。本明細書中、同文献全体を参考のため援用する。

本発明は、主に光チップ用の試験構造に関し、詳細には、ウェーハ形態にある状態にある光チップの光学機能性の試験を行うための犠牲試験構造に関する。

光チップ（フォトニック集積回路としても知られる）は、１つ以上の光信号に対して多様な機能を行うのに適したデバイスである。
個々の光チップは一般的には、複数の光チップを半導体ウェーハ基板上に構築し、前記ウェーハを複数の個々の光チップ内に劈開することにより、製造されることが多い。典型的には、光チップがウェーハ上に設計および配置される際、未だウェーハ形態状態にあるチップ間の関係をほとんど考慮していない。

多くの場合、当該光チップの用途または機能について個々の光チップを試験することが望ましい。個々の光チップの試験は典型的には、光チップをウェーハから劈開した後、行われる。しかし、劈開された光チップの試験を行うには時間がかかり、コストもかさむ。

未だウェーハ形態状態にある個々の光チップの試験が企図されている。例えば、米国特許出願公開番号第ＵＳ２００４／００１３３５９号において、アクセスポイントにおいて光チップに光学的に連結された光プローブの利用についての記載がある。原則的には、このような試験により、製造サイクルにおける光チップの試験をより早期に行うことが可能になる。しかし、光チップの個々の試験において光プローブを用いた場合、大幅なアライメント時間が必要となる。その上、光チップの試験を光プローブを用いて必要な電気プローブと共に行った場合、実行において実務的に困難が発生する。

場合によっては、光チップ内に構成要素として構築されたコンポーネントを用いて、当該光チップの機能について試験を行うことができる。例えば、完成品において用いられるべきフォトダイオードを用いて、未だウェーハ形態にある光チップの性能を試験することができる。しかし、典型的な光学デバイス（例えば、光送信機または光変調器）は、高い光学出力を生成し、オンチップフォトダイオードがタップ上に配置される。その結果、前記オンチップフォトダイオードは、出力光のうちごく一部のみを受信する。このようにオンボードフォトダイオードを用いた場合、全出力試験を含む全ての組の光学試験をウェーハに行うことができない。

本発明は、複数の光チップが劈開されるウェーハを提供する。前記光チップの光学機能性の試験のために、前記ウェーハ上に犠牲試験構造が設けられる。前記犠牲試験構造により、未だウェーハ形態にある複数の光チップの同時試験が可能になり、前記ウェーハから前記光チップが劈開されると、前記犠牲試験構造は無効化される。所与の光チップの犠牲試験構造は、前記ウェーハ上に配置される際、前記犠牲試験構造が１つ以上の隣接光チップ上に配置されるかまたは前記ウェーハの廃棄可能部分上に配置されるようにする。本発明は、従来のアライメント時間の問題を解消し、全範囲の光学試験をウェーハ形態内にある状態で光チップの回路に対して行うことが可能になる。

本発明の一局面によれば、複数の光チップが劈開されるウェーハであって、各光チップは、対応する光学機能を行うように構成され、前記ウェーハは、前記複数の光チップのうち第１の光チップと、前記第１の光チップの光学機能の試験を行うかまたは前記ウェーハ上の光チップを隣接させるための犠牲試験構造であって、前記第１の光チップが前記ウェーハから劈開された際に前記犠牲試験構造の少なくとも一部が前記第１の光チップから分断されるように、前記犠牲試験構造が前記ウェーハ上に配置される、犠牲試験構造とを含む。

一実施形態によれば、前記前記犠牲試験構造の少なくとも一部は、前記ウェーハ上の前記複数の光チップのうち第２の光チップ上に配置される。別の実施形態によれば、前記第２の光チップは隣接前記第１の光チップ。別の実施形態によれば、前記第２の光チップは、前記第１の光チップから横方向にオフセットされる。

別の実施形態によれば、少なくとも前記犠牲試験構造の別の部分が、前記ウェーハ上の前記複数の光チップのうち第３の光チップ上に配置される。別の実施形態によれば、前記第３の光チップは、前記第１の光チップに隣接される。別の実施形態によれば、前記第３の光チップは、前記第１の光チップから横方向にオフセットされる。

