JPH0436922A - 電子放出素子の製造方法 - Google Patents
電子放出素子の製造方法Info
- Publication number
- JPH0436922A JPH0436922A JP2142491A JP14249190A JPH0436922A JP H0436922 A JPH0436922 A JP H0436922A JP 2142491 A JP2142491 A JP 2142491A JP 14249190 A JP14249190 A JP 14249190A JP H0436922 A JPH0436922 A JP H0436922A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- insulating member
- hole
- electron
- chip
- conductive material
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 15
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims abstract description 17
- 239000010407 anodic oxide Substances 0.000 claims description 14
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 claims description 10
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 7
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 5
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 3
- 238000007743 anodising Methods 0.000 claims description 2
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 abstract description 3
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 abstract description 3
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- 229910052593 corundum Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 229910001845 yogo sapphire Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 238000009125 cardiac resynchronization therapy Methods 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 3
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 3
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 2
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 2
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 2
- MODGUXHMLLXODK-UHFFFAOYSA-N [Br].CO Chemical compound [Br].CO MODGUXHMLLXODK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000003491 array Methods 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- -1 for example Substances 0.000 description 1
- 238000003801 milling Methods 0.000 description 1
- 238000002791 soaking Methods 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J9/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture, installation, removal, maintenance of electric discharge tubes, discharge lamps, or parts thereof; Recovery of material from discharge tubes or lamps
- H01J9/02—Manufacture of electrodes or electrode systems
- H01J9/022—Manufacture of electrodes or electrode systems of cold cathodes
