JPH04368355A - トリデカジエニルアセタートの製造方法 - Google Patents
トリデカジエニルアセタートの製造方法Info
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- JPH04368355A JPH04368355A JP3167797A JP16779791A JPH04368355A JP H04368355 A JPH04368355 A JP H04368355A JP 3167797 A JP3167797 A JP 3167797A JP 16779791 A JP16779791 A JP 16779791A JP H04368355 A JPH04368355 A JP H04368355A
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Classifications
-
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- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P20/00—Technologies relating to chemical industry
- Y02P20/50—Improvements relating to the production of bulk chemicals
- Y02P20/55—Design of synthesis routes, e.g. reducing the use of auxiliary or protecting groups
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- Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
- Low-Molecular Organic Synthesis Reactions Using Catalysts (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】近年、害虫防除の方法として性フ
ェロモンを応用することが注目を集めており、モニタリ
ング、大量誘殺、交信撹乱などが広く研究されている。 中でも交信撹乱法に性フェロモンを利用する場合低コス
トで高純度のフェロモン原体を供給することが、産業上
不可欠の条件になっている。本発明は、世界的なナス科
植物の害虫であるジャガイモガ(Phthorimae
a operculella, Zeller) のフ
ェロモン成分として有用なE,Z−4,7−トリデカジ
エニルアセタートの製造方法に関するものである。
ェロモンを応用することが注目を集めており、モニタリ
ング、大量誘殺、交信撹乱などが広く研究されている。 中でも交信撹乱法に性フェロモンを利用する場合低コス
トで高純度のフェロモン原体を供給することが、産業上
不可欠の条件になっている。本発明は、世界的なナス科
植物の害虫であるジャガイモガ(Phthorimae
a operculella, Zeller) のフ
ェロモン成分として有用なE,Z−4,7−トリデカジ
エニルアセタートの製造方法に関するものである。
【0002】
【従来の技術】これまでに、いくつかのE,Z−4,7
−トリデカジエニルアセタートの合成法が報告されてい
る。例えば、カードらによる米国特許第 401025
5号、ラボビッツらによる米国特許第 4014942
号、フェルマンらによる西独特許第 2735361号
では、いずれも一般式ClCH2CH=CH(CH2)
3OR(式中 Rは1−エトキシエチル基あるいはテト
ラヒドロピラニル基を表す)で示される水酸基を保護し
た化合物を中間体として用いて合成している。またヤダ
フ(Indian Journal of Chemi
stry, 25B,1220〜1223(1986)
) とチャダら(Indian Journal of
Chemistry, 26B,187〜 188(
1987)) はオルトエステルクライゼン転位反応を
利用して合成している。前者は液体アンモニアを用い、
後者はテトラヒドロピラニル基を用いて水酸基の保護を
行っている。
−トリデカジエニルアセタートの合成法が報告されてい
る。例えば、カードらによる米国特許第 401025
5号、ラボビッツらによる米国特許第 4014942
号、フェルマンらによる西独特許第 2735361号
では、いずれも一般式ClCH2CH=CH(CH2)
3OR(式中 Rは1−エトキシエチル基あるいはテト
ラヒドロピラニル基を表す)で示される水酸基を保護し
た化合物を中間体として用いて合成している。またヤダ
