JPH0435318A - 論理信号レベル変換回路 - Google Patents
論理信号レベル変換回路Info
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- JPH0435318A JPH0435318A JP2137443A JP13744390A JPH0435318A JP H0435318 A JPH0435318 A JP H0435318A JP 2137443 A JP2137443 A JP 2137443A JP 13744390 A JP13744390 A JP 13744390A JP H0435318 A JPH0435318 A JP H0435318A
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- 230000005669 field effect Effects 0.000 claims abstract description 70
- 230000008859 change Effects 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
本発明は、ＭＩＳ電界効果トランジスタを用いた論理回
路用の論理信号を、バイポーラトランジスタを用いた論
理回路用の論理信号にレベル変換する論理信号レベル変
換回路に関する。
路用の論理信号を、バイポーラトランジスタを用いた論
理回路用の論理信号にレベル変換する論理信号レベル変
換回路に関する。
従来、第４図を伴って次に述べる論理信号レベル変換回
路が提案されている。 すなわち、一端を＾電位電源端子ＥＨに接続し、他端を
低電位電源端子Ｅｌに接続している、ｐチャンネル型の
ＭＩＳ電界電界効果トランジスタ及１チャンネル型のＭ
ＩＳ電界効果トランジスタＭ２との直列回路Ｋを有し、
そして、ＭＩＳ電界電界効果トランジスタ及１Ｍ２の接
続中点から、論理信号入力端子Ｔ１を導出している。 また、コレクタを抵抗Ｒ６を通じて高電位電源端子ＥＨ
に接続し、ベースをＭＩＳ電界電界効果トランジスタ及
１Ｍ２の接続中点に接続し、エミッタを定電流源Ｈを通
じて低電位電源端子Ｅｌに接続しているｎｐｎ型のバイ
ポーラトランジスタＱ５と、コレクタを抵抗Ｒ６’ を
通じて＾電位電源端子ＥＨに接続し、ベースを参照電位
発生回路Ｂの参照電位電源端子ＥＲに接続し、エミッタ
を定電流源Ｈを通じて低電位電源端子ＥＬに接続してい
るｎｐｎ型のバイポーラトランジスタＱ５’ とを有す
る。 さらに、コレクタをコレクタ電極ＥＨに接続し、ベース
を抵抗Ｒ６とバイポーラトランジスタＱ５の接続中点に
接続し、エミッタから論理信号出力端子Ｔ２を導出して
いるｎｐｎ型のバイポーラトランジスタＱ６と、コレク
タを高電位電源端子ＥＨに接続し、ベースを抵抗Ｒ６’
とバイポーラトランジスタＱ５’の接続中点に接続し、
エミッタから論理信号出力端子Ｔ２’を導出しているｎ
ｐｎ型のバイポーラトランジスタＱ６’ とを有する。 以上が、従来提案されている論理信号レベル変換回路の
構成である。 このような構成を有する従来の論理信号レベル変換回路
によれば、論理信号出力端子Ｔ１にＭＩＳ電界効果トラ
ンジスタを用いた論理回路用の論理信号が高電位レベル
をとって得られれば、ＭＩＳ電界電界効果トランジスタ
及１Ｍ２がそれぞれオン及びオフするので、ＭＩＳ電界
電界効果トランジスタ及１Ｍ２の接続中点に高電位が得
られ、このため、バイポーラトランジスタＱ５及びＱ５
’ がそれぞれオン及びオフし、バイポーラトランジス
タＱ６及びＱ６’のベースに低電位及び高電位が印加さ
れるので、論理信号出力端子Ｔ２及びＴ２’から、論理
信号が、低電位及び高電位レベルをそれぞれとって得ら
れる。 また、論理信号出力端子Ｔ１にＭＩＳ電界効果トランジ
スタを用いた論理回路用の論理信号が低レベルをとって
得られれば、ＭＩＳ電界電界効果トランジスタ及１Ｍ２
がそれぞれオフ及びオンするので、ＭＩＳ電界電界効果
トランジスタ及１Ｍ２の接続中点に低電位が得られ、こ
のため、バイポーラトランジスタＱ５及び０５′がそれ
ぞれオフ及びオンし、バイポーラトランジスタＱ６及び
Ｑ６’のベースに高電位及び低電位が印加されるので、
論理信号出力端子Ｔ２から、論理信号が、高電位及び低
電位レベルをそれぞれとって得られる。 以上のことから、第４図に示す従来の論理信号レベル変
換回路によれば、論理信号レベル変換回路としての機能
を呈する。
路が提案されている。 すなわち、一端を＾電位電源端子ＥＨに接続し、他端を
低電位電源端子Ｅｌに接続している、ｐチャンネル型の
ＭＩＳ電界電界効果トランジスタ及１チャンネル型のＭ
ＩＳ電界効果トランジスタＭ２との直列回路Ｋを有し、
そして、ＭＩＳ電界電界効果トランジスタ及１Ｍ２の接
続中点から、論理信号入力端子Ｔ１を導出している。 また、コレクタを抵抗Ｒ６を通じて高電位電源端子ＥＨ
に接続し、ベースをＭＩＳ電界電界効果トランジスタ及
１Ｍ２の接続中点に接続し、エミッタを定電流源Ｈを通
じて低電位電源端子Ｅｌに接続しているｎｐｎ型のバイ
