JPH04354348A - 半導体素子検査用絶縁フィルムおよび検査装置ならびに検査方法 - Google Patents
半導体素子検査用絶縁フィルムおよび検査装置ならびに検査方法Info
- Publication number
- JPH04354348A JPH04354348A JP3157491A JP15749191A JPH04354348A JP H04354348 A JPH04354348 A JP H04354348A JP 3157491 A JP3157491 A JP 3157491A JP 15749191 A JP15749191 A JP 15749191A JP H04354348 A JPH04354348 A JP H04354348A
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- insulating film
- semiconductor element
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体素子を検査するた
めの絶縁フィルムおよび半導体素子の検査装置ならびに
検査方法に関する。
めの絶縁フィルムおよび半導体素子の検査装置ならびに
検査方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、電子機器の発達によって半導体装
置を多く用いるデバイスや機器は、小型薄型化や軽量化
に伴い、半導体素子を一定面積の基板上に高密度実装す
る必要がある。そこで、用いる半導体素子は従来のよう
な素子周縁部に電極パッドを有するものではなく、素子
内面にもパッドを形成した所謂、エリアチップが開発さ
れている。
置を多く用いるデバイスや機器は、小型薄型化や軽量化
に伴い、半導体素子を一定面積の基板上に高密度実装す
る必要がある。そこで、用いる半導体素子は従来のよう
な素子周縁部に電極パッドを有するものではなく、素子
内面にもパッドを形成した所謂、エリアチップが開発さ
れている。
【０００３】従来、半導体素子の検査には針式のメカニ
カルプローブが用いられているが、高密度の半導体素子
に対しては１万〜２万回の接触回数の寿命しかなく、ま
た、針を挟むブレードと針が簡単に位置ずれを起こした
り、曲がったり、短絡したりして検査できなくなること
がある。特に、上記高密度のエリアチップに対しては針
の配置が不可能に近い。さらに、メカニカルプローブで
は検査の際、針の接触部に大きな応力がかかるので、半
導体素子上の金属突起に針やブレードが刺さり、検査中
に金属突起が損傷して不良品を作りだすこともある。ま
た、針自体でインピーダンスの整合を行うことが困難で
あるので、複雑な検査回路構造を採ることができないも
のである。
カルプローブが用いられているが、高密度の半導体素子
に対しては１万〜２万回の接触回数の寿命しかなく、ま
た、針を挟むブレードと針が簡単に位置ずれを起こした
り、曲がったり、短絡したりして検査できなくなること
がある。特に、上記高密度のエリアチップに対しては針
の配置が不可能に近い。さらに、メカニカルプローブで
は検査の際、針の接触部に大きな応力がかかるので、半
導体素子上の金属突起に針やブレードが刺さり、検査中
に金属突起が損傷して不良品を作りだすこともある。ま
た、針自体でインピーダンスの整合を行うことが困難で
あるので、複雑な検査回路構造を採ることができないも
のである。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】本発明は上記従来のメ
カニカルプローブを用いた半導体素子の検査における種
々の課題を解決し、半導体素子の電極部（被検査部）と
検査回路とを比較的簡単に位置合わせでき、しかも検査
時に好ましくない短絡や損傷をなくした検査システムを
提供することを目的としてなされたものである。
カニカルプローブを用いた半導体素子の検査における種
々の課題を解決し、半導体素子の電極部（被検査部）と
検査回路とを比較的簡単に位置合わせでき、しかも検査
時に好ましくない短絡や損傷をなくした検査システムを
提供することを目的としてなされたものである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】そこで、本発明者らは上
