JPH04356908A - セラミックコンデンサ - Google Patents
セラミックコンデンサInfo
- Publication number
- JPH04356908A JPH04356908A JP13138091A JP13138091A JPH04356908A JP H04356908 A JPH04356908 A JP H04356908A JP 13138091 A JP13138091 A JP 13138091A JP 13138091 A JP13138091 A JP 13138091A JP H04356908 A JPH04356908 A JP H04356908A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- ceramic capacitor
- powder
- paste
- main component
- firing
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000003985 ceramic capacitor Substances 0.000 title claims abstract description 22
- 238000010304 firing Methods 0.000 claims abstract description 14
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims abstract description 13
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims abstract description 12
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims description 20
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims description 20
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 18
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 18
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims description 18
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 11
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 claims description 9
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 9
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 5
- 239000002923 metal particle Substances 0.000 claims description 4
- 239000003638 chemical reducing agent Substances 0.000 claims description 3
- 239000007767 bonding agent Substances 0.000 claims 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 abstract description 6
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 abstract 1
- DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N barium atom Chemical compound [Ba] DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- LLZRNZOLAXHGLL-UHFFFAOYSA-J titanic acid Chemical compound O[Ti](O)(O)O LLZRNZOLAXHGLL-UHFFFAOYSA-J 0.000 abstract 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 4
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 3
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 3
- JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N barium titanate Chemical compound [Ba+2].[Ba+2].[O-][Ti]([O-])([O-])[O-] JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910002113 barium titanate Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 239000011812 mixed powder Substances 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 2