別の実施形態によれば、少なくとも前記犠牲試験構造の別の部分は、前記ウェーハの廃棄可能部分上に配置される。

別の実施形態によれば、前記前記犠牲試験構造の少なくとも一部が、前記ウェーハの廃棄可能部分上に配置される。

別の実施形態によれば、前記犠牲試験構造は、１つ以上の導波管の少なくとも一部を含む。

別の実施形態によれば、前記犠牲試験構造は、少なくとも１つの光源を含む。別の実施形態によれば、前記光源は、レーザーまたは導波管格子のうち少なくとも１つである。

別の実施形態によれば、前記犠牲試験構造は、少なくとも１つの受信器を含む。別の実施形態によれば、前記受信器は、フォトダイオード、光学出力モニターまたは波長モニターのうち少なくとも１つである。

本発明の別の局面によれば、複数の光チップが劈開されるウェーハから光チップが劈開され、前記光チップは、光学機能を行うように構成され、前記光学機能を行う回路と、前記光チップの前記回路の光学機能の試験を行うかまたは光チップを前記ウェーハから劈開する前に前記光チップを隣接させる、犠牲試験構造の少なくとも一部とを含む。

一実施形態によれば、前記犠牲試験構造は、光源、受信器または導波管の分断部分のうち少なくとも１つを含む。

本発明の別の局面によれば、ウェーハ上の複数の光チップのうち第１の光チップの試験および処理を行う方法であって、各光チップは、対応する光学機能を行うように構成され、前記方法は、前記第１の光チップまたは前記ウェーハ上の隣接する光チップの特性を試験するための犠牲試験構造と接触するステップであって、前記犠牲試験構造は、前記ウェーハ上に配置される、ステップと、前記犠牲試験構造を制御および監視するステップと、前記ウェーハから前記第１の光チップを劈開するステップであって、前記劈開ステップは、前記ウェーハから前記第１の光チップが劈開された際、前記犠牲試験構造の少なくとも一部が前記第１の光チップから分断されるように、行われる、ステップとを含む。

一実施形態によれば、前記前記犠牲試験構造の少なくとも一部は、前記ウェーハ上の前記複数の光チップのうち第２の光チップまたは前記ウェーハの廃棄可能部分のうち少なくとも１つの上に、配置される。

別の実施形態によれば、前記犠牲試験構造は、１つ以上の導波管の少なくとも一部を含む。

別の実施形態によれば、前記犠牲試験構造は、少なくとも１つの光源と、少なくとも１つの受信器とを含む。

本明細書中、以下、本発明の上記および他の特徴について、添付図面を参照してより詳細に説明する。

図１は、本発明による、ウェーハから劈開された個々の光チップの模式図である。 本発明による、複数の光チップを有する例示的ウェーハの模式図である。 本発明による、例示的ウェーハ上の光チップの列の模式図である。 本発明による、例示的ウェーハ上の光チップの列の模式図である。 本発明による、複数の光チップを有する例示的ウェーハの模式図である。 本発明による、複数の光チップを有する例示的ウェーハの模式図である。 本発明による、複数の光チップを有する例示的ウェーハの模式図である。

以下の記載において、類似のコンポーネントについては、異なる実施形態中に図示されているコンポーネントについても、同一の参照符号を付している。本発明の実施形態（単数または複数）を明確かつ簡潔に例示するために、図面は必ずしも本質的に縮尺通りに記載しておらず、特定の特徴を若干模式的に示す場合がある。一実施形態について記載および／または例示する特徴は、１つ以上の他の実施形態においてかつ／またはその他の実施形態の特徴と組み合わせるかまたはその他の実施形態の特徴の代わりに、同一の様態または類似の様態において、用いられ得る。