- H01J9/025—Manufacture of electrodes or electrode systems of cold cathodes of field emission cathodes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J1/00—Details of electrodes, of magnetic control means, of screens, or of the mounting or spacing thereof, common to two or more basic types of discharge tubes or lamps
- H01J1/02—Main electrodes
- H01J1/30—Cold cathodes, e.g. field-emissive cathode
- H01J1/304—Field-emissive cathodes
- H01J1/3042—Field-emissive cathodes microengineered, e.g. Spindt-type
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Cold Cathode And The Manufacture (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、電子放出素子およびその製造方法に係り、詳
しくは表示デバイスやマイクロッアプリケーションに用
いられ、具体的にはＣＲＴ等に利用される電子放出素子
およびその製造方法に関する。
しくは表示デバイスやマイクロッアプリケーションに用
いられ、具体的にはＣＲＴ等に利用される電子放出素子
およびその製造方法に関する。
フラン）ＣＲＴ等に利用可能な従来の電子放出素子およ
びその製造方法としては、例えば特開昭６４−８６４２
７号公報に記載のものが知られている。このものは、８
．０２等の酸化膜に凹部を形成し、凹部に尖端部を有す
るカソードとしてのチップを形成するととも酸化膜の表
面上にゲートを形成したものである。」二速のフラット
ＣＲＴ自体はまだ市場には受は入れられていないのが現
状であるが、フランＩ−ＣＲＴが市場に受は入れられる
ためには、表示性能を向上するだけでなく表示性能の向
上以」−にコスＩ・を低減する必要がある。
びその製造方法としては、例えば特開昭６４−８６４２
７号公報に記載のものが知られている。このものは、８
．０２等の酸化膜に凹部を形成し、凹部に尖端部を有す
るカソードとしてのチップを形成するととも酸化膜の表
面上にゲートを形成したものである。」二速のフラット
ＣＲＴ自体はまだ市場には受は入れられていないのが現
状であるが、フランＩ−ＣＲＴが市場に受は入れられる
ためには、表示性能を向上するだけでなく表示性能の向
上以」−にコスＩ・を低減する必要がある。
フランｌ−ＣＲＴの表示性能は輝度の均一性に左右され
るため、表示性能を向」二するには１画素を多数のカソ
ード・アレイにより構成することにより各チップからの
放出電流の変化を平均化し２で、ＣＲＴ全体として輝度
の不均一・が観測されないようにするのが有効な手段で
ある。現在可能なカソード′・アレイの密度（電子放出
部の密度）は例えば１０５〜ＩＱ７／ｃｒ＋？である。
るため、表示性能を向」二するには１画素を多数のカソ
ード・アレイにより構成することにより各チップからの
放出電流の変化を平均化し２で、ＣＲＴ全体として輝度
の不均一・が観測されないようにするのが有効な手段で
ある。現在可能なカソード′・アレイの密度（電子放出
部の密度）は例えば１０５〜ＩＱ７／ｃｒ＋？である。
また、コストを低減するためには、電子放出部の構成を
簡ｍにして歩留り良く製造する必要がある。
簡ｍにして歩留り良く製造する必要がある。
しかしながら、従来の電子放出素子およびその製造方法
にあっては、実現可能な電子放出部の密度が低（、また
、−船釣にチップやケートの形成時にフォトマスクを用
いる必要があるため、フランｌ−ＣＲＴを市場に受は入
らせるのに必要な電子放出部の高密度化および電子放出
部の製造における歩留りの向上を実現することがてきな
いといった問題点があった。
にあっては、実現可能な電子放出部の密度が低（、また
、−船釣にチップやケートの形成時にフォトマスクを用
いる必要があるため、フランｌ−ＣＲＴを市場に受は入
らせるのに必要な電子放出部の高密度化および電子放出
部の製造における歩留りの向上を実現することがてきな
いといった問題点があった。
そこで本発明は、Ａ６の陽極酸化膜の孔内にチップを形
成することにより、高密度ピンチで形成された電子放出
部を歩留り良く製造することができる電子放出素子およ
びその製造方法を提供することを目的とし゛でいる。
成することにより、高密度ピンチで形成された電子放出
部を歩留り良く製造することができる電子放出素子およ
びその製造方法を提供することを目的とし゛でいる。
（発明の構成〕
本発明による電子放出素子は、上記目的を達成するため
、表面および裏面を有するとともに表面で開口する孔を
有する絶縁部材と、尖端部を有するとともに導電材料か
らなり、絶縁部材の孔内に設けられたチップと、導電材
料からなり、絶縁部材の孔内または絶縁部材の表面上の
少なくとも一方にチップから離隔するように設げられた
ケートと、を備え、前記絶縁部材がＡβをｌ陽極酸化し
て形成される陽極酸化膜により構成されることを特徴と
するものである。
、表面および裏面を有するとともに表面で開口する孔を
有する絶縁部材と、尖端部を有するとともに導電材料か
らなり、絶縁部材の孔内に設けられたチップと、導電材
料からなり、絶縁部材の孔内または絶縁部材の表面上の