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 2
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 229910052746 lanthanum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 1
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 1
Landscapes
- Ceramic Capacitors (AREA)
- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はＮｉ内部電極と、これに
接合される端子電極間の接合性を良好とするセラミック
コンデンサに関するものである。
接合される端子電極間の接合性を良好とするセラミック
コンデンサに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】一般にセラミックコンデンサは図３に示
すように、セラミック誘電体１内においてＰｄからなる
内部電極２を積層し、この内部電極２の端部にガラスフ
リット入りのＡｇ粉末を焼成することにより、ＰｄとＡ
ｇの相互拡散層３を形成し、この相互拡散層３を介して
、端子電極４が接合されていた。
すように、セラミック誘電体１内においてＰｄからなる
内部電極２を積層し、この内部電極２の端部にガラスフ
リット入りのＡｇ粉末を焼成することにより、ＰｄとＡ
ｇの相互拡散層３を形成し、この相互拡散層３を介して
、端子電極４が接合されていた。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】Ｐｄの内部電極は
費用がかかるため、この内部電極をＮｉにおきかえるこ
よにより費用を抑えることができる。
費用がかかるため、この内部電極をＮｉにおきかえるこ
よにより費用を抑えることができる。
【０００４】しかし、このＮｉ内部電極と端子電極の金
属成分であるＡｇとは合金化せず従来のセラミックコン
デンサでは形成されていた内部電極と端子電極との相互
拡散層は形成されず、内部電極と端子電極の接合性は悪
い。
属成分であるＡｇとは合金化せず従来のセラミックコン
デンサでは形成されていた内部電極と端子電極との相互
拡散層は形成されず、内部電極と端子電極の接合性は悪
い。
【０００５】本発明は、上記課題を解決し、内部電極と
端子電極の接合性を良好とするセラミックコンデンサお
よびその製造方法を提供するものである。
端子電極の接合性を良好とするセラミックコンデンサお
よびその製造方法を提供するものである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
、本発明のセラミックコンデンサは、端子電極の材料に
内部電極を形成するＮｉおよび端子電極の主成分である
Ａｇと結合し易い金属を添加したものである。
、本発明のセラミックコンデンサは、端子電極の材料に
内部電極を形成するＮｉおよび端子電極の主成分である
Ａｇと結合し易い金属を添加したものである。
【０００７】さらには、空気中における焼成により端子
電極を形成する場合でも内部電極との接合を可能にする
ため、端子電極の材料に内部電極を形成するＮｉの酸化
物を還元する作用のある金属（５００℃〜９５０℃にお
ける酸化物の標準自由エネルギ−がＮｉの酸化物の標準
自由エネルギ−より低い値を持つ金属）を添加したもの
である。
電極を形成する場合でも内部電極との接合を可能にする
ため、端子電極の材料に内部電極を形成するＮｉの酸化
物を還元する作用のある金属（５００℃〜９５０℃にお
ける酸化物の標準自由エネルギ−がＮｉの酸化物の標準
自由エネルギ−より低い値を持つ金属）を添加したもの
である。
【０００８】すなはち、本発明は、主成分としてＡｇま
たはＡｇを主成分とする合金と、ガラス結合剤と、Ｎｉ
ならびにＡｇと合金あるいは化合物を作り易い金属を含
む端子電極をＮｉからなる内部電極に接合したセラミッ
クコンデンサを提供する。
たはＡｇを主成分とする合金と、ガラス結合剤と、Ｎｉ
ならびにＡｇと合金あるいは化合物を作り易い金属を含
む端子電極をＮｉからなる内部電極に接合したセラミッ
クコンデンサを提供する。
【０００９】また、本発明は、Ｎｉからなる内部電極に
、主成分としてＡｇまたはＡｇを主成分とする合金の粉
末と、ＮｉならびにＡｇと合金あるいは化合物を作り易
い金属粒子と、ガラスフリットと、有機バインダ−より
なるペ−ストを塗布し、焼成することにより端子電極を
接合形成してセラミックコンデンサを製造する。
、主成分としてＡｇまたはＡｇを主成分とする合金の粉
末と、ＮｉならびにＡｇと合金あるいは化合物を作り易
い金属粒子と、ガラスフリットと、有機バインダ−より
なるペ−ストを塗布し、焼成することにより端子電極を
接合形成してセラミックコンデンサを製造する。
【００１０】さらに、本発明は、Ｎｉからなる内部電極
に、主成分としてＡｇまたはＡｇを主成分とする合金の
粉末と、ＮｉならびにＡｇと合金あるいは化合物を作り
易い金属粒子と、Ｎｉの還元剤、ガラスフリットと、有
機バインダ−よりなるペ−ストを塗布し、焼成すること
により端子電極を接合形成してセラミックコンデンサを
製造する。
に、主成分としてＡｇまたはＡｇを主成分とする合金の
粉末と、ＮｉならびにＡｇと合金あるいは化合物を作り
易い金属粒子と、Ｎｉの還元剤、ガラスフリットと、有