ここで、図面を詳細に参照し、先ず図１を参照して、ウェーハから劈開された個々の光チップの模式図が主に１０において図示されている。

光チップ１０の基板１２（および前記光チップが形成されるウェーハ）は、リン化インジウムから構築され得る。本明細書中リン化インジウムを例示的材料として用いる理由は、リン化インジウムは、一定範囲の光学デバイス（例えば、レーザー、フォトダイオード、カプラー、変調器など）を容易に構築できその後集積することを可能とする半導体材料であるからである。しかし、前記ウェーハおよびチップ基板１２を他の任意の適切な基板材料（例えば、ガリウムヒ素、インジウムガリウムヒ化物、リン化ヒ化インジウムガリウム）から構築してもよい。

光チップ１０は、回路１４を含む。回路１４は、光チップ１０の意図される機能を行うように設計される。この例示的実施形態において、回路１４は、マッハツェンダー変調器として機能し、例えば光学通信における用途に適している。この文脈においては、回路１４のコンポーネントについて主に説明していくが、回路１４の設計は他の任意の設計でよく、回路１４は、任意の適切な所望の機能を行い得ることが理解される。光チップ１０の特定の機能は、本発明の最も広範囲の意味において、本発明と密接に関係しない。

光チップ１０は、劈開形態にある場合、回路１４に光を入力するための入力１６と、回路１４から光を出力するための出力１８とを含む。入力１６は、導波管２０を介して回路１４に連結され、出力１８は、回路１４に連結される。本明細書中用いられる導波管とは、波（この場合、光波（信号））を導くための構造である。導波管は、当該分野において一般的に公知である任意の方法を用いて、光チップ１０上に形成され得る。例えば、導波管は、エピタキシャル成長および半導体エッチングにおける周知の方法により、製造され得る。

マッハツェンダー変調器回路１４の基本的構造は、マルチモード干渉（ＭＭＩ）カプラー２４および３４を含む。ＭＭＩカプラー２４および３４は、標準的設計であり、当該分野において公知の既存のプロセス設計規則の範囲内において、実行される。この例示的実施形態において用いられるように、ＭＭＩカプラー２４および３４は、２Ｘ２ＭＭＩカプラーである。ＭＭＩカプラー２４は、入力２６および２８と、出力３０および３２とを含む。ＭＭＩカプラー３４は、入力３６および３８と、出力４０および４２とを含む。ＭＭＩカプラー２４の入力２６は、導波管２０を介して入力１６に連結され、入力２８は用いられない。しかし、導波管２０が代わりに入力２８に連結され得、入力２６は用いられない。ＭＭＩカプラー２４の出力３０および３２は、ＭＭＩカプラー３４の入力３６および３８のそれぞれ１つに連結される。より詳細には、出力３０は、導波管４４を介して入力３６に連結され、出力３２は、導波管４６を介して入力３８に連結される。ＭＭＩカプラー３４の出力４０は、導波管２２を介して出力１８に連結される。ＭＭＩカプラー３４の出力４２は、導波管５０を介して完全吸収型光検出器４８に連結される。完全吸収型光検出器４８は、相補出力とも呼ばれ、マッハツェンダー変調器回路１４の試験において用いられ得る。このような試験は、前記光チップ１０が未だウェーハ形態にある際に行ってもよいし、あるいは、光チップ１０がウェーハから劈開された後に行ってもよい。

任意選択のタップ検出器５２、５４および５６は、導波管２０、２２および５０に沿ってそれぞれ配置される。各タップ検出器５２、５４および５６は、各導波管からの光のごく一部をタップおよび検出することができる。タップ検出器５６は、相補出力と関連付けられているため、相補タップとも呼ばれる。タップ検出器は、例えば、光学通信において光チップ１０の利用と共に用いられ得る。

図２Ａを参照して、複数の未劈開の光チップ１０（例えば、１０ａ、１０ｂ、１０ｃ）を含むウェーハ１００が図示されている。これら複数の未劈開の光チップ１０（例えば、１０ａ、１０ｂ、１０ｃ）は列および行内に配置され、チップ１０の列および行は、垂直劈開線１０２および水平劈開線１０４を交差させることにより、画定される。図２の劈開線１０２および１０４は、３本の列および６本の行としてウェーハ１００上に配列された光チップを形成するが、本発明によるウェーハは、このような特定の数の列および行に限定されない。すなわち、図示のウェーハ１００は、ウェーハ全体の例示的一部であり得る。ありは、本発明によるウェーハは、図２Ａ中に示す列数および行数よりもより少数の列および／または行を含み得る。

