JPH04369859A - 半導体装置用金型フレーム - Google Patents

半導体装置用金型フレーム

Info

Publication number
JPH04369859A
JPH04369859A JP3147065A JP14706591A JPH04369859A JP H04369859 A JPH04369859 A JP H04369859A JP 3147065 A JP3147065 A JP 3147065A JP 14706591 A JP14706591 A JP 14706591A JP H04369859 A JPH04369859 A JP H04369859A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
solder
die pad
suspended lead
suspended
mold frame
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP3147065A
Other languages
English (en)
Inventor
Atsushi Ono
敦史 小野
Yoshiyuki Ishimaru
石丸 善行
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Mitsubishi Electric Corp filed Critical Mitsubishi Electric Corp
Priority to JP3147065A priority Critical patent/JPH04369859A/ja
Publication of JPH04369859A publication Critical patent/JPH04369859A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/26Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/31Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L24/32Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/2612Auxiliary members for layer connectors, e.g. spacers
    • H01L2224/26152Auxiliary members for layer connectors, e.g. spacers being formed on an item to be connected not being a semiconductor or solid-state body
    • H01L2224/26175Flow barriers
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/31Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L2224/32Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/321Disposition
    • H01L2224/32151Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/32221Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/32245Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805Shape
    • H01L2224/4809Loop shape
    • H01L2224/48091Arched
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481Disposition
    • H01L2224/48151Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/49Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
    • H01L2224/491Disposition
    • H01L2224/4912Layout
    • H01L2224/49171Fan-out arrangements
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732Location after the connecting process
    • H01L2224/73251Location after the connecting process on different surfaces
    • H01L2224/73265Layer and wire connectors