フ(Indian Journal of Chemi
stry, 25B,1220〜1223(1986)
) とチャダら(Indian Journal of
Chemistry, 26B,187〜 188(
1987)) はオルトエステルクライゼン転位反応を
利用して合成している。前者は液体アンモニアを用い、
後者はテトラヒドロピラニル基を用いて水酸基の保護を
行っている。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】以上の合成方法は保護
基を用いたり液体アンモニアを用いたりしているため、
工業的規模で行うには価格や取り扱い等の問題が多かっ
た。従って大規模合成にふさわしい工業的なE,Z−4
,7−トリデカジエニルアセタートの合成法が求められ
ていた。
基を用いたり液体アンモニアを用いたりしているため、
工業的規模で行うには価格や取り扱い等の問題が多かっ
た。従って大規模合成にふさわしい工業的なE,Z−4
,7−トリデカジエニルアセタートの合成法が求められ
ていた。
【0004】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、これらの
課題を解決すべく鋭意検討を行った結果、トランス−1
,6−ジハロ−2−ヘキセンを1−ヘプチンのグリニャ
ール試薬と反応させると、1位のハロゲン基のみがアル
キニル化された化合物に変換できること、次いで、この
化合物の7位の三重結合を接触還元してシス二重結合と
した後、酢酸塩と反応させてハロゲン基をアセチル基に
変換すると、E,Z−4,7−トリデカジエニルアセタ
ートが合成できることを見出し、さらに、この一連の工
程を利用すれば保護基や特殊な反応条件を用いずにE,
Z−4,7−トリデカジエニルアセタートを低コストで
純度よく製造できることを明らかにし、本発明を完成し
た。
課題を解決すべく鋭意検討を行った結果、トランス−1
,6−ジハロ−2−ヘキセンを1−ヘプチンのグリニャ
ール試薬と反応させると、1位のハロゲン基のみがアル
キニル化された化合物に変換できること、次いで、この
化合物の7位の三重結合を接触還元してシス二重結合と
した後、酢酸塩と反応させてハロゲン基をアセチル基に
変換すると、E,Z−4,7−トリデカジエニルアセタ
ートが合成できることを見出し、さらに、この一連の工
程を利用すれば保護基や特殊な反応条件を用いずにE,
Z−4,7−トリデカジエニルアセタートを低コストで
純度よく製造できることを明らかにし、本発明を完成し
た。
【0005】本発明の出発物質であるグリニャール試薬
は、下記化1式に示されるように、メチルマグネシウム
クロリドやエチルマグネシウムブロミド等に1−ヘプチ
ンを反応させることにより容易に得られる。
は、下記化1式に示されるように、メチルマグネシウム
クロリドやエチルマグネシウムブロミド等に1−ヘプチ
ンを反応させることにより容易に得られる。
【化1】
本反応に用いられる溶媒はテトラヒドロフラン(以下、
THFとする)、エチルエーテル、n−ブチルエーテル
などのエーテル類、トルエン、ベンゼン、キシレンなど
の炭化水素類を単独もしくは混合して用いられる。
THFとする)、エチルエーテル、n−ブチルエーテル
などのエーテル類、トルエン、ベンゼン、キシレンなど
の炭化水素類を単独もしくは混合して用いられる。
【0006】このグリニャール試薬(1)とトランス−
1,6−ジハロ−2−ヘキセン(2)を 0.8〜 1
.2モル量使用し、銅触媒の存在下、温度20〜 12
0℃、望ましくは40〜80℃で反応すれば、2〜10
時間で下記化2式の反応は完結する。ここで使用する銅
触媒は塩化銅(I)、臭化銅(I)、ヨウ化銅(I)、
シアン化銅(I)などの一価の銅塩、塩化銅(II)、
臭化銅(II)などの二価の銅塩またはリチウムテトラ
クロロクプラートなどの銅−リチウム触媒を挙げること
ができる。
1,6−ジハロ−2−ヘキセン(2)を 0.8〜 1
.2モル量使用し、銅触媒の存在下、温度20〜 12
0℃、望ましくは40〜80℃で反応すれば、2〜10
時間で下記化2式の反応は完結する。ここで使用する銅
触媒は塩化銅(I)、臭化銅(I)、ヨウ化銅(I)、
シアン化銅(I)などの一価の銅塩、塩化銅(II)、
臭化銅(II)などの二価の銅塩またはリチウムテトラ
クロロクプラートなどの銅−リチウム触媒を挙げること
ができる。
【化2】
【0007】次いで、ここで得られたエンイン化合物(
3)の水素添加(化3式)を行うわけであるが、この反
応に用いられる触媒はパラジウム−炭素、パラジウム−
硫酸バリウム、パラジウム−アルミナ、パラジウム−ケ
イソウ土、パラジウム−炭酸カルシウム、ロジウム−炭
素、ルテニウム−炭素、P−2ニッケル、ラネーニッケ