少なくとも一方にチップから離隔するように設げられた
ケートと、を備え、前記絶縁部材がＡβをｌ陽極酸化し
て形成される陽極酸化膜により構成されることを特徴と
するものである。
また、本発明による電子放出素子の製造方法は、上記目
的を達成するため、導電部材を収納した絶縁部材の孔の
軸線方向がイオンビームの照射方向に対して傾斜するよ
うに、絶縁部材を配設し、孔の軸線回りに絶縁部材を回
転させながら絶縁部材および導電部材にイオンビームを
照射して尖端部を有するチップを形成する工程と、絶縁
部材の孔の軸線方向が導電材料の蒸発方向に対して傾斜
するように、絶縁部材を配設し、孔の軸線回りに絶縁部
材を回転させながら絶縁部材に導電材料を蒸着させてケ
ートを形成する工程と、を含むことを特徴とするもので
ある。
的を達成するため、導電部材を収納した絶縁部材の孔の
軸線方向がイオンビームの照射方向に対して傾斜するよ
うに、絶縁部材を配設し、孔の軸線回りに絶縁部材を回
転させながら絶縁部材および導電部材にイオンビームを
照射して尖端部を有するチップを形成する工程と、絶縁
部材の孔の軸線方向が導電材料の蒸発方向に対して傾斜
するように、絶縁部材を配設し、孔の軸線回りに絶縁部
材を回転させながら絶縁部材に導電材料を蒸着させてケ
ートを形成する工程と、を含むことを特徴とするもので
ある。
以下、本発明を実施例に基ついて具体的に説明する。
第１〜１２図は本発明に係る電子放出素子の一実施例を
示す図である。
示す図である。
まず、電子放出素子の構成を説明する。
第１図において、１は電界放出の電子放出素子であり、
電界放出とは印加電界がｌ、Ｑ９Ｖ／ｒｎ程度に達する
と常温で電子放出が得られることを意味する。電子放出
素子１は絶縁部材２、チップ３、ゲー１〜４およびアド
レスライン５から構成される。
電界放出とは印加電界がｌ、Ｑ９Ｖ／ｒｎ程度に達する
と常温で電子放出が得られることを意味する。電子放出
素子１は絶縁部材２、チップ３、ゲー１〜４およびアド
レスライン５から構成される。
絶縁部材２は表面２ａおよび裏面２ｂを有するとともに
表面２ａで開口する孔２Ｃを有し、Ａｎを陽極酸化して
形成されるＡ （ｔ ｚ Ｏ３からなる陽極酸化膜によ
り構成される。チップ３は尖端部３ａを有するとともに
導電材料、例えばＡｕからなり、絶縁部材２の孔２Ｃ内
に設けられている。ゲート４は導電材料、例えばＡｕか
らなり、絶縁部材２の孔２Ｃ内および絶縁部材２の表面
２ａ上の少なくとも一方に、本実施例では両方にチップ
３から離隔するように設けられている。アドレスライン
５は導電材料、例えばＡｕからなり、絶縁部材２の裏面
２ｂおよびチップ３に当接して、チップ３に電気的に接
続されている。したがって、アドレスライン５およびゲ
ート４に電界を印加するごとにより、チップ３の尖端部
３ａから電子が放出されるようになっている。なお、ゲ
ート４は三極管ではグリッドと呼ばれる。
表面２ａで開口する孔２Ｃを有し、Ａｎを陽極酸化して
形成されるＡ （ｔ ｚ Ｏ３からなる陽極酸化膜によ
り構成される。チップ３は尖端部３ａを有するとともに
導電材料、例えばＡｕからなり、絶縁部材２の孔２Ｃ内
に設けられている。ゲート４は導電材料、例えばＡｕか
らなり、絶縁部材２の孔２Ｃ内および絶縁部材２の表面
２ａ上の少なくとも一方に、本実施例では両方にチップ
３から離隔するように設けられている。アドレスライン
５は導電材料、例えばＡｕからなり、絶縁部材２の裏面
２ｂおよびチップ３に当接して、チップ３に電気的に接
続されている。したがって、アドレスライン５およびゲ
ート４に電界を印加するごとにより、チップ３の尖端部
３ａから電子が放出されるようになっている。なお、ゲ
ート４は三極管ではグリッドと呼ばれる。
次に、電子放出素子１の製造方法を第２〜１２図に従っ
て説明する。
て説明する。
まず、Ａβ基板（図示しない）の表層を陽極酸化処理す
る。すなわら、例えば５〜２０％の硫酸を用い温度を０
〜２０℃の範囲て変動ｒｌＪをゴニ２℃以内に保ち、電
流密度を０．６〜３ Ａ ／ ｄ ｍにして、５〜６０
分間陽極酸化処理をすると、へβ基板の表層１〜１００
μｍ厚さには、第２．３図に示すよ・うな多数の微細孔
１１ａを有するＡｎｚＣ）＋からなる陽極酸化膜１１が
形成される。微細孔月ａの径はｌＯ〜３０ｎｍ、孔ピン
チは３０〜］、ＯＯｎｍ以下であり、微細孔１．１．２
は１ｃｍあたり１０９〜１０１１個存在する。
る。すなわら、例えば５〜２０％の硫酸を用い温度を０
〜２０℃の範囲て変動ｒｌＪをゴニ２℃以内に保ち、電
流密度を０．６〜３ Ａ ／ ｄ ｍにして、５〜６０
分間陽極酸化処理をすると、へβ基板の表層１〜１００
μｍ厚さには、第２．３図に示すよ・うな多数の微細孔
１１ａを有するＡｎｚＣ）＋からなる陽極酸化膜１１が
形成される。微細孔月ａの径はｌＯ〜３０ｎｍ、孔ピン
チは３０〜］、ＯＯｎｍ以下であり、微細孔１．１．２
は１ｃｍあたり１０９〜１０１１個存在する。
なお、１２はＡ６部材である。
次いて、第４図に示すように、電解析出により陽極酸化
膜１］の微細孔１１ａ内に例えばＡｕを析出させＡ、
ｕ部材】３を形成する。電解析出の条件は電流密度０．
］〜１５Ａ ／ ｄ ｍ、浴温５０〜７０’Ｃ１時間１
０分〜１２０分である。
膜１］の微細孔１１ａ内に例えばＡｕを析出させＡ、
ｕ部材】３を形成する。電解析出の条件は電流密度０．
］〜１５Ａ ／ ｄ ｍ、浴温５０〜７０’Ｃ１時間１
０分〜１２０分である。
次いで、第５図に示すように、蒸着やスパッタ等により
微細孔１１ａを覆うようにＡ、 ｕ膜１４を陽極酸化膜