記目的を達成するために鋭意検討を重ねた結果、半導体
素子の電極パッド上の金属突起と相対する位置に貫通孔
を設けた絶縁フィルムを用い、この貫通孔に金属突起を
挿入することによって、半導体素子を搬送することがで
き、しかもこの搬送体は検査回路基板上の配線パターン
に載置するだけで、検査回路と金属突起とを精確にかつ
位置合わせして接続できることを見い出し、本発明を完
成するに至った。
記目的を達成するために鋭意検討を重ねた結果、半導体
素子の電極パッド上の金属突起と相対する位置に貫通孔
を設けた絶縁フィルムを用い、この貫通孔に金属突起を
挿入することによって、半導体素子を搬送することがで
き、しかもこの搬送体は検査回路基板上の配線パターン
に載置するだけで、検査回路と金属突起とを精確にかつ
位置合わせして接続できることを見い出し、本発明を完
成するに至った。
【０００６】即ち、本発明は半導体素子の電極パッド上
の金属突起を挿入しうる貫通孔が形成されており、かつ
該金属突起の高さよりも小さい厚みを有することを特徴
とする半導体素子検査用絶縁フィルムの提供と、これを
用いて半導体素子を検査回路上に搬送して検査回路と接
続を行う検査方法の提供、ならびに上記絶縁フィルムの
片面に半導体素子を検査するための回路が形成されてい
る検査装置の提供と、これに半導体素子を載置して検査
回路と接続を行う検査方法の提供を行うものである。
の金属突起を挿入しうる貫通孔が形成されており、かつ
該金属突起の高さよりも小さい厚みを有することを特徴
とする半導体素子検査用絶縁フィルムの提供と、これを
用いて半導体素子を検査回路上に搬送して検査回路と接
続を行う検査方法の提供、ならびに上記絶縁フィルムの
片面に半導体素子を検査するための回路が形成されてい
る検査装置の提供と、これに半導体素子を載置して検査
回路と接続を行う検査方法の提供を行うものである。
【０００７】
【実施例】以下に本発明の実施例を図面を用いて具体的
に説明する。
に説明する。
【０００８】図１は本発明の半導体素子検査用絶縁フィ
ルムを用いて半導体素子を搬送、検査回路へ接続する工
程を説明するための断面図であり、図２は本発明の絶縁
性フィルムの貫通孔に半導体素子の金属突起を挿入、載
置して搬送する際の状態の断面図、図３はこの搬送体を
検査回路に位置合わせして、加圧プレスによって接続し
た状態を示す断面図である。
ルムを用いて半導体素子を搬送、検査回路へ接続する工
程を説明するための断面図であり、図２は本発明の絶縁
性フィルムの貫通孔に半導体素子の金属突起を挿入、載
置して搬送する際の状態の断面図、図３はこの搬送体を
検査回路に位置合わせして、加圧プレスによって接続し
た状態を示す断面図である。
【０００９】図１において半導体素子１の電極パッド（
図示省略）には半田、金、銀、銅、などの材料からなる
金属突起２が、高さ１０〜２００μｍ程度、径（幅）１
０〜５００μｍ程度の大きさにて形成されており、半導
体素子１はこの金属突起２によって検査回路（配線パタ
ーン）５に接続、固定される。本発明の半導体素子検査
用の絶縁フィルム３は図１に示すように、半導体素子１
が有する金属突起２と相対する位置に該突起２を挿入で
きる貫通孔４を有するものである。また、絶縁フィルム
３の厚みは金属突起２の高さよりも小さく、従って、貫
通孔４に金属突起２を挿入して搬送状態の時には、図２
に示すように絶縁性フィルム３の半導体素子載置面とは
反対の面の貫通孔部から僅かに金属突起２が突出する。
図示省略）には半田、金、銀、銅、などの材料からなる
金属突起２が、高さ１０〜２００μｍ程度、径（幅）１
０〜５００μｍ程度の大きさにて形成されており、半導
体素子１はこの金属突起２によって検査回路（配線パタ
ーン）５に接続、固定される。本発明の半導体素子検査
用の絶縁フィルム３は図１に示すように、半導体素子１
が有する金属突起２と相対する位置に該突起２を挿入で
きる貫通孔４を有するものである。また、絶縁フィルム
３の厚みは金属突起２の高さよりも小さく、従って、貫
通孔４に金属突起２を挿入して搬送状態の時には、図２
に示すように絶縁性フィルム３の半導体素子載置面とは
反対の面の貫通孔部から僅かに金属突起２が突出する。
【００１０】また、上記絶縁フィルム３には検査回路の
所定位置（配線パターン５）への位置合わせを精確に行
