JPH04362554A - 光分離素子とこれを使用した受光光学装置 - Google Patents
光分離素子とこれを使用した受光光学装置Info
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- JPH04362554A JPH04362554A JP3166411A JP16641191A JPH04362554A JP H04362554 A JPH04362554 A JP H04362554A JP 3166411 A JP3166411 A JP 3166411A JP 16641191 A JP16641191 A JP 16641191A JP H04362554 A JPH04362554 A JP H04362554A
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- 230000003287 optical effect Effects 0.000 title claims abstract description 33
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- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 3
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- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、光磁気ディスク装置な
どに使用されて回転方向に90度の偏光成分を有する光
を3つの光成分に分離する光分離素子ならびにこの光分
離素子を使用した受光光学装置に関する。
どに使用されて回転方向に90度の偏光成分を有する光
を3つの光成分に分離する光分離素子ならびにこの光分
離素子を使用した受光光学装置に関する。
【0002】
【従来の技術】光磁気ディスク装置では、再生出力を得
るために、偏光分離が行われ、ディスクからの戻り光が
、カー回転角による偏光成分となる2つの光成分と、フ
ォーカスなどのエラー信号を検出するためのエラー信号
検出用の光成分とに分離される。
るために、偏光分離が行われ、ディスクからの戻り光が
、カー回転角による偏光成分となる2つの光成分と、フ
ォーカスなどのエラー信号を検出するためのエラー信号
検出用の光成分とに分離される。
【0003】図6は、従来の偏光分離手段を使用した光
磁気ディスク装置の光学系の構成を示している。半導体
レーザ1から発せられたレーザ光はコリメートレンズ2
により平行光となり、ビームスプリッタ3により反射さ
れ、全反射プリズム4にて反射されて対物レンズ5によ
りディスクDの記録面に集光される。ディスクDの記録
面からの反射戻り光は、ビームスプリッタ3を透過し、
ウォラストンプリズム6にて3つの成分に分離され、受
光レンズ7aと7bを経て6分割のピンホトダイオード
8により受光される。ウォラストンプリズム6にて異な
る偏光面の成分に分離された2つの光束B1とB2はピ
ンホトダイオード8の2つの受光部8aと8bとにより
受光され、両受光光量の差からMO信号が検出される。 また偏光状態に依存しない光束B3は4分割の受光部8
cに受光され、これによりフォーカスとトラッキングの
エラー信号が得られる。
磁気ディスク装置の光学系の構成を示している。半導体
レーザ1から発せられたレーザ光はコリメートレンズ2
により平行光となり、ビームスプリッタ3により反射さ
れ、全反射プリズム4にて反射されて対物レンズ5によ
りディスクDの記録面に集光される。ディスクDの記録
面からの反射戻り光は、ビームスプリッタ3を透過し、
ウォラストンプリズム6にて3つの成分に分離され、受
光レンズ7aと7bを経て6分割のピンホトダイオード
8により受光される。ウォラストンプリズム6にて異な
る偏光面の成分に分離された2つの光束B1とB2はピ
ンホトダイオード8の2つの受光部8aと8bとにより
受光され、両受光光量の差からMO信号が検出される。 また偏光状態に依存しない光束B3は4分割の受光部8
cに受光され、これによりフォーカスとトラッキングの
エラー信号が得られる。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】上記従来の受光光学装
置では、偏光分離のための素子として、ウォラストンプ
リズム6を使用している。しかしながら、ウォラストン
プリズム6は、水晶などの異方性結晶を2つ使用し、こ