１１に膜付けし、ΔＵ膜１４にフォトプロセスを用いて
所望のラインパターンを形成する。ずなわら、アドレス
ライン５を形成する。
微細孔１１ａを覆うようにＡ、 ｕ膜１４を陽極酸化膜
１１に膜付けし、ΔＵ膜１４にフォトプロセスを用いて
所望のラインパターンを形成する。ずなわら、アドレス
ライン５を形成する。
次いで、第６図に示すように、ＡＩ部材１２を除去、例
えば臭素−メタノール溶液で溶解除去する。
えば臭素−メタノール溶液で溶解除去する。
次いで、陽極酸化膜１１の一部を例えば温度２０〜５０
°Ｃのリン酸溶液中に１０〜６０分浸して除去し、第７
．８図に示すよう、Ａｕ部材１３を露出させるとともに
、孔２ｃを有する絶縁部材２を形成する。
°Ｃのリン酸溶液中に１０〜６０分浸して除去し、第７
．８図に示すよう、Ａｕ部材１３を露出させるとともに
、孔２ｃを有する絶縁部材２を形成する。
次いで、第９図に示すように、孔２ｃの軸線りがイオン
ビームの照射方向に対して角度θＩ傾斜するように、絶
縁部材２を配設し、絶縁部材２を軸線り回りに回転させ
ながら、イオンビームを絶縁部材２およびＡｕ部材１３
に照射し、イオンビームエツチングあるいはイオンビー
ムミリングによりＡｕ部材］３の露出端の一部を除去し
、第１０図に示すシャープな尖端部３ａを有するチップ
３を形成する。なお、絶縁部材２はシャープな尖端部３
ａを形成するためのマスクとして機能し、」二連の角度
θ、は１０〜４５°である。すなわち、本工程が、本発
明による導電部材を収納した絶縁部材の孔の軸線方向が
イオンビームの照射方向に対して傾斜するように、絶縁
部材を配設し、孔の軸線回りに絶縁部材を回転させなが
ら絶縁部材および導電部材にイオンビームを照射して尖
端部を有するチップを形成する工程である。
ビームの照射方向に対して角度θＩ傾斜するように、絶
縁部材２を配設し、絶縁部材２を軸線り回りに回転させ
ながら、イオンビームを絶縁部材２およびＡｕ部材１３
に照射し、イオンビームエツチングあるいはイオンビー
ムミリングによりＡｕ部材］３の露出端の一部を除去し
、第１０図に示すシャープな尖端部３ａを有するチップ
３を形成する。なお、絶縁部材２はシャープな尖端部３
ａを形成するためのマスクとして機能し、」二連の角度
θ、は１０〜４５°である。すなわち、本工程が、本発
明による導電部材を収納した絶縁部材の孔の軸線方向が
イオンビームの照射方向に対して傾斜するように、絶縁
部材を配設し、孔の軸線回りに絶縁部材を回転させなが
ら絶縁部材および導電部材にイオンビームを照射して尖
端部を有するチップを形成する工程である。
次いで、第１１図に示すように、孔２Ｃの軸線りが導電
材料、例えばＡｕ材１５の蒸発方向に対して角度θ２傾
斜するように、絶縁部材２を配設し、Ａｕ材１５を絶縁
部材２に厚さ５００人程度蒸着させ、第１２図に示すゲ
ート４を形成する。ただし、θ２は前述のθ１より大き
くする必要がある。すなわち、本工程が、本発明による
絶縁部材の孔の軸線方向が導電材料の蒸発方向に対して
傾斜するように、絶縁部材を配設し、孔の軸線回りに絶
縁部材を回転させながら絶縁部材に導電材料を蒸着させ
てゲートを形成する工程である。以上の工程により電子
放出素子１が製造される。
材料、例えばＡｕ材１５の蒸発方向に対して角度θ２傾
斜するように、絶縁部材２を配設し、Ａｕ材１５を絶縁
部材２に厚さ５００人程度蒸着させ、第１２図に示すゲ
ート４を形成する。ただし、θ２は前述のθ１より大き
くする必要がある。すなわち、本工程が、本発明による
絶縁部材の孔の軸線方向が導電材料の蒸発方向に対して
傾斜するように、絶縁部材を配設し、孔の軸線回りに絶
縁部材を回転させながら絶縁部材に導電材料を蒸着させ
てゲートを形成する工程である。以上の工程により電子
放出素子１が製造される。
上述のように本実施例では、絶縁部材２が陽極酸化膜１
１により構成され、陽極酸化膜１１が有する微細孔１１
ａを絶縁部材２の孔２Ｃとして利用するごとができるの
で、チップ３の密度すなわち電子放出部の密度を前述し
たように１０９〜ＩＱ”７ｃｍにすることができる。し
たがって、電子放出素子度が１０５〜ＩＱ７／ｃｍであ
った従来のものに比較すると、電子放出部を桁違いに高
密度にすることができ、１画素に対して非常に多くの電
子放出部を提供することができる。
１により構成され、陽極酸化膜１１が有する微細孔１１
ａを絶縁部材２の孔２Ｃとして利用するごとができるの
で、チップ３の密度すなわち電子放出部の密度を前述し
たように１０９〜ＩＱ”７ｃｍにすることができる。し
たがって、電子放出素子度が１０５〜ＩＱ７／ｃｍであ
った従来のものに比較すると、電子放出部を桁違いに高
密度にすることができ、１画素に対して非常に多くの電
子放出部を提供することができる。
また、チップ３やゲート４を形成するとき、フォトマス
クを用いる必要がないので、すなわぢ、絶縁部材２自体
がマスクとして機能するので、電子放出部の製造を容易
にするとともにコストを低減することができる。したが
って、電子放出部の製造における歩留りを向上すること
ができる。
クを用いる必要がないので、すなわぢ、絶縁部材２自体
がマスクとして機能するので、電子放出部の製造を容易
にするとともにコストを低減することができる。したが
って、電子放出部の製造における歩留りを向上すること
ができる。
さらに、絶縁部材２をＡｎの陽極酸化膜により構成して
いるので、電子放出素子１を容易に大面積化することが
できる。
いるので、電子放出素子１を容易に大面積化することが
できる。
本発明によれば、絶縁部材が陽極酸化膜により構成され
