JPH04367118A - ゲートターンオフサイリスタのゲート回路 - Google Patents
ゲートターンオフサイリスタのゲート回路Info
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- JPH04367118A JPH04367118A JP3168732A JP16873291A JPH04367118A JP H04367118 A JPH04367118 A JP H04367118A JP 3168732 A JP3168732 A JP 3168732A JP 16873291 A JP16873291 A JP 16873291A JP H04367118 A JPH04367118 A JP H04367118A
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- JP
- Japan
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- gate
- current
- reactor
- turn
- thyristor
- Prior art date
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- Granted
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- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims abstract description 21
- 238000004804 winding Methods 0.000 claims description 31
- 230000001808 coupling effect Effects 0.000 claims 1
- 238000004904 shortening Methods 0.000 abstract description 3
- 101100449816 Saccharomyces cerevisiae (strain ATCC 204508 / S288c) GTO1 gene Proteins 0.000 abstract description 2
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 8
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 7
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 2
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Thyristor Switches And Gates (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ゲートターンオフサイ
リスタのオン、オフを制御するゲート回路に関するもの
である。
リスタのオン、オフを制御するゲート回路に関するもの
である。
【０００２】
【従来の技術】図３は例えば特開昭６３−１０７３１４
号公報に示された従来のゲートターンオフサイリスタの
ゲート回路を示す回路図である。図において、１はゲー
トターンオフサイリスタ（以下ＧＴＯと略す）であって
、Ｇはゲート電極、Ｋはカソード電極である。２はチョ
ッパ回路であって、オンゲート用電源３をスイッチング
するチョッパ部スイッチ２１、チョッパ回路２の出力電
流を検出する電流検出手段２２および還流ダイオード２
３から構成され、上記電流検出手段２２は、電流検出ト
ランジスタ２２ａ、電流検出用抵抗２２ｂ、順電圧の低
いバイアス用ダイオード（例えばＳＢＤ：ショットキバ
リアダイオード）２２Ｃ、およびバイアス用抵抗２２ｄ
を有する。
号公報に示された従来のゲートターンオフサイリスタの