れを貼り合わせて制作しているため製造コストが高いも
のとなっている。さらに、ピンホトダイオード8の4分
割の受光部8cにおいてフォーカスエラー信号を得るた
めに、非点隔差を生じさせるシリンドリカルレンズを受
光レンズ7bとして設ける必要があり、構成する光学部
品の点数が多くなる。
置では、偏光分離のための素子として、ウォラストンプ
リズム6を使用している。しかしながら、ウォラストン
プリズム6は、水晶などの異方性結晶を2つ使用し、こ
れを貼り合わせて制作しているため製造コストが高いも
のとなっている。さらに、ピンホトダイオード8の4分
割の受光部8cにおいてフォーカスエラー信号を得るた
めに、非点隔差を生じさせるシリンドリカルレンズを受
光レンズ7bとして設ける必要があり、構成する光学部
品の点数が多くなる。
【0005】本発明は上記従来の課題を解決するもので
あり、簡単な構成により光の偏光分離ができ且つ非点隔
差を生じさせることも可能な光分離素子ならびにこれを
使用した受光光学装置を提供することを目的としている
。
あり、簡単な構成により光の偏光分離ができ且つ非点隔
差を生じさせることも可能な光分離素子ならびにこれを
使用した受光光学装置を提供することを目的としている
。
【0006】
【課題を解決するための手段】本発明は、光軸に対する
回転方向に90度の角度をなす第1と第2の偏光成分を
有する光の経路に位置する光分離素子であって、第1と
第2の偏光成分をそれぞれ所定の割合で透過させる偏光
膜とその後方に位置する反射面とが互いに平行で且つ入
射光軸に対して角度を有して配置され、前記偏光膜と反
射面との間に、光の往復によりその偏光面の角度を90
度回転させる光学部材が配置されたことを特徴とするも
のである。
回転方向に90度の角度をなす第1と第2の偏光成分を
有する光の経路に位置する光分離素子であって、第1と
第2の偏光成分をそれぞれ所定の割合で透過させる偏光
膜とその後方に位置する反射面とが互いに平行で且つ入
射光軸に対して角度を有して配置され、前記偏光膜と反
射面との間に、光の往復によりその偏光面の角度を90
度回転させる光学部材が配置されたことを特徴とするも
のである。
【0007】さらに本発明による受光光学装置は、光軸
に対する回転方向に90度の角度をなす第1と第2の偏
光成分を有する光の経路に上記の光分離素子が配置され
、この光分離素子の偏光膜にて反射された光成分と、偏
光膜を透過して反射面にて反射された反射光が偏光膜を
透過した光成分と、前記反射面にて反射された反射光が
偏光膜にて反射され反射面にて再度反射されて偏光膜を
透過した光成分とを、それぞれ受光する受光部が設けら
れていることを特徴とするものである。
に対する回転方向に90度の角度をなす第1と第2の偏
光成分を有する光の経路に上記の光分離素子が配置され
、この光分離素子の偏光膜にて反射された光成分と、偏
光膜を透過して反射面にて反射された反射光が偏光膜を
透過した光成分と、前記反射面にて反射された反射光が
偏光膜にて反射され反射面にて再度反射されて偏光膜を
透過した光成分とを、それぞれ受光する受光部が設けら
れていることを特徴とするものである。
【0008】
【作用】上記手段では、例えば光磁気ディスクにおいて
偏光面にカー回転角が与えられた戻り光が光分離素子に
入射すると、まず所定の偏光成分が偏光膜により反射さ
れて第1の受光部により受光される。また偏光膜を透過
して反射面にて反射されさらに偏光膜を透過した光成分
が第2の受光部に受光される。また前記反射面にて反射
された光のうちの偏光膜により反射された光成分は再度
反射面により反射されてさらに偏光膜を透過して第3の
受光部にて受光される。例えば光磁気ディスク装置では
、第1の受光部の受光光量と第3の受光部の受光光量と
の差によりMO信号が検出され、第2の受光部による受
光出力からフォーカスとトラッキングのエラー信号が検
出される。
偏光面にカー回転角が与えられた戻り光が光分離素子に
入射すると、まず所定の偏光成分が偏光膜により反射さ
れて第1の受光部により受光される。また偏光膜を透過
して反射面にて反射されさらに偏光膜を透過した光成分
が第2の受光部に受光される。また前記反射面にて反射
された光のうちの偏光膜により反射された光成分は再度
反射面により反射されてさらに偏光膜を透過して第3の
受光部にて受光される。例えば光磁気ディスク装置では
、第1の受光部の受光光量と第3の受光部の受光光量と
の差によりMO信号が検出され、第2の受光部による受