うために、貫通孔４と相関位置にある位置合わせ用のア
ライメントマーク９が公知の手段にて設けられており、
位置合わせ時にカメラなどで確認しながら確実に載置、
固定することができる。さらに、位置合わせ用の貫通孔
４’を穿孔加工などの手段にて設けることもでき、検査
によって不良と判定された半導体素子１にマーキングを
するための窓６を設けておくこともできる。
所定位置（配線パターン５）への位置合わせを精確に行
うために、貫通孔４と相関位置にある位置合わせ用のア
ライメントマーク９が公知の手段にて設けられており、
位置合わせ時にカメラなどで確認しながら確実に載置、
固定することができる。さらに、位置合わせ用の貫通孔
４’を穿孔加工などの手段にて設けることもでき、検査
によって不良と判定された半導体素子１にマーキングを
するための窓６を設けておくこともできる。
【００１１】本発明では半導体素子１は図２に示すよう
に、絶縁フィルム３に載置されるが、絶縁フィルム３は
長尺状にして複数個の半導体素子１を連続して搬送する
ことができる。このように長尺状とすることによって、
半導体装置の検査工程において連続的に半導体素子を供
給することができ、検査効率の向上が図れるものである
。
に、絶縁フィルム３に載置されるが、絶縁フィルム３は
長尺状にして複数個の半導体素子１を連続して搬送する
ことができる。このように長尺状とすることによって、
半導体装置の検査工程において連続的に半導体素子を供
給することができ、検査効率の向上が図れるものである
。
【００１２】検査回路５に接続された半導体素子１は、
図３に示すように加圧プレス７によって確実に検査回路
に接続される。このとき絶縁フィルム３を間に介在させ
ているので半導体素子１と検査回路５の間は一定距離に
維持でき、しかも各金属突起２の間も絶縁フィルム３が
壁材的に作用して確実に絶縁されているので短絡を生じ
ることがない。
図３に示すように加圧プレス７によって確実に検査回路
に接続される。このとき絶縁フィルム３を間に介在させ
ているので半導体素子１と検査回路５の間は一定距離に
維持でき、しかも各金属突起２の間も絶縁フィルム３が
壁材的に作用して確実に絶縁されているので短絡を生じ
ることがない。
【００１３】本発明にて用いる絶縁フィルム３は、電気
絶縁特性を有するものであればその材質に制限はなく、
例えばポリエステル系樹脂、エポキシ系樹脂、ウレタン
系樹脂、ポリスチレン系樹脂、ポリエチレン系樹脂、ポ
リアミド系樹脂、ポリイミド系樹脂、ＡＢＳ樹脂、ポリ
カーボネート樹脂、シリコーン系樹脂、フッ素樹脂など
熱硬化性樹脂や熱可塑性樹脂を問わず用いることができ
る。これらの材料のうち耐熱性や機械的強度の点からは
ポリイミド系樹脂を用いることが好ましい。
絶縁特性を有するものであればその材質に制限はなく、
例えばポリエステル系樹脂、エポキシ系樹脂、ウレタン
系樹脂、ポリスチレン系樹脂、ポリエチレン系樹脂、ポ
リアミド系樹脂、ポリイミド系樹脂、ＡＢＳ樹脂、ポリ
カーボネート樹脂、シリコーン系樹脂、フッ素樹脂など
熱硬化性樹脂や熱可塑性樹脂を問わず用いることができ
る。これらの材料のうち耐熱性や機械的強度の点からは
ポリイミド系樹脂を用いることが好ましい。
【００１４】上記絶縁フィルム３に形成される貫通孔４
は、半導体素子１の金属突起２の孔４内への挿入、半導
体素子１の搬送および検査回路５への接続、固定に重要
なものであって、孔径は金属突起２の径の１００〜５０
０％（約１００〜５００μｍ）、好ましくは１２０〜２
００％（約１２０〜２００μｍ）、貫通孔の深さ（フィ
ルム厚）は金属突起２の高さの５〜２００％（約５〜２
００μｍ）、好ましくは５０〜９０％程度（約５０〜９
０μｍ）とする。貫通孔４の形成には機械加工やレーザ
ー加工、光加工、化学エッチング法などが採用でき、加
工精度やエッチングファクター（小テーパー角）などの
点からはエキシマレーザー照射によるハーフエッチング
や穿孔加工が好ましい。
は、半導体素子１の金属突起２の孔４内への挿入、半導
体素子１の搬送および検査回路５への接続、固定に重要
なものであって、孔径は金属突起２の径の１００〜５０
０％（約１００〜５００μｍ）、好ましくは１２０〜２
００％（約１２０〜２００μｍ）、貫通孔の深さ（フィ
ルム厚）は金属突起２の高さの５〜２００％（約５〜２
００μｍ）、好ましくは５０〜９０％程度（約５０〜９