機バインダ−よりなるペ−ストを塗布し、焼成すること
により端子電極を接合形成してセラミックコンデンサを
製造する。
【００１１】
【作用】上記構成により、Ｎｉ内部電極とＡｇを主成分
とする端子電極の接合を良好とする。
とする端子電極の接合を良好とする。
【００１２】詳しくは、ＮｉおよびＡｇと合金あるいは
化合物を作り易い金属が内部電極を形成しているＮｉと
接合し、一方でその金属は端子電極の主成分であるＡｇ
と接合するため、その金属を介して内部電極と端子電極
が強く結合する。
化合物を作り易い金属が内部電極を形成しているＮｉと
接合し、一方でその金属は端子電極の主成分であるＡｇ
と接合するため、その金属を介して内部電極と端子電極
が強く結合する。
【００１３】さらには、酸化物の標準自由エネルギ−が
Ｎｉの酸化物の標準自由エネルギ−より低い金属を端子
電極の材料に添加した場合、空気中における焼成過程で
端子電極のＡｇが焼成し、内部電極近傍が外部の空気と
遮断された状態になると、添加物である金属が酸素を吸
収し酸化物となり雰囲気中の酸素分圧を下げるために、
Ｎｉの酸化物は分解しＮｉ金属面を出す。そしてＮｉお
よびＡｇと合金あるいは化合物を作り易い金属を介して
内部電極と端子電極が結合する。
Ｎｉの酸化物の標準自由エネルギ−より低い金属を端子
電極の材料に添加した場合、空気中における焼成過程で
端子電極のＡｇが焼成し、内部電極近傍が外部の空気と
遮断された状態になると、添加物である金属が酸素を吸
収し酸化物となり雰囲気中の酸素分圧を下げるために、
Ｎｉの酸化物は分解しＮｉ金属面を出す。そしてＮｉお
よびＡｇと合金あるいは化合物を作り易い金属を介して
内部電極と端子電極が結合する。
【００１４】
【実施例】以下、セラミックコンデンサの一実施例を図
１を参照して説明する。
１を参照して説明する。
【００１５】（実施例１）ＮｉならびにＡｇと合金ある
いは化合物を作り易い金属としてＣｕを用いた例を述べ
る。
いは化合物を作り易い金属としてＣｕを用いた例を述べ
る。
【００１６】原材料として、ガラスフリット３％、Ａｇ
粉とＣｕ粉を合わせて９７％の混合粉に有機バインダ−
と溶媒を加え、ペ−ストを作製した。このとき、Ｃｕ粉
の量は０〜７０％に変化させたものを作製した。Ｃｕ粉
は、ＮｉならびにＡｇと合金あるいは、化合物をつくり
やすい金属としてもちいる。
粉とＣｕ粉を合わせて９７％の混合粉に有機バインダ−
と溶媒を加え、ペ−ストを作製した。このとき、Ｃｕ粉
の量は０〜７０％に変化させたものを作製した。Ｃｕ粉
は、ＮｉならびにＡｇと合金あるいは、化合物をつくり
やすい金属としてもちいる。
【００１７】このペ−ストをチタン酸バリウム系のセラ
ミック誘電体１１にＮｉの内部電極１２を積層させたセ
ラミックコンデンサ素子の両端に塗布し、バインダ−を
焼成した後、９１０℃で１０分間、Ｎ２ガス雰囲気中で
焼成し、端子電極１４を形成した。
ミック誘電体１１にＮｉの内部電極１２を積層させたセ
ラミックコンデンサ素子の両端に塗布し、バインダ−を
焼成した後、９１０℃で１０分間、Ｎ２ガス雰囲気中で
焼成し、端子電極１４を形成した。
【００１８】Ｃｕ粉の量が０％、０．２％では内部電極
１２と端子電極１４の良好な接合が得られず、焼成時に
容量が取り出せないものや、ハンダデップ時に接合が外
れ容量が減少するものが発生した。しかしＡｇ粉に対し
０．５％（０．５％重量部）のＣｕ粉を添加したもので
は接合状態がかなり良くなり、１％以上の添加では製造
上あるいは使用上における内部電極１２と端子電極１４
の接合に関する問題は少なくなった。
１２と端子電極１４の良好な接合が得られず、焼成時に
容量が取り出せないものや、ハンダデップ時に接合が外
れ容量が減少するものが発生した。しかしＡｇ粉に対し
０．５％（０．５％重量部）のＣｕ粉を添加したもので
は接合状態がかなり良くなり、１％以上の添加では製造
上あるいは使用上における内部電極１２と端子電極１４
の接合に関する問題は少なくなった。
【００１９】Ｃｕ以外の金属では、Ｚｎ，Ｓｎ，７０Ｍ
ｎ−３０Ｃｕ合金もほぼ同様の効果を示したが、含有量
が多い方が内部電極１２と端子電極１４の接合状態はよ
り良好となった。一方、ＡｕおよびＰｄの場合、含有量
が少なくてもよい接合が得られ、０．５％（０．５重量
部）で十分効果があった。
ｎ−３０Ｃｕ合金もほぼ同様の効果を示したが、含有量
が多い方が内部電極１２と端子電極１４の接合状態はよ
り良好となった。一方、ＡｕおよびＰｄの場合、含有量
が少なくてもよい接合が得られ、０．５％（０．５重量
部）で十分効果があった。
【００２０】（実施例２）Ｎｉの還元剤としてさらにＴ
ｉを添加した例を述べる。
ｉを添加した例を述べる。
【００２１】原材料として、ガラスフリット３部、Ａｇ
９０部、Ｃｕ１０部の混合粉にＴｉ粉末をＡｇ粉末に対
し０〜５０重量部添加し、これに有機バインダ−と溶媒
を加え、ペ−ストを作製した。このとき、Ａｇ粉粒度の
うち１μｍ以下の含有率を０〜１００％に変えたものを
作製した。
９０部、Ｃｕ１０部の混合粉にＴｉ粉末をＡｇ粉末に対
し０〜５０重量部添加し、これに有機バインダ−と溶媒
を加え、ペ−ストを作製した。このとき、Ａｇ粉粒度の
うち１μｍ以下の含有率を０〜１００％に変えたものを
作製した。
【００２２】このペ−ストをチタン酸バリウム系のセラ
ミック誘電体１１にＮｉの内部電極１２を積層させたセ
ラミックコンデンサ素子の両端に塗布し、バインダ−を
焼成した後、９１０℃で１０分間、Ｎ２ガス雰囲気中で
焼成し、端子電極１４を形成した。
ミック誘電体１１にＮｉの内部電極１２を積層させたセ
ラミックコンデンサ素子の両端に塗布し、バインダ−を