ポーラトランジスタＱ５と、コレクタを抵抗Ｒ６’ を
通じて＾電位電源端子ＥＨに接続し、ベースを参照電位
発生回路Ｂの参照電位電源端子ＥＲに接続し、エミッタ
を定電流源Ｈを通じて低電位電源端子ＥＬに接続してい
るｎｐｎ型のバイポーラトランジスタＱ５’ とを有す
る。 さらに、コレクタをコレクタ電極ＥＨに接続し、ベース
を抵抗Ｒ６とバイポーラトランジスタＱ５の接続中点に
接続し、エミッタから論理信号出力端子Ｔ２を導出して
いるｎｐｎ型のバイポーラトランジスタＱ６と、コレク
タを高電位電源端子ＥＨに接続し、ベースを抵抗Ｒ６’
とバイポーラトランジスタＱ５’の接続中点に接続し、
エミッタから論理信号出力端子Ｔ２’を導出しているｎ
ｐｎ型のバイポーラトランジスタＱ６’ とを有する。 以上が、従来提案されている論理信号レベル変換回路の
構成である。 このような構成を有する従来の論理信号レベル変換回路
によれば、論理信号出力端子Ｔ１にＭＩＳ電界効果トラ
ンジスタを用いた論理回路用の論理信号が高電位レベル
をとって得られれば、ＭＩＳ電界電界効果トランジスタ
及１Ｍ２がそれぞれオン及びオフするので、ＭＩＳ電界
電界効果トランジスタ及１Ｍ２の接続中点に高電位が得
られ、このため、バイポーラトランジスタＱ５及びＱ５
’ がそれぞれオン及びオフし、バイポーラトランジス
タＱ６及びＱ６’のベースに低電位及び高電位が印加さ
れるので、論理信号出力端子Ｔ２及びＴ２’から、論理
信号が、低電位及び高電位レベルをそれぞれとって得ら
れる。 また、論理信号出力端子Ｔ１にＭＩＳ電界効果トランジ
スタを用いた論理回路用の論理信号が低レベルをとって
得られれば、ＭＩＳ電界電界効果トランジスタ及１Ｍ２
がそれぞれオフ及びオンするので、ＭＩＳ電界電界効果
トランジスタ及１Ｍ２の接続中点に低電位が得られ、こ
のため、バイポーラトランジスタＱ５及び０５′がそれ
ぞれオフ及びオンし、バイポーラトランジスタＱ６及び
Ｑ６’のベースに高電位及び低電位が印加されるので、
論理信号出力端子Ｔ２から、論理信号が、高電位及び低
電位レベルをそれぞれとって得られる。 以上のことから、第４図に示す従来の論理信号レベル変
換回路によれば、論理信号レベル変換回路としての機能
を呈する。
しかしながら、第４図に示す従来の論理信号レベル変換
回路の場合、論理信号入力端子Ｔ１に供給される論理信
号が高電位レベルをとるか低電位レベルをとるかに応じ
て、バイポーラトランジスタＱ５またはＱ５’ に定電
流源Ｈを通じて、常に大きな電流が流れるため、大きな
消費電力を伴うという欠点を有していた。 よって、本発明は、上述した欠点のない、新奇な論理信
号レベル変換回路を提案せんとするものである。
回路の場合、論理信号入力端子Ｔ１に供給される論理信
号が高電位レベルをとるか低電位レベルをとるかに応じ
て、バイポーラトランジスタＱ５またはＱ５’ に定電
流源Ｈを通じて、常に大きな電流が流れるため、大きな
消費電力を伴うという欠点を有していた。 よって、本発明は、上述した欠点のない、新奇な論理信
号レベル変換回路を提案せんとするものである。
本願第１番目の発明による論理信号レベル変換回路は、
■一端を第１の高電位電源端子または参照電位発生回路
の参照電位出力端子に接続し、他端を第１の抵抗を通じ
てまたは通じることなしに低電位電源端子に接続してい
る、ｐチャンネル型の第１のＭＩＳ電界効果トランジス
タとｎチャンネル型の第２のＭＩＳ電界効果トランジス
タとの直列回路と、■コレクタを第２の抵抗を通じて上
記第１の高電位電源端子に接続し、ベースを上記参照電
位出力端子に接続し、エミッタを、上記第２のＭＩＳ電
界効果トランジスタを通じてまたは上記第２のＭＩＳ電
界効果トランジスタ及び上記第２の抵抗を通じてもしく
はゲートを上記第１及び第２のＭＩＳ電界効果トランジ
スタの接続中点に接続しているｎチャンネル型の第３の
ＭＩＳ電界効果トランジスタを通じて、上記低電位電源
端子に接続しているｎｐｎ型を有する第１のバイポーラ
トランジスタと、■コレクタを第２の高電位電源端子に
接続し、ベースを上記第２の抵抗及び上記第１のバイポ
ーラトランジスタの接続中点に接続しているｎｐｎ型の
第２のバイポーラトランジスタとを有し、そして、■上
記第１及び第２のＭＩＳ電界効果トランジスタの接続中
点から、論理信号入力端子が導出され、また、■上記第
２のバイポーラトランジスタのエミッタから、論理信号
出力端子が導出されている。 本願第２番目の発明による論理信号レベル変換回路は、
■一端を第１の高電位電源端子または参照電位発生回路
の参照電位出力端子に接続し、他端を第１の抵抗を通じ
てまたは通じることなしに低電位電源端子に接続してい
る、ｐチャンネル型の第１のＭＩＳ電界効果トランジス
タとｎチャンネル型の第２のＭＩＳ電界効果トランジス
タとの直列回路と、■コレクタを第２の抵抗を通じて上
記第１の高電位電源端子に接続し、ベースを上記参照電
位出力端子に接続し、エミッタを、上記第２のＭＩＳ電
界効果トランジスタを通じてまたは上記第２のＭＩＳ電
界効果トランジスタ及び上記第２の抵抗を通じてもしく