るので、陽極酸化膜が有する微細孔を絶縁部材の孔とし
て利用することができ、電子放出部を高密度にすること
ができる。
るので、陽極酸化膜が有する微細孔を絶縁部材の孔とし
て利用することができ、電子放出部を高密度にすること
ができる。
また、チップやゲートを形成するとき、フォトマスクを
用いる必要がないので、電子放出部の製造を容易にする
とともにコス１−を低減することができる。
用いる必要がないので、電子放出部の製造を容易にする
とともにコス１−を低減することができる。
したがって、高密度ピッチで形成された電子放出部を歩
留り良く製造することができる
留り良く製造することができる
第１〜１２図は本発明に係る電子放出素子の一実施例を
示す図であり、第１図はその断面図、第２．３図はその
陽極酸化膜を説明するための図、第４〜１２図はその電
子放出素子の製造方法を説明するための断面図である。 ２・・・・・−絶縁部材、 ２ａ・・・・・・表面、 ２ｂ・・・・・・裏面、 ２Ｃ・・・・・・孔、 ３・・・・・・チップ、 ３ａ・・・・・・尖端部、 ４・・・・・・ゲート、 １１・・・・・・陽極酸化膜、 １３・・・・・・Ａｕ部材（導電部材）、１５・・・・
・・Ａ ｕ材（導電材料）。 代 理 人 弁理士 有我
示す図であり、第１図はその断面図、第２．３図はその
陽極酸化膜を説明するための図、第４〜１２図はその電
子放出素子の製造方法を説明するための断面図である。 ２・・・・・−絶縁部材、 ２ａ・・・・・・表面、 ２ｂ・・・・・・裏面、 ２Ｃ・・・・・・孔、 ３・・・・・・チップ、 ３ａ・・・・・・尖端部、 ４・・・・・・ゲート、 １１・・・・・・陽極酸化膜、 １３・・・・・・Ａｕ部材（導電部材）、１５・・・・
・・Ａ ｕ材（導電材料）。 代 理 人 弁理士 有我
Claims (2)
- （１）表面および裏面を有するとともに表面で開口する
孔を有する絶縁部材と、尖端部を有するとともに導電材
料からなり、絶縁部材の孔内に設けられたチップと、導
電材料からなり、絶縁部材の孔内および絶縁部材の表面
上の少なくとも一方にチップから離隔するように設けら
れたゲートと、を備え、前記絶縁部材がＡｌを陽極酸化
して形成される陽極酸化膜により構成されることを特徴
とする電子放出素子。 - （２）導電部材を収納した絶縁部材の孔の軸線方向がイ
オンビームの照射方向に対して傾斜するように、絶縁部
材を配設し、孔の軸線回りに絶縁部材を回転させながら
絶縁部材および導電部材にイオンビームを照射して尖端
部を有するチップを形成する工程と、絶縁部材の孔の軸
線方向が導電材料の蒸発方向に対して傾斜するように、
絶縁部材を配設し、孔の軸線回りに絶縁部材を回転させ
ながら絶縁部材に導電材料を蒸着させてゲートを形成す
る工程と、を含むことを特徴とする電子放出素子の製造
方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14249190A JP3007654B2 (ja) | 1990-05-31 | 1990-05-31 | 電子放出素子の製造方法 |
| US07/696,913 US5164632A (en) | 1990-05-31 | 1991-05-08 | Electron emission element for use in a display device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14249190A JP3007654B2 (ja) | 1990-05-31 | 1990-05-31 | 電子放出素子の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0436922A true JPH0436922A (ja) | 1992-02-06 |
| JP3007654B2 JP3007654B2 (ja) | 2000-02-07 |
Family
ID=15316561
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14249190A Expired - Fee Related JP3007654B2 (ja) | 1990-05-31 | 1990-05-31 | 電子放出素子の製造方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5164632A (ja) |
| JP (1) | JP3007654B2 (ja) |
Families Citing this family (36)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3054205B2 (ja) * | 1991-02-20 | 2000-06-19 | 株式会社リコー | 電子放出素子集積基板 |
| US5371431A (en) * | 1992-03-04 | 1994-12-06 | Mcnc | Vertical microelectronic field emission devices including elongate vertical pillars having resistive bottom portions |
| US5320570A (en) * | 1993-01-22 | 1994-06-14 | Motorola, Inc. | Method for realizing high frequency/speed field emission devices and apparatus |
