JPH04355723A - アクティブマトリクス液晶表示パネルおよびその製造方法 - Google Patents
アクティブマトリクス液晶表示パネルおよびその製造方法Info
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- JPH04355723A JPH04355723A JP3130911A JP13091191A JPH04355723A JP H04355723 A JPH04355723 A JP H04355723A JP 3130911 A JP3130911 A JP 3130911A JP 13091191 A JP13091191 A JP 13091191A JP H04355723 A JPH04355723 A JP H04355723A
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- Liquid Crystal (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はラビング処理に特徴を有
するアクティブマトリクス液晶表示パネルおよびその製
造方法に関する。
するアクティブマトリクス液晶表示パネルおよびその製
造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】画素ごとに薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）
やダイオード等のスイッチング素子を設けたアクティブ
マトリクス液晶表示パネルは、液晶ＴＶ等の種々のディ
スプレイに応用されており、最近ではＯＡ用ディスプレ
イやプロジェクションＴＶとしても大いに期待を集めて
いる。
やダイオード等のスイッチング素子を設けたアクティブ
マトリクス液晶表示パネルは、液晶ＴＶ等の種々のディ
スプレイに応用されており、最近ではＯＡ用ディスプレ
イやプロジェクションＴＶとしても大いに期待を集めて
いる。
【０００３】アクティブマトリクス液晶表示パネルは、
表示品位向上の流れの中で高密度化，大画面化の方向に
進んでいる。それにともなって、液晶を均一配向させる
のが困難となってきている。現在、アクティブマトリク
ス液晶表示パネルにおいては、一般に上下基板間で液晶
を９０°ねじったＴＮ液晶表示モードが用いられている
。そして、液晶の均一配向処理は、配向膜として形成し
たポリイミド膜の表面を、柔らかい布で擦るラビングに
よってなされている。液晶パネルは、表面に配向処理を
施した２枚の基板間の数μｍのギャップに液晶を充填し
て形成される。液晶の充填方法は、一般に真空チャンバ
ー内で行なう真空注入法が用いられている。
表示品位向上の流れの中で高密度化，大画面化の方向に
進んでいる。それにともなって、液晶を均一配向させる
のが困難となってきている。現在、アクティブマトリク
ス液晶表示パネルにおいては、一般に上下基板間で液晶
を９０°ねじったＴＮ液晶表示モードが用いられている
。そして、液晶の均一配向処理は、配向膜として形成し
たポリイミド膜の表面を、柔らかい布で擦るラビングに
よってなされている。液晶パネルは、表面に配向処理を
施した２枚の基板間の数μｍのギャップに液晶を充填し
て形成される。液晶の充填方法は、一般に真空チャンバ
ー内で行なう真空注入法が用いられている。
【０００４】液晶の配向は注入時の流れの影響を受けて
乱れやすいため、パネルの温度を液晶−等方性液体転移
温度以上に一旦上げた後、冷却して液晶を再配列させて
、均一配向させる手段もとられている。逆ツイストドメ
インは周囲の正常部と液晶のねじれ方向が反対のドメイ
ンであり、正常部との境界のディスクリネーションライ
ンが光散乱を起こし、表示部に存在すると表示欠陥とな
る。そこで、通常はパネル内に逆ツイストドメインが発
生しないような製造方法をとっている。
乱れやすいため、パネルの温度を液晶−等方性液体転移
温度以上に一旦上げた後、冷却して液晶を再配列させて
、均一配向させる手段もとられている。逆ツイストドメ
インは周囲の正常部と液晶のねじれ方向が反対のドメイ