はゲートを上記第１及び第２のＭＩＳ電界効果トランジ
スタの接続中点に接続しているｎチャンネル型の第３の
ＭＩＳ電界効果トランジスタを通じて、上記低電位電源
端子に接続しているｎｐｎ型を有する第１のバイポーラ
トランジスタと、■コレクタを第２の高電位電源端子に
接続し、ベースを上記第２の抵抗及び上記第１のバイポ
ーラトランジスタの接続中点に接続しているｎｐｎ型の
第２のバイポーラトランジスタとを有し、そして、■上
記第１及び第２のＭＩＳ電界効果トランジスタの接続中
点から、論理信号入力端子が導出され、また、■上記第
２のバイポーラトランジスタのエミッタから、論理信号
出力端子が導出されている。 本願第２番目の発明による論理信号レベル変換回路は、
【請求項１１記載の論理信号レベル変換回路において、
上記参照電位発生回路が、■ソースを第３の高電位電源
端子に接続し、ゲート及びドレインを、ｎｐｎ型の第３
のバイポーラトランジスタと第３の抵抗とを通じて上記
低電位電源端子に接続しているｐチャンネル型の第４の
ＭＩＳ電界効果トランジスタと、■ソースを上記第３の
高電位電源端子に接続し、ゲートを上記第４のＭＩＳ電
界効果トランジスタと上記第３のバイポーラトランジス
タとの接続中点に接続し、トレインを、第１及び第２の
ダイオードの直列回路を通じ且つゲートを上記第３の高
電位電源端子または上記第１及び第２のダイオードの接
続中点に接続しているｎチャンネル型の第６のＭＩＳ電
界効果トランジスタを通じてまたは上記第６のＭＩＳ電
界効果トランジスタ及び第４の抵抗を通じて上記低電位
電源端子に接続しているｎチャンネル型の第５のＭＩＳ
電界効果トランジスタと、■コレクタを上記第３の高電
位電源端子に接続し、ベースを上記第６のＭＩＳ電界効
果トランジスタと上記第１及び第２のダイオードの直列
回路との接続中点に接続し、エミッタを第５の抵抗を通
じて上記低電位電源端子に接続しているｎｐｎ型の第４
のバイポーラトランジスタとを有し、そして、■上記第
３のバイポーラトランジスタのベースから、定電位電源
入力端子が導出され、また、■上記第４のバイポーラト
ランジスタと上記第５の抵抗との接続中点から、上記参
照電位電源端子が導出されている。 【作用・効果】 本願第１番目の発明による論理信号レベル変換回路によ
れば、論理信号入力端子に供給される論理信号が、低電
位レベルまたは高電位レベルをとるとき、バイポーラト
ランジスタを通ずる電流が実質的に流れないので、低電
位レベルをとるか高電位レベルをとるかに応じて定電流
源からバイポーラトランジスタを通ずる電流が流れる第
４図で前述した従来の論理信号レベル変換回路の場合に
比し格段的に小さな消費電力しか伴わない。 また、本願第２番目の発明による論理信号レベル変換回
路によれば、電源電圧、温度などの変化によって論理信
号出力端子に出力される論理信号のレベルが変動せんと
しても、これに追随して参照電位が変動するので、論理
信号出力端子に出力される論理信号のレベルが、電１電
圧、温度などの変動にほとんど影響されないレベルで出
力される。
上記参照電位発生回路が、■ソースを第３の高電位電源
端子に接続し、ゲート及びドレインを、ｎｐｎ型の第３
のバイポーラトランジスタと第３の抵抗とを通じて上記
低電位電源端子に接続しているｐチャンネル型の第４の
ＭＩＳ電界効果トランジスタと、■ソースを上記第３の
高電位電源端子に接続し、ゲートを上記第４のＭＩＳ電
界効果トランジスタと上記第３のバイポーラトランジス
タとの接続中点に接続し、トレインを、第１及び第２の
ダイオードの直列回路を通じ且つゲートを上記第３の高
電位電源端子または上記第１及び第２のダイオードの接
続中点に接続しているｎチャンネル型の第６のＭＩＳ電
界効果トランジスタを通じてまたは上記第６のＭＩＳ電
界効果トランジスタ及び第４の抵抗を通じて上記低電位
電源端子に接続しているｎチャンネル型の第５のＭＩＳ
電界効果トランジスタと、■コレクタを上記第３の高電
位電源端子に接続し、ベースを上記第６のＭＩＳ電界効
果トランジスタと上記第１及び第２のダイオードの直列
回路との接続中点に接続し、エミッタを第５の抵抗を通
じて上記低電位電源端子に接続しているｎｐｎ型の第４
のバイポーラトランジスタとを有し、そして、■上記第
３のバイポーラトランジスタのベースから、定電位電源
入力端子が導出され、また、■上記第４のバイポーラト
ランジスタと上記第５の抵抗との接続中点から、上記参
照電位電源端子が導出されている。 【作用・効果】 本願第１番目の発明による論理信号レベル変換回路によ
れば、論理信号入力端子に供給される論理信号が、低電
位レベルまたは高電位レベルをとるとき、バイポーラト
ランジスタを通ずる電流が実質的に流れないので、低電
位レベルをとるか高電位レベルをとるかに応じて定電流
源からバイポーラトランジスタを通ずる電流が流れる第
４図で前述した従来の論理信号レベル変換回路の場合に
比し格段的に小さな消費電力しか伴わない。 また、本願第２番目の発明による論理信号レベル変換回
路によれば、電源電圧、温度などの変化によって論理信