ウェーハ１００上に設けられた未劈開の光チップはそれぞれ、同じ構成（すなわち、図１に示す構成）を持つ。しかし、ウェーハ１００上の光チップは、相互に異なっていてもよい。例えば、第１の列内の光チップは、第２の列内のチップと構成が異なり得る。あるいは、１つの光チップ上の１つ以上の要素を、ウェーハ１００上のその他の光チップのうち１つ以上から省略することも可能である。

前記ウェーハからの劈開される前に、所与の光チップ１０は、１つ以上の他の光チップ１０に隣接させられる。例えば、光チップ１０ａは、その横方向端部において光チップ１０ｂおよび１０ｃへと隣接させられ、その縦方向端部において光チップ１０ｄおよび１０ｅへとそれぞれ隣接させられる。

光チップの回路を試験するための１つ以上の犠牲試験構造は、前記ウェーハ上に設けられる。図２Ａ中に示す実施形態において、所与の光チップ１０（例えば、光チップ１０ａ）を試験するための犠牲試験構造が前記ウェーハ上に配置される際、１つ以上の隣接光チップ（例えば、光チップ１０ｂおよび１０ｃ）がウェーハ形態にある際にこれらの犠牲試験構造が前記光チップ上に設けられるように、配置される。図１に示すように光チップ１０が前記ウェーハから劈開されると、劈開された光チップ１０のための犠牲試験構造が無効化される。

前記犠牲試験構造は、隣接光チップの回路１４へ光を出力するための光源５８を含み得る。一実施形態において、光源５８は、レーザーであり得る。別の実施形態において、光源５８は、オフチップ光源を受け入れる導波管格子であり得る。光源５８は、単一の隣接光チップの回路１４へと光を提供するものとして図示されている。しかし、光源５８は、一連の光学スプリッタおよび導波管（図示せず）を用いて、２つ以上の光チップの回路１４へ光を提供してもよい。

光源５８は、隣接光チップの導波管２０を介して、隣接光チップの回路１４に連結される。より詳細には、ウェーハ形態にある際、導波管２０は、犠牲部分２０ａを含む。犠牲部分２０ａは、犠牲試験構造の一部でり、光源５８へと連結される。すなわち、前記光チップをウェーハ１０から劈開する前に、犠牲導波管２０ａは、前記隣接チップの導波管２０の一部を実際に形成し、前記導波管は、垂直劈開線１０２にわたって隣接して延びる。これらの光チップがウェーハ１００から劈開されると、犠牲部分２０ａが導波管２０から分断され、これにより、光源５８が前記隣接光チップの回路１４から連結解除される。

これらの犠牲試験構造は、試験下の隣接光チップの回路１４からの光出力の受信、監視および／または測定を行うための１つ以上の受信器６２を含み得る。一実施形態において、受信器６２は、フォトダイオード、光学出力モニターおよび／または波長モニターであり得る。

受信器６２は、隣接光チップの導波管２２を介して、隣接光チップの回路１４に連結される。ウェーハ形態にある際、導波管２２は、犠牲部分２２ａを含む。犠牲部分２２ａは、前記犠牲試験構造の一部であり、受信器６２に連結される。すなわち、前記光チップがウェーハ１００から劈開される前に、犠牲導波管２２ａは、垂直劈開線１０２にわたって隣接して延びる導波管２２の一部を実際に形成する。前記光チップがウェーハ１００から劈開されると、犠牲部分２２ａは導波管２２から分断され、これにより、隣接光チップの回路１４から受信器６２が連結解除される。