ンであり、正常部との境界のディスクリネーションライ
ンが光散乱を起こし、表示部に存在すると表示欠陥とな
る。そこで、通常はパネル内に逆ツイストドメインが発
生しないような製造方法をとっている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】アクティブマトリクス
液晶表示パネルでは、一般にＴＮ液晶表示モードが用い
られている。アクティブマトリクス液晶表示パネルの基
板には、ＴＦＴ，ソース配線，ゲート配線などにより、
基板表面に凹凸が存在する。また、ＴＮ配向のアクティ
ブマトリクス液晶表示パネルで特に問題となるのは、ゲ
ート電極とソース電極の間に誘起される不正なドメイン
の発生である。
液晶表示パネルでは、一般にＴＮ液晶表示モードが用い
られている。アクティブマトリクス液晶表示パネルの基
板には、ＴＦＴ，ソース配線，ゲート配線などにより、
基板表面に凹凸が存在する。また、ＴＮ配向のアクティ
ブマトリクス液晶表示パネルで特に問題となるのは、ゲ
ート電極とソース電極の間に誘起される不正なドメイン
の発生である。
【０００６】この不正なドメインは電界印加により発生
し、正常部との境界のディスクリネーションラインが逆
ツイストドメインと同様に光散乱を起こし、表示欠陥と
なる。さらに、この不正なドメインはゲート電極とソー
ス電極の電位差に応じて大きさが変化し、通常の駆動電
圧ではこの不正なドメインが表示部にまでおよぶ。
し、正常部との境界のディスクリネーションラインが逆
ツイストドメインと同様に光散乱を起こし、表示欠陥と
なる。さらに、この不正なドメインはゲート電極とソー
ス電極の電位差に応じて大きさが変化し、通常の駆動電
圧ではこの不正なドメインが表示部にまでおよぶ。
【０００７】この不正なドメインを抑える方法として、
基板表面の凹凸を平坦化する方法が考えられるが、平坦
化に用いる材料、プロセスが未確立である。また、平坦
化膜によって、液晶層にかかる実効電圧が低下すること
も問題である。
基板表面の凹凸を平坦化する方法が考えられるが、平坦
化に用いる材料、プロセスが未確立である。また、平坦
化膜によって、液晶層にかかる実効電圧が低下すること
も問題である。
【０００８】本発明は、液晶パネルに発生する表示欠陥
、特に電界印加によってソース電極とゲート電極の間に
生じる不正なドメインを防止し、表示欠陥のない高品位
のアクティブマトリクス液晶表示パネルを提供する目的
とする。
、特に電界印加によってソース電極とゲート電極の間に
生じる不正なドメインを防止し、表示欠陥のない高品位
のアクティブマトリクス液晶表示パネルを提供する目的
とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記目的を達
するため、アクティブマトリクス液晶表示パネルの非表
示部に逆ツイストドメインを形成する。また、アクティ
ブマトリクス液晶表示パネルを構成する基板の画素配線
部に沿って逆ツイストドメインを形成する。
するため、アクティブマトリクス液晶表示パネルの非表
示部に逆ツイストドメインを形成する。また、アクティ
ブマトリクス液晶表示パネルを構成する基板の画素配線
部に沿って逆ツイストドメインを形成する。
【００１０】また、本発明のアクティブマトリクス液晶
表示パネルの製造工程において、少なくとも一方の基板
の配向膜のラビング処理を、異なる２つ以上の方向に行
ない、かつ１つのラビング方向が画素配線部に沿ってラ
ビング処理を行なう。
表示パネルの製造工程において、少なくとも一方の基板
の配向膜のラビング処理を、異なる２つ以上の方向に行
ない、かつ１つのラビング方向が画素配線部に沿ってラ
ビング処理を行なう。
【００１１】
【作用】通常、液晶をパネルに充填すると、充填時の流
れの影響等により、ある程度の配向欠陥が発生する。一
旦、パネルの温度を液晶−等方性液体転移温度以上に上
げると、液晶は等方性液晶状態となるので、元の配向は
解消され、冷却すると再配向が起こり、充填時より配向
の均一性が改善される。通常は、このような操作により
、パネル内に逆ツイストドメインが発生しないような工