号出力端子に出力される論理信号のレベルが変動せんと
しても、これに追随して参照電位が変動するので、論理
信号出力端子に出力される論理信号のレベルが、電１電
圧、温度などの変動にほとんど影響されないレベルで出
力される。
【実施例１】
次に、第１図を伴って本発明による論理信号レベル変換
回路の第１の実施例を述べよう。 第１図において、第４図との対応部分には同一符号を付
して示す。 第１図に示す本発明による論理信号レベル変換回路は、
次に述べる構成を有する。 すなわち、一端を第１の高電位電源端子ＥＨ１に接続し
、他端を第１の抵抗Ｒ１を通じて低電位電源端子ＥＬに
接続している、ｐチャンネル型の第１のＭＩＳ電界電界
効果トランジスタ上１チャンネル型の第２のＭＩＳ電界
電界効果トランジスタ上２直列回路にとを有する。 また、コレクタを第２の抵抗Ｒ２を通じて第１の高電位
電源端子ＥＨ１に接続し、ベースを参照電位発生回路Ｂ
の参照電位出力端子ＥＲに接続し、エミッタを、第２の
ＭＩＳ電界電界効果トランジスタ上２第１の抵抗Ｒ１を
通じて、低電位電源端子ＥＬに接続しているｎｐｎ型を
有する第１のバイポーラトランジスタＱ１を有する。 さらに、コレクタを第２の高電位電源端子ＥＨ２に接続
し、ベースを第２の抵抗Ｒ２及び第１のバイポーラトラ
ンジスタＱ１の接続中点に接続しているｎｐｎ型の第２
のバイポーラトランジスタＱ２を有する。 そして、第１及び第２のＭＩＳ電界電界効果トランジス
タ上１Ｍ２の接続中点から、論理信号入力端子Ｔ１が導
出され、また、第２のバイポーラトランジスタＱ２のエ
ミッタから、論理信号出力端子Ｔ２が導出されている。 また、参照電位発生回路Ｂが、次のように構成されてい
る。 すなわち、ソースを第３の高電位電源端子ＥＨ３に接続
し、ゲート及びドレインを、ｎｐｎ型の第３のバイポー
ラトランジスタＱ３と第３の抵抗Ｒ３とを通じて低電位
電源端子ＥＬに接続しているｐチャンネル型の第４のＭ
ＩＳ電界電界効果トランジスタ上４する。 また、ソースを第３の高電位電源端子ＥＨ３に接続し、
ゲートを第４のＭＩＳ電界電界効果トランジスタ上４３
のバイポーラトランジスタＱ３との接続中点に接続し、
ドレインを、第１及び第２のダイオードｄ１及びｄ２の
直列回路りを通じ且つゲートを第３の高電位電源端子Ｅ
Ｈ３に接続しているｎチャンネル型の第６のＭＩＳ電界
電界効果トランジスタ及６第４の抵抗Ｒ４を通じて低電
位電源端子ＥＬに接続しているｎチャンネル型の第５の
ＭＩＳ電界効果トランジスタＭ５を有する。 さらに、コレクタを第３の高電位電源端子ＥＨ３に接続
し、ベースを上記第５のＭＩＳ電界効果トランジスタＭ
５と上記第１及び第２のダイオードｄ１及びｄ２の直列
回路りとの接続中点に接続し、エミッタを第５の抵抗Ｒ
５を通じて低電位電源端子ＥＬに接続しているｎｐｎ型
の第４のバイポーラトランジスタＱ４を有する。 そして、第３のバイポーラトランジスタＱ３のベースか
ら、低電位発生回路Ｆの出力端に接続されている定電位
電源入力端子ＥＳが導出され、また、第４のバイポーラ
トランジスタＱ４と第５の抵抗Ｒ５との接続中点から、
参照電位電源端子が導出されている。 以上が、本発明による論理信号レベル変換回路の第１の
実施例の構成である。 このような構成を有する本発明による論理信号レベル変
換回路によれば、いま、論理信号入力端子Ｔ１に供給さ
れる論理信号Ｓ１が、低電位レベルをとる場合、ＭＩＳ
電界電界効果トランジスタ及１Ｍ２がそれぞれオン及び
オフし、ＭＩＳ電界電界効果トランジスタ及１Ｍ２の接
続中点が高電位レベルにとる。 このため、バイポーラトランジスタＱ１がオフし、抵抗
Ｒ２及びバイポーラトランジスタＱ１の接続中点が高電
位レベルをとり、その高電位レベルが、バイポーラトラ
ンジスタＱ２のベースに供給される。 このため、論理信号出力端子Ｔ２に、高電位レベルが得
られる。 また、論理信号入力端子Ｔ１に供給される論理信号Ｓ１
が、低電位レベルをとる場合、ＭＩＳ電界電界効果トラ
ンジスタ及１Ｍ２がそれぞれオフ及びオンし、ＭＩＳ電
界電界効果トランジスタ及１Ｍ２の接続中点が低電位レ
ベルにとる。 このため、バイポーラトランジスタＱ１がオンし、抵抗
Ｒ２及びバイポーラトランジスタＱ１の接続中点が低電
位レベルをとり、その低電位レベルが、バイポーラトラ
ンジスタＱ２のベースに供給される。 このため、論理信号出力端子Ｔ２に、低電位レベルが得
られる。 従って、第１図に示す本発明による論理信号レベル変換
回路の場合も、第４図で前述した従来の論理信号レベル
変換回路の場合と同様に、論理信号レベル変換回路とし
ての機能を呈する。 しかしながら、第１図に示す本発明による論理信号レベ
ル変換回路の場合、バイポーラトランジスタＱ１には、
上述したように、論理信号入力端子Ｔ１に供給される論
理信号Ｓ１が１４Ｎ位レベルをとるとき、電流が流れる
が、低電位レベルをとるとき電流が流れない。 このため、第４図で前述した従来の論理信号レベル変換
回路の場合に比し格段的に小さな消費電力しか伴わない
。 また、第１図に示す本発明による論理信号レベル変換回
路の場合、参照電位発生回路ＢがＭＩＳ電界電界効果ト
