JPH04355969A - 個別ダイオード装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】この発明は、１つのパッケージに
収納された個別ダイオード装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】ビデオテープレコーダ等、多数の各種電
子回路を複合して構成される電子機器では、その構成回
路を集積回路（ＩＣ）化することが機能面で不利になる
場合や回路定数の設定等によりＩＣ化が困難な場合があ
る。例えばダイオードは、その整流特性と順方向電圧降
下特性を利用したクリップ回路、スライス回路、クラン
プ回路、電圧電流特性を利用した関数発生回路、また、
整流特性を利用した電流の逆流防止回路など様々な回路
部分に用いられるが、このように種々の目的に使用可能
なダイオードは個別部品としての用途も多く、他のチッ
プ部品とともにプリント基板に個別に実装されている。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】ダイオードを用いた前
記各種回路は、そのほとんどの場合、図３に示すように
ダイオードＤのアノード側に抵抗Ｒが接続されているか
、図４に示すようにダイオードＤのカソード側に抵抗Ｒ
が接続されている。したがって、個別部品としてダイオ
ードを用いる場合には、ほとんどの場合、個別部品とし
ての抵抗器も必要となる。このようにダイオードを用い
た回路を個別部品で構成する場合、プリント基板上の部
品実装面積が大きくなり、電子機器の小型軽量化を妨げ
、またプリント基板に対する実装工程も多くなり、この
種の回路を数多く必要とするビデオテープレコーダ等の
電子機器では部品コストとともに製造コストも嵩む。

【０００４】この発明の目的は、ダイオードを構成する
半導体基板上に抵抗を形成し、その抵抗の一端をダイオ
ードの一方と接続して素子の複合化を図り、個別部品ま
たは集積回路では得ることのできない利点を持つ個別ダ
イオード装置を提供することにある。

【０００５】

【課題を解決するための手段】この発明は、半導体基板
を第１導電領域とし、前記半導体基板の表面に第２導電
領域を形成した個別ダイオード装置において、半導体基
板の表面に酸化膜を介してポリシリコン成長膜による薄
膜抵抗を形成し、前記薄膜抵抗の一方端に導通する第１
の電極を形成し、前記薄膜抵抗の他方端と前記第２導電
領域とに導通する第２の電極を形成し、前記第１、第２
の電極を第１、第２の外部端子に接続し、前記半導体基
板の裏面を第３の外部端子に接続するとともに、全体を
１つのパッケージに収納したことを特徴とする。

【０００６】

【作用】この発明の個別ダイオード装置では、ダイオー
ドと抵抗を接続した回路がユニットとして一つのパッケ
ージに組み込まれているため、その占有面積が小さくな
り、装置全体の小型軽量化に寄与し、しかも、個別トラ
ンジスタ装置と同様に、３端子構造の電子部品として用
いることができるため、プリント基板に実装する際、組
立コストの低減を図ることができる。また、抵抗体とし
てポリシリコン成長膜による薄膜抵抗を用いたため、必
要な抵抗値を広い範囲に亘って正確に設定することがで
き、極めて汎用性の高い電子部品として様々な目的に用
いることができる。

【０００７】

【実施例】図１はこの発明の実施例である個別ダイオー
ド装置のペレット部の断面図である。図１において１０
はＮ＋　の半導体基板、１１はＮ層であり、これらは第
１導電領域として作用する。１２は第２導電領域である
Ｐ層、１３は１１の表面部を覆うＳｉＯ２　等で形成さ
れた酸化膜、１５はポリシリコンの薄膜抵抗である。１
４，１４’はそれぞれアルミニウムや金等による電極で
あり、電極１４は薄膜抵抗の一方端に導通する第１の電
極として作用し、１４’は薄膜抵抗の他方端とＰ層１２
とに導通する第２の電極として作用する。図１において
Ｔ１，Ｔ２，Ｔ３は図３に示した各端子の記号と一致し
ている、即ちＴ１は抵抗の一方の端子、Ｔ２は抵抗の他
方の端子およびダイオードのアノード端子、Ｔ３はダイ
オードのカソード端子である。

【０００８】図１に示したペレットは従来の３端子型ト
ランジスタのパッケージングと同様に、先ず、ペレット
を端子Ｔ３に連続するリードフレームにダイボンディン
グし、電極１４，１４’をリードボンディング等により
端子Ｔ１，Ｔ２にそれぞれ電気的に接続する。