光出力からフォーカスとトラッキングのエラー信号が検
出される。
【0009】
【実施例】以下本発明の実施例を図面により説明する。
図1は本発明による光分離素子10の第1実施例を示す
断面図である。図1に示す光分離素子10は、平板ガラ
ス11の入射側の面に偏光膜12がコーティングされて
いる。平板ガラス11の後面には位相差板13が貼り合
わされ、その後面に全反射膜14がコーティングされて
いる。前記位相差板13は通過する光に対してλ/4(
または5λ/4、9λ/4)の位相差(ただしλは入射
光の波長)を発生させるものである。したがってこの位
相差板13を透過して全反射膜14にて反射されさらに
位相差板13を透過する光は、位相差板13を2回通過
することによりλ/2の位相差を生じ、その偏光面の角
度が90度回転させられる。
断面図である。図1に示す光分離素子10は、平板ガラ
ス11の入射側の面に偏光膜12がコーティングされて
いる。平板ガラス11の後面には位相差板13が貼り合
わされ、その後面に全反射膜14がコーティングされて
いる。前記位相差板13は通過する光に対してλ/4(
または5λ/4、9λ/4)の位相差(ただしλは入射
光の波長)を発生させるものである。したがってこの位
相差板13を透過して全反射膜14にて反射されさらに
位相差板13を透過する光は、位相差板13を2回通過
することによりλ/2の位相差を生じ、その偏光面の角
度が90度回転させられる。
【0010】図1において、紙面上下方向をα軸、紙面
に直交する方向をβ軸としてα−βの直交座標をとり、
偏光面がα方向となる光の成分をP波成分、偏光面がβ
方向となる光の成分をS波成分とする。また入射光軸B
の光分離素子10に対する入射角をθとする。
に直交する方向をβ軸としてα−βの直交座標をとり、
偏光面がα方向となる光の成分をP波成分、偏光面がβ
方向となる光の成分をS波成分とする。また入射光軸B
の光分離素子10に対する入射角をθとする。
【0011】前記入射角θはほぼブリュスター角とし、
例えば平板ガラス11の屈折率が1.51のときに約6
0度に設定される。このブリュスター角θならびに偏光
膜12の設計により、偏光膜12に対しては、P波成分
が100%透過し、S波成分は60%透過し、S波成分
の40%が反射されるように設定されている。なおこの
比率は任意に設定可能である。
例えば平板ガラス11の屈折率が1.51のときに約6
0度に設定される。このブリュスター角θならびに偏光
膜12の設計により、偏光膜12に対しては、P波成分
が100%透過し、S波成分は60%透過し、S波成分
の40%が反射されるように設定されている。なおこの
比率は任意に設定可能である。
【0012】また前記位相差板13を往復した光はその
偏光面が90度回転させられるため、P波成分はS波成
分となり、S波成分はP波成分となる。
偏光面が90度回転させられるため、P波成分はS波成
分となり、S波成分はP波成分となる。
【0013】上記光分離素子10の機能を説明する。入
射角θにより入射する入射光は、偏光膜12によりS波
成分が40%反射され60%が透過する。またこの偏光
膜12においてP波成分は100%透過する。すなわち
偏光膜12では、入射光のうち40%のS波成分のみが
反射する。図1ではこの反射光をR1で示している。
射角θにより入射する入射光は、偏光膜12によりS波
成分が40%反射され60%が透過する。またこの偏光
膜12においてP波成分は100%透過する。すなわち
偏光膜12では、入射光のうち40%のS波成分のみが
反射する。図1ではこの反射光をR1で示している。
【0014】偏光膜12を透過した60%のS波成分と
100%のP波成分は、平板ガラス11内を透過し位相
差板13を透過し、さらに全反射膜14により反射され
て位相差板13を透過して戻る。位相差板13を1往復
して平板ガラス11内を戻る反射光は、偏光面が90度
回転させられて100%のS波成分と60%のP波成分
となる。
100%のP波成分は、平板ガラス11内を透過し位相
差板13を透過し、さらに全反射膜14により反射され
て位相差板13を透過して戻る。位相差板13を1往復
して平板ガラス11内を戻る反射光は、偏光面が90度
回転させられて100%のS波成分と60%のP波成分
となる。
【0015】全反射膜14により反射された光は再度偏
光膜12に至るが、偏光膜12では、S波成分のうち4
0%が反射され、60%が透過する。ただしP波成分は
反射されずその全てが偏光膜12を透過する。よって偏
光膜を透過した光は、共に60%のP波成分とS波成分