ル、リンドラー触媒などを挙げることができる。使用す
る触媒の量は反応基質に対して 0.001〜 0.2
等量であり、水素圧は常圧から10kg/cm2の範囲
、好ましくは1〜5kg/cm2である。反応温度は0
〜80℃であるが、反応速度に大きく影響するので20
〜50℃がよい。反応後、通常の操作で触媒を分離して
次のアセチル化工程へすすむ。
3)の水素添加(化3式)を行うわけであるが、この反
応に用いられる触媒はパラジウム−炭素、パラジウム−
硫酸バリウム、パラジウム−アルミナ、パラジウム−ケ
イソウ土、パラジウム−炭酸カルシウム、ロジウム−炭
素、ルテニウム−炭素、P−2ニッケル、ラネーニッケ
ル、リンドラー触媒などを挙げることができる。使用す
る触媒の量は反応基質に対して 0.001〜 0.2
等量であり、水素圧は常圧から10kg/cm2の範囲
、好ましくは1〜5kg/cm2である。反応温度は0
〜80℃であるが、反応速度に大きく影響するので20
〜50℃がよい。反応後、通常の操作で触媒を分離して
次のアセチル化工程へすすむ。
【化3】
【0008】上記(4)は、少なくとも等モル量、好ま
しくは 1.2から数倍モル量の各種金属の酢酸塩と溶
媒中加熱することにより容易にアセタートへと変換する
ことができる。本反応に用いられる溶媒はトルエン、キ
シレンなどの炭化水素類、アセトニトリル、N,N−ジ
メチルホルムアミド、ジメチルスルホキシドなどの非プ
ロトン性極性溶媒を単独もしくは2種以上を組み合わせ
て用いられる。反応温度は、通常80〜 200℃、好
ましくは 120〜 150℃である。反応後、蒸留ま
たはカラムクロマトグラフィーなどの通常の精製操作に
よりE,Z−4,7−トリデカジエニルアセタート(5
)が得られる。
しくは 1.2から数倍モル量の各種金属の酢酸塩と溶
媒中加熱することにより容易にアセタートへと変換する
ことができる。本反応に用いられる溶媒はトルエン、キ
シレンなどの炭化水素類、アセトニトリル、N,N−ジ
メチルホルムアミド、ジメチルスルホキシドなどの非プ
ロトン性極性溶媒を単独もしくは2種以上を組み合わせ
て用いられる。反応温度は、通常80〜 200℃、好
ましくは 120〜 150℃である。反応後、蒸留ま
たはカラムクロマトグラフィーなどの通常の精製操作に
よりE,Z−4,7−トリデカジエニルアセタート(5
)が得られる。
【化4】
このように本発明によれば、ジャガイモガの性フェロモ
ンであるE,Z−4,7−トリデカジエニルアセタート
を純度よく容易に製造することができる。
ンであるE,Z−4,7−トリデカジエニルアセタート
を純度よく容易に製造することができる。
【0009】
【実施例】以下に、実施例を示すが、本発明はこの記載
に限定されるものではない。 実施例1:E−1−クロロ−4−トリデセン−7−イン
(3)の製造窒素気流下、14.3g(375g/モル
)のメチルマグネシウムクロリドのTHF溶液に4.3
0gの1−ヘプチンを加え1時間加熱還流し、マグネシ
ウムアセチリド(1)を調製した。これを、4.50g
のトランス−1,6−ジクロロ−2−ヘキセン(純度8
2.9%)と触媒量の塩化銅(I)と10mlのTHF
の混合液中に20分かけて滴下した。反応混合物を窒素
気流下かき混ぜながら 1.5時間還流した後、塩化ア
ンモニウム水溶液を加えさらに10分間かき混ぜた。有
機層を分液し、水層をn−ヘキサンで抽出した。合わせ
た有機層を飽和塩化アンモニウム溶液、水、飽和食塩水
で洗い、硫酸マグネシウムで乾燥し、減圧濃縮して、E
−1−クロロ−4−トリデセン−7−イン(3)を6.
56g、純度85.1%、トランス−1,6−ジハロ−
2−ヘキセン(2)から定量的収率で得た。GC(シマ
ズGC−14A,カラム:DB−WAX30m×0.2
5mmφ; 150℃+5℃/分,キャリアーガス:H
e; 1.0kg/cm2,検出: FID):保持時
間8.93分。
に限定されるものではない。 実施例1:E−1−クロロ−4−トリデセン−7−イン
(3)の製造窒素気流下、14.3g(375g/モル
)のメチルマグネシウムクロリドのTHF溶液に4.3
0gの1−ヘプチンを加え1時間加熱還流し、マグネシ
ウムアセチリド(1)を調製した。これを、4.50g
のトランス−1,6−ジクロロ−2−ヘキセン(純度8
2.9%)と触媒量の塩化銅(I)と10mlのTHF
の混合液中に20分かけて滴下した。反応混合物を窒素
気流下かき混ぜながら 1.5時間還流した後、塩化ア
ンモニウム水溶液を加えさらに10分間かき混ぜた。有
機層を分液し、水層をn−ヘキサンで抽出した。合わせ
た有機層を飽和塩化アンモニウム溶液、水、飽和食塩水
で洗い、硫酸マグネシウムで乾燥し、減圧濃縮して、E
−1−クロロ−4−トリデセン−7−イン(3)を6.