ゲート回路を示す回路図である。図において、１はゲー
トターンオフサイリスタ（以下ＧＴＯと略す）であって
、Ｇはゲート電極、Ｋはカソード電極である。２はチョ
ッパ回路であって、オンゲート用電源３をスイッチング
するチョッパ部スイッチ２１、チョッパ回路２の出力電
流を検出する電流検出手段２２および還流ダイオード２
３から構成され、上記電流検出手段２２は、電流検出ト
ランジスタ２２ａ、電流検出用抵抗２２ｂ、順電圧の低
いバイアス用ダイオード（例えばＳＢＤ：ショットキバ
リアダイオード）２２Ｃ、およびバイアス用抵抗２２ｄ
を有する。
【０００３】また、３０は１次巻線３０ａと２次巻線３
０ｂからなるリアクトル、３１は第２のコンデンサ、３
２はダイオード、５は抵抗、６は第１のコンデンサ、７
はチョッパ回路２及びコンデンサ６の出力電流をオンゲ
ート電流としてＧＴＯ１に供給するオンゲート用スイッ
チ、４２は１次巻線３０ａおよび２次巻線３０ｂの共通
出力端と、第２のコンデンサ３１およびダイオード３２
の接続中点との間に接続されて、その第２のコンデンサ
３１の充電に用いられるダイオード、４３は抵抗５に対
して並列接続されている充電用のダイオード、４はオフ
用の電源、９はオフゲート用スイッチ９ａとＯＮ／ＯＦ
Ｆ指令の反転用インバータ９ｂを有するオフゲート回路
で、ＧＴＯ１にオフゲート電流を供給する。
０ｂからなるリアクトル、３１は第２のコンデンサ、３
２はダイオード、５は抵抗、６は第１のコンデンサ、７
はチョッパ回路２及びコンデンサ６の出力電流をオンゲ
ート電流としてＧＴＯ１に供給するオンゲート用スイッ
チ、４２は１次巻線３０ａおよび２次巻線３０ｂの共通
出力端と、第２のコンデンサ３１およびダイオード３２
の接続中点との間に接続されて、その第２のコンデンサ
３１の充電に用いられるダイオード、４３は抵抗５に対
して並列接続されている充電用のダイオード、４はオフ
用の電源、９はオフゲート用スイッチ９ａとＯＮ／ＯＦ
Ｆ指令の反転用インバータ９ｂを有するオフゲート回路
で、ＧＴＯ１にオフゲート電流を供給する。
【０００４】次に動作について図４に示す波形図を参照
して説明する。ＧＴＯ１のオフ期間中は、チョッパ回路
２により、第１及び第２のコンデンサ６及び３１は初期
充電が完了し図示極性に充電されているものとする。時
刻ｔ１ において、オンゲート用スイッチ７をオンする
と、ゲート電流ＩＧ は第１のコンデンサ６の放電電流
Ｉｃ と、第２のコンデンサ３１とリアクトル３０の２
次巻線３０ｂとの振動電流Ｉｃ２の和で流れる。時刻ｔ
２ において、第２のコンデンサ３１の電圧が減少して
、リアクトル３０の１次巻線３０ａ、２次巻線３０ｂの
巻線比の電圧まで下り、オンゲート用電源３の電圧より
も低くなると、リアクトル３０の２次巻線３０ｂの電流
はリアクトル３０の１次巻線３０ａへ転移する。
して説明する。ＧＴＯ１のオフ期間中は、チョッパ回路
２により、第１及び第２のコンデンサ６及び３１は初期
充電が完了し図示極性に充電されているものとする。時
刻ｔ１ において、オンゲート用スイッチ７をオンする
と、ゲート電流ＩＧ は第１のコンデンサ６の放電電流
Ｉｃ と、第２のコンデンサ３１とリアクトル３０の２
次巻線３０ｂとの振動電流Ｉｃ２の和で流れる。時刻ｔ
２ において、第２のコンデンサ３１の電圧が減少して
、リアクトル３０の１次巻線３０ａ、２次巻線３０ｂの
巻線比の電圧まで下り、オンゲート用電源３の電圧より
も低くなると、リアクトル３０の２次巻線３０ｂの電流
はリアクトル３０の１次巻線３０ａへ転移する。
【０００５】このリアクトル３０の１次及び２次巻線３
０ａ、３０ｂの巻線比を８：１と仮定すれば、チョッパ
回路２の出力電流ＩＣＨは、時刻ｔ２ において、ＩＣ
Ｈ＝ＩＣ２／８となって流れ始める。なお、２つのｔ１
〜ｔ２ 間に流れる電流はオンハイケード電流と表現
される。実際には、このリアクトルの１次巻線３０ａの
初期値が、チョッパ回路２の定電流制御値と一致するよ
うに、リアクトル３０の巻線比を決定するのが望ましい