| JP2653008B2 (ja) * | 1993-01-25 | 1997-09-10 | 日本電気株式会社 | 冷陰極素子およびその製造方法 |
| JPH07111868B2 (ja) * | 1993-04-13 | 1995-11-29 | 日本電気株式会社 | 電界放出冷陰極素子 |
| JP2576760B2 (ja) * | 1993-06-08 | 1997-01-29 | 日本電気株式会社 | 微小電界放出冷陰極とその製造方法 |
| US5559389A (en) * | 1993-09-08 | 1996-09-24 | Silicon Video Corporation | Electron-emitting devices having variously constituted electron-emissive elements, including cones or pedestals |
| US7025892B1 (en) | 1993-09-08 | 2006-04-11 | Candescent Technologies Corporation | Method for creating gated filament structures for field emission displays |
| US5564959A (en) * | 1993-09-08 | 1996-10-15 | Silicon Video Corporation | Use of charged-particle tracks in fabricating gated electron-emitting devices |
| US5462467A (en) * | 1993-09-08 | 1995-10-31 | Silicon Video Corporation | Fabrication of filamentary field-emission device, including self-aligned gate |
| US5528103A (en) * | 1994-01-31 | 1996-06-18 | Silicon Video Corporation | Field emitter with focusing ridges situated to sides of gate |
| US5731228A (en) * | 1994-03-11 | 1998-03-24 | Fujitsu Limited | Method for making micro electron beam source |
| GB9416754D0 (en) * | 1994-08-18 | 1994-10-12 | Isis Innovation | Field emitter structures |
| US5688158A (en) * | 1995-08-24 | 1997-11-18 | Fed Corporation | Planarizing process for field emitter displays and other electron source applications |
| US5828288A (en) * | 1995-08-24 | 1998-10-27 | Fed Corporation | Pedestal edge emitter and non-linear current limiters for field emitter displays and other electron source applications |
| US5844351A (en) * | 1995-08-24 | 1998-12-01 | Fed Corporation | Field emitter device, and veil process for THR fabrication thereof |
| DE19602595A1 (de) * | 1996-01-25 | 1997-07-31 | Bosch Gmbh Robert | Verfahren zur Herstellung von Feldemissionsspitzen |
| US5865657A (en) * | 1996-06-07 | 1999-02-02 | Candescent Technologies Corporation | Fabrication of gated electron-emitting device utilizing distributed particles to form gate openings typically beveled and/or combined with lift-off or electrochemical removal of excess emitter material |
| US5755944A (en) * | 1996-06-07 | 1998-05-26 | Candescent Technologies Corporation | Formation of layer having openings produced by utilizing particles deposited under influence of electric field |