ランジスタ及４Ｍ５を不可とするカレントミラー回路を
構成しているなどの理由で、なんらかの原因で電源電圧
が変化したり、温度が変化したりすることによって、論
理信号出力端子Ｔ２に得られる論理信号のレベルが変動
せんとしても、詳細説明は省略するが、それに追随した
態様で、バイポーラトランジスタＱ１のベースに与えら
れる参照電位電源端子ＥＲの参照電位を、変動させるこ
とができるので、論理信号出力端子Ｔ２に出力される論
理信号Ｓ２が、上述した変動の補償された予定のレベル
を有するものとして得られる。
回路の第１の実施例を述べよう。 第１図において、第４図との対応部分には同一符号を付
して示す。 第１図に示す本発明による論理信号レベル変換回路は、
次に述べる構成を有する。 すなわち、一端を第１の高電位電源端子ＥＨ１に接続し
、他端を第１の抵抗Ｒ１を通じて低電位電源端子ＥＬに
接続している、ｐチャンネル型の第１のＭＩＳ電界電界
効果トランジスタ上１チャンネル型の第２のＭＩＳ電界
電界効果トランジスタ上２直列回路にとを有する。 また、コレクタを第２の抵抗Ｒ２を通じて第１の高電位
電源端子ＥＨ１に接続し、ベースを参照電位発生回路Ｂ
の参照電位出力端子ＥＲに接続し、エミッタを、第２の
ＭＩＳ電界電界効果トランジスタ上２第１の抵抗Ｒ１を
通じて、低電位電源端子ＥＬに接続しているｎｐｎ型を
有する第１のバイポーラトランジスタＱ１を有する。 さらに、コレクタを第２の高電位電源端子ＥＨ２に接続
し、ベースを第２の抵抗Ｒ２及び第１のバイポーラトラ
ンジスタＱ１の接続中点に接続しているｎｐｎ型の第２
のバイポーラトランジスタＱ２を有する。 そして、第１及び第２のＭＩＳ電界電界効果トランジス
タ上１Ｍ２の接続中点から、論理信号入力端子Ｔ１が導
出され、また、第２のバイポーラトランジスタＱ２のエ
ミッタから、論理信号出力端子Ｔ２が導出されている。 また、参照電位発生回路Ｂが、次のように構成されてい
る。 すなわち、ソースを第３の高電位電源端子ＥＨ３に接続
し、ゲート及びドレインを、ｎｐｎ型の第３のバイポー
ラトランジスタＱ３と第３の抵抗Ｒ３とを通じて低電位
電源端子ＥＬに接続しているｐチャンネル型の第４のＭ
ＩＳ電界電界効果トランジスタ上４する。 また、ソースを第３の高電位電源端子ＥＨ３に接続し、
ゲートを第４のＭＩＳ電界電界効果トランジスタ上４３
のバイポーラトランジスタＱ３との接続中点に接続し、
ドレインを、第１及び第２のダイオードｄ１及びｄ２の
直列回路りを通じ且つゲートを第３の高電位電源端子Ｅ
Ｈ３に接続しているｎチャンネル型の第６のＭＩＳ電界
電界効果トランジスタ及６第４の抵抗Ｒ４を通じて低電
位電源端子ＥＬに接続しているｎチャンネル型の第５の
ＭＩＳ電界効果トランジスタＭ５を有する。 さらに、コレクタを第３の高電位電源端子ＥＨ３に接続
し、ベースを上記第５のＭＩＳ電界効果トランジスタＭ
５と上記第１及び第２のダイオードｄ１及びｄ２の直列
回路りとの接続中点に接続し、エミッタを第５の抵抗Ｒ
５を通じて低電位電源端子ＥＬに接続しているｎｐｎ型
の第４のバイポーラトランジスタＱ４を有する。 そして、第３のバイポーラトランジスタＱ３のベースか
ら、低電位発生回路Ｆの出力端に接続されている定電位
電源入力端子ＥＳが導出され、また、第４のバイポーラ
トランジスタＱ４と第５の抵抗Ｒ５との接続中点から、
参照電位電源端子が導出されている。 以上が、本発明による論理信号レベル変換回路の第１の
実施例の構成である。 このような構成を有する本発明による論理信号レベル変
換回路によれば、いま、論理信号入力端子Ｔ１に供給さ
れる論理信号Ｓ１が、低電位レベルをとる場合、ＭＩＳ
電界電界効果トランジスタ及１Ｍ２がそれぞれオン及び
オフし、ＭＩＳ電界電界効果トランジスタ及１Ｍ２の接
続中点が高電位レベルにとる。 このため、バイポーラトランジスタＱ１がオフし、抵抗
Ｒ２及びバイポーラトランジスタＱ１の接続中点が高電
位レベルをとり、その高電位レベルが、バイポーラトラ
ンジスタＱ２のベースに供給される。 このため、論理信号出力端子Ｔ２に、高電位レベルが得
られる。 また、論理信号入力端子Ｔ１に供給される論理信号Ｓ１
が、低電位レベルをとる場合、ＭＩＳ電界電界効果トラ
ンジスタ及１Ｍ２がそれぞれオフ及びオンし、ＭＩＳ電
界電界効果トランジスタ及１Ｍ２の接続中点が低電位レ
ベルにとる。 このため、バイポーラトランジスタＱ１がオンし、抵抗
Ｒ２及びバイポーラトランジスタＱ１の接続中点が低電
位レベルをとり、その低電位レベルが、バイポーラトラ
ンジスタＱ２のベースに供給される。 このため、論理信号出力端子Ｔ２に、低電位レベルが得
られる。 従って、第１図に示す本発明による論理信号レベル変換
回路の場合も、第４図で前述した従来の論理信号レベル
変換回路の場合と同様に、論理信号レベル変換回路とし
ての機能を呈する。 しかしながら、第１図に示す本発明による論理信号レベ
ル変換回路の場合、バイポーラトランジスタＱ１には、
上述したように、論理信号入力端子Ｔ１に供給される論
理信号Ｓ１が１４Ｎ位レベルをとるとき、電流が流れる