。時刻ｔ２ 以降は、ゲート電流ＩＧ はチョッパ回路
２の定電流制御の機能により、トランジスタ２２ａのベ
ースーエミッタ間電圧をＶＢＥ、ダイオード２２ｃの順
電圧効果をＶＦ 、抵抗２２ｂの抵抗値Ｒとすれば、Ｉ
Ｇ ＝（ＶＢＥ−ＶＦ ）／Ｒの電流がほぼ一定の電流
となって流れる。
０ａ、３０ｂの巻線比を８：１と仮定すれば、チョッパ
回路２の出力電流ＩＣＨは、時刻ｔ２ において、ＩＣ
Ｈ＝ＩＣ２／８となって流れ始める。なお、２つのｔ１
〜ｔ２ 間に流れる電流はオンハイケード電流と表現
される。実際には、このリアクトルの１次巻線３０ａの
初期値が、チョッパ回路２の定電流制御値と一致するよ
うに、リアクトル３０の巻線比を決定するのが望ましい
。時刻ｔ２ 以降は、ゲート電流ＩＧ はチョッパ回路
２の定電流制御の機能により、トランジスタ２２ａのベ
ースーエミッタ間電圧をＶＢＥ、ダイオード２２ｃの順
電圧効果をＶＦ 、抵抗２２ｂの抵抗値Ｒとすれば、Ｉ
Ｇ ＝（ＶＢＥ−ＶＦ ）／Ｒの電流がほぼ一定の電流
となって流れる。
【０００６】時刻ｔ３ において、オンゲート用スイッ
チ７をオフし、オフゲート回路９をオンすることにより
、図示のような負極性のオフゲート電流がＧＴＯ１に供
給され時刻ｔ４ でターンオフする。
チ７をオフし、オフゲート回路９をオンすることにより
、図示のような負極性のオフゲート電流がＧＴＯ１に供
給され時刻ｔ４ でターンオフする。
【０００７】一方、リアクトル３０の１次巻線３０ａに
はチョッパ回路２によりコンデンサ６にはダイオード４
３を通じ電流ＩＣ１が、また、コンデンサ３１にはダイ
オード４２を通じ電流ＩＣ２の充電電流が流れ、時刻ｔ
５ までは定電流機能が可能な領域であり、その後は定
電流機能の動作が不可能な領域で電流は減少しつつ電源
電圧３の電圧まで充電され時刻ｔ７ において充電電流
は０となる。時刻ｔ６ はコンデンサ６、３１の充電途
中を示し、時刻ｔ８ は再びオンの動作に入る時刻を示
す。
はチョッパ回路２によりコンデンサ６にはダイオード４
３を通じ電流ＩＣ１が、また、コンデンサ３１にはダイ
オード４２を通じ電流ＩＣ２の充電電流が流れ、時刻ｔ
５ までは定電流機能が可能な領域であり、その後は定
電流機能の動作が不可能な領域で電流は減少しつつ電源
電圧３の電圧まで充電され時刻ｔ７ において充電電流
は０となる。時刻ｔ６ はコンデンサ６、３１の充電途
中を示し、時刻ｔ８ は再びオンの動作に入る時刻を示
す。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】従来のゲートターンオ
フサイリスタのゲート回路は以上のように構成されてい
るので、ターンオフ後次のターンオンに入れる時間、す
なわちターンオフミニマムが長くなるという問題点があ
った。
フサイリスタのゲート回路は以上のように構成されてい
るので、ターンオフ後次のターンオンに入れる時間、す
なわちターンオフミニマムが長くなるという問題点があ
った。
【０００９】本発明は、上記のような問題点を解消する
ためになされたもので、簡単な回路でターンオフミニマ
ム時間を短くでき、ＧＴＯの通流比を大きく取れるゲー
トターンオフサイリスタのゲート回路を提供することを
目的とする。
ためになされたもので、簡単な回路でターンオフミニマ
ム時間を短くでき、ＧＴＯの通流比を大きく取れるゲー
トターンオフサイリスタのゲート回路を提供することを
目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明に係るゲートター
ンオフサイリスタのゲート回路は、ゲート順電流供給用
の充電電流の設定値をターンオフ時に大きくすることに
より、ターンオン時に必要なハイゲート電流の充電時間
を短縮することで、ＧＴＯのゲートターンオフ後より次
のターンオンまでの時間（ターンオフミニマム）を短く
するものである。
ンオフサイリスタのゲート回路は、ゲート順電流供給用
の充電電流の設定値をターンオフ時に大きくすることに
より、ターンオン時に必要なハイゲート電流の充電時間