夫を行ない、パネルの製造が行なわれる。これは、逆ツ
イストドメインが表示部に存在すると周囲の正常部との
境界のディスクリネーションラインが光散乱を起こし、
表示欠陥となるからである。
れの影響等により、ある程度の配向欠陥が発生する。一
旦、パネルの温度を液晶−等方性液体転移温度以上に上
げると、液晶は等方性液晶状態となるので、元の配向は
解消され、冷却すると再配向が起こり、充填時より配向
の均一性が改善される。通常は、このような操作により
、パネル内に逆ツイストドメインが発生しないような工
夫を行ない、パネルの製造が行なわれる。これは、逆ツ
イストドメインが表示部に存在すると周囲の正常部との
境界のディスクリネーションラインが光散乱を起こし、
表示欠陥となるからである。
【００１２】一方、この逆ツイストドメインとは別に電
界印加によって表示部に誘起される不正なドメインも逆
ツイストドメイン同様正常部との境界のディスクリネー
ションラインが光散乱を起こし、表示欠陥を引き起こす
。この電化印加によって誘起される不正なドメインは駆
動波形やアレイ構造にも依るが、ソース電極とゲート電
極の電位差が大きくなると大きくなる傾向にある。この
不正なドメインを抑える方法として、ソース電極とゲー
ト電極の電位差を小さくする方法や基板表面の凹凸を平
坦化する方法が考えられるが、前者は駆動の関係で制限
があり、後者は平坦化に用いる材料、プロセスが未確立
である。また、平坦化膜によって、液晶層にかかる実効
電圧が低下することも問題である。
界印加によって表示部に誘起される不正なドメインも逆
ツイストドメイン同様正常部との境界のディスクリネー
ションラインが光散乱を起こし、表示欠陥を引き起こす
。この電化印加によって誘起される不正なドメインは駆
動波形やアレイ構造にも依るが、ソース電極とゲート電
極の電位差が大きくなると大きくなる傾向にある。この
不正なドメインを抑える方法として、ソース電極とゲー
ト電極の電位差を小さくする方法や基板表面の凹凸を平
坦化する方法が考えられるが、前者は駆動の関係で制限
があり、後者は平坦化に用いる材料、プロセスが未確立
である。また、平坦化膜によって、液晶層にかかる実効
電圧が低下することも問題である。
【００１３】本発明のアクティブマトリクス液晶表示パ
ネルでは、画素配線部に沿って逆ツイストドメインを形
成することで、電界印加により発生する不正なドメイン
の発生を抑えることが可能となる。さらに、この逆ツイ
ストドメインを表示部の外すなわちブラックマトリクス
で隠れる部分に形成することで表示欠陥のない高品位な
アクティブマトリクス液晶表示パネルが提供可能となる
。
ネルでは、画素配線部に沿って逆ツイストドメインを形
成することで、電界印加により発生する不正なドメイン
の発生を抑えることが可能となる。さらに、この逆ツイ
ストドメインを表示部の外すなわちブラックマトリクス
で隠れる部分に形成することで表示欠陥のない高品位な
アクティブマトリクス液晶表示パネルが提供可能となる
。
【００１４】また、アクティブマトリクス液晶表示パネ
ルの製造工程において、少なくとも一方の基板の配向膜
のラビング処理を、異なる２つ以上の方向に行ない、か
つ１つのラビング方向が画素配線部に沿ってラビング処
理を行なうことで画素配線部に沿って逆ツイストドメイ
ンが形成可能となり、表示欠陥のない高品位なアクティ
ブマトリクス液晶表示パネルが提供可能となる。
ルの製造工程において、少なくとも一方の基板の配向膜
のラビング処理を、異なる２つ以上の方向に行ない、か
つ１つのラビング方向が画素配線部に沿ってラビング処
理を行なうことで画素配線部に沿って逆ツイストドメイ
ンが形成可能となり、表示欠陥のない高品位なアクティ
ブマトリクス液晶表示パネルが提供可能となる。
【００１５】
【実施例】以下本発明の実施例のアクティブマトリクス
液晶素子について、図面を参照しながら説明する。図２
は本発明の実施例におけるアクティブマトリクス液晶素
子の概略構成を示す図である。図２において、１１はア
レイ側基板（アクティブ素子を形成した基板）、１２は
ソース配線、１３はゲート配線、１４は対向側基板であ
る。本実施例ではアクティブ素子としてＴＥＴを持ち、
対角２．８インチサイズで縦（ソース）４７９ライン×
横（ゲート）７２０ライン、画素数３４４８８０のマト
リクス基板を用いた。なお、配線部の段差はソース配線
側が約７０００Ａ、ゲート配線側が約１０００Ａで、ラ
イン幅は８μｍある。対向側はクロム（厚み１０００Ａ
）のブラックマトリクスを有する基板を用いた。
液晶素子について、図面を参照しながら説明する。図２
は本発明の実施例におけるアクティブマトリクス液晶素
子の概略構成を示す図である。図２において、１１はア
レイ側基板（アクティブ素子を形成した基板）、１２は
ソース配線、１３はゲート配線、１４は対向側基板であ
る。本実施例ではアクティブ素子としてＴＥＴを持ち、
対角２．８インチサイズで縦（ソース）４７９ライン×
横（ゲート）７２０ライン、画素数３４４８８０のマト
リクス基板を用いた。なお、配線部の段差はソース配線
側が約７０００Ａ、ゲート配線側が約１０００Ａで、ラ
イン幅は８μｍある。対向側はクロム（厚み１０００Ａ
）のブラックマトリクスを有する基板を用いた。
【００１６】電界印加時に発生する不正なドメインの観
察は偏光顕微鏡下で行なった。液晶材料は、ネマチック
液晶−等方性液体転移温度が９９℃のＰＣＨ系混合液晶
を用いた。カイラル剤として、右ねじれの４’−（Ｓ−
２−メチルブチル）−４−シアノビフェニルを、０．２
％添加した。パネルギャップは約５μｍとした。
察は偏光顕微鏡下で行なった。液晶材料は、ネマチック
液晶−等方性液体転移温度が９９℃のＰＣＨ系混合液晶
を用いた。カイラル剤として、右ねじれの４’−（Ｓ−
２−メチルブチル）−４−シアノビフェニルを、０．２
％添加した。パネルギャップは約５μｍとした。
【００１７】実施例１
図１は本発明の第１実施例のアクティブマトリクス液晶
向素子の製造方法を示すもので、図２に示すアレイ側基
板のラビング処理の方法を示す斜視図である。図中１５
はアレイ側基板１１の１回目のラビング方向、１６はア
レイ側基板１１の２回目のラビング方向、１７は対向側
基板１４の１回目のラビング方向、１８は対向側基板１
４の２回目のラビング方向である。
向素子の製造方法を示すもので、図２に示すアレイ側基
板のラビング処理の方法を示す斜視図である。図中１５
はアレイ側基板１１の１回目のラビング方向、１６はア
レイ側基板１１の２回目のラビング方向、１７は対向側
基板１４の１回目のラビング方向、１８は対向側基板１
４の２回目のラビング方向である。
【００１８】アレイ側基板１１に形成した配向膜の表面
をレーヨン製の布を用いて、ソース配線１２に沿って１
回目のラビング方向１５にラビング処理を行なった。
をレーヨン製の布を用いて、ソース配線１２に沿って１
回目のラビング方向１５にラビング処理を行なった。
【００１９】その後、１回目のラビング方向１５に対し
て４５度の角度で、２回目のラビング方向１６にラビン
グ処理を行ない、アレイ側基板１１の液晶配向膜を完成
した。
て４５度の角度で、２回目のラビング方向１６にラビン
グ処理を行ない、アレイ側基板１１の液晶配向膜を完成
した。
【００２０】また、対向側基板１４をアレイ側基板１１
の１回目のラビング方向１５と９０℃になるようなラビ
ング方向１７に１回目のラビング処理を行なった後、ア
レイ側基板１１の２回目のラビング方向１６と９０℃に
なるようなラビング方向１８に２回目のラビング処理を
行ない、対向側基板１４の液晶配向膜を完成した。
の１回目のラビング方向１５と９０℃になるようなラビ
ング方向１７に１回目のラビング処理を行なった後、ア
レイ側基板１１の２回目のラビング方向１６と９０℃に
なるようなラビング方向１８に２回目のラビング処理を
行ない、対向側基板１４の液晶配向膜を完成した。
【００２１】２枚の基板１１，１４の液晶配向膜を形成
した面を対向させ、５．０μｍのギャップで貼り合わせ
、右まわり９０°ねじれＴＮパネルを作製した。上記液
晶材料を真空注入し、このパネルを１１０℃に加熱、３
分保持した後、室温付近まで冷却したときの配向状態を
、ＴＥＴ基板側から偏光顕微鏡下で観察した。ソース配
線に沿って約５μｍの幅で、表示部とは逆ねじれのドメ
イン（逆ツイストドメイン）が発生した。このパネルに
電界を加え、駆動したところ逆ツイストドメインの形成
された画素には電界印加による不正なドメインは発生し
なかった。また、逆ツイストドメインはブラックマトリ
スクに隠されており、表示欠陥の非常に少ない、良好な
アクティブマトリクス液晶素子が得られた。
した面を対向させ、５．０μｍのギャップで貼り合わせ
、右まわり９０°ねじれＴＮパネルを作製した。上記液
晶材料を真空注入し、このパネルを１１０℃に加熱、３
分保持した後、室温付近まで冷却したときの配向状態を
、ＴＥＴ基板側から偏光顕微鏡下で観察した。ソース配
線に沿って約５μｍの幅で、表示部とは逆ねじれのドメ
イン（逆ツイストドメイン）が発生した。このパネルに
電界を加え、駆動したところ逆ツイストドメインの形成
された画素には電界印加による不正なドメインは発生し
なかった。また、逆ツイストドメインはブラックマトリ
スクに隠されており、表示欠陥の非常に少ない、良好な
アクティブマトリクス液晶素子が得られた。
【００２２】実施例２
図３は第２実施例のラビング処理の方向を示す斜視図で
ある。図３において、３１はアレイ側基板、３２はソー
ス配線、３３はゲート配線、３４は対向側基板、３５は
アレイ側基板３１の１回目のラビング方向、３６はアレ
イ側基板３１の２回目のラビング方向、３７は対向側基
板３４のラビング方向である。
ある。図３において、３１はアレイ側基板、３２はソー
ス配線、３３はゲート配線、３４は対向側基板、３５は
アレイ側基板３１の１回目のラビング方向、３６はアレ
イ側基板３１の２回目のラビング方向、３７は対向側基
板３４のラビング方向である。
【００２３】アレイ側基板３１に形成した配向膜の表面
をレーヨン性の布を用いて、ソース配線３２に沿って１
回目のラビング方向３５にラビング処理を行なった。
をレーヨン性の布を用いて、ソース配線３２に沿って１
回目のラビング方向３５にラビング処理を行なった。
【００２４】その後、１回目のラビング方向３５に対し
て４５度の角度で、２回目のラビング方向３６にラビン
グ処理を行ない、アレイ側基板３１の液晶配向膜を完成
した。
て４５度の角度で、２回目のラビング方向３６にラビン
グ処理を行ない、アレイ側基板３１の液晶配向膜を完成
した。
【００２５】また、対向側基板３４をアレイ側基板３１
の２回目のラビング方向３６と９０度になるようなラビ
ング方向３７にラビング処理を行ない、対向側基板３４
の液晶配向膜を完成した。
の２回目のラビング方向３６と９０度になるようなラビ
ング方向３７にラビング処理を行ない、対向側基板３４
の液晶配向膜を完成した。
【００２６】２枚の基板３１，３４の液晶配向膜を形成
した面を対向させ、５．０μｍのギャップで貼り合わせ
、右まわり９０°ねじれＴＮパネルを作製した。上記の
液晶材料を真空注入し、このパネルを１１０℃に加熱、
３分保持した後、室温付近まで冷却したときの配向状態
を、ＴＦＴ基板側から偏光顕微鏡下で観察した。ソース
配線に沿って約５μｍの幅で、表示部とは逆ねじれのド
メイン（逆ツイストドメイン）が発生した。このパネル
に電界に加え、駆動したところ逆ツイストドメインの形
成された画素には電界印加による不正なドメインは発生
しなかった。また、逆ツイストドメインはブラックマト
リクスに隠されており、表示欠陥の非常に少ない、良好
なアクティブマトリクス液晶素子が得られた。
した面を対向させ、５．０μｍのギャップで貼り合わせ
、右まわり９０°ねじれＴＮパネルを作製した。上記の
液晶材料を真空注入し、このパネルを１１０℃に加熱、
３分保持した後、室温付近まで冷却したときの配向状態
を、ＴＦＴ基板側から偏光顕微鏡下で観察した。ソース
配線に沿って約５μｍの幅で、表示部とは逆ねじれのド
メイン（逆ツイストドメイン）が発生した。このパネル
に電界に加え、駆動したところ逆ツイストドメインの形
成された画素には電界印加による不正なドメインは発生
しなかった。また、逆ツイストドメインはブラックマト
リクスに隠されており、表示欠陥の非常に少ない、良好
なアクティブマトリクス液晶素子が得られた。
【００２７】比較例