56g、純度85.1%、トランス−1,6−ジハロ−
2−ヘキセン(2)から定量的収率で得た。GC(シマ
ズGC−14A,カラム:DB−WAX30m×0.2
5mmφ; 150℃+5℃/分,キャリアーガス:H
e; 1.0kg/cm2,検出: FID):保持時
間8.93分。
【0010】実施例2:E,Z−1−クロロ−4,7−
トリデカジエン(4)の製造 上記(3)4.00gの99.5%エタノール溶液20
ml中に、 200mgの5%パラジウム−硫酸バリウ
ムと 0.2mlのキノリンを加え、 2.5kg/c
m2の水素を添加した。GCで反応を追跡して、(3)
のピークの消失を確認し、触媒を濾別した。濾液をn−
ヘキサンで希釈し、希塩酸、飽和炭酸ナトリウム溶液、
水、ついで飽和食塩水で洗い、硫酸マグネシウムで乾燥
後、減圧濃縮して、E,Z−1−クロロ−4,7−トリ
デカジエン(4)を4.06g、純度71.3%、収率
88.4%で得た。GC(シマズGC−14A,カラム
:DB−WAX30m×0.25mmφ; 150℃+
5℃/分,キャリアーガス:He; 1.0kg/cm
2,検出: FID):保持時間6.53分。
トリデカジエン(4)の製造 上記(3)4.00gの99.5%エタノール溶液20
ml中に、 200mgの5%パラジウム−硫酸バリウ
ムと 0.2mlのキノリンを加え、 2.5kg/c
m2の水素を添加した。GCで反応を追跡して、(3)
のピークの消失を確認し、触媒を濾別した。濾液をn−
ヘキサンで希釈し、希塩酸、飽和炭酸ナトリウム溶液、
水、ついで飽和食塩水で洗い、硫酸マグネシウムで乾燥
後、減圧濃縮して、E,Z−1−クロロ−4,7−トリ
デカジエン(4)を4.06g、純度71.3%、収率
88.4%で得た。GC(シマズGC−14A,カラム
:DB−WAX30m×0.25mmφ; 150℃+
5℃/分,キャリアーガス:He; 1.0kg/cm
2,検出: FID):保持時間6.53分。
【0011】実施例3:E,Z−4,7−トリデカジエ
ニルアセタート(5)の製造 上記(4)4.06gのDMF溶液20ml中に2.5
0gの酢酸ナトリウムを加え、 150℃で4時間加熱
還流した。反応混合物を氷水にあけ、n−ヘキサンで抽
出した。n−ヘキサン溶液を、水、飽和食塩水で洗い、
硫酸マグネシウムで乾燥し、減圧濃縮した。残渣を40
gのシリカゲルのカラムクロマトグラフィーで精製して
E,Z−4,7−トリデカジエニルアセタート(5)を
2.77g、純度95.3%、収率86.7%で得た。 GC(シマズGC−14A,カラム:DB−WAX30
m×0.25mmφ; 150℃+5℃/分,キャリア
ーガス:He;1.0kg/cm2 ,検出: FID
):保持時間9.33分。
ニルアセタート(5)の製造 上記(4)4.06gのDMF溶液20ml中に2.5
0gの酢酸ナトリウムを加え、 150℃で4時間加熱
還流した。反応混合物を氷水にあけ、n−ヘキサンで抽
出した。n−ヘキサン溶液を、水、飽和食塩水で洗い、
硫酸マグネシウムで乾燥し、減圧濃縮した。残渣を40
gのシリカゲルのカラムクロマトグラフィーで精製して
E,Z−4,7−トリデカジエニルアセタート(5)を
2.77g、純度95.3%、収率86.7%で得た。 GC(シマズGC−14A,カラム:DB−WAX30
m×0.25mmφ; 150℃+5℃/分,キャリア
ーガス:He;1.0kg/cm2 ,検出: FID
):保持時間9.33分。
【0012】
【発明の効果】本発明によれば、ジャガイモガの性フェ
ロモンであるE,Z−4,7−トリデカジエニルアセタ
ートを純度よく容易に製造することができる。
ロモンであるE,Z−4,7−トリデカジエニルアセタ
ートを純度よく容易に製造することができる。
Claims (1)
- 【請求項1】1−ヘプチンのグリニャール試薬とトラン
ス−1,6−ジハロ−2−ヘキセンとを反応させた後、
水素添加して三重結合をシス二重結合にし、さらに酢酸
塩と反応させることを特徴とするE,Z−4,7−トリ
デカジエニルアセタートの製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3167797A JP2820333B2 (ja) | 1991-06-12 | 1991-06-12 | トリデカジエニルアセタートの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3167797A JP2820333B2 (ja) | 1991-06-12 | 1991-06-12 | トリデカジエニルアセタートの製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH04368355A true JPH04368355A (ja) | 1992-12-21 |
JP2820333B2 JP2820333B2 (ja) | 1998-11-05 |
Family
ID=15856289
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP3167797A Expired - Fee Related JP2820333B2 (ja) | 1991-06-12 | 1991-06-12 | トリデカジエニルアセタートの製造方法 |
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Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2820333B2 (ja) |
-
1991
- 1991-06-12 JP JP3167797A patent/JP2820333B2/ja not_active Expired - Fee Related
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Publication number | Publication date |
---|---|
JP2820333B2 (ja) | 1998-11-05 |
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