JPH04332871A - Semiconductor acceleration sensor - Google Patents

Semiconductor acceleration sensor

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Publication number
JPH04332871A
JPH04332871A JP10233091A JP10233091A JPH04332871A JP H04332871 A JPH04332871 A JP H04332871A JP 10233091 A JP10233091 A JP 10233091A JP 10233091 A JP10233091 A JP 10233091A JP H04332871 A JPH04332871 A JP H04332871A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
sensor chip
chip
sensor
signal processing
bonding pad
Prior art date
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Pending
Application number
JP10233091A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Yuji Kondo
祐司 近藤
Akihiro Yano
阿喜宏 矢野
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by NEC Corp filed Critical NEC Corp
Priority to JP10233091A priority Critical patent/JPH04332871A/en
Publication of JPH04332871A publication Critical patent/JPH04332871A/en
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Abstract

PURPOSE:To enable wire bonding property to be improved by reducing a mounting area to a package and then increasing a degree of freedom of a layout of a bonding pad. CONSTITUTION:A title item is provided with a sensor chip 1 which is formed by performing three-dimensional machining of a semiconductor substrate, stoppers 3 and 2 which are provided at upper and lower sides of the sensor chip 1 for preventing damage of a weight portion of this sensor chip 1 due to excessive vibration, and a signal-processing chip 4 which is provided at the upper-side stopper 3 for processing an output signal of the sensor chip 1. Also, a bonding pad 7 and an alumina wiring 9 are formed on an upper portion of the upper-side stopper 3.

Description

【発明の詳細な説明】[Detailed description of the invention]

【0001】0001

【産業上の利用分野】本発明は半導体加速度センサに関
し、特にセンサチップと信号処理チップを積層する半導
体加速度センサに関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a semiconductor acceleration sensor, and more particularly to a semiconductor acceleration sensor in which a sensor chip and a signal processing chip are stacked.

【0002】0002

【従来の技術】従来、この種の半導体加速度センサはセ
ンサチップと出力信号を処理する信号処理チップとを基
板の同一平面内に搭載し、両者間をアルミ配線により接
続している。
2. Description of the Related Art Conventionally, this type of semiconductor acceleration sensor has a sensor chip and a signal processing chip for processing output signals mounted on the same plane of a substrate, and the two are connected by aluminum wiring.

【0003】図4は従来の一例を示す半導体加速度セン
サの平面図である。図4に示すように、従来の半導体加
速度センサはセンサチップ1にストッパ3を接着したも
のをセラミック基板12等にマウントし、このセンサチ
ップ1のそばに信号処理回路チップ4をマウントしてい
る。このセンサチップ1と信号処理チップ4間は、セラ
ミック基板12上に被着したボンディングパッド13お
よび配線14により接続する。また、パッド13はセン
サチップ1および信号処理チップ4上のパッド8とボン
ディングワイヤ5によりそれぞれ接続される。
FIG. 4 is a plan view of a conventional semiconductor acceleration sensor. As shown in FIG. 4, the conventional semiconductor acceleration sensor has a sensor chip 1 with a stopper 3 bonded to it mounted on a ceramic substrate 12 or the like, and a signal processing circuit chip 4 mounted near the sensor chip 1. The sensor chip 1 and the signal processing chip 4 are connected by bonding pads 13 and wiring 14 deposited on a ceramic substrate 12. Furthermore, the pads 13 are connected to the pads 8 on the sensor chip 1 and the signal processing chip 4 by bonding wires 5, respectively.

【0004】図5は従来の他の例を示す半導体加速度セ
ンサの断面図である。図5に示すように、かかるセンサ
はセンサチップ1の上下にストッパ3,2を接着してあ
り、このうち上部のストッパ3の上にはセンサの出力信
号を信号処理する信号処理チップ4をマウントしている
。このセンサチップ1と信号処理回路4との電気的接続
には、ボンディング用のワイヤ5がセンサチップ1上の
ボンディングパッド8から直接信号処理チップ4上のボ
ンディングパッド15に接続されている。尚、センサチ
ップ1は3次元加工により中央に両もちのおもり部6が
形成され、ストッパ2,3とサンドイッチに積層される
FIG. 5 is a sectional view of another conventional semiconductor acceleration sensor. As shown in FIG. 5, this sensor has stoppers 3 and 2 bonded to the top and bottom of a sensor chip 1, and a signal processing chip 4 is mounted on top of the top stopper 3 to process the output signal of the sensor. are doing. For electrical connection between the sensor chip 1 and the signal processing circuit 4, a bonding wire 5 is directly connected from a bonding pad 8 on the sensor chip 1 to a bonding pad 15 on the signal processing chip 4. Note that the sensor chip 1 has a weight portion 6 with both sides formed in the center by three-dimensional processing, and is laminated with the stoppers 2 and 3 in a sandwich manner.

【0005】[0005]

【発明が解決しようとする課題】上述した従来の半導体
加速度センサは、センサチップと信号処理回路チップが
横に並んでいるため、実装面積が増加するという欠点が
ある。また、センサチップの上部に信号処理回路チップ
をマンウトした場合には、実装面積の点については問題
ないが、ワイヤボンディング性の点で、ワイヤがチップ
端面に触れないようにボンディングパッドを十分に離す
必要性があり且つワイヤのファーストとセカンド間の段
差が大きいことによりワイヤボンダーのセッティングが
困難になるという欠点がある。
The conventional semiconductor acceleration sensor described above has the disadvantage that the mounting area increases because the sensor chip and the signal processing circuit chip are arranged side by side. In addition, if a signal processing circuit chip is mounted on top of the sensor chip, there is no problem in terms of mounting area, but in terms of wire bonding, the bonding pads should be separated sufficiently so that the wires do not touch the chip end face. There is a drawback that setting the wire bonder is difficult due to the necessity and the large step difference between the first and second wires.