| US6187603B1 (en) | 1996-06-07 | 2001-02-13 | Candescent Technologies Corporation | Fabrication of gated electron-emitting devices utilizing distributed particles to define gate openings, typically in combination with lift-off of excess emitter material |
| US5865659A (en) * | 1996-06-07 | 1999-02-02 | Candescent Technologies Corporation | Fabrication of gated electron-emitting device utilizing distributed particles to define gate openings and utilizing spacer material to control spacing between gate layer and electron-emissive elements |
| WO1998054745A1 (en) * | 1997-05-30 | 1998-12-03 | Candescent Technologies Corporation | Structure and fabrication of electron-emitting device having specially configured focus coating |
| JPH11246300A (ja) * | 1997-10-30 | 1999-09-14 | Canon Inc | チタンナノ細線、チタンナノ細線の製造方法、構造体及び電子放出素子 |
| US6525461B1 (en) | 1997-10-30 | 2003-02-25 | Canon Kabushiki Kaisha | Narrow titanium-containing wire, process for producing narrow titanium-containing wire, structure, and electron-emitting device |
| US6008062A (en) * | 1997-10-31 | 1999-12-28 | Candescent Technologies Corporation | Undercutting technique for creating coating in spaced-apart segments |
| US6010383A (en) * | 1997-10-31 | 2000-01-04 | Candescent Technologies Corporation | Protection of electron-emissive elements prior to removing excess emitter material during fabrication of electron-emitting device |
| JP3631015B2 (ja) | 1997-11-14 | 2005-03-23 | キヤノン株式会社 | 電子放出素子及びその製造方法 |
| US6649824B1 (en) * | 1999-09-22 | 2003-11-18 | Canon Kabushiki Kaisha | Photoelectric conversion device and method of production thereof |
| GB2406435B (en) * | 2000-03-24 | 2005-05-11 | Toshiba Kk | Electron source device, method of manufacturing the same, and flat display apparatus comprising an electron source device |
| JP2001266737A (ja) * | 2000-03-24 | 2001-09-28 | Toshiba Corp | 電子源装置、その製造方法、および電子源装置を備えた平面表示装置 |
| US7364769B2 (en) * | 2003-05-13 | 2008-04-29 | Ricoh Company, Ltd. | Apparatus and method for formation of a wiring pattern on a substrate, and electronic devices and producing methods thereof |
| JP4191567B2 (ja) * | 2003-09-18 | 2008-12-03 | 株式会社リコー | 導電性接着剤による接続構造体及びその製造方法 |
| US20070265158A1 (en) * | 2004-03-29 | 2007-11-15 | Pioneer Corporation | Method of Selectively Applying Carbon Nanotube Catalyst |
| FR2899572B1 (fr) * | 2006-04-05 | 2008-09-05 | Commissariat Energie Atomique | Protection de cavites debouchant sur une face d'un element microstructure |
| SG140485A1 (en) * | 2006-08-24 | 2008-03-28 | Sony Corp | An electron emitter and a display apparatus utilising the same |