前記犠牲試験構造の配置は、図１および図２Ａ中に示す実施形態に限定されない。前記犠牲試験構造は、当該光チップを超えて延びるウェーハ１００上の要素を用いた所与の未劈開の光チップのオンチップ試験が可能となる任意の適切な様態において、配置することができる。例えば、導波管２０または２２の犠牲部分２０ａまたは２２ａが劈開線１０４と交差するようにし得るように、近接するかまたは隣接する光チップ上に犠牲試験構造を配置することができる。導波管２０または２２の犠牲部分２０ａまたは２２ａが、２つ以上の劈開線１０２または１０４を交差してもよい。

さらに、上述した犠牲試験構造は、隣接光チップの導波管２０および２２を介して隣接光チップ回路１４へと連結されているが、前記犠牲試験構造が、導波管２０および２２（図示せず）から独立した１つ以上の犠牲導波管を介して、隣接光チップ１０の回路１４の１つ以上のコンポーネントに連結され得ることも、企図される。前記ウェーハから前記光チップが劈開されると、前記犠牲試験フィーチャの一部（すなわち、前記犠牲導波管の一部）が前記隣接光チップ上に残る。

さらに図１および図２Ａを参照して、光チップ１０ａの回路１４の試験手順について、本明細書中説明する。試験手順により、ウェーハ上の光チップのうちいくつかまたは全ての試験を同時に行うことが可能になる。一実施形態において、光チップの試験は同時に行われる。前記試験手順において、試験装置（図示せず）を用いて、前記未劈開の光チップを試験することができる。前記試験装置の１つ以上の電極が光チップ１０ｂの光源５８と接触させられ得、光源５８が前記試験装置によって起動および／または制御され得る。光源５８によって生成された光は、導波管２０ａおよび２０を介して、隣接光チップ１０ａの回路へと到達し得る。光は、光チップ１０ａの回路１４から導波管２２および２２ａを介して隣接光チップ１０ｃの受信器６２へと出力される。受信器６２はまた、前記試験装置の１つ以上の電極と接触し得、前記試験装置は、試験時において受信器６２によって受信された光信号の監視および記録を行い得る。この例示的実施形態におけるように回路１４がマッハツェンダー変調器を形成する場合、回路１４からの光出力はまた、光チップ１０ａ上の完全吸収型光検出器４８によって導波管５０を介して受信され得る。完全吸収型光検出器４８も前記試験装置と接触し得、受信された光が監視され得る。

この場合でも、その横方向端部双方において隣接光チップを含まないチップ上において、オンウェーハ試験を行うことが可能である。例えば、光チップ１０ｂと同列内にある図２Ａ中の光チップをウェーハ１００の端部ぶ配置することができるため、導波管２０の近隣のその横方向端部に隣接する光チップ列を有さない。同様に、光チップ１０ｃと同列にある光チップも、ウェーハ１００の端部に配置可能であるため、導波管２２の近隣のその横方向端部に隣接する光チップ列を有さない。このような状況において、ウェーハ１００は、１つ以上の犠牲試験構造を含む廃棄可能部分を含み得る。図２Ｂは、ウェーハ１００の廃棄可能部分１０６が光源５８と、導波管２０の犠牲部分２０ａとを含む実施形態を示す。図２Ｃは、ウェーハ１００の廃棄可能部分１０８が受信器６２と、導波管２２の犠牲部分２２ａとを含む実施形態を示す。さらに、この実施形態に示すように、受信器６２および犠牲部分２２ａは光チップ１０ｂから省略可能であり、光源５８および犠牲部分２０ａは光チップ１０ｃから省略可能である。なぜならば、これらの犠牲試験構造は、隣接光チップに連結されないからである。試験は、上述した様態と同様の様態において、進行し得る。

さらに図２Ａを参照して、前記光チップの試験後、ウェーハ１００を劈開線１０２および１０４に沿って劈開することができ、前記オンウェーハ試験における性能結果に基づいて、これらのチップを容易に優先順位付けすることができる。このプロセスの結果、不良チップを特定し、劈開後に廃棄することができる。前記光チップを劈開することにより、隣接光チップの各導波管２０および２２から犠牲試験構造も分離され、これにより犠牲試験構造が無効かされる。よって、例えば図１に示すように、光送信機、変調器または受信器などの用途に用いられる光チップ上に、光チップがウェーハ１００であったときに隣接チップの回路１４の試験に用いられた犠牲試験構造の全体または一部を有することが可能となる。