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置用の金型フ
レームに関する。
【0002】
【従来の技術】半導体装置には、宙吊りリードと、宙吊
りリードの中途に設けられたダイパッドと、複数のリー
ドとを形成してなる金型フレームの前記ダイパッドに、
半導体素子(以下ICチップという)をダイボンドし、
前記ICチップと、宙吊りリード及びリードとをワイヤ
ボンドしたものがある。
【0003】図8はICチップが固着された従来の金型
フレームの平面図、図9は図8のIX−IX線による断
面図である。
【0004】金型フレームは、宙吊りリード3,宙吊り
リード3の中途部に設けられたダイパッド2及びダイパ
ッド2の周囲に設けられた複数のリード4,4…によっ
て構成されている。ダイパッド2上には、ICチップ1
が所定量の半田6(図8には斜線にて図示)でダイボン
ドされている。また、宙吊りリード3におけるダイパッ
ド2の両側には、前記半田6の余剰分を抜き落とすため
の抜き穴30,30が形成されている。ダイボンドされ
たICチップ1のパッド10,10…と、宙吊りリード
3及びリード4,4…とは、ワイヤボンドされたワイヤ
5を介して接続されている。なお、宙吊りリード3を外
部ピン(アウターリード)として使用しない場合は、宙
吊りリード3にはワイヤボンドを行わないようになって
いる。
【0005】以上の如く構成された金型フレームにおい
ては、半田6によってICチップ1をダイパッド2にダ
イボンドする場合、半田6が宙吊りリード3の方へ流れ
出すことがあるが、流れ出した半田6は抜き穴30,3
0から抜き落とされるようになっていた。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】前述の如き従来の金型
フレームにおいては、宙吊りリード3の方へ流れ出た半
田6を抜き穴30,30から抜き落とすようになってい
るが、流れ出た半田6の全てを抜き落とせない場合があ
った。図10は流れ出た半田6を抜き穴30,30から
抜き落とせない場合の状態を示す金型フレームのダイパ
ッド2近傍の断面図である。流れ出た半田6を抜き穴3
0,30から抜き落とせない場合、その半田6は、図1
0に示される如く、宙吊りリード3のワイヤボンド位置
へ流れ出る。このような状態になると、ワイヤボンドの
際にワイヤ5と宙吊りリード3とのなじみがなくなり、
ワイヤ5と宙吊りリード3とを良好な状態で接続するこ
とができずアセンブリ不良が生じるという問題があった
【0007】本発明は、このような問題点を解消するた
めになされたものであり、ダイボンドに用いる半田の、
宙吊りリードのワイヤボンド位置への流出を抑止するこ
とを可能とし、これによって、宙吊りリードとワイヤと
を高い信頼性で容易に接続することを可能とする半導体
装置の金型フレームを提供することを目的とする。
【0008】
【課題を解決するための手段】本発明に係る半導体装置
用金型フレームは、宙吊りリード上でのワイヤボンド位
置よりもダイパッド側に、宙吊りリードの幅方向に亘る
凸部又は凹部を形成したものである。
【0009】
【作用】本発明にあっては、宙吊りリード上でのワイヤ
ボンド位置よりもダイパッド側に、宙吊りリードの幅方
向に亘る凸部又は凹部が形成されており、半導体素子を
半田にてダイパッド上に固着する際に宙吊りリードへ流
れ出る半田は、前記凸部又は凹部によって堰き止められ
、その半田は宙吊りリード上でのワイヤボンド位置まで
達しない。
【0010】
【実施例】以下本発明をその実施例を示す図面に基づい
て具体的に説明する。
【0011】図1は本発明に係る半導体装置用金型フレ
ームの第1実施例の平面図、図2は図1のII−II線
による断面図である。
【0012】金型フレームは、宙吊りリード3,宙吊り
リード3の中途部に設けられたダイパッド2及びダイパ
ッド2の周囲に設けられた複数のリード4,4…によっ
て構成されている。ダイパッド2上には、ICチップ1
が所定量の半田6(図1には斜線にて図示)でダイボン
ドされている。また、宙吊りリード3におけるダイパッ
ド2の両側には、前記半田6の流出を堰き止めるための
凸部31,31が形成されている。前記凸部31,31
は、宙吊りリード3の後述するワイヤボンド位置よりも
ダイパッド2側に位置している。これらの凸部31,3
1は、宙吊りリード3の一部を上方へ山型に突出させた
ものであり、フレーム製作工程又はアセンブリ工程にお
いて形成されるようになっている。ダイボンドされたI
Cチップ1のパッド10,10…と、宙吊りリード3及
びリード4,4…とは、ワイヤボンドされたワイヤ5を
介して接続されている。なお、宙吊りリード3を外部ピ
ン(アウターリード)として使用しない場合は、宙吊り
リード3にはワイヤボンドを行わないようになっている
【0013】以上の如く構成された第1実施例の金型フ
レームにおいては、半田6によってICチップ1をダイ
ボンドする際に、半田6が宙吊りリード3上を凸部31
,31へ向かって流れ出すことがあるが、このような場
合には、流出する半田6が凸部31,31によって堰き
止められ、凸部31,31の両側部から下方へ流れ落ち
るので、半田6は、宙吊りリード3におけるワイヤボン
ド位置まで達しない。
【0014】図3は本発明の第2実施例を示す半導体装
置用金型フレームのダイパッド2近傍の断面図であり、
図3において、図2と一致するものには同番号を付し説
明を省略する。この第2実施例において、前述の第1実
施例と異なる部分は、前記凸部31,31の替わりに、
宙吊りリード3におけるダイパッド2の両側に、前記半
田6の流出分を貯めるための凹部32,32が形成され
ていることである。前記凹部32,32は、宙吊りリー
ド3のワイヤボンド位置よりもダイパッド2側に位置し
ている。これらの凹部32,32は、宙吊りリード3の
一部を下方へ山型に突出させた凹部であり、フレーム製
作工程又はアセンブリ工程において形成されるようにな
っている。
【0015】以上の如く構成された第2実施例の金型フ
レームにおいては、半田6によってICチップ1をダイ
ボンドする際に、半田6が宙吊りリード3上を凹部32
,32へ向かって流れ出すことがあるが、このような場
合には、流出する半田6が凹部32,32内に流入し、
凹部32,32の両側部から下方へ流れ落ちるので、半
田6は、宙吊りリード3におけるワイヤボンド位置にま
で達しない。
【0016】図4は本発明の第3実施例を示す半導体装
置用金型フレームのダイパッド2近傍の断面図であり、
図4においては、図2と一致するものには同番号を付し
説明を省略する。この第3実施例においては、流出する
半田6を止めるものとして宙吊りリード3の上面にこれ
の幅方向を貫く溝部33,33 が形成されている。こ
れらの溝部33,33 は、宙吊りリード3のワイヤボ
ンド位置よりもダイパッド2側に位置している。前記溝
部33,33 は、エッチングフレームの場合にのみ適
用されるものであり、前記第1実施例及び第2実施例の
ようにフレーム製作工程又はアセンブリ工程において凸
部31,31及び凹部32,32を形成するのとは異な
り、製造工程が増えないようにエッチングにより形成さ
れるようになっている。
【0017】また、前述の如き第1実施例, 第2実施
例及び第3実施例における凸部31,31,凹部32,
32及び溝部33,33の夫々と、流出した半田6を抜
き落とすために従来から用いられている抜き穴とを併用
して、半田6の流出を止めるようにすれば、より確実に
半田6の流出を止められる。凸部31,31,凹部32
,32及び溝部33,33の夫々と抜き穴とを併用した
金型フレームの構成を以下の第4実施例〜第6実施例に
て説明する。
【0018】図5は凸部31,31と抜き穴とを併用し
た、本発明の第4実施例を示す半導体装置用金型フレー
ムのダイパッド2近傍の断面図、図6は凹部32,32
と抜き穴とを併用した、本発明の第5実施例を示す半導
体装置用金型フレームのダイパッド2近傍の断面図、図
7は溝部33,33 と抜き穴とを併用した、本発明の
第6実施例を示す半導体装置用金型フレームのダイパッ
ド2近傍の断面図である。
【0019】図5〜図7において、流出した半田6を抜
き落とすための抜き穴30,30 は夫々、宙吊りリー
ド3における凸部31,31(図5),凹部32,32
(図6),溝部33,33 (図7)よりもダイパッド
2側に設けられており、抜き穴30,30 は、流出し
た半田6が凸部31,31(図5),凹部32,32(
図6),溝部33,33 (図7)に達するする前に半
田6の一部を抜き落とすようになっている。
【0020】前述した如く本発明にあっては、流出した
半田6が凸部31,31又は凹部32,32又は溝部3
3,33 によって堰き止められるので、宙吊りリード
3のワイヤボンド位置まで半田6が達しないようになっ
ており、宙吊りリード3のワイヤボンドが確実に行える
【0021】
【発明の効果】以上述べたように、本発明に係る半導体
装置用金型フレームでは、宙吊りリード上でのワイヤボ
ンド位置よりもダイパッド側に、宙吊りリードの幅方向
に亘る凸部又は凹部が形成されているので、半導体素子
を半田にてダイパッド上に固着する際に宙吊りリードへ
流れ出る半田は、前記凸部又は凹部によって堰き止めら
れ、その半田は宙吊りリード上でのワイヤボンド位置ま
で達しないようになっているため、宙吊りリードのワイ
ヤボンド位置への半田の流出を抑止することができ、こ
れによって、宙吊りリードとワイヤとを高い信頼性で容
易に接続することができる等、本発明は優れた効果を奏
する。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明に係る半導体装置用金型フレームの第1
実施例の平面図である。
【図2】図1のII−II線による断面図である。
【図3】本発明の第2実施例を示す半導体装置用金型フ
レームのダイパッド近傍の断面図である。
【図4】本発明の第3実施例を示す半導体装置用金型フ
レームのダイパッド近傍の断面図である。
【図5】本発明の第4実施例を示す半導体装置用金型フ
レームのダイパッド近傍の断面図である。
【図6】本発明の第5実施例を示す半導体装置用金型フ
レームのダイパッド近傍の断面図である。
【図7】本発明の第6実施例を示す半導体装置用金型フ
レームのダイパッド近傍の断面図である。
【図8】ICチップが固着された従来の金型フレームの
平面図である。
【図9】図8のIX−IX線による断面図である。
【図10】流れ出た半田を抜き穴から抜き落とせない場
合の状態を示す金型フレームのダイパッド近傍の断面図
である。
【符号の説明】
1  ICチップ 2  ダイパッド 3  宙吊りリード 5  ワイヤ 6  半田 31  凸部 32  凹部 33  溝部