図４は比較例におけるラビング処理の方向を示す斜視図
である。図４において、４１はアレイ側基板、４２はソ
ース配線、４３はゲート配線、４４は対向側基板、４５
はアレイ側基板４１のラビング方向、４６は対向側基板
４４のラビング方向である。
である。図４において、４１はアレイ側基板、４２はソ
ース配線、４３はゲート配線、４４は対向側基板、４５
はアレイ側基板４１のラビング方向、４６は対向側基板
４４のラビング方向である。
【００２８】アレイ側基板４１に形成した配向膜の表面
をレーヨン製の布を用いて、ソース配線４２に対して４
５度になるようなラビング方向４５にラビング処理を行
ない、アレイ側基板４１の液晶配向膜を完成した。
をレーヨン製の布を用いて、ソース配線４２に対して４
５度になるようなラビング方向４５にラビング処理を行
ない、アレイ側基板４１の液晶配向膜を完成した。
【００２９】また、対向側基板４４をアレイ側基板４１
のラビング方向４５と９０度になるようなラビング方向
４６にラビング処理を行ない、対向側基板４４の液晶配
向膜を完成した。
のラビング方向４５と９０度になるようなラビング方向
４６にラビング処理を行ない、対向側基板４４の液晶配
向膜を完成した。
【００３０】２枚の基板４１，４４の液晶配向膜を形成
した面を対向させ、５．０μｍのギャップで貼り合わせ
、右まわり９０°ねじれＴＮパネルを作製した。上記の
液晶材料を真空注入し、このパネルを１１０℃に加熱、
３分保持した後、室温付近まで冷却したときの配向状態
を、ＴＦＴ基板側から偏光顕微鏡下で観察した。パネル
内には逆ツイストドメインは生じなかった。このパネル
に電界を加え、駆動したところ電界印加による不正なド
メインが画素右下部に発生した。この不正なドメインが
表示部に発生しているため、正常部との境界のディスク
リネーションラインが光散乱を起こした。その結果、コ
ントラストの低下を引き起こし、表示欠陥となった。
した面を対向させ、５．０μｍのギャップで貼り合わせ
、右まわり９０°ねじれＴＮパネルを作製した。上記の
液晶材料を真空注入し、このパネルを１１０℃に加熱、
３分保持した後、室温付近まで冷却したときの配向状態
を、ＴＦＴ基板側から偏光顕微鏡下で観察した。パネル
内には逆ツイストドメインは生じなかった。このパネル
に電界を加え、駆動したところ電界印加による不正なド
メインが画素右下部に発生した。この不正なドメインが
表示部に発生しているため、正常部との境界のディスク
リネーションラインが光散乱を起こした。その結果、コ
ントラストの低下を引き起こし、表示欠陥となった。
【００３１】
【発明の効果】本発明のアクティブマトリクス液晶表示
パネルは、液晶パネルに発生する配向欠陥、特に電界印
加によって誘起される不正なドメインを防止し、表示欠
陥の非常に少ない高品位のアクティブマトリクス液晶表
示パネルを実現できる。
パネルは、液晶パネルに発生する配向欠陥、特に電界印
加によって誘起される不正なドメインを防止し、表示欠
陥の非常に少ない高品位のアクティブマトリクス液晶表
示パネルを実現できる。
【図１】本発明の第１の実施例におけるアクティブマト
リクス液晶表示パネルの製造方法のラビング処理方向を
示す斜視図
リクス液晶表示パネルの製造方法のラビング処理方向を
示す斜視図
【図２】本発明の実施例のアクティブマトリクス液晶素
子の概略を示す平面図
子の概略を示す平面図
【図３】本発明の第２実施例におけるラビング処理方向
を示す斜視図
を示す斜視図
【図４】比較例におけるラビング処理方向を示す斜視図
１１ アレイ側基板
１２ ソース配線
１３ ゲート配線
１４ 対向側基板
１５ １回目のラビング方向
１６ ２回目のラビング方向
１７ １回目のラビング方向
１８ ２回目のラビング方向
３１ アレイ側基板
３２ ソース配線
３３ ゲート配線
３４ 対向側基板
３５ ラビング方向
３６ ラビング方向
３７ ラビング方向
４１ アレイ側基板
４２ ソース配線
４３ ゲート配線
４４ 対向側基板
４５ ラビング方向
４６ ラビング方向
Claims (5)
- 【請求項１】アクティブマトリクス液晶表示パネルの非