図１および図２Ａ〜２Ｃの実施形態において、前記光チップの回路１４は、前記光チップの緯度方向に対して比較的平行な方向に配置される。しかし、前記光チップの回路１４は、任意の適切な様態において配置してもよい。例えば、図３中に示すウェーハ１００の場合、光チップの回路１４は、前記チップ上において対角方向に配置される。回路１４を前記チップに対して対角方向に配置することで、光チップの占有領域（すなわち、「不動産」）のより効率的な利用が可能となる。また、このような方向付けにより、曲がった導波管の使用が最小化または無くされる。

光チップそのものは、ウェーハ１００上に任意の適切な様態で配置することができる。例えば、図４は、例示的なウェーハ１００の配置を示し、光チップの列が相互にオフセットしている。ウェーハ上のチップをチップ幅の割合だけオフセットさせることにより、導波管の曲がりを最小化または無くししつつ、回路１４を光チップの緯度方向に対して比較的平行に配置することが可能になる。

上記した実施形態に含まれる犠牲試験構造は、ウェーハ上に配置される際、劈開光チップが無効化された犠牲試験構造の全体または一部を含み得るように、配置される。しかし、図２Ｂおよび図２Ｃに関連して上述した様態と同様の様態において、劈開後に廃棄されるウェーハの一部上に犠牲試験構造を設けてもよい。図５は、例示的なウェーハ１００の配置を示し、ここで、光源５８、前記受信器６２、ならびに導波管２０および２２の犠牲部分２０ａおよび２２ａは、ウェーハの廃棄可能部分１１０上に配置される。この実施形態において、廃棄可能部分１１０により、光チップの列が分離される。しかし、廃棄可能部分１１０は、前記ウェーハ上において任意の適切な様態で配置可能である。例えば、廃棄可能部分１１０は、光チップの行を分離するように、ウェーハ上に配置してもよい。犠牲試験構造を廃棄可能部分１１０内に設けることにより、劈開された光チップ上の不動産を前記犠牲試験構造が占有することがなくなる。もちろん、図３および図４に関連して説明したような光チップおよび回路の配置は、図５中に示す実施形態において実行することも可能である。

図３〜図５の実施形態において、光チップのオンウェーハ試験は、図１および図２Ａ〜図２Ｃに関連して述べたように、進行し得る。ここでも、ウェーハは、線１０２および１０４にそって劈開され得る。

上記を鑑みて、本発明の特徴は、ウェーハ形態にある光チップの光学機能性の同時試験を可能にする。本発明の特徴により、光チップの試験に関連するアライメント時間が最小化され、かつ、ウェーハ形態にある光チップの回路に対して全範囲の光学試験を行うことが可能になる。

本発明について、特定の実施形態（単数または複数）について図示および説明してきたが、当業者であれば、本明細書および添付図面を理解すれば、同等の変更および改変を想起することが明らかである。特に、上記の要素（コンポーネント、アセンブリ、デバイス、組成など）によって行われる多様な機能については、このような要素を説明するのに用いられた用語（「手段」の言及も含む）は、他に明記無き限り、本明細書中例示される本発明の例示的実施形態（単数または複数）の機能を行う開示の構造に構造的に同等ではなくても、上記要素の特定の機能を行う任意の要素（すなわち、機能面において同等のもの）に対応することを意図する。さらに、本発明の特定の特徴について、いくつかの例示された実施形態のうち１つ以上のみについて説明してきた場合があるが、任意の所与のまたは特定の用途において所望かつ有利であり得る場合、このような特徴をその他の実施形態の他の１つ以上の特徴と組み合わせることも可能である。

Claims (20)