が、低電位レベルをとるとき電流が流れない。 このため、第４図で前述した従来の論理信号レベル変換
回路の場合に比し格段的に小さな消費電力しか伴わない
。 また、第１図に示す本発明による論理信号レベル変換回
路の場合、参照電位発生回路ＢがＭＩＳ電界電界効果ト
ランジスタ及４Ｍ５を不可とするカレントミラー回路を
構成しているなどの理由で、なんらかの原因で電源電圧
が変化したり、温度が変化したりすることによって、論
理信号出力端子Ｔ２に得られる論理信号のレベルが変動
せんとしても、詳細説明は省略するが、それに追随した
態様で、バイポーラトランジスタＱ１のベースに与えら
れる参照電位電源端子ＥＲの参照電位を、変動させるこ
とができるので、論理信号出力端子Ｔ２に出力される論
理信号Ｓ２が、上述した変動の補償された予定のレベル
を有するものとして得られる。
【実施例２】
次に、第２図を伴って本発明による論理信号レベル変換
回路の第２の実施例を述べよう。 第２図において、第１図との対応部分に同一符号を付し
詳細説明を省略する。 第２図に示す本発明による論理信号レベル変換回路は、
ＭＩＳ電界電界効果トランジスタ及１Ｍ２の直列回路に
の一端が、高電位電源端子ＥＨＩに接続されている第１
図の場合に代え、参照電位電源端子ＥＲに接続され、ま
た、ＭＩＳ電界電界効果トランジスタ及１Ｍ２の直列回
路にの他端が、抵抗Ｒ１を通じて低電位電源端子Ｅｌに
接続されている第１図の場合に代え、直接的に低電位電
源端子Ｅｌに接続され、また、バイポーラトランジスタ
Ｑ１のエミッタが、ＭＩＳ電界電界効果トランジスタ及
１Ｍ２の接続中点に接続されている第１図の場合に代え
、ゲートをＭＩＳ電界電界効果トランジスタ及１Ｍ２の
接続中点に接続しているｎチャンネル型のＭＴＳ電界効
果トランジスタＭ３を通じて低電位電源端子ＥＬに接続
され、これに応じて、参照電位発生回路Ｂにおいて、Ｍ
ＩＳ電界効果トランジスタＭ５のドレインが、ダイオー
ドｄ１及びｄ２の直列回路りとＭＩＳ電界電界効果トラ
ンジスタ上６抗Ｒ４とを通じて低電位電源端子ＥＬに接
続されている第１図の場合に代え、抵抗Ｒ４を除いたダ
イオードｄ１及びｄ２の直列回路りとＭＩＳ電界電界効
果トランジスタ上６通じて低電位電源端子Ｅｌに接続さ
れ、また、ＭＩＳ電界電界効果トランジスタ上６−トが
、高電位電源端子ＥＨ３に接続されている第１図の場合
に代え、ダイオードｄ１及びｄ２の接続中点に接続され
ていることを除いて、第１図で上述した本発明による論
理信号レベル変換回路の第１の実施例と同様の構成を有
する。 以上が、本発明による論理信号レベル変換回路の第２の
実施例の構成である。 このような構成を有する本発明による論理信号レベル変
換回路によれば、詳細説明は省略するが、第１図に示す
ほはによる論理信号レベル変換回路の第１の実施例の場
合に準じた優れた
回路の第２の実施例を述べよう。 第２図において、第１図との対応部分に同一符号を付し
詳細説明を省略する。 第２図に示す本発明による論理信号レベル変換回路は、
ＭＩＳ電界電界効果トランジスタ及１Ｍ２の直列回路に
の一端が、高電位電源端子ＥＨＩに接続されている第１
図の場合に代え、参照電位電源端子ＥＲに接続され、ま
た、ＭＩＳ電界電界効果トランジスタ及１Ｍ２の直列回
路にの他端が、抵抗Ｒ１を通じて低電位電源端子Ｅｌに
接続されている第１図の場合に代え、直接的に低電位電
源端子Ｅｌに接続され、また、バイポーラトランジスタ
Ｑ１のエミッタが、ＭＩＳ電界電界効果トランジスタ及
１Ｍ２の接続中点に接続されている第１図の場合に代え
、ゲートをＭＩＳ電界電界効果トランジスタ及１Ｍ２の
接続中点に接続しているｎチャンネル型のＭＴＳ電界効
果トランジスタＭ３を通じて低電位電源端子ＥＬに接続
され、これに応じて、参照電位発生回路Ｂにおいて、Ｍ
ＩＳ電界効果トランジスタＭ５のドレインが、ダイオー
ドｄ１及びｄ２の直列回路りとＭＩＳ電界電界効果トラ
ンジスタ上６抗Ｒ４とを通じて低電位電源端子ＥＬに接
続されている第１図の場合に代え、抵抗Ｒ４を除いたダ
イオードｄ１及びｄ２の直列回路りとＭＩＳ電界電界効
果トランジスタ上６通じて低電位電源端子Ｅｌに接続さ
れ、また、ＭＩＳ電界電界効果トランジスタ上６−トが
、高電位電源端子ＥＨ３に接続されている第１図の場合
に代え、ダイオードｄ１及びｄ２の接続中点に接続され
ていることを除いて、第１図で上述した本発明による論
理信号レベル変換回路の第１の実施例と同様の構成を有
する。 以上が、本発明による論理信号レベル変換回路の第２の
実施例の構成である。 このような構成を有する本発明による論理信号レベル変
換回路によれば、詳細説明は省略するが、第１図に示す
ほはによる論理信号レベル変換回路の第１の実施例の場
合に準じた優れた
【作用・効果】が得られる。
【実施例３】
次に、第３図を伴って本発明による論理信号レベル変換
回路の第３の実施例を述べよう。 第３図において、第１図との対応部分に同一符号を付し
詳細説明を省略する。 第３図に示す本発明による論理信号レベル変換回路は、
ＭＩＳ電界電界効果トランジスタ及１Ｍ２の直列回路に
の他端が、抵抗Ｒ１を通じて低電位電源端子ＥＬに接続
されている第１図の場合に代え、第２図の場合と同様に
、直接的に低電位電源端子ＥＬに接続され、また、バイ
ポーラトランジスタＱ１のエミッタが、ＭＩＳ電界電界
効果トランジスタ及１Ｍ２の接続中点に接続されている
第１図の場合に代え、第２図の場合と同様に、ゲートを
ＭＩＳ電界電界効果トランジスタ及１Ｍ２の接続中点に
接続しているｎチャンネル型のＭＩＳ電界効果トランジ
スタＭ３を通じて低電位電源端子Ｅｌに接続され、これ
に応じて、参照電位発生回路Ｂにおいて、ＭＩＳ電界効
果トランジスタＭ５のドレインが、ダイオードｄ１及び
ｄ２の直列回路りとＭＩＳ電界電界効果トランジスタ上
６抗Ｒ４とを通じて低電位電源端子ＥＬに接続されてい
る第１図の場合に代え、第２図の場合と同様に、抵抗Ｒ
４を除いたダイオードＤ１及びＤ２の直列回路とＭＩＳ
電界電界効果トランジスタ上６通じて低電位電源端子Ｅ
ｌに接続されていることを除いて、第１図で上述した本
発明による論理信号レベル変換回路の第１の実施例と同
様の構成を有する。 以上が、本発明による論理信号レベル変換回路の第２の
実施例の構成である。 このような構成を有する本発明による論理信号レベル変
換回路によれば、詳細説明は省略するが、第１図に示す
本発明による論理信号レベル変挽回路の場合に準じた優
れた作用・効果が得られる。 なお、上述においては、本発明の僅かな例を示したに留
守まり、本発明の精神を脱することなしに、種々の変型
、変更をなし得るであろう。
回路の第３の実施例を述べよう。 第３図において、第１図との対応部分に同一符号を付し
詳細説明を省略する。 第３図に示す本発明による論理信号レベル変換回路は、
ＭＩＳ電界電界効果トランジスタ及１Ｍ２の直列回路に
の他端が、抵抗Ｒ１を通じて低電位電源端子ＥＬに接続
されている第１図の場合に代え、第２図の場合と同様に
、直接的に低電位電源端子ＥＬに接続され、また、バイ
ポーラトランジスタＱ１のエミッタが、ＭＩＳ電界電界
効果トランジスタ及１Ｍ２の接続中点に接続されている
第１図の場合に代え、第２図の場合と同様に、ゲートを
ＭＩＳ電界電界効果トランジスタ及１Ｍ２の接続中点に
接続しているｎチャンネル型のＭＩＳ電界効果トランジ
スタＭ３を通じて低電位電源端子Ｅｌに接続され、これ
に応じて、参照電位発生回路Ｂにおいて、ＭＩＳ電界効
果トランジスタＭ５のドレインが、ダイオードｄ１及び
ｄ２の直列回路りとＭＩＳ電界電界効果トランジスタ上
６抗Ｒ４とを通じて低電位電源端子ＥＬに接続されてい
る第１図の場合に代え、第２図の場合と同様に、抵抗Ｒ
４を除いたダイオードＤ１及びＤ２の直列回路とＭＩＳ
電界電界効果トランジスタ上６通じて低電位電源端子Ｅ
ｌに接続されていることを除いて、第１図で上述した本
発明による論理信号レベル変換回路の第１の実施例と同
様の構成を有する。 以上が、本発明による論理信号レベル変換回路の第２の
実施例の構成である。 このような構成を有する本発明による論理信号レベル変
換回路によれば、詳細説明は省略するが、第１図に示す
本発明による論理信号レベル変挽回路の場合に準じた優
れた作用・効果が得られる。 なお、上述においては、本発明の僅かな例を示したに留
守まり、本発明の精神を脱することなしに、種々の変型
、変更をなし得るであろう。
第１図は、本発明による論理信号レベル変換回路の第１
の実施例を示す接続図である。 第２図は、本発明による論理信号レベル変換−回路の第
２の実施例を示す接続図である。 第３図は、本発明による論理信号レベル変換回路の第３
の実施例を示す接続図である。 第４図は、従来の論理信号レベル変換回路を示す接続図
である。 Ｅ Ｈ、ＥＨ１、 ＥＨ２・・・・・・・・・・・・高電位電源端子ＥＬ・
・・・・・・・・・・・・・・低電位電源端子ＥＲ・・
・・・・・・・・・・・・・参照電位電源端子Ｂ・・・
・−・・・・・・・・・・・・・参照電位発生回路Ｔ１
・・・・・・・・・・・・・・・論理信号入力端子Ｔ２
、Ｔ２’ ・・・論理信号出力端子Ｈ・・・−・・・・
・・・・・・・・・・定電流源Ｋ・・・・・・・・・・
・・・・・・・・直列回路Ｍ１、Ｍ２・・・・・・ＭＩ
Ｓ電界効果トランジスタ Ｒ１−Ｒ６・・・・・・抵抗
の実施例を示す接続図である。 第２図は、本発明による論理信号レベル変換−回路の第
２の実施例を示す接続図である。 第３図は、本発明による論理信号レベル変換回路の第３
の実施例を示す接続図である。 第４図は、従来の論理信号レベル変換回路を示す接続図
である。 Ｅ Ｈ、ＥＨ１、 ＥＨ２・・・・・・・・・・・・高電位電源端子ＥＬ・
・・・・・・・・・・・・・・低電位電源端子ＥＲ・・
・・・・・・・・・・・・・参照電位電源端子Ｂ・・・
・−・・・・・・・・・・・・・参照電位発生回路Ｔ１
・・・・・・・・・・・・・・・論理信号入力端子Ｔ２
、Ｔ２’ ・・・論理信号出力端子Ｈ・・・−・・・・
・・・・・・・・・・定電流源Ｋ・・・・・・・・・・
・・・・・・・・直列回路Ｍ１、Ｍ２・・・・・・ＭＩ
Ｓ電界効果トランジスタ Ｒ１−Ｒ６・・・・・・抵抗
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 【請求項１】 一端を第１の高電位電源端子または参照電位発生回路の
参照電位出力端子に接続し、他端を第１の抵抗を通じて
または通じることなしに低電位電源端子に接続している
、ｐチャンネル型の第１のＭＩＳ電界効果トランジスタ
とｎチャンネル型の第２のＭＩＳ電界効果トランジスタ
との直列回路と、 コレクタを第２の抵抗を通じて上記第１の高電位電源端
子に接続し、ベースを上記参照電位出力端子に接続し、
エミッタを、上記第２のＭＩＳ電界効果トランジスタを
通じてまたは上記第２のＭＩＳ電界効果トランジスタ及
び上記第１の抵抗を通じてもしくはゲートを上記第１及
び第２のＭＩＳ電界効果トランジスタの接続中点に接続
しているｎチャンネル型の第３のＭＩＳ電界効果トラン
ジスタを通じて、上記低電位電源端子に接続しているｎ
ｐｎ型を有する第１のバイポーラトランジスタと、 コレクタを第２の高電位電源端子に接続し、ベースを上
記第２の抵抗及び上記第１のバイポーラトランジスタの
接続中点に接続しているｎｐｎ型の第２のバイポーラト
ランジスタとを有し、 上記第１及び第２のＭＩＳ電界効果トランジスタの接続
中点から、論理信号入力端子が導出され、 上記第２のバイポーラトランジスタのエミッタから、論
理信号出力端子が導出されていることを特徴とするレベ
ル変換回路。 【請求項２】 【請求項１】記載の論理信号レベル変換回路において、 上記参照電位発生回路が、ソースを第３の高電位電源端
子に接続し、ゲート及びドレインを、ｎｐｎ型の第３の
バイポーラトランジスタと第３の抵抗とを通じて上記低
電位電源端子に接続しているｐチャンネル型の第４のＭ
ＩＳ電界効果トランジスタと、 ソースを上記第３の高電位電源端子に接続し、ゲートを
上記第４のＭＩＳ電界効果トランジスタと上記第３のバ
イポーラトランジスタとの接続中点に接続し、ドレイン
を、第１及び第２のダイオードの直列回路を通じ且つゲ
ートを上記第３の高電位電源端子または上記第１及び第
２のダイオードの接続中点に接続しているｎチャンネル
型の第６のＭＩＳ電界効果トランジスタを通じてまたは
上記第６のＭＩＳ電界効果トランジスタ及び第４の抵抗
を通じて上記低電位電源端子に接続しているｎチャンネ
ル型の第５のＭＩＳ電界効果トランジスタと、 コレクタを上記第３の高電位電源端子に接続し、ベース
を上記第５のＭＩＳ電界効果トランジスタと上記第１及
び第２のダイオードの直列回路との接続中点に接続し、
エミッタを第５の抵抗を通じて上記低電位電源端子に接
続しているｎｐｎ型の第４のバイポーラトランジスタと
を有し、 上記第３のバイポーラトランジスタのベースから、定電
位電源入力端子が導出され、 上記第４のバイポーラトランジスタと上記第５の抵抗と
の接続中点から、上記参照電位電源端子が導出されてい
ることを特徴とする論理信号レベル変換回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2137443A JPH0435318A (ja) | 1990-05-28 | 1990-05-28 | 論理信号レベル変換回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2137443A JPH0435318A (ja) | 1990-05-28 | 1990-05-28 | 論理信号レベル変換回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0435318A true JPH0435318A (ja) | 1992-02-06 |
Family
ID=15198745
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2137443A Pending JPH0435318A (ja) | 1990-05-28 | 1990-05-28 | 論理信号レベル変換回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0435318A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9511505B2 (en) | 2013-08-30 | 2016-12-06 | Totani Corporation | Plastic film punching apparatus |
-
1990
- 1990-05-28 JP JP2137443A patent/JPH0435318A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9511505B2 (en) | 2013-08-30 | 2016-12-06 | Totani Corporation | Plastic film punching apparatus |
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