焼成した後、９１０℃で１０分間、Ｎ２ガス雰囲気中で
焼成し、端子電極１４を形成した。
【００２３】この結果を（図２）に示す。表中、良い接
合がえられたものは○印、接合の悪いものは×印、ｔａ
ｎδが増加するものは△印で表した。
合がえられたものは○印、接合の悪いものは×印、ｔａ
ｎδが増加するものは△印で表した。
【００２４】図２より、Ａｇ粉量３％では良い特性のも
のは得られないが、１０％の添加ではＴｉの量を調整す
ることにより良い特性のものが得られ、それ以上では良
品が得易くなった。
のは得られないが、１０％の添加ではＴｉの量を調整す
ることにより良い特性のものが得られ、それ以上では良
品が得易くなった。
【００２５】またＡｇ粉を多く添加すると、焼結が速く
なり、低い温度で外部の空気を遮断するため、金属Ｔｉ
がＮｉＯを還元する作用が働き、空気中焼成でも接合が
良くなる。金属Ｔｉの添加量は０．０１％（０．１重量
部）でも効果が現れる場合がある。これはＡｇの粉が多
くなり、Ａｇの焼結で大気中の酸素を速く遮断できるた
め、ＮｉＯの分解あるいはＮｉの酸化を抑制し、Ｃｕの
作用により内部電極と端子電極の接合を良くすることが
できるためである。
なり、低い温度で外部の空気を遮断するため、金属Ｔｉ
がＮｉＯを還元する作用が働き、空気中焼成でも接合が
良くなる。金属Ｔｉの添加量は０．０１％（０．１重量
部）でも効果が現れる場合がある。これはＡｇの粉が多
くなり、Ａｇの焼結で大気中の酸素を速く遮断できるた
め、ＮｉＯの分解あるいはＮｉの酸化を抑制し、Ｃｕの
作用により内部電極と端子電極の接合を良くすることが
できるためである。
【００２６】一方、Ｔｉの添加量を多くし、たとえば５
０重量部以上とすると、Ａｇ粉の量が少なくても接合は
良くなるが、ｔａｎδは少し悪くなる傾向があった。
０重量部以上とすると、Ａｇ粉の量が少なくても接合は
良くなるが、ｔａｎδは少し悪くなる傾向があった。
【００２７】さらに空気を遮断した場合においては、Ｔ
ｉの代わりに焼結温度でＮｉＯより酸化物の標準自由エ
ネルギ−が低いＺｒ，Ｓｉ，Ｖ，Ｍｎ，Ｙ，Ｌａ，Ａｌ
でもほぼ同様の効果が得られた。
ｉの代わりに焼結温度でＮｉＯより酸化物の標準自由エ
ネルギ−が低いＺｒ，Ｓｉ，Ｖ，Ｍｎ，Ｙ，Ｌａ，Ａｌ
でもほぼ同様の効果が得られた。
【００２８】
【発明の効果】以上の実施例の説明より明らかなように
、本発明のセラミックコンデンサは、内部電極に従来の
Ｐｄよりコストの低いＮｉを用いて、かつ、端子電極の
材料にＮｉおよびＡｇと合金あるいは化合物を作り易い
金属を添加し焼成するという、従来と同様な方法で内部
電極と端子電極の接合を良好とすることができ、安定し
た特性をとりだすことが可能となる。
、本発明のセラミックコンデンサは、内部電極に従来の
Ｐｄよりコストの低いＮｉを用いて、かつ、端子電極の
材料にＮｉおよびＡｇと合金あるいは化合物を作り易い
金属を添加し焼成するという、従来と同様な方法で内部
電極と端子電極の接合を良好とすることができ、安定し
た特性をとりだすことが可能となる。
【００２９】また通常Ｎｉの内部電極とＡｇを主成分と
する端子電極の接合を良くするために焼成はＮ２雰囲気
中で行われるが、焼成温度でＮｉＯより酸化物を作り易
い金属を端子電極の材料に添加することにより空気中焼
成でも良い接合が得られるようになり、製造工程の簡略
化が可能となる。
する端子電極の接合を良くするために焼成はＮ２雰囲気
中で行われるが、焼成温度でＮｉＯより酸化物を作り易
い金属を端子電極の材料に添加することにより空気中焼
成でも良い接合が得られるようになり、製造工程の簡略
化が可能となる。
【図１】本発明の一実施例のセラミックコンデンサの断
面図である。
面図である。
【図２】本発明の一実施例のセラミックコンデンサの特
性結果を示す図である。
性結果を示す図である。
【図３】従来のセラミックコンデンサの断面図である。
１ セラミック誘電体
２ 内部電極
３ 内部電極と端子電極の相互拡散層４ 端子電極
１１ セラミック誘電体
１２ 内部電極
１４ 端子電極
Claims (3)
- 【請求項１】 主成分としてＡｇまたはＡｇを主成分
とする合金と、ガラス結合剤と、ＮｉならびにＡｇと合
金あるいは化合物を作り易い金属を含む端子電極をＮｉ
からなる内部電極に接合したセラミックコンデンサ。 - 【請求項２】 Ｎｉからなる内部電極に、主成分とし
てＡｇまたはＡｇを主成分とする合金の粉末と、Ｎｉな
らびにＡｇと合金あるいは化合物を作り易い金属粒子と
、ガラスフリットと、有機バインダ−よりなるペ−スト
を塗布し、焼成することにより端子電極を接合形成する
ことを特徴としたセラミックコンデンサの製造方法。 - 【請求項３】 Ｎｉからなる内部電極に、主成分とし
てＡｇまたはＡｇを主成分とする合金の粉末と、Ｎｉな
らびにＡｇと合金あるいは化合物を作り易い金属粒子と
、Ｎｉの還元剤、ガラスフリットと、有機バインダ−よ
りなるペ−ストを塗布し、焼成することにより端子電極
を接合形成することを特徴としたセラミックコンデンサ
の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13138091A JPH04356908A (ja) | 1991-06-03 | 1991-06-03 | セラミックコンデンサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13138091A JPH04356908A (ja) | 1991-06-03 | 1991-06-03 | セラミックコンデンサ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04356908A true JPH04356908A (ja) | 1992-12-10 |