表示部分に逆ツイストドメインを形成したことを特徴と
するアクティブマトリクス液晶表示パネル。 - 【請求項２】逆ツイストドメインをブラックマトリクス
で隠れる部分に形成したことを特徴とする請求項１記載
のアクティブマトリクス液晶表示パネル。 - 【請求項３】アクティブマトリクス液晶表示パネルを構
成する基板の画素配線部に沿って逆ツイストドメインを
形成したことを特徴とするアクティブマトリクス液晶表
示パネル。 - 【請求項４】逆ツイストドメインをブラックマトリクス
で隠れる部分に形成したことを特徴とする請求項３記載
のアクティブマトリクス液晶表示パネル。 - 【請求項５】アクティブマトリクス液晶表示パネルの少
なくとも一方の基板の配向膜のラビング処理を、異なる
２つ以上の方向に行ない、かつ１つのラビング方向が画
素配線部に沿ってラビング処理を行なうことを特徴とす
るアクティブマトリクス液晶表示パネルおよびその製造
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3130911A JPH04355723A (ja) | 1991-06-03 | 1991-06-03 | アクティブマトリクス液晶表示パネルおよびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3130911A JPH04355723A (ja) | 1991-06-03 | 1991-06-03 | アクティブマトリクス液晶表示パネルおよびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04355723A true JPH04355723A (ja) | 1992-12-09 |
Family
ID=15045621
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3130911A Pending JPH04355723A (ja) | 1991-06-03 | 1991-06-03 | アクティブマトリクス液晶表示パネルおよびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04355723A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0559137A2 (en) * | 1992-03-03 | 1993-09-08 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Active matrix type twisted nematic liquid crystal display |
-
1991
- 1991-06-03 JP JP3130911A patent/JPH04355723A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0559137A2 (en) * | 1992-03-03 | 1993-09-08 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Active matrix type twisted nematic liquid crystal display |
| EP0559137A3 (ja) * | 1992-03-03 | 1994-01-26 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | |
| US5398127A (en) * | 1992-03-03 | 1995-03-14 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Active matrix twisted nematic liquid crystal display with rubbing direction 1-44 degrees to the electrodes |
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