を有し、戻り光の偏光状態に依存しない光となる。図1
では、このの光をR0で示している。
光膜12に至るが、偏光膜12では、S波成分のうち4
0%が反射され、60%が透過する。ただしP波成分は
反射されずその全てが偏光膜12を透過する。よって偏
光膜を透過した光は、共に60%のP波成分とS波成分
を有し、戻り光の偏光状態に依存しない光となる。図1
では、このの光をR0で示している。
【0016】また偏光膜12により反射されて平板ガラ
ス11内に再び戻る40%のS波成分は、位相差板13
を透過して全反射膜14により反射され位相差板13を
透過して平板ガラス11内に進む。ここで位相差板13
を1往復するため、40%のS波成分はP波成分となる
。この40%のP波成分は全て偏光膜12を透過する。 この透過した光を図1においてR2で示している。
ス11内に再び戻る40%のS波成分は、位相差板13
を透過して全反射膜14により反射され位相差板13を
透過して平板ガラス11内に進む。ここで位相差板13
を1往復するため、40%のS波成分はP波成分となる
。この40%のP波成分は全て偏光膜12を透過する。 この透過した光を図1においてR2で示している。
【0017】図1では、上記光分離素子10が光磁気デ
ィスク装置においてディスクの記録面からの戻り光(集
束光)の経路に配置された場合を示している。前述のR
0,R1,R2のそれぞれの光成分の通過経路には、6
分割のピンホトダイオード20が配置されている。この
ピンホトダイオード20は2つの受光部21,22と4
分割の受光部23とを有している。
ィスク装置においてディスクの記録面からの戻り光(集
束光)の経路に配置された場合を示している。前述のR
0,R1,R2のそれぞれの光成分の通過経路には、6
分割のピンホトダイオード20が配置されている。この
ピンホトダイオード20は2つの受光部21,22と4
分割の受光部23とを有している。
【0018】前述の40%のS波成分の光R1は受光部
21により検出され、40%のP波成分の光R2は受光
部22により検出される。それぞれの受光部21と22
による受光光量は差動増幅器24に入力する。差動増幅
器24では受光部21と22の受光光量の差(I出力と
J出力との差)が検出され、これが光磁気ディスクから
の再生出力(MO信号)となる。
21により検出され、40%のP波成分の光R2は受光
部22により検出される。それぞれの受光部21と22
による受光光量は差動増幅器24に入力する。差動増幅
器24では受光部21と22の受光光量の差(I出力と
J出力との差)が検出され、これが光磁気ディスクから
の再生出力(MO信号)となる。
【0019】さらに4分割の受光部23は、共に60%
のS波成分とP波成分を有する光R0の集束点に位置し
ており、4分割の受光部23での検出出力によりフォー
カスエラー信号とトラッキングエラー信号を得ることが
できる。なお、光分離素子10は全体が平板構造である
ため、集束光であるR0がこれを通過して反射されるこ
とにより非点隔差が生じる。この非点隔差を利用して4
分割の受光部によりフォーカスエラー信号を得ることが
でき、図6に示す従来例のようなシリンドリカルレンズ
を受光レンズ7bとして使用する必要はなくなる。また
トラッキングエラー信号は4分割の受光部によりいわゆ
るプッシュプル法により検出することができる。
のS波成分とP波成分を有する光R0の集束点に位置し
ており、4分割の受光部23での検出出力によりフォー
カスエラー信号とトラッキングエラー信号を得ることが
できる。なお、光分離素子10は全体が平板構造である
ため、集束光であるR0がこれを通過して反射されるこ
とにより非点隔差が生じる。この非点隔差を利用して4
分割の受光部によりフォーカスエラー信号を得ることが
でき、図6に示す従来例のようなシリンドリカルレンズ
を受光レンズ7bとして使用する必要はなくなる。また
トラッキングエラー信号は4分割の受光部によりいわゆ
るプッシュプル法により検出することができる。
【0020】図4は、上記光分離素子10を使用した光
磁気ディスク装置の光学系の構成をさらに詳しく示して
いる。半導体レーザ31から出射したレーザ光はコリメ
ートレンズ32により平行光とされる。ビームスプリッ
タ33ではレーザ光の一部(主にS波成分)が反射され
て、トラッキング補正用の可動ミラー34により反射さ
れ、さらに全反射プリズム35により反射されて対物レ
ンズ36により光磁気ディスクの記録面に集光される。 ディスクの記録面からの戻り光は、基の経路を戻り、ビ