０μｍ）とする。貫通孔４の形成には機械加工やレーザ
ー加工、光加工、化学エッチング法などが採用でき、加
工精度やエッチングファクター（小テーパー角）などの
点からはエキシマレーザー照射によるハーフエッチング
や穿孔加工が好ましい。
【００１５】図４は本発明の半導体素子検査用絶縁フィ
ルムの他の実施例を示す断面図であり、絶縁フィルム３
の半導体素子１載置面と反対の面に検査回路５への仮固
定用の接着剤層７が形成されている。このように接着剤
層７を形成しておくことによって、検査回路５への載置
や加圧プレス７による接続時の位置ずれを確実に防止す
ることができるのである。
ルムの他の実施例を示す断面図であり、絶縁フィルム３
の半導体素子１載置面と反対の面に検査回路５への仮固
定用の接着剤層７が形成されている。このように接着剤
層７を形成しておくことによって、検査回路５への載置
や加圧プレス７による接続時の位置ずれを確実に防止す
ることができるのである。
【００１６】また、本発明では図５に示すように、前記
絶縁フィルム３には積層手段や、金属層と絶縁フィルム
との二層基板のパターン加工手段などによって、予め検
査回路５を形成して検査装置としておくことが実用上好
ましい。図５のような検査装置としておくことによって
、半導体素子１を載置、接続するだけで簡単に検査を行
うことができる。この場合、検査回路５は通常のフォト
エッチング加工できるので、インピーダンスの整合を容
易にとることができるものである。さらに、本発明の検
査装置の検査回路面にクロム、タングステン、ロジウム
またはこれらの合金からなる電気接点層（図示、省略）
を０．１〜１００μｍ程度の厚みに形成しておくことが
好ましい。このように電気接点層を設けることによって
、検査装置の寿命を大幅に向上させることができ、さら
に、金属突起２に生じる酸化膜のカスによる汚染も防止
することができる。
絶縁フィルム３には積層手段や、金属層と絶縁フィルム
との二層基板のパターン加工手段などによって、予め検
査回路５を形成して検査装置としておくことが実用上好
ましい。図５のような検査装置としておくことによって
、半導体素子１を載置、接続するだけで簡単に検査を行
うことができる。この場合、検査回路５は通常のフォト
エッチング加工できるので、インピーダンスの整合を容
易にとることができるものである。さらに、本発明の検
査装置の検査回路面にクロム、タングステン、ロジウム
またはこれらの合金からなる電気接点層（図示、省略）
を０．１〜１００μｍ程度の厚みに形成しておくことが
好ましい。このように電気接点層を設けることによって
、検査装置の寿命を大幅に向上させることができ、さら
に、金属突起２に生じる酸化膜のカスによる汚染も防止
することができる。
【００１７】本発明の検査装置は上記のように絶縁性フ
ィルム３の片面に検査回路５を形成してなるものである
が、図６に示すように検査回路５を多層に形成し、積層
された各層を金属などの導電性物質を充填したバイアホ
ール８によって接続することにより、目的に応じた種々
の検査装置を設定することができる。バイアホールは上
記貫通孔形成手段や公知の穿孔手段によって形成するこ
とができる。
ィルム３の片面に検査回路５を形成してなるものである
が、図６に示すように検査回路５を多層に形成し、積層
された各層を金属などの導電性物質を充填したバイアホ
ール８によって接続することにより、目的に応じた種々
の検査装置を設定することができる。バイアホールは上
記貫通孔形成手段や公知の穿孔手段によって形成するこ
とができる。
【００１８】
【発明の効果】本発明は以上のように半導体素子の電極
パッド上の金属突起を挿入しうる貫通孔を形成した絶縁
フィルムを用い、これによって半導体素子を搬送および
検査回路への接続を行っているので、半導体素子の搬送
が検査が簡便となり、しかも接続部分への位置合わせを
容易に行うことができるものである。
パッド上の金属突起を挿入しうる貫通孔を形成した絶縁
フィルムを用い、これによって半導体素子を搬送および
検査回路への接続を行っているので、半導体素子の搬送
が検査が簡便となり、しかも接続部分への位置合わせを
容易に行うことができるものである。
【００１９】また、上記絶縁フィルムを介して半導体素
子を検査回路に接続するので、半導体素子と検査回路間
や各電極パッド間の絶縁を確実にでき短絡が防止できる