を短縮することで、ＧＴＯのゲートターンオフ後より次
のターンオンまでの時間（ターンオフミニマム）を短く
するものである。
【００１１】
【作用】本発明においては、ゲート順電流供給用の充電
電流の充電時間を短縮することで、主素子であるＧＴＯ
の通流比が広げられることにより、制御範囲（利用率）
を広くする。
電流の充電時間を短縮することで、主素子であるＧＴＯ
の通流比が広げられることにより、制御範囲（利用率）
を広くする。
【００１２】
実施例１．以下、本発明の一実施例を図３の従来例と同
一部分は同一符号を付して示す図１に基づいて説明する
。図において、本実施例に係るチョッパ回路２は、オン
ゲート用電源をスイッチングするチョッパ部スイッチ２
１と、チョッパ回路の出力電流を検出する電流検出手段
２２及び還流ダイオード２３から構成されている。ここ
で、上記電流検出手段２２は、従来例と同様な電流検出
トランジスタ２２ａ、電流検出用抵抗２２ｂ、順電圧降
下の低い（例えばＳＢＤ：ショットキバリアダイオード
）バイアス用ダイオード２２ｃ、バイアス用抵抗２２ｄ
及び還流ダイオード２３の他に、バイアス用ダイオード
２２ｃの短絡用ホトカップラ２２ｅと、ホトカップラ２
２ｅ内の発光ダイオード電流制限抵抗２２ｆを備えてい
る。その他は従来例と同様である。
一部分は同一符号を付して示す図１に基づいて説明する
。図において、本実施例に係るチョッパ回路２は、オン
ゲート用電源をスイッチングするチョッパ部スイッチ２
１と、チョッパ回路の出力電流を検出する電流検出手段
２２及び還流ダイオード２３から構成されている。ここ
で、上記電流検出手段２２は、従来例と同様な電流検出
トランジスタ２２ａ、電流検出用抵抗２２ｂ、順電圧降
下の低い（例えばＳＢＤ：ショットキバリアダイオード
）バイアス用ダイオード２２ｃ、バイアス用抵抗２２ｄ
及び還流ダイオード２３の他に、バイアス用ダイオード
２２ｃの短絡用ホトカップラ２２ｅと、ホトカップラ２
２ｅ内の発光ダイオード電流制限抵抗２２ｆを備えてい
る。その他は従来例と同様である。
【００１３】次に、本実施例に係る動作について図２に
示す波形図を参照して説明する。ＧＴＯ１のオフ期間中
は、チョッパ回路２により、第１及び第２のコンデンサ
６及び３１は初期充電が完了し図示極性に充電されてい
るものとする。時刻ｔ１ において、オンゲート用スイ
ッチ７をオンすると、ゲート電流ＩＧ は第１のコンデ
ンサ６の放電電流Ｉｃ と、第２のコンデンサ３１とリ
アクトル３０の２次巻線３０ｂとの振動電流Ｉｃ２の和
で流れる。時刻ｔ２ において、第２のコンデンサ３１
の電圧が減少して、リアクトル３０の１次巻線３０ａ、
２次巻線３０ｂの巻線比の電圧まで下り、オンゲート用
電源３の電圧よりも低くなると、リアクトル３０の２次
巻線３０ｂの電流はリアクトル３０の１次巻線３０ａへ
転移する。
示す波形図を参照して説明する。ＧＴＯ１のオフ期間中
は、チョッパ回路２により、第１及び第２のコンデンサ
６及び３１は初期充電が完了し図示極性に充電されてい
るものとする。時刻ｔ１ において、オンゲート用スイ
ッチ７をオンすると、ゲート電流ＩＧ は第１のコンデ
ンサ６の放電電流Ｉｃ と、第２のコンデンサ３１とリ
アクトル３０の２次巻線３０ｂとの振動電流Ｉｃ２の和
で流れる。時刻ｔ２ において、第２のコンデンサ３１
の電圧が減少して、リアクトル３０の１次巻線３０ａ、
２次巻線３０ｂの巻線比の電圧まで下り、オンゲート用
電源３の電圧よりも低くなると、リアクトル３０の２次
巻線３０ｂの電流はリアクトル３０の１次巻線３０ａへ
転移する。
【００１４】このリアクトル３０の１次及び２次巻線３
０ａ、３０ｂの巻線比を８：１と仮定すれば、チョッパ
回路２の出力電流ＩＣＨは、時刻ｔ２ において、ＩＣ
Ｈ＝ＩＣ２／８となって流れ始める。なお、２つのｔ１
〜ｔ２ 間に流れる電流はオンハイケード電流と表現
される。実際には、このリアクトルの１次巻線３０ａの
初期値が、チョッパ回路２の定電流制御値と一致するよ