ームスプリッタ33を透過し、受光レンズ37により集
束させられて前記光分離素子10に入射する。
磁気ディスク装置の光学系の構成をさらに詳しく示して
いる。半導体レーザ31から出射したレーザ光はコリメ
ートレンズ32により平行光とされる。ビームスプリッ
タ33ではレーザ光の一部(主にS波成分)が反射され
て、トラッキング補正用の可動ミラー34により反射さ
れ、さらに全反射プリズム35により反射されて対物レ
ンズ36により光磁気ディスクの記録面に集光される。 ディスクの記録面からの戻り光は、基の経路を戻り、ビ
ームスプリッタ33を透過し、受光レンズ37により集
束させられて前記光分離素子10に入射する。
【0021】図5は光分離素子10の入射方向(図4の
V方向)から見た光分離素子10の配置角度を示してい
る。図4の装置において水平方向をX、垂直方向をYと
した直交座標を設けると、図1に示すα軸とβ軸との直
交座標は、前記X−Yの直交座標に対し、光軸のまわり
に45度回転した角度に配置されている。
V方向)から見た光分離素子10の配置角度を示してい
る。図4の装置において水平方向をX、垂直方向をYと
した直交座標を設けると、図1に示すα軸とβ軸との直
交座標は、前記X−Yの直交座標に対し、光軸のまわり
に45度回転した角度に配置されている。
【0022】光磁気ディスクからの戻り光にカー回転角
が与えられ、図5に示すように偏光面がY軸に対しプラ
スまたはマイナス方向にθkだけ回転させられていたと
する。図1の光分離素子10では、θkだけ回転させら
れた偏光面の成分がα軸方向のP波成分とβ軸方向のS
波成分として分離され、受光部21と22によりS波成
分とP波成分の差が検出される。よって差動増幅器24
からの出力により、図5に示すプラスθkまたはマイナ
スθkの偏光面の回転方向が検知され、MO信号が再生
されることになる。
が与えられ、図5に示すように偏光面がY軸に対しプラ
スまたはマイナス方向にθkだけ回転させられていたと
する。図1の光分離素子10では、θkだけ回転させら
れた偏光面の成分がα軸方向のP波成分とβ軸方向のS
波成分として分離され、受光部21と22によりS波成
分とP波成分の差が検出される。よって差動増幅器24
からの出力により、図5に示すプラスθkまたはマイナ
スθkの偏光面の回転方向が検知され、MO信号が再生
されることになる。
【0023】図2は本発明による光分離素子の第2実施
例を示している。この実施例に示す光分離素子10Aは
、同じ厚さ寸法tの2枚の平板ガラス11aと11bの
間に、位相差板13が介装されている。そして平板ガラ
ス11aの表面には偏光膜12がコーティングされ、平
板ガラス11bの後面には全反射膜14がコーティング
されている。第1実施例と同様に、位相差板13は光が
2回透過することによりλ/2の位相差を発生させ、偏
光面の角度を90度回転させるものである。
例を示している。この実施例に示す光分離素子10Aは
、同じ厚さ寸法tの2枚の平板ガラス11aと11bの
間に、位相差板13が介装されている。そして平板ガラ
ス11aの表面には偏光膜12がコーティングされ、平
板ガラス11bの後面には全反射膜14がコーティング
されている。第1実施例と同様に、位相差板13は光が
2回透過することによりλ/2の位相差を発生させ、偏
光面の角度を90度回転させるものである。
【0024】この光分離素子10Aにおいても、偏光膜
12により40%のS波成分が反射されてR1の光成分
が得られる。また偏光膜12を透過した100%のP波
成分と60%のS波成分は全反射膜14に反射されて位
相差板13を1往復することにより、60%のP波成分
と100%のS波成分となる。そして共に60%のS波
成分とP波成分の光R0が得られる。さらに偏光膜12
により反射された40%のS波成分は全反射膜14によ
り反射されて位相差板13を往復してP波成分となり、
これが偏光膜12を透過してR2が得られる。
12により40%のS波成分が反射されてR1の光成分
が得られる。また偏光膜12を透過した100%のP波
成分と60%のS波成分は全反射膜14に反射されて位
相差板13を1往復することにより、60%のP波成分
と100%のS波成分となる。そして共に60%のS波
成分とP波成分の光R0が得られる。さらに偏光膜12
により反射された40%のS波成分は全反射膜14によ
り反射されて位相差板13を往復してP波成分となり、
これが偏光膜12を透過してR2が得られる。
【0025】この光分離素子10Aでは必らずしも2枚