のである。さらに、検査回路を有する検査装置の場合は
インピーダンスの整合が容易であり、高周波特性を有す
る半導体素子の検査が簡単に行え、また検査回路を多層
化することによって多価密度タイプ、エリアタイプの半
導体素子にも充分に適用できるものである。
子を検査回路に接続するので、半導体素子と検査回路間
や各電極パッド間の絶縁を確実にでき短絡が防止できる
のである。さらに、検査回路を有する検査装置の場合は
インピーダンスの整合が容易であり、高周波特性を有す
る半導体素子の検査が簡単に行え、また検査回路を多層
化することによって多価密度タイプ、エリアタイプの半
導体素子にも充分に適用できるものである。
【図１】 本発明の半導体素子検査用絶縁フィルムを
用いて半導体素子を搬送、検査する工程を説明するため
の断面図である。
用いて半導体素子を搬送、検査する工程を説明するため
の断面図である。
【図２】 図１に示す絶縁フィルムに半導体素子を載
置して搬送する状態の断面図である。
置して搬送する状態の断面図である。
【図３】 検査回路に半導体素子を接続した状態を示
す断面図である。
す断面図である。
【図４】 本発明の絶縁フィルムの他の実施例を示す
断面図である。
断面図である。
【図５】 本発明の検査装置の実施例を示す断面図で
ある。
ある。
【図６】 本発明の検査装置の他の実施例を示す断面
図である。
図である。
１ 半導体素子
２ 金属突起
３ 絶縁フィルム
４ 貫通孔
５ 検査回路
７ 接着剤層
Claims (6)
- 【請求項１】 半導体素子の電極パッド上の金属突起
を挿入しうる貫通孔が形成されており、かつ該金属突起
の高さよりも小さい厚みを有することを特徴とする半導
体素子検査用絶縁フィルム。 - 【請求項２】 半導体素子検査用絶縁フィルムの片面
に検査回路への仮固定用の接着剤層が形成されてなる請
求項１記載の半導体素子検査用絶縁フィルム。 - 【請求項３】 請求項１記載の絶縁フィルムの片面に
半導体素子を検査するための回路が形成されている検査
装置。 - 【請求項４】 検査回路面にクロム、タングステン、
ロジウムまたはこれらの合金からなる電気接点層を形成
してなる請求項３記載の検査装置。 - 【請求項５】 請求項３または４記載の検査装置の貫
通孔に半導体素子の電極パッド上の金属突起を挿入して
、検査回路と金属突起を接続することを特徴とする検査
方法。 - 【請求項６】 請求項１または２記載の半導体素子検
査用絶縁フィルムの貫通孔に半導体素子の電極パッド上
の金属突起を挿入した状態で、半導体素子の検査回路上
へ搬送、接続し、検査回路と上記金属突起を接続するこ
とを特徴とする検査方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3157491A JPH04354348A (ja) | 1991-05-31 | 1991-05-31 | 半導体素子検査用絶縁フィルムおよび検査装置ならびに検査方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3157491A JPH04354348A (ja) | 1991-05-31 | 1991-05-31 | 半導体素子検査用絶縁フィルムおよび検査装置ならびに検査方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04354348A true JPH04354348A (ja) | 1992-12-08 |
Family
ID=15650852
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3157491A Pending JPH04354348A (ja) | 1991-05-31 | 1991-05-31 | 半導体素子検査用絶縁フィルムおよび検査装置ならびに検査方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04354348A (ja) |
-
1991
- 1991-05-31 JP JP3157491A patent/JPH04354348A/ja active Pending
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