JPH043490A - 厚膜集積回路の配線導体の形成方法 - Google Patents
厚膜集積回路の配線導体の形成方法Info
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- JPH043490A JPH043490A JP10412490A JP10412490A JPH043490A JP H043490 A JPH043490 A JP H043490A JP 10412490 A JP10412490 A JP 10412490A JP 10412490 A JP10412490 A JP 10412490A JP H043490 A JPH043490 A JP H043490A
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Landscapes
- Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、厚膜集積回路の配線パターンの複合導体化
に用いられる、厚膜集積回路の配線導体の形成方法に関
する。
に用いられる、厚膜集積回路の配線導体の形成方法に関
する。
［従来の技術］
従来、厚膜集積回路では、基板の表面に下層導体をなす
導体ペーストとしてＡｇペーストやＡｇ・Ｐｄペースト
を用いて回路パターンを印刷によって形成し、その上に
上層導体として銅メツキ処理を施し、上層導体の下地と
なる下層導体とその表面上の上層導体との複合化により
配線導体の低インピーダンス化が図られている。
導体ペーストとしてＡｇペーストやＡｇ・Ｐｄペースト
を用いて回路パターンを印刷によって形成し、その上に
上層導体として銅メツキ処理を施し、上層導体の下地と
なる下層導体とその表面上の上層導体との複合化により
配線導体の低インピーダンス化が図られている。
ところで、例えば、Ａｇ−Ｐｄペーストからなる導体層
で回路パターンを形成し、下層導体をなす導体層の上に
上層導体として銅メツキを施して配線導体を形成した場
合に、この配線導体に半田付けを行うと、その半田に含
まれている錫が配線導体に拡散され、また、配線導体中
のＡｇが半田に拡散され、基板と配線導体との接着強度
の低下や、配線導体のインピーダンスの増加を来す原因
になる。
で回路パターンを形成し、下層導体をなす導体層の上に
上層導体として銅メツキを施して配線導体を形成した場
合に、この配線導体に半田付けを行うと、その半田に含
まれている錫が配線導体に拡散され、また、配線導体中
のＡｇが半田に拡散され、基板と配線導体との接着強度
の低下や、配線導体のインピーダンスの増加を来す原因
になる。
そこで、この発明は、導体層中の金属が半田側へ拡散す
ることや、半田中の錫が導体層側へ拡散することを防止
した厚膜集積回路の配線導体の形成力法の提供を第１の
目的とする。
ることや、半田中の錫が導体層側へ拡散することを防止
した厚膜集積回路の配線導体の形成力法の提供を第１の
目的とする。
また、この発明は、拡散防止層としてニッケル層を用い
て、導体層中の金属の半田側への拡散、半田中の錫の導
体層側への拡散を防止した厚膜集積回路の配線導体の形
成方法の提供を第２の目的とする。
て、導体層中の金属の半田側への拡散、半田中の錫の導
体層側への拡散を防止した厚膜集積回路の配線導体の形
成方法の提供を第２の目的とする。
〔課題を解決するための手段］
即ち、この発明の厚膜集積回路の配線導体の形成方法は
、第１の目的を達成するため、基板（２）の表面に銀を
含む導体ペーストを用いて回路パターンを形成する厚膜
集積回路の配線導体（１０）の形成方法において、前記
導体ペーストからなる第１の導体層（４）の上に拡散防
止層にニッケル層６）を形成し、その拡散防止層の上に
第２の導体層（８）を形成することを特徴とする。
、第１の目的を達成するため、基板（２）の表面に銀を
含む導体ペーストを用いて回路パターンを形成する厚膜
集積回路の配線導体（１０）の形成方法において、前記
導体ペーストからなる第１の導体層（４）の上に拡散防
止層にニッケル層６）を形成し、その拡散防止層の上に
第２の導体層（８）を形成することを特徴とする。
また、この発明の厚膜集積回路の配線導体の形成方法は
、第２の目的を達成するため、前記拡散防止層をニッケ
ル層（６）で形成したことを特徴とする。
、第２の目的を達成するため、前記拡散防止層をニッケ
ル層（６）で形成したことを特徴とする。
第１及び第２の導体層の間に拡散防止層を設置したので
、第２の導体層上に設置される半田と、第１の導体層と
の間における金属の拡散が防止される。
、第２の導体層上に設置される半田と、第１の導体層と
の間における金属の拡散が防止される。
そして、ニッケル層は、半田に対して安定した金属であ
り、半田と配線導体の下層導体である第１の導体層との
間に介在し、半田と第１の導体層との間の金属の拡散防