の平板ガラス11a,11bが同じ厚さ寸法である必要
はないが、同じ厚さ寸法とすることにより、制作は容易
になる。
の平板ガラス11a,11bが同じ厚さ寸法である必要
はないが、同じ厚さ寸法とすることにより、制作は容易
になる。
【0026】図3に示す第3実施例は、構造をさらに簡
略化したものである。この実施例に示す光分離素子10
Bは、水晶などの異方性結晶を使用し、透過光が1往復
(2回通過)することによりλ/2の位相差を発生させ
ることができる厚さ寸法t1とした位相差板13aが使
用されている。この位相差板13aの表面には偏光膜1
2が裏面には全反射膜14が、直接コーティングされて
いる。この実施例では、偏光膜12にて100%のP波
成分と60%のS波成分が透過する。この透過光は、位
相差板13を透過し全反射膜14により反射され再び位
相差板13aを透過することにより偏光面が90度回転
させられ、偏光膜12に戻った時点で、100%のS波
成分と60%のP波成分となる。そして偏光膜12にて
、共に60%のS波成分とP波成分が透過して光R0が
得られる。さらに偏光膜12により反射された40%の
S波成分は位相差板13aを往復してP波成分となり、
これが偏光膜12を透過して、40%のP波成分の光R
2が得られる。
略化したものである。この実施例に示す光分離素子10
Bは、水晶などの異方性結晶を使用し、透過光が1往復
(2回通過)することによりλ/2の位相差を発生させ
ることができる厚さ寸法t1とした位相差板13aが使
用されている。この位相差板13aの表面には偏光膜1
2が裏面には全反射膜14が、直接コーティングされて
いる。この実施例では、偏光膜12にて100%のP波
成分と60%のS波成分が透過する。この透過光は、位
相差板13を透過し全反射膜14により反射され再び位
相差板13aを透過することにより偏光面が90度回転
させられ、偏光膜12に戻った時点で、100%のS波
成分と60%のP波成分となる。そして偏光膜12にて
、共に60%のS波成分とP波成分が透過して光R0が
得られる。さらに偏光膜12により反射された40%の
S波成分は位相差板13aを往復してP波成分となり、
これが偏光膜12を透過して、40%のP波成分の光R
2が得られる。
【0027】なお本発明は上記各実施例に限られるもの
ではなく、例えば図1の第1実施例において、入射側か
ら順に偏光膜12、位相差板13、平板ガラス11、全
反射膜14の順に構成してもよい。
ではなく、例えば図1の第1実施例において、入射側か
ら順に偏光膜12、位相差板13、平板ガラス11、全
反射膜14の順に構成してもよい。
【0028】
【発明の効果】以上詳述した本発明によれば、小寸法で
簡単な構成の光分離素子を得ることができる。またこの
光分離素子を使用することにより、小型の受光光学装置
を形成できる。さらに光分離素子は平板構成にできるた
め、これを透過した光は非点隔差を含むことになり、そ
のままフォーカスエラーの検出が可能になる。さらに3
つに分離された光成分が同じ方向へ進むため、それぞれ
の光を検出する受光部を同じ位置に配置することができ
、単一のピンホトダイオードなどを使用することが可能
になる。
簡単な構成の光分離素子を得ることができる。またこの
光分離素子を使用することにより、小型の受光光学装置
を形成できる。さらに光分離素子は平板構成にできるた
め、これを透過した光は非点隔差を含むことになり、そ
のままフォーカスエラーの検出が可能になる。さらに3
つに分離された光成分が同じ方向へ進むため、それぞれ
の光を検出する受光部を同じ位置に配置することができ
、単一のピンホトダイオードなどを使用することが可能
になる。
【図1】本発明の第1実施例による光分離素子を示す断
面図、
面図、
【図2】本発明の第2実施例による光分離素子を示す断
面図、
面図、
【図3】本発明の第3実施例による光分離素子を示す断
面図、
面図、
【図4】本発明の光分離素子を使用した光磁気ディスク
装置の光学系の配置斜視図、
装置の光学系の配置斜視図、
【図5】図4の装置における光分離素子の配置角度を示
す説明図、
す説明図、
【図6】従来の光分離素子ならびにこれを使用した受光
光学装置を示す配置側面図、
光学装置を示す配置側面図、
10,10A,10B 光分離素子
11,11a,11b 平板ガラス
12 偏光膜
13,13a 位相差板
14 全反射膜
20 ピンホトダイオード
21,22 受光部
23 4分割の受光部
24 差動増幅器
31 半導体レーザ
Claims (2)
- 【請求項1】 光軸に対する回転方向に90度の角度