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】  半導体素子を半田にてその上に固着す
    べきダイパッドを宙吊りリードの中途に設けており、前
    記半導体素子と、前記宙吊りリードとをワイヤボンドす
    ることを可能としてある半導体装置用金型フレームにお
    いて、前記宙吊りリード上でのワイヤボンド位置よりも
    ダイパッド側に、宙吊りリードの幅方向に亘る凸部又は
    凹部を形成したことを特徴とする半導体装置用金型フレ
    ーム。
JP3147065A 1991-06-19 1991-06-19 半導体装置用金型フレーム Pending JPH04369859A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP3147065A JPH04369859A (ja) 1991-06-19 1991-06-19 半導体装置用金型フレーム

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP3147065A JPH04369859A (ja) 1991-06-19 1991-06-19 半導体装置用金型フレーム

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH04369859A true JPH04369859A (ja) 1992-12-22

Family

ID=15421694

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP3147065A Pending JPH04369859A (ja) 1991-06-19 1991-06-19 半導体装置用金型フレーム

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH04369859A (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8193091B2 (en) * 2002-01-09 2012-06-05 Panasonic Corporation Resin encapsulated semiconductor device and method for manufacturing the same

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8193091B2 (en) * 2002-01-09 2012-06-05 Panasonic Corporation Resin encapsulated semiconductor device and method for manufacturing the same

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US6395579B2 (en) Controlling packaging encapsulant leakage
JP4917112B2 (ja) 半導体装置
KR100366735B1 (ko) 반도체 장치의 제조방법
KR20080027920A (ko) 반도체 디바이스
JPH0955455A (ja) 樹脂封止型半導体装置、リードフレーム及び樹脂封止型半導体装置の製造方法
KR19980015059A (ko) 리드 프레임을 이용한 칩 스케일 패키지 제조 방법
US5708294A (en) Lead frame having oblique slits on a die pad
US20180122731A1 (en) Plated ditch pre-mold lead frame, semiconductor package, and method of making same
JP3839178B2 (ja) 半導体装置
JPH07201925A (ja) フィルムキャリアテープ
US20020182773A1 (en) Method for bonding inner leads of leadframe to substrate
KR100623606B1 (ko) 비지에이형 반도체 장치의 제조방법, 비지에이형 반도체 장치용 티에이비 테이프, 및 비지에이형 반도체 장치
JPH04369859A (ja) 半導体装置用金型フレーム
JP5062086B2 (ja) 半導体装置
JP3317951B2 (ja) 樹脂封止型半導体装置及びその製造方法
KR0172020B1 (ko) Tab 시스템의 플라스틱 봉지 반도체 장치
JP2924957B2 (ja) 樹脂封止型半導体装置
KR101237344B1 (ko) 향상된 신뢰성 및 높은 열방출능력을 갖는 몰디드 리드리스패키지 및 소잉형 몰디드 리드리스 패키지 및 그 제조방법
JP4764608B2 (ja) 半導体装置
JP2671683B2 (ja) 半導体装置の製造方法
KR100205495B1 (ko) 모서리의 양변이 식각된 방열판을 갖는 고방열 패키지용 리드프레임 및그를 이용한 반도체 칩 패키지
JP2748620B2 (ja) 半導体装置
KR100244254B1 (ko) 리드 프레임 및 이를 이용한 반도체 패키지
JP3227953B2 (ja) リードフレームとそれを用いた半導体装置
KR200165742Y1 (ko) 반도체 패키지