| US11583810B2 (en) * | 2020-12-14 | 2023-02-21 | Industrial Technology Research Institute | Porous substrate structure and manufacturing method thereof |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3753022A (en) * | 1971-04-26 | 1973-08-14 | Us Army | Miniature, directed, electron-beam source |
| US4345181A (en) * | 1980-06-02 | 1982-08-17 | Joe Shelton | Edge effect elimination and beam forming designs for field emitting arrays |
| US4683399A (en) * | 1981-06-29 | 1987-07-28 | Rockwell International Corporation | Silicon vacuum electron devices |
| JP2612564B2 (ja) * | 1987-02-06 | 1997-05-21 | キヤノン株式会社 | マルチ型電子放出素子及びその製造方法 |
-
1990
- 1990-05-31 JP JP14249190A patent/JP3007654B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1991
- 1991-05-08 US US07/696,913 patent/US5164632A/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5164632A (en) | 1992-11-17 |
| JP3007654B2 (ja) | 2000-02-07 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH0436922A (ja) | 電子放出素子の製造方法 | |
| US5151061A (en) | Method to form self-aligned tips for flat panel displays | |
| JP2897674B2 (ja) | 電界放出型冷陰極とこれを用いた電子銃 | |
| JP3054205B2 (ja) | 電子放出素子集積基板 | |
| EP0468036A1 (en) | DEVICE FOR TRANSMITTING BY A COATED FIELD EFFECT USING A SUBSTANTIALLY NORMAL PROCESS OF VACUUM METALLIZATION. | |
| KR100416141B1 (ko) | 카본계 물질로 형성된 에미터를 갖는 전계 방출표시소자의 제조방법 | |
| KR20010020373A (ko) | 개방회로 전기화학적 리프트 오프를 사용한 필드 에미터 제조 | |
| US20070013286A1 (en) | Method and Structure of Converging Electron-Emission Source of Field-Emission Display | |
| JP3033179B2 (ja) | 電界放出型エミッタ及びその製造方法 | |
| US5506476A (en) | Field emission cathode | |
| JP3190850B2 (ja) | 真空マイクロ素子の製造方法及びこの製造方法による真空マイクロ素子 | |
| JP3084768B2 (ja) | 電界放出型陰極装置 | |
| JP3094464B2 (ja) | 電界放出型マイクロカソードの製造方法 | |
| JP3487230B2 (ja) | 電界放射型電子源およびその製造方法およびディスプレイ装置 | |
| US4684994A (en) | Television camera tube with honeycomb grid electrode | |
| JP3437007B2 (ja) | 電界放出陰極及びその製造方法 | |
| JP4206480B2 (ja) | 電界放出型電子源 | |
| KR960005331B1 (ko) | 측벽을 이용한 전자방출 기판 제조방법 | |
| KR940011723B1 (ko) | Fed의 제조방법 | |
| JPH07296717A (ja) | 電界放出型冷陰極 | |
| JPH05242796A (ja) | 電子放出素子の製造方法 | |
| JPS609171A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP2001143602A (ja) | 電界放出型冷陰極及びその製造方法 | |
| JP2001307665A (ja) | 窒化物半導体素子およびその製造方法 | |
| KR20020009067A (ko) | 전계 방출 표시소자의 필드 에미터 및 그 제조방법 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |