JPH04363077A - 熱電対 - Google Patents
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- Measuring Temperature Or Quantity Of Heat (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】この発明は、温度計測に用いられ
る熱電対に関するものである。
る熱電対に関するものである。
【0002】
【従来の技術】熱電対としては、セラミックス製の碍子
管に導体が通された形式のものや、酸化マグネシウムな
どの金属酸化物微粒子が詰められた、ステンレス合金等
からなる耐熱合金製の管に熱電対素線が通された形式の
シース熱電対などが、従来より知られている。
管に導体が通された形式のものや、酸化マグネシウムな
どの金属酸化物微粒子が詰められた、ステンレス合金等
からなる耐熱合金製の管に熱電対素線が通された形式の
シース熱電対などが、従来より知られている。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】セラミックス製の碍子
管を用いて絶縁を行なっていた熱電対では、可撓性に乏
しく、かさばる等の欠点を有していた。また、高真空中
で使用する場合は、碍子が本来多孔性であることや、表
面積が大きいことから、多量のガスを吸着するという問
題点があった。
管を用いて絶縁を行なっていた熱電対では、可撓性に乏
しく、かさばる等の欠点を有していた。また、高真空中
で使用する場合は、碍子が本来多孔性であることや、表
面積が大きいことから、多量のガスを吸着するという問
題点があった。
【0004】シース熱電対は、耐熱性の合金管と熱電対
素線とによって構成されているため、外径が大きくなる
ことや、端末処理の困難さがあった。
素線とによって構成されているため、外径が大きくなる
ことや、端末処理の困難さがあった。
【0005】この発明の目的は、絶縁層が薄くコンパク
トであり、可撓性に優れ、かつガス吸着源を備えていな
い熱電対を提供することにある。
トであり、可撓性に優れ、かつガス吸着源を備えていな
い熱電対を提供することにある。
【0006】
【課題を解決するための手段】この発明に従う熱電対は
、熱電対素線のまわりに金属酸化物層を被覆している。
、熱電対素線のまわりに金属酸化物層を被覆している。
【0007】図1は、この発明に従い熱電対素線1のま
わりに金属酸化物層2を被覆した熱電対を示している。
わりに金属酸化物層2を被覆した熱電対を示している。
【0008】この発明において、金属酸化物層は、金属
酸化物の前駆体微粒子を分散したゾルをゾルゲル法によ
って調製し、このゾル中に熱電対素線を浸漬し、熱電対
素線を陰極として通電して金属酸化物の前駆体微粒子を
付着させ、これを加熱処理することによって形成してい
る。
酸化物の前駆体微粒子を分散したゾルをゾルゲル法によ
って調製し、このゾル中に熱電対素線を浸漬し、熱電対
素線を陰極として通電して金属酸化物の前駆体微粒子を
付着させ、これを加熱処理することによって形成してい
る。
【0009】この発明においては、ゾルの分散媒の誘電
率を高めるため、有機化合物塩および/または金属の無
機塩を添加することができる。
率を高めるため、有機化合物塩および/または金属の無
機塩を添加することができる。
【0010】この発明において、熱電対素線を浸漬する
ゾルは、金属酸化物に対応する金属アルコキシドもしく
は金属カルボン酸エステルの加水分解反応および縮合反
応により調製されたものであることが好ましい。
ゾルは、金属酸化物に対応する金属アルコキシドもしく
は金属カルボン酸エステルの加水分解反応および縮合反
応により調製されたものであることが好ましい。
【0011】また、金属酸化物は、酸化ケイ素、酸化ア
ルミニウム、酸化ジルコニウム、および酸化マグネシウ
ムからなる群から選択された化合物の少なくとも1種を
含むことが好ましい。
ルミニウム、酸化ジルコニウム、および酸化マグネシウ
ムからなる群から選択された化合物の少なくとも1種を
含むことが好ましい。
【0012】また、熱電対素線を浸漬するゾルには、セ
ラミックス粉末を含有させることができる。このような
セラミックス粉末としては、マイカ粉末、酸化ケイ素、
窒化ケイ素、炭化ケイ素、酸化アルミニウム、窒化ホウ
素および窒化アルミニウムからなる群から選択される化
合物の少なくとも1種であることが好ましい。
ラミックス粉末を含有させることができる。このような
セラミックス粉末としては、マイカ粉末、酸化ケイ素、
窒化ケイ素、炭化ケイ素、酸化アルミニウム、窒化ホウ
素および窒化アルミニウムからなる群から選択される化
合物の少なくとも1種であることが好ましい。
【0013】この発明において、絶縁性セラミックス層
の有機金属オリゴマーおよび有機金属モノマーは、シリ
カ、アルミナ、ジルコニア、窒化ケイ素、炭化ケイ素、
窒化アルミニウム、もしくはこれらの混合体または部分
安定化ジルコニアを含むことが好ましい。
の有機金属オリゴマーおよび有機金属モノマーは、シリ
カ、アルミナ、ジルコニア、窒化ケイ素、炭化ケイ素、
窒化アルミニウム、もしくはこれらの混合体または部分
安定化ジルコニアを含むことが好ましい。
【0014】この発明において、熱電対素線の表面は、
加熱により酸化処理されていることが好ましい。このよ
うな酸化処理により、金属酸化物層の熱電対素線に対す
る密着性を高めることができる。
加熱により酸化処理されていることが好ましい。このよ
うな酸化処理により、金属酸化物層の熱電対素線に対す
る密着性を高めることができる。
【0015】この発明の好ましい1つの実施態様におい
ては、金属酸化物層の外方にさらに絶縁性セラミックス
層が設けられる。絶縁性セラミックス層は、有機金属ポ
リマー、有機金属オリゴマーおよび有機金属モノマーの
うちの少なくとも1種を加熱分解することによって形成
される。
ては、金属酸化物層の外方にさらに絶縁性セラミックス
層が設けられる。絶縁性セラミックス層は、有機金属ポ
リマー、有機金属オリゴマーおよび有機金属モノマーの
うちの少なくとも1種を加熱分解することによって形成
される。
【0016】この実施態様において、絶縁性セラミック
ス層は、有機金属ポリマー、有機金属オリゴマーおよび
有機金属モノマーのうちの少なくとも1種を含む適当な
濃度の溶液を、塗布および焼成のプロセスを繰返すこと
により形成されることが好ましい。すなわち、1回の塗
布焼成で形成する皮膜の厚みを薄くし、薄い皮膜を積み
重ねることが好ましい。このように薄い皮膜を積み重ね
ることにより、金属酸化物層の表面にき裂もしくは凹凸
が多くとも、このき裂もしくは凹凸に絶縁性セラミック
ス層が浸透し平滑化することができる。このため、絶縁
性セラミックス層が金属酸化物層中に含浸して形成され
る場合がある。
ス層は、有機金属ポリマー、有機金属オリゴマーおよび
有機金属モノマーのうちの少なくとも1種を含む適当な
濃度の溶液を、塗布および焼成のプロセスを繰返すこと
により形成されることが好ましい。すなわち、1回の塗
布焼成で形成する皮膜の厚みを薄くし、薄い皮膜を積み
重ねることが好ましい。このように薄い皮膜を積み重ね
ることにより、金属酸化物層の表面にき裂もしくは凹凸
が多くとも、このき裂もしくは凹凸に絶縁性セラミック
ス層が浸透し平滑化することができる。このため、絶縁
性セラミックス層が金属酸化物層中に含浸して形成され
る場合がある。
【0017】図2は、この実施態様に従う一実施例を示
す断面図である。図2を参照して、熱電対素線11のま
わりには金属酸化物層12が設けられている。また金属
酸化物層12のまわりには絶縁性セラミックス層13が
設けられている。
す断面図である。図2を参照して、熱電対素線11のま
わりには金属酸化物層12が設けられている。また金属
酸化物層12のまわりには絶縁性セラミックス層13が
設けられている。
【0018】
【発明の作用効果】熱電対は、ゼーベック効果による熱
起電力を利用した温度計測技術であるが、この熱起電力
の大きさは接触する2種の金属の組成に起因する。この
ため、特願平1−322376号に記載されているよう
なセラミックスが付着しやすいステンレス等の合金を熱
電対素線の表面に形成することはできない。
起電力を利用した温度計測技術であるが、この熱起電力
の大きさは接触する2種の金属の組成に起因する。この
ため、特願平1−322376号に記載されているよう
なセラミックスが付着しやすいステンレス等の合金を熱
電対素線の表面に形成することはできない。
【0019】この発明では、金属酸化物の前駆体微粒子
を分散したゾル中に熱電対素線を浸漬し、熱電対素線を
陰極として通電することにより、金属酸化物の前駆体微
粒子を電気泳動させて、熱電対素線の表面に強制的に付
着させている。
を分散したゾル中に熱電対素線を浸漬し、熱電対素線を
陰極として通電することにより、金属酸化物の前駆体微
粒子を電気泳動させて、熱電対素線の表面に強制的に付
着させている。
【0020】また、この発明では、ゾルの電気泳動効率
を増加させるために、有機化合物塩および/または無機
塩を添加することができる。これにより電気泳動効率が
上昇し、より低い印加電圧および/またはより短い通電
時間で、金属酸化物の前駆体微粒子を熱電対素線の表面
に付着させることができる。この結果、厚いセラミック
スの被覆を形成させることができる。
を増加させるために、有機化合物塩および/または無機
塩を添加することができる。これにより電気泳動効率が
上昇し、より低い印加電圧および/またはより短い通電
時間で、金属酸化物の前駆体微粒子を熱電対素線の表面
に付着させることができる。この結果、厚いセラミック
スの被覆を形成させることができる。
【0021】このような分散媒の誘電率を高める有機化
合物塩としては、相間移動触媒に用いられるような有機
アンモニウム塩などがある。また金属の無機塩としては
、アルミニウム、マグネシウム、カリウム、およびジル
コニウムの硝酸塩、硫酸塩、塩化物、ならびに水酸化物
からなる群より選択される化合物の少なくとも1種を用
いることができる。
合物塩としては、相間移動触媒に用いられるような有機
アンモニウム塩などがある。また金属の無機塩としては
、アルミニウム、マグネシウム、カリウム、およびジル
コニウムの硝酸塩、硫酸塩、塩化物、ならびに水酸化物
からなる群より選択される化合物の少なくとも1種を用
いることができる。
【0022】さらに、大きな膜厚を得るためには、金属
酸化物の前駆体のゾル中に、セラミックスの微粉末を混
合してもよい。セラミックス微粉末としては、マイカ粉
末、酸化ケイ素、窒化ケイ素、炭化ケイ素、酸化ケイ素
および窒化アルミニウムからなる群から選択される化合
物の少なくとも1種を用いることができる。
酸化物の前駆体のゾル中に、セラミックスの微粉末を混
合してもよい。セラミックス微粉末としては、マイカ粉
末、酸化ケイ素、窒化ケイ素、炭化ケイ素、酸化ケイ素
および窒化アルミニウムからなる群から選択される化合
物の少なくとも1種を用いることができる。
【0023】また、上記の好ましい実施態様では、この
ようにして形成される金属酸化物層の外方に、さらに絶
縁性セラミックス層が設けられている。このような絶縁
性セラミックス層は、有機金属ポリマー、有機金属オリ
ゴマーおよび有機金属モノマーのうちの少なくとも1種
を加熱分解することにより形成される。このため、金属
酸化物層の表面にき裂もしくは凹凸が存在していても、
その上に設けられる絶縁性セラミックス層により熱電対
の表面を平滑化することができる。このように平滑化す
ることにより、表面積を小さくし、ガス吸着源を減少さ
せることができる。このため、この実施態様に従う熱電
対は、特に超高真空中での用途などに適したものとなる
。
ようにして形成される金属酸化物層の外方に、さらに絶
縁性セラミックス層が設けられている。このような絶縁
性セラミックス層は、有機金属ポリマー、有機金属オリ
ゴマーおよび有機金属モノマーのうちの少なくとも1種
を加熱分解することにより形成される。このため、金属
酸化物層の表面にき裂もしくは凹凸が存在していても、
その上に設けられる絶縁性セラミックス層により熱電対
の表面を平滑化することができる。このように平滑化す
ることにより、表面積を小さくし、ガス吸着源を減少さ
せることができる。このため、この実施態様に従う熱電
対は、特に超高真空中での用途などに適したものとなる
。
【0024】その厚みを薄くしても高い絶縁性を得るこ
とができるため、絶縁皮膜の厚みを薄くすることができ
る。したがって、可撓性に優れたものにすることができ
る。
とができるため、絶縁皮膜の厚みを薄くすることができ
る。したがって、可撓性に優れたものにすることができ
る。
【0025】
実施例1
直径1.0mmのCA熱電対のプラス脚(ニッケルおよ
びクロムを主とした合金)とマイナス脚(ニッケルを主
とした合金)のそれぞれの熱電対素線について、まず大
気中900℃で15分間加熱処理を行った。
びクロムを主とした合金)とマイナス脚(ニッケルを主
とした合金)のそれぞれの熱電対素線について、まず大
気中900℃で15分間加熱処理を行った。
【0026】テトラエチルオルトシリケイト4モル%、
水40モル%、およびエチルアルコール56モル%の混
合溶液に、硝酸をテトラエチルオルトシリケイトのモル
数に対して100分の1の量だけ添加し、温度80℃に
おいて2時間反応させゾルを調製した。このゾルの溶液
100mlに対し硝酸アルミ6水和物を10mg室温で
添加した。
水40モル%、およびエチルアルコール56モル%の混
合溶液に、硝酸をテトラエチルオルトシリケイトのモル
数に対して100分の1の量だけ添加し、温度80℃に
おいて2時間反応させゾルを調製した。このゾルの溶液
100mlに対し硝酸アルミ6水和物を10mg室温で
添加した。
【0027】以上のようにして調製したゾル中に上述の
熱電対素線を浸漬し、200Vの直流電圧を5秒間印加
した。熱電対素線をゾルから取り出したところ、熱電対
素線の表面にはゲルとして10μm程度の白色の膜が生
成していた。
熱電対素線を浸漬し、200Vの直流電圧を5秒間印加
した。熱電対素線をゾルから取り出したところ、熱電対
素線の表面にはゲルとして10μm程度の白色の膜が生
成していた。
【0028】このようにしてゲルがコーティングされた
プラス脚およびマイナス脚の各熱電対素線を670℃で
10分間加熱した。加熱後厚さ2μmのシリコン−アル
ミナ複合膜が形成されていた。
プラス脚およびマイナス脚の各熱電対素線を670℃で
10分間加熱した。加熱後厚さ2μmのシリコン−アル
ミナ複合膜が形成されていた。
【0029】このようにして得られたプラス脚およびマ
イナス脚の各熱電対素線の端末を溶融接合し、熱電対と
して使用したところ700℃まで良好な結果が得られた
。
イナス脚の各熱電対素線の端末を溶融接合し、熱電対と
して使用したところ700℃まで良好な結果が得られた
。
【0030】以下、金属酸化物層の外方にさらに絶縁性
セラミックス層を設ける実施例について説明する。
セラミックス層を設ける実施例について説明する。
【0031】実施例2
直径0.65mmのCA熱電対のプラス脚(ニッケルお
よびクロムを主とした合金)とマイナス脚(ニッケルを
主とした合金)のそれぞれの熱電対素線を、大気中80
0℃で15分間加熱処理した。
よびクロムを主とした合金)とマイナス脚(ニッケルを
主とした合金)のそれぞれの熱電対素線を、大気中80
0℃で15分間加熱処理した。
【0032】次に、テトラブトキシジルコニウム5モル
%、水8モル%、氷酢酸10モル%、およびブチルアル
コール77モル%の混合溶液を作製し、さらに室温で2
時間攪拌してゾル液を調製した。このゾルの溶液100
mlに対し、硝酸イットリウム6水和物を2g室温で添
加した。
%、水8モル%、氷酢酸10モル%、およびブチルアル
コール77モル%の混合溶液を作製し、さらに室温で2
時間攪拌してゾル液を調製した。このゾルの溶液100
mlに対し、硝酸イットリウム6水和物を2g室温で添
加した。
【0033】以上のようにして調製したゾル中に、上述
の熱電対素線を浸漬し、200Vの直流電圧を30秒間
印加した。その結果、熱電対素線の表面には、ゲルとし
て20μm程度の白色の膜を生成した。
の熱電対素線を浸漬し、200Vの直流電圧を30秒間
印加した。その結果、熱電対素線の表面には、ゲルとし
て20μm程度の白色の膜を生成した。
【0034】このようにしてゲルがコーティングされた
プラス脚およびマイナス脚の各熱電対素線を、900℃
で10分間加熱した後、急冷した。冷却後、厚さ2μm
のイットリア部分安定化ジルコニア膜が形成されていた
。
プラス脚およびマイナス脚の各熱電対素線を、900℃
で10分間加熱した後、急冷した。冷却後、厚さ2μm
のイットリア部分安定化ジルコニア膜が形成されていた
。
【0035】次に、窒素気流下で、1,1,1,3,3
,3−ヘキサメチルジシラザン40gと、トリクロロシ
ラン15gを混合し、70℃で5時間攪拌した。さらに
160℃で蒸留を行ない副生成物を蒸留除去した。次に
、120℃、5mmHgで真空蒸留することにより完全
に副生成物を除去し、5gのポリシラザンを得た。
,3−ヘキサメチルジシラザン40gと、トリクロロシ
ラン15gを混合し、70℃で5時間攪拌した。さらに
160℃で蒸留を行ない副生成物を蒸留除去した。次に
、120℃、5mmHgで真空蒸留することにより完全
に副生成物を除去し、5gのポリシラザンを得た。
【0036】ここでいう副生成物はトリメチルクロロシ
ランとオリゴシラザンが主である。ポリシラザンをトル
エンで5倍に希釈し、セラミックス前駆体を含む塗布溶
液を得た。
ランとオリゴシラザンが主である。ポリシラザンをトル
エンで5倍に希釈し、セラミックス前駆体を含む塗布溶
液を得た。
【0037】この塗布溶液中に、上述のイットリア部分
安定化ジリコニア膜が形成された熱電対素線を浸漬した
。このようにして、熱電対素線の外表面にコーティング
溶液を塗布し、窒素雰囲気下で、温度700℃で10分
間加熱した。この塗布および加熱の工程を合計10回繰
返した。
安定化ジリコニア膜が形成された熱電対素線を浸漬した
。このようにして、熱電対素線の外表面にコーティング
溶液を塗布し、窒素雰囲気下で、温度700℃で10分
間加熱した。この塗布および加熱の工程を合計10回繰
返した。
【0038】得られた熱電対素線から、長さ30cmの
サンプルを採取した。このサンプルの約50mmの間隔
を隔てた4か所のそれぞれ約10mmの長さの部分に、
厚さ0.02mmの白金箔を密接に巻き付けた。導体−
金属箔間に60Hzの交流電圧を印加したところ、50
0Vで絶縁破壊した。絶縁電線を曲げ加工したところ、
直径50mmの径に曲げ加工しても絶縁性は維持された
。この熱電対素線を溶融接合し、熱電対として使用した
ところ700℃まで良好な結果が得られた。
サンプルを採取した。このサンプルの約50mmの間隔
を隔てた4か所のそれぞれ約10mmの長さの部分に、
厚さ0.02mmの白金箔を密接に巻き付けた。導体−
金属箔間に60Hzの交流電圧を印加したところ、50
0Vで絶縁破壊した。絶縁電線を曲げ加工したところ、
直径50mmの径に曲げ加工しても絶縁性は維持された
。この熱電対素線を溶融接合し、熱電対として使用した
ところ700℃まで良好な結果が得られた。
【0039】この熱電対素線の表面状態は、ISO46
8−1982のSurface Roughness
による、中心平均粗さRaが、0.03μm、最大高さ
Ryが、0.21μmであった。測定は、米国のSlo
an社製の表面形状測定器DEKTAK3030を用い
、触針径0.5μm、針圧10mg、基準長さ50μm
とし、カットオフフィルタは使用せずに測定した。
8−1982のSurface Roughness
による、中心平均粗さRaが、0.03μm、最大高さ
Ryが、0.21μmであった。測定は、米国のSlo
an社製の表面形状測定器DEKTAK3030を用い
、触針径0.5μm、針圧10mg、基準長さ50μm
とし、カットオフフィルタは使用せずに測定した。
【0040】実施例3
実施例2で用いたのと同じ熱電対素線を用い、まず大気
中で加熱処理を実施例2と同様に行なった。
中で加熱処理を実施例2と同様に行なった。
【0041】ジルコニウムブトキシド10モル%とメタ
ノールアミン20モル%のn−ブタノール溶液に、ジル
コニウムブトキシドに対して2.1倍のモルの水をジエ
チレングリコールモノメチルエーテルで希釈したものを
加え、110℃で2時間攪拌して塗布溶液とした。
ノールアミン20モル%のn−ブタノール溶液に、ジル
コニウムブトキシドに対して2.1倍のモルの水をジエ
チレングリコールモノメチルエーテルで希釈したものを
加え、110℃で2時間攪拌して塗布溶液とした。
【0042】この塗布溶液に、加熱処理後の熱電対素線
を浸漬した。熱電対素線の外表面にこのようにしてコー
ティング溶液を塗布した後、窒素雰囲気下、温度800
℃で10分間加熱した。この塗布および加熱の工程を合
計で10回繰返し施した。
を浸漬した。熱電対素線の外表面にこのようにしてコー
ティング溶液を塗布した後、窒素雰囲気下、温度800
℃で10分間加熱した。この塗布および加熱の工程を合
計で10回繰返し施した。
【0043】得られた熱電対素線から、長さ30cmの
サンプルを採取し、このサンプルの約50mmの間隔を
隔てた4か所のそれぞれの約10mmの長さの部分に、
厚さ0.02mmの白金箔を密接に巻き付けた。
サンプルを採取し、このサンプルの約50mmの間隔を
隔てた4か所のそれぞれの約10mmの長さの部分に、
厚さ0.02mmの白金箔を密接に巻き付けた。
【0044】導体−金属箔間に60Hzの交流電圧を印
加したところ、700Vで絶縁破壊した。絶縁電線を曲
げ加工したところ、直径100mmの径に曲げても絶縁
性は維持された。
加したところ、700Vで絶縁破壊した。絶縁電線を曲
げ加工したところ、直径100mmの径に曲げても絶縁
性は維持された。
【0045】得られた熱電対素線の表面について、実施
例2と同様にして評価した。中心線平均粗さRaは0.
05μmであり、最大高さRyは0.48μmであった
。
例2と同様にして評価した。中心線平均粗さRaは0.
05μmであり、最大高さRyは0.48μmであった
。
【0046】実施例4
実施例2と同じ熱電対素線を用い、まず大気中で実施例
2と同様にして加熱処理を行なった。
2と同様にして加熱処理を行なった。
【0047】次に、ポリボロジフェニルシロキサン(S
iPh2 −O−BO2 )n をトルエンに溶解し、
10重量%の溶液とした。
iPh2 −O−BO2 )n をトルエンに溶解し、
10重量%の溶液とした。
【0048】この塗布溶液に、熱電対素線を浸漬した。
このようにして熱電対素線の外表面にコーティング溶液
を塗布した後、窒素雰囲気下、温度600℃で10分間
加熱した。この塗布および加熱の工程を合計で20回繰
返し施した。
を塗布した後、窒素雰囲気下、温度600℃で10分間
加熱した。この塗布および加熱の工程を合計で20回繰
返し施した。
【0049】得られた熱電対素線から、長さ30cmの
サンプルを採取した。このサンプルの約50mm間隔を
隔てた4か所のそれぞれ約10mmの長さの部分に、0
.02mmの白金箔を密接に巻き付けた。導体−金属箔
間に60Hzの交流電圧を印加したところ、500Vで
絶縁破壊した。
サンプルを採取した。このサンプルの約50mm間隔を
隔てた4か所のそれぞれ約10mmの長さの部分に、0
.02mmの白金箔を密接に巻き付けた。導体−金属箔
間に60Hzの交流電圧を印加したところ、500Vで
絶縁破壊した。
【0050】絶縁電線を曲げ加工したところ直径30m
mの径に曲げても絶縁性は維持された。
mの径に曲げても絶縁性は維持された。
【0051】熱電対素線を溶融接合し、熱電対として使
用したところ700℃まで良好な結果が得られた。
用したところ700℃まで良好な結果が得られた。
【0052】実施例2と同様にして熱電対素線の表面状
態を評価したところ、中心線平均粗さはRaは0.02
μmであり、最大高さRyは0.25μmであった。
態を評価したところ、中心線平均粗さはRaは0.02
μmであり、最大高さRyは0.25μmであった。
【図1】この発明の一実施例を示す断面図である。
【図2】この発明の他の実施例を示す断面図である。
1,11 熱電対素線
2,12 金属酸化物層
13 絶縁性セラミックス層
Claims (11)
- 【請求項1】 熱電対素線と、金属酸化物の前駆体微
粒子を分散したゾルをゾルゲル法によって調製し、この
ゾル中に前記熱電対素線を浸漬し、前記熱電対素線を陰
極として通電して金属酸化物の前駆体微粒子を付着させ
、これを加熱処理することによって前記熱電対素線の外
方に形成させた金属酸化物層とを備える、熱電対。 - 【請求項2】 前記ゾルが、ゾルの分散媒の誘電率を
高めるため、有機化合物塩を含有している、請求項1に
記載の熱電対。 - 【請求項3】 前記ゾルが、ゾルの分散媒の誘電率を
高めるため、金属の無機塩を含有している、請求項1に
記載の熱電対。 - 【請求項4】 前記ゾルが、セラミックス粉末を含有
している、請求項1に記載の熱電対。 - 【請求項5】 前記ゾルが、前記金属酸化物に対応す
る金属アルコキドまたは金属のカルボン酸エステルの加
水分解反応および重合反応により調製されたものである
、請求項1に記載の熱電対。 - 【請求項6】 前記金属酸化物層が、酸化ケイ素、酸
化アルミニウム、酸化ジルコニウムおよび酸化マグネシ
ウムからなる群から選択された化合物の少なくとも1種
を含む、請求項1に記載の熱電対。 - 【請求項7】 前記セラミックス粉末が、マイカ粉末
、酸化ケイ素、炭化ケイ素、窒化ケイ素、酸化アルミニ
ウム、窒化ホウ素および窒化アルミニウムからなる群か
ら選択された化合物の少なくとも1種である、請求項4
に記載の熱電対。 - 【請求項8】 前記熱電対素線は、加熱によって表面
に酸化処理が施されている、請求項1に記載の熱電対。 - 【請求項9】 前記金属酸化物層の外方に、有機金属
ポリマー、有機金属オリゴマーおよび有機金属モノマー
のうち少なくとも1種を加熱分解することによって形成
される絶縁性セラミックス層をさらに備える、請求項1
に記載の熱電対。 - 【請求項10】 前記有機金属ポリマー、有機金属オ
リゴマーまたは有機金属モノマーが、金属アルコキシド
、金属有機酸塩、ポリシラザン、ポリカルボシラン、ま
たはポリボロシロキサンである、請求項9に記載の熱電
対。 - 【請求項11】 前記絶縁性セラミックス層の有機金
属オリゴマーまたは有機金属モノマーが、シリカ、アル
ミナ、ジルコニア、窒化ケイ素、炭化ケイ素、窒化アル
ミニウム、もしくはこれらの混合体または部分安定化ジ
ルコニアを含む、請求項9に記載の熱電対。
Priority Applications (8)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3182604A JP3070154B2 (ja) | 1990-08-09 | 1991-07-23 | 熱電対 |
DE69129065T DE69129065T2 (de) | 1990-08-09 | 1991-08-07 | Thermoelement |
CA002067230A CA2067230C (en) | 1990-08-09 | 1991-08-07 | Thermocouple |
EP91914196A EP0495997B1 (en) | 1990-08-09 | 1991-08-07 | Thermocouple |
PCT/JP1991/001057 WO1992002960A1 (fr) | 1990-08-09 | 1991-08-07 | Thermocouple |
TW080106972A TW306075B (ja) | 1990-08-09 | 1991-09-03 | |
US08/325,536 US5498296A (en) | 1990-08-09 | 1994-10-18 | Thermocouple |
US08/845,576 US5747727A (en) | 1990-08-09 | 1997-04-25 | Method of making a thermocouple |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP21336690 | 1990-08-09 | ||
JP2-213366 | 1990-08-09 | ||
JP3182604A JP3070154B2 (ja) | 1990-08-09 | 1991-07-23 | 熱電対 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH04363077A true JPH04363077A (ja) | 1992-12-15 |
JP3070154B2 JP3070154B2 (ja) | 2000-07-24 |
Family
ID=26501346
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP3182604A Expired - Fee Related JP3070154B2 (ja) | 1990-08-09 | 1991-07-23 | 熱電対 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3070154B2 (ja) |
-
1991
- 1991-07-23 JP JP3182604A patent/JP3070154B2/ja not_active Expired - Fee Related
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---|---|
JP3070154B2 (ja) | 2000-07-24 |
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