をなす第1と第2の偏光成分を有する光の経路に位置す
る光分離素子であって、第1と第2の偏光成分をそれぞ
れ所定の割合で透過させる偏光膜とその後方に位置する
反射面とが互いに平行で且つ入射光軸に対して角度を有
して配置され、前記偏光膜と反射面との間に、光の往復
によりその偏光面の角度を90度回転させる光学部材が
配置されたことを特徴とする光分離素子。 - 【請求項2】 光軸に対する回転方向に90度の角度
をなす第1と第2の偏光成分を有する光の経路に請求項
1記載の光分離素子が配置され、この光分離素子の偏光
膜にて反射された光成分と、偏光膜を透過して反射面に
て反射された反射光が偏光膜を透過した光成分と、前記
反射面にて反射された反射光が偏光膜にて反射され反射
面にて再度反射されて偏光膜を透過した光成分とを、そ
れぞれ受光する受光部が設けられていることを特徴とす
る受光光学装置。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3166411A JP2748052B2 (ja) | 1991-06-10 | 1991-06-10 | 光分離素子とこれを使用した受光光学装置 |
US07/893,134 US5309422A (en) | 1991-06-10 | 1992-06-02 | Light separation element and light receiving optical device using same |
GB9211607A GB2256725B (en) | 1991-06-10 | 1992-06-02 | Polarising light separation element and light receiving optical device using same |
DE4218642A DE4218642C2 (de) | 1991-06-10 | 1992-06-05 | Plattenförmiger Strahlteiler und optisches System zum Abtasten eines optomagnetischen Aufzeichnungsträgers mit diesem Strahlteiler |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3166411A JP2748052B2 (ja) | 1991-06-10 | 1991-06-10 | 光分離素子とこれを使用した受光光学装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH04362554A true JPH04362554A (ja) | 1992-12-15 |
JP2748052B2 JP2748052B2 (ja) | 1998-05-06 |
Family
ID=15830928
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP3166411A Expired - Fee Related JP2748052B2 (ja) | 1991-06-10 | 1991-06-10 | 光分離素子とこれを使用した受光光学装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2748052B2 (ja) |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63263635A (ja) * | 1987-04-21 | 1988-10-31 | Fujitsu Ltd | 光ピツクアツプ装置 |
-
1991
- 1991-06-10 JP JP3166411A patent/JP2748052B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63263635A (ja) * | 1987-04-21 | 1988-10-31 | Fujitsu Ltd | 光ピツクアツプ装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2748052B2 (ja) | 1998-05-06 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 19980120 |
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