【０００９】図１に示した個別ダイオード装置のペレッ
トの製法手順は次の通りである。

【００１０】まず、Ｎ＋　の半導体基板（ウエハー）に
対してＮ層をエピタキシャル成長させる。このようにド
ーピング濃度を設定することにより、ダイオードの順方
向電圧降下の値を小さくする。次に、その表面に熱酸化
法によりシリコン酸化膜１３を形成する。次に、前記酸
化膜１３の所定位置つまりダイオードのアノードを形成
すべき位置にエッチングにより窓を開ける。続いて、こ
の窓に対してＰ層１２を拡散により形成する。その後、
酸化膜の表面にポリシリコンの薄膜をＣＶＤ法により成
膜する。そしてポリシリコンの膜をパターンニングする
ことにより薄膜抵抗１５を得る。更に、表面にアルミニ
ウムや金等の金属膜を蒸着により形成し、図１に示すよ
うに、薄膜抵抗の一方端と、薄膜抵抗の他方端およびＰ
層１２の上部に電極１４，１４’をパターンニングする
。 その後、ウエハーをスクライビングしてペレットとして
分離する。

【００１１】上記実施例はダイオードのアノード側に抵
抗を接続したものであったが、逆にダイオードのカソー
ド側に抵抗を接続することもできる。図２はその例を示
す半導体装置の断面図である。

【００１２】図２において２０はＰ＋　の半導体基板、
２１はＰ層、２２はＮ層である。つまり端子Ｔ２がカソ
ード、端子Ｔ３がアノードとなる。このように形成する
ことにより、図４に示したような回路ユニットが構成さ
れる。

【００１３】以上に示した実施例によれば、従来の個別
ダイオード装置と同様のサイズに薄膜抵抗を形成するこ
とができ、ウエハーあたりの取り数を下げることなく製
造できる。

【００１４】

【発明の効果】この発明によれば、ダイオードと抵抗を
接続した回路部分に本願発明の個別ダイオード装置を適
用することができ、従来の個別ダイオードを用いていた
箇所に本願発明の個別ダイオード装置を用いることによ
り、個別部品としての抵抗器が不要となる。また、３端
子構造を有する個別トランジスタ装置と同様のパッケー
ジに収納することができ、個別トランジスタ装置と同等
に取り扱うことができる。そのため、電子回路としての
汎用性だけでなく、基板に対する実装方法も汎用化され
、電子機器の小型軽量化に寄与する。更に、この発明に
よれば、抵抗回路として、酸化膜の表面にポリシリコン
成長膜による薄膜抵抗を形成したため、例えば拡散抵抗
によるものに比較して、抵抗回路の占有面積が小さく全
体に大型化しない、組成，膜厚の制御が容易であり抵抗
値を広範囲に亘って正確に設定することができる、隣接
する他の層間の寄生容量（浮遊容量）が小さく高周波特
性に優れる、許容電流値および耐圧上の問題が生じない
、などの効果もある。

【図面の簡単な説明】

【図１】この発明の第１の実施例に係る個別ダイオード
装置のペレットの断面図である。

【図２】この発明の第２の実施例に係る個別ダイオード
装置のペレットの断面図である。

【図３】抵抗とダイオードによる基本回路の回路図であ
る。

【図４】抵抗とダイオードによる基本回路の回路図であ
る。

【符号の説明】

１０，２０−半導体基板（第１導電領域）１２，２２−
第２導電領域 １３−酸化膜 １４−第１の電極 １４’−第２の電極 １５−薄膜抵抗

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】半導体基板を第１導電領域とし、前記半導
   体基板の表面に第２導電領域を形成した個別ダイオード
   装置において、半導体基板の表面に酸化膜を介してポリ
   シリコン成長膜による薄膜抵抗を形成し、前記薄膜抵抗
   の一方端に導通する第１の電極を形成し、前記薄膜抵抗
   の他方端と前記第２導電領域とに導通する第２の電極を
   形成し、前記第１、第２の電極を第１、第２の外部端子
   に接続し、前記半導体基板の裏面を第３の外部端子に接
   続するとともに、全体を１つのパッケージに収納したこ
   とを特徴とする個別ダイオード装置。