止層を成す。したがって、このニッケル層を以て、半田
から第１の導体層への錫の拡散、又は、第１の導体層の
金属の半田への拡散が確実に防止される。
り、半田と配線導体の下層導体である第１の導体層との
間に介在し、半田と第１の導体層との間の金属の拡散防
止層を成す。したがって、このニッケル層を以て、半田
から第１の導体層への錫の拡散、又は、第１の導体層の
金属の半田への拡散が確実に防止される。
以下、この発明を図面に示した実施例を参照して詳細に
説明する。
説明する。
第１図は、この発明の厚膜集積回路の配線導体の形成方
法の一実施例を示す。
法の一実施例を示す。
第１図の（Ａ）に示すように、アルミナ磁器等の絶縁性
材料を以て平坦な基板２を形成する。
材料を以て平坦な基板２を形成する。
次に、この基板２の表面に第１図の（Ｂ）に示すように
、Ａｇペースト又はＡｇ−Ｐｄペースト等の導体ペース
トを以て回路パターンをスクリーン印刷等により形成し
、この導体ペーストを例えば、ピーク値温度８５０″Ｃ
で１０分間焼成し、第１の導体層４を形成する。
、Ａｇペースト又はＡｇ−Ｐｄペースト等の導体ペース
トを以て回路パターンをスクリーン印刷等により形成し
、この導体ペーストを例えば、ピーク値温度８５０″Ｃ
で１０分間焼成し、第１の導体層４を形成する。
次に、第１図の（Ｃ）に示すように、導体層４の上に無
電解メツキ処理により、拡散防止層としてのニッケル層
６を形成する。即ち、導体層４が形成された基板２には
、洗浄処理の前処理剤としてＨＣＩ溶液を使用して、そ
の溶液で３分間程度の洗浄処理を行った後、表面活性化
剤中に１０秒程度漬け、リン浴又はボラザン浴により、
ニッケルの無電解メツキ処理を行う。
電解メツキ処理により、拡散防止層としてのニッケル層
６を形成する。即ち、導体層４が形成された基板２には
、洗浄処理の前処理剤としてＨＣＩ溶液を使用して、そ
の溶液で３分間程度の洗浄処理を行った後、表面活性化
剤中に１０秒程度漬け、リン浴又はボラザン浴により、
ニッケルの無電解メツキ処理を行う。
次に、第１図の（Ｄ）に示すように、ニッケル層６の上
に無電解メツキ処理により、第２の導体層８を形成する
。即ち、導体層４及びニッケル層６が形成された基板２
には、ＭＣＩ溶液にて３分間程度の洗浄を行った後、導
体として例えば銅の無電解メツキ処理を施す。
に無電解メツキ処理により、第２の導体層８を形成する
。即ち、導体層４及びニッケル層６が形成された基板２
には、ＭＣＩ溶液にて３分間程度の洗浄を行った後、導
体として例えば銅の無電解メツキ処理を施す。
この結果、基板２の表面には、導体層４、ニッケル層６
及び導体層８から成る配線導体１ｏを以て所定の回路パ
ターンが形成される。
及び導体層８から成る配線導体１ｏを以て所定の回路パ
ターンが形成される。
このような形成方法によって得られた配線導体１０は、
第２図に示すように、下層導体としての導体層４が持つ
抵抗ｒ、と、ニッケル層６が持つ抵抗ｒｚ、上層導体と
しての導体層８が持つ抵抗ｒ３との並列回路を成し、配
線導体１０の持つ抵抗ｒは、ｒｌ °ｒ２ °ｒ：
Ｉ ／ （ｒｌ ・ｒｌ ＋ｒ２・ｒ＝ ＋ｒ３ ・
ｒｌ）となり、その大小関係は、ｒ＜ｒ、、ｒ＜ｒｌ、
ｒ＜ｒ３であるから、その低インピーダンス化が図られ
る。
第２図に示すように、下層導体としての導体層４が持つ
抵抗ｒ、と、ニッケル層６が持つ抵抗ｒｚ、上層導体と
しての導体層８が持つ抵抗ｒ３との並列回路を成し、配
線導体１０の持つ抵抗ｒは、ｒｌ °ｒ２ °ｒ：
Ｉ ／ （ｒｌ ・ｒｌ ＋ｒ２・ｒ＝ ＋ｒ３ ・
ｒｌ）となり、その大小関係は、ｒ＜ｒ、、ｒ＜ｒｌ、
ｒ＜ｒ３であるから、その低インピーダンス化が図られ
る。
そして、ニッケル層６は半田に対して安定であるため、
導体層８の上に半田を施した場合、半田から出た錫はニ
ッケル層６で食い止められて導体層４への拡散が防止さ
れ、また、導体層４がらの、例えばＡｇはニッケル層６
で食い止められ、半田への拡散が防止される。このため
、導体層４と基板２との接着強度の低下が防止され、回
路パターンの信軌性が高められることになる。
導体層８の上に半田を施した場合、半田から出た錫はニ
ッケル層６で食い止められて導体層４への拡散が防止さ
れ、また、導体層４がらの、例えばＡｇはニッケル層６
で食い止められ、半田への拡散が防止される。このため
、導体層４と基板２との接着強度の低下が防止され、回
路パターンの信軌性が高められることになる。
以上説明したように、この発明によれば、次の効果が得
られる。
られる。
（ａ） 第１及び第２の導体層の間に拡散防止層を設
置したので、配線導体の低インピーダンス化とともに、
半田に含まれている錫の第１の導体層への拡散や、第１
の導体層の金属の半田への拡散を防止することができ、
回路パターンの信転性を高めることができる。
置したので、配線導体の低インピーダンス化とともに、