うに、リアクトル３０の巻線比を決定するのが望ましい
。時刻ｔ２ 以降は、ゲート電流ＩＧ はチョッパ回路
２の定電流制御の機能により、トランジスタ２２ａのベ
ースーエミッタ間電圧をＶＢＥ、ダイオード２２ｃの順
電圧効果をＶＦ 、抵抗２２ｂの抵抗値Ｒとすれば、Ｉ
Ｇ ＝（ＶＢＥ−ＶＦ ）／Ｒの電流がほぼ一定の電流
となって流れる。
０ａ、３０ｂの巻線比を８：１と仮定すれば、チョッパ
回路２の出力電流ＩＣＨは、時刻ｔ２ において、ＩＣ
Ｈ＝ＩＣ２／８となって流れ始める。なお、２つのｔ１
〜ｔ２ 間に流れる電流はオンハイケード電流と表現
される。実際には、このリアクトルの１次巻線３０ａの
初期値が、チョッパ回路２の定電流制御値と一致するよ
うに、リアクトル３０の巻線比を決定するのが望ましい
。時刻ｔ２ 以降は、ゲート電流ＩＧ はチョッパ回路
２の定電流制御の機能により、トランジスタ２２ａのベ
ースーエミッタ間電圧をＶＢＥ、ダイオード２２ｃの順
電圧効果をＶＦ 、抵抗２２ｂの抵抗値Ｒとすれば、Ｉ
Ｇ ＝（ＶＢＥ−ＶＦ ）／Ｒの電流がほぼ一定の電流
となって流れる。
【００１５】一方、リアクトル３０の１次巻線３０ａに
は定電流回路により、ＯＮ動作時の定電流値ＩＧ のパ
ターンより、オフ期間中はホトトランジスタ２２ｅの１
次側の発光ダイオードがＯＮ（発光）することによって
２次側の受光トランジスタが動作し、ダイオード２２ｃ
の両端を短絡する。この結果、例えば受光トランジスタ
ＯＮ動作時のコレクターエミッタ間飽和電圧ＶＣＥ（ｓ
ａｔ）を０とすれば、トランジスタ２２ａのベースーエ
ミッタ電圧をＶＢＥ、抵抗２２ｂの抵抗値をＲとした時
、ＩＧ ＝ＶＢＥ／Ｒの電流が流れる。この値は従来の
方式と比べ、例えばトランジスタ２２ａのＶＢＥを０．
６Ｖ、ダイオード２２ｃのＶＦ を０．３Ｖとすれば、
ＩＧ が２倍に増加することになり、結果として図２に
示す様に充電時間が従来と比べ短縮できる。
は定電流回路により、ＯＮ動作時の定電流値ＩＧ のパ
ターンより、オフ期間中はホトトランジスタ２２ｅの１
次側の発光ダイオードがＯＮ（発光）することによって
２次側の受光トランジスタが動作し、ダイオード２２ｃ
の両端を短絡する。この結果、例えば受光トランジスタ
ＯＮ動作時のコレクターエミッタ間飽和電圧ＶＣＥ（ｓ
ａｔ）を０とすれば、トランジスタ２２ａのベースーエ
ミッタ電圧をＶＢＥ、抵抗２２ｂの抵抗値をＲとした時
、ＩＧ ＝ＶＢＥ／Ｒの電流が流れる。この値は従来の
方式と比べ、例えばトランジスタ２２ａのＶＢＥを０．
６Ｖ、ダイオード２２ｃのＶＦ を０．３Ｖとすれば、
ＩＧ が２倍に増加することになり、結果として図２に
示す様に充電時間が従来と比べ短縮できる。
【００１６】なお、上記実施例では、バイアス用ダイオ
ード２２ｃの短絡用にホトカップラを利用したが、オフ
動作時にバイアス用ダイオード２２ｃを短絡できる手段
であれば方法を問わない。
ード２２ｃの短絡用にホトカップラを利用したが、オフ
動作時にバイアス用ダイオード２２ｃを短絡できる手段
であれば方法を問わない。
【００１７】
【発明の効果】以上のように、本発明によれば、オフ動
作時のチョッパ回路の定電流値を増加させることにより
、ターンオンに必要な充電が早く完了することで主素子
のＧＴＯのターンオフミニマムを短くでき、通流比を広
げられることによって通流比制御の範囲が広くなる効果
が有る。
作時のチョッパ回路の定電流値を増加させることにより
、ターンオンに必要な充電が早く完了することで主素子
のＧＴＯのターンオフミニマムを短くでき、通流比を広
げられることによって通流比制御の範囲が広くなる効果
が有る。
【図１】本発明の一実施例によるゲートタンオフサイリ
スタのゲート回路の回路図である。
スタのゲート回路の回路図である。
【図２】本発明の一実施例による動作波形図である。
【図３】従来のゲートタンオフサイリスタのゲート回路
の回路図である。
の回路図である。
【図４】従来のゲートタンオフサイリスタのゲート回路
の動作波形図である。
の動作波形図である。
１ ＧＴＯ
２ チョッパ回路