Family
ID=15056600
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13138091A Pending JPH04356908A (ja) | 1991-06-03 | 1991-06-03 | セラミックコンデンサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04356908A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7187026B2 (en) | 2002-11-27 | 2007-03-06 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor device and method of manufacturing the same |
| JP2011135079A (ja) * | 2009-12-22 | 2011-07-07 | Samsung Electro-Mechanics Co Ltd | 積層セラミックキャパシタ及びその製造方法 |
| JP2017027987A (ja) * | 2015-07-16 | 2017-02-02 | 株式会社村田製作所 | 積層セラミックコンデンサ及び積層セラミックコンデンサの製造方法 |
-
1991
- 1991-06-03 JP JP13138091A patent/JPH04356908A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7187026B2 (en) | 2002-11-27 | 2007-03-06 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor device and method of manufacturing the same |
| US7312118B2 (en) | 2002-11-27 | 2007-12-25 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor device and method of manufacturing the same |
| JP2011135079A (ja) * | 2009-12-22 | 2011-07-07 | Samsung Electro-Mechanics Co Ltd | 積層セラミックキャパシタ及びその製造方法 |
| JP2017027987A (ja) * | 2015-07-16 | 2017-02-02 | 株式会社村田製作所 | 積層セラミックコンデンサ及び積層セラミックコンデンサの製造方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR20080036004A (ko) | 비-환원성 유전체를 포함하는 유전체 세라믹 캐패시터 | |
| JP4097900B2 (ja) | 電子部品の製造方法 | |
| TW201710215A (zh) | 高ｋ之低溫共燒陶瓷（ｌｔｃｃ）介電組成物及裝置 | |
| JP2002100526A (ja) | 積層セラミック部品端子電極用導体ペースト | |
| JPH04356908A (ja) | セラミックコンデンサ | |
| JPS58178903A (ja) | 導電性ペ−スト | |
| JPH10154633A (ja) | セラミック電子部品およびその製造方法 | |
| US5632833A (en) | Method of manufacturing laminated ceramic capacitor | |
| JPH11135377A (ja) | 固体電解コンデンサおよびその製造方法 | |
| JP2001223132A (ja) | 電子部品およびその製造方法 | |
| JP7000779B2 (ja) | 積層セラミック電子部品 | |
| JPH0348415A (ja) | ペースト組成物および積層セラミックコンデンサの製造方法 | |
| JPH11121276A (ja) | 電子部品およびその製造方法 | |
| JPH11232927A (ja) | 導電ペースト | |
| JP4581584B2 (ja) | 積層セラミックコンデンサおよびその製造方法 | |
| JPH07192528A (ja) | 導電性ペースト | |
| JPH1187167A (ja) | 端子電極用ペーストおよびそれを用いたセラミック電子部品とその製造方法 | |
| JP2752100B2 (ja) | 積層セラミックコンデンサの製造方法 | |
| JP2001291604A (ja) | チップ形積層サーミスタ及びその製造方法 | |
| JP3471467B2 (ja) | 粒界層型半導体セラミックコンデンサーの製造方法 | |
| JPH07201637A (ja) | 積層セラミック電子部品 | |
| JP2969716B2 (ja) | 積層セラミックコンデンサ | |
| JP3470285B2 (ja) | 積層セラミックコンデンサの製造方法 | |
| JPS6216006B2 (ja) | ||
| JP2002231561A (ja) | 積層セラミック電子部品及びその製造方法 |