半田に含まれている錫の第１の導体層への拡散や、第１
の導体層の金属の半田への拡散を防止することができ、
回路パターンの信転性を高めることができる。
（ｂ） 拡散防止層にニッケル層を用いたので、第１
の導体層に対する半田側の錫の拡散、半田に対する第１
の導体層側の金属の拡散を確実に阻止できるので、基板
と第１の導体層との接着強度の低下を防止でき、回路パ
ターンの低インピーダンス化を図ることができる。
の導体層に対する半田側の錫の拡散、半田に対する第１
の導体層側の金属の拡散を確実に阻止できるので、基板
と第１の導体層との接着強度の低下を防止でき、回路パ
ターンの低インピーダンス化を図ることができる。
第１図はこの発明の厚膜集積回路の配線導体の形成方法
の一実施例を示す図、 第２図は第１図に示した配線導体の等価回路を示す図で
ある。 ２・・・基板 ４・・・第１の導体層 ６・・・ニッケル層（拡散防止層） ８・・・第２の導体層 １０・・・配線導体 基板 第１の導体層 ［１ 第２図 ど 第 １ 図
の一実施例を示す図、 第２図は第１図に示した配線導体の等価回路を示す図で
ある。 ２・・・基板 ４・・・第１の導体層 ６・・・ニッケル層（拡散防止層） ８・・・第２の導体層 １０・・・配線導体 基板 第１の導体層 ［１ 第２図 ど 第 １ 図
Claims (2)
- １．基板の表面に銀を含む導体ペーストを用いて回路パ
ターンを形成する厚膜集積回路の配線導体の形成方法に
おいて、前記導体ペーストからなる第１の導体層の上に
拡散防止層を形成し、この拡散防止層の上に第２の導体
層を形成することを特徴とする厚膜集積回路の配線導体
の形成方法。 - ２．前記拡散防止層は、ニッケル層で形成したことを特
徴とする請求項１記載の厚膜集積回路の配線導体の形成
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10412490A JPH043490A (ja) | 1990-04-19 | 1990-04-19 | 厚膜集積回路の配線導体の形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10412490A JPH043490A (ja) | 1990-04-19 | 1990-04-19 | 厚膜集積回路の配線導体の形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH043490A true JPH043490A (ja) | 1992-01-08 |
Family
ID=14372377
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10412490A Pending JPH043490A (ja) | 1990-04-19 | 1990-04-19 | 厚膜集積回路の配線導体の形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH043490A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2009081929A1 (ja) * | 2007-12-26 | 2009-07-02 | Fujikura Ltd. | 実装基板及びその製造方法 |
| JP2014075543A (ja) * | 2012-10-05 | 2014-04-24 | Tyco Electronics Japan Kk | ガラス配線板 |
| JP2016171122A (ja) * | 2015-03-11 | 2016-09-23 | 京セラ株式会社 | 配線基板 |
-
1990
- 1990-04-19 JP JP10412490A patent/JPH043490A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2009081929A1 (ja) * | 2007-12-26 | 2009-07-02 | Fujikura Ltd. | 実装基板及びその製造方法 |
| US8039760B2 (en) | 2007-12-26 | 2011-10-18 | Fujikura Ltd. | Mounting board and method of producing the same |
| JP2014075543A (ja) * | 2012-10-05 | 2014-04-24 | Tyco Electronics Japan Kk | ガラス配線板 |
| JP2016171122A (ja) * | 2015-03-11 | 2016-09-23 | 京セラ株式会社 | 配線基板 |
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