３ オンゲート用電源
４ オフゲート用電源
５、２２ｂ、２２ｄ、２２ｆ 抵抗６
第一のコンデンサ ７ オンゲート用スイッチ９
オフゲート用回路 ２１ チョッパスイッチ ２２ 定電流回路 ２３、３２、４３、２２ｃ ダイオード３０
リアクトル ２２ａ トランジスタ ９ａ オフスイッチ ９ｂ インバータ ２２ｅ ホトカップラ
第一のコンデンサ ７ オンゲート用スイッチ９
オフゲート用回路 ２１ チョッパスイッチ ２２ 定電流回路 ２３、３２、４３、２２ｃ ダイオード３０
リアクトル ２２ａ トランジスタ ９ａ オフスイッチ ９ｂ インバータ ２２ｅ ホトカップラ
Claims (1)
- 【請求項１】 ゲートターンオフサイリスタにオンゲ
ート電流を供給するオンゲート回路と、上記ゲートター
ンオフサイリスタにオフゲート電流を供給するオフゲー
ト回路と、１次巻線および２次巻線からなり、それらの
巻線のそれぞれの出力端同士が接続され、かつ、それら
の巻線間に結合作用が生じるように構成されているリア
クトルと、定電流制御の機能を有し、第１の直流出力端
が上記リアクトルの１次巻線の入力端に接続されている
オンゲート電源と、このオンゲート電源の第２の直流出
力端の上記リアクトルの２個の巻線の共通出力端との間
に接続された第１のコンデンサおよび抵抗とダイオード
との並列回路からなる直列接続体と、上記オンゲート電
源の第２の直流出力端と上記リアクトルの２次巻線の入
力端との間に接続された第２のコンデンサおよびダイオ
ードからなる直列接続体と、上記リアクトルの共通出力
端と上記第２のコンデンサおよびダイオードからなる直
列接続体の接続中点との間に接続したダイオードと、一
端が上記リアクトルの共通出力端に接続されて、オンゲ
ート電流を上記ゲートターンオフサイリスタへ出力する
オンゲート用スイッチとを備えたゲートターンオフサイ
リスタのゲート回路において、上記オンゲート電源に、
ゲートターンオフサイリスタのオフ動作時に、ターンオ
ン時に必要とするゲート順電流より多い値に設定された
電流を供給制御する制御手段を備えたことを特徴とする
ゲートターンオフサイリスタのゲート回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3168732A JP2664295B2 (ja) | 1991-06-13 | 1991-06-13 | ゲートターンオフサイリスタのゲート回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3168732A JP2664295B2 (ja) | 1991-06-13 | 1991-06-13 | ゲートターンオフサイリスタのゲート回路 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04367118A true JPH04367118A (ja) | 1992-12-18 |
| JP2664295B2 JP2664295B2 (ja) | 1997-10-15 |
Family
ID=15873396
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3168732A Expired - Fee Related JP2664295B2 (ja) | 1991-06-13 | 1991-06-13 | ゲートターンオフサイリスタのゲート回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2664295B2 (ja) |
-
1991
- 1991-06-13 JP JP3168732A patent/JP2664295B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2664295B2 (ja) | 1997-10-15 |
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