1. 複数の光チップが劈開されるウェーハであって、各光チップは、対応する光学機能を行うように構成され、前記ウェーハは、
   前記複数の光チップのうち第１の光チップと、
   前記第１の光チップまたは前記ウェーハ上の隣接する光チップの光学機能を試験するための犠牲試験構造であって、前記犠牲試験構造は前記ウェーハ上に配置され、前記配置は、前記ウェーハから前記第１の光チップが劈開された際に、前記犠牲試験構造の少なくとも一部が前記第１の光チップから分断されるように、行われる、犠牲試験構造と、
   を含む、ウェーハ。
2. 前記犠牲試験構造の少なくとも一部は、前記ウェーハ上の前記複数の光チップのうち第２の光チップの上に配置される、請求項１に記載のウェーハ。
3. 前記第２の光チップは、前記第１の光チップに隣接する、請求項２に記載のウェーハ。
4. 前記第２の光チップは、前記第１の光チップから横方向にオフセットされる、請求項２および３に記載のウェーハ。
5. 少なくとも前記犠牲試験構造の別の部分は、前記ウェーハ上の前記複数の光チップのうち第３の光チップの上に配置される、請求項２〜４のいずれかに記載のウェーハ。
6. 前記第３の光チップは、前記第１の光チップに隣接する、請求項５に記載のウェーハ。
7. 前記第３の光チップは、前記第１の光チップから横方向にオフセットされる、請求項５および６のいずれかに記載のウェーハ。
8. 少なくとも前記犠牲試験構造の別の部分は、前記ウェーハの廃棄可能部分の上に配置される、請求項２〜４のいずれかに記載のウェーハ。
9. 前記犠牲試験構造の少なくとも一部は、前記ウェーハの廃棄可能部分の上に配置される、請求項１に記載のウェーハ。
10. 前記犠牲試験構造は、１つ以上の導波管の少なくとも一部を含む、請求項１〜９のいずれかに記載のウェーハ。
11. 前記犠牲試験構造は、少なくとも１つの光源を含む、請求項１〜１０のいずれかに記載のウェーハ。
12. 前記光源は、レーザーまたは導波管格子のうち少なくとも１つである、請求項１１のいずれかに記載のウェーハ。
13. 前記犠牲試験構造は、少なくとも１つの受信器を含む、請求項１〜１２のいずれかに記載のウェーハ。
14. 前記受信器は、フォトダイオード、光学出力モニターまたは波長モニターのうち少なくとも１つである、請求項１３のいずれかに記載のウェーハ。
15. 複数の光チップが劈開されるウェーハから劈開された光チップであって、前記光チップは、光学機能を行うように構成され、前記光チップは、
    前記光学機能を行う回路と、
    前記光チップが前記ウェーハから劈開される前に、前記光チップまたは隣接する光チップの回路の光学機能を試験するための、犠牲試験構造の少なくとも一部と、
    を含む、光チップ。
16. 前記犠牲試験構造は、光源、受信器または導波管の分断部分のうち少なくとも１つを含む、請求項１５のいずれかに記載の光チップ。
17. ウェーハ上の複数の光チップのうち第１の光チップの試験および処理を行う方法であって、各光チップは、対応する光学機能を行うように構成され、前記方法は、
    前記第１の光チップまたは前記ウェーハ上の隣接する光チップの特性を試験するための犠牲試験構造を接触させるステップであって、前記犠牲試験構造は前記ウェーハ上に配置される、ステップと、
    前記犠牲試験構造を制御および監視するステップと、
    前記ウェーハから前記第１の光チップを劈開するステップであって、前記ステップは、前記ウェーハから前記第１の光チップが劈開されると、前記犠牲試験構造の少なくとも一部が前記第１の光チップから分断されるように、行われる、ステップと、
    を含む、方法。
18. 前記犠牲試験構造の少なくとも一部は、前記ウェーハ上の前記複数の光チップのうち第２の光チップまたは前記ウェーハの廃棄可能部分のうち少なくとも１つの上に配置される、請求項１７のいずれかに記載のウェーハ。
19. 前記犠牲試験構造は、１つ以上の導波管の少なくとも一部を含む、請求項１７〜１８のいずれかに記載のウェーハ。
20. 前記犠牲試験構造は、少なくとも１つの光源および少なくとも１つの受信器を含む、請求項１７〜１９のいずれかに記載の方法。

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