【0006】本発明の目的は、かかるパッケージへの実
装面積を減少させ、ワイヤボンディング性等を向上させ
る半導体加速度センサを提供することにある。
An object of the present invention is to provide a semiconductor acceleration sensor that reduces the mounting area in such a package and improves wire bonding properties.

【0007】[0007]

【課題を解決するための手段】第1の発明の半導体加速
度センサは、半導体基板を3次元加工して形成するセン
サチップと、前記センサチップのおもり部の過振動によ
る破壊を防止するために前記センサチップの上側および
下側に設けたストッパと、前記センサチップの出力信号
を処理するために前記上側ストッパ上に設けられる信号
処理チップとを有し、前記上側ストッパの上部にボンデ
ィングパッドとアルミ配線を形成して構成される。
[Means for Solving the Problems] A semiconductor acceleration sensor according to a first aspect of the invention includes a sensor chip formed by three-dimensional processing of a semiconductor substrate, and a sensor chip formed by three-dimensionally processing a semiconductor substrate. It has stoppers provided above and below the sensor chip, and a signal processing chip provided on the upper stopper for processing the output signal of the sensor chip, and a bonding pad and aluminum wiring are provided above the upper stopper. It is composed by forming.

【0008】また、第2の発明の半導体加速度センサは
、半導体基板を3次元加工して形成するセンサチップと
、前記センサチップのおもり部の過振動による破壊を防
止するために前記センサチップの上側および下側に設け
たストッパと、前記センサチップの出力信号を処理する
ために前記上側ストッパ上に設けられる信号処理チップ
とを有し、前記上側ストッパの上部に形成したボンディ
ングパッドと前記信号処理チップの信号処理回路のボン
ディングパッドをバンプ方式により接合して構成される
Further, the semiconductor acceleration sensor of the second invention includes a sensor chip formed by three-dimensional processing of a semiconductor substrate, and an upper part of the sensor chip to prevent the weight part of the sensor chip from being destroyed due to excessive vibration. and a stopper provided on the lower side, and a signal processing chip provided on the upper stopper for processing the output signal of the sensor chip, and a bonding pad formed on the upper part of the upper stopper and the signal processing chip. It is constructed by bonding the bonding pads of the signal processing circuit using a bump method.

【0009】[0009]

【実施例】次に、本発明の実施例について図面を用いて
説明する。
Embodiments Next, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.

【0010】図1は本発明の一実施例を示す半導体加速
度センサの断面図である。図1に示すように、本実施例
は3次元加工によりおもり部6を形成したセンサチップ
1と、このセンサチップ1の上部及び下部にそれぞれ接
着したストッパ3および2とを有する。これらのストッ
パ2,3はセンサチップ1のおもり部6が振動により必
要以上に変位して破壊することを防ぐために設けられて
いる。すなわち、ストッパ2,3とセンサチップ1間に
は、一定の間隙(例えば、3〜20μm)を形成し、セ
ンサチップ1の中央部がこの間隙以上に変位することを
防止している。また、上部のストッパ3の上には、信号
処理チップ4をマウントしている。これら部材間の電気
的接続は、ストッパ3上に被着されるパッドと、信号処
理チップ4上のパッドおよびセンサチップ1上のパッド
との間をボンディングワイヤ5によりそれぞれ接続する
FIG. 1 is a sectional view of a semiconductor acceleration sensor showing one embodiment of the present invention. As shown in FIG. 1, this embodiment includes a sensor chip 1 having a weight portion 6 formed by three-dimensional processing, and stoppers 3 and 2 bonded to the upper and lower parts of the sensor chip 1, respectively. These stoppers 2 and 3 are provided to prevent the weight portion 6 of the sensor chip 1 from being displaced more than necessary due to vibration and being destroyed. That is, a certain gap (for example, 3 to 20 μm) is formed between the stoppers 2 and 3 and the sensor chip 1, and the center portion of the sensor chip 1 is prevented from being displaced beyond this gap. Furthermore, a signal processing chip 4 is mounted on the upper stopper 3. Electrical connections between these members are made by connecting pads placed on the stopper 3, pads on the signal processing chip 4, and pads on the sensor chip 1 using bonding wires 5, respectively.

【0011】図2は図1に示すセンサの平面図である。 図2に示すように、センサの信号処理チップ4は、前述
したように、上部のストッパ3上にマウントしてあり、
同様にボンディングパッド7およびアルミ配線9も上部
のストッパ3上に形成されている。電気的には、センサ
チップ1のボンディングパッド8と上部のストッパ3の
ボンディングパッド7をボンディングワイヤ5により接
続する。また、ボンディングパッド7はアルミ配線9を
介し信号処理チップ4の上面に被着したボンディングパ
ッドに接続される。これにより、センサチップ1内のブ
リッジ抵抗(図示省略)で検出した信号を信号処理チッ
プ4により処理し、その結果を外部に出力する。
FIG. 2 is a plan view of the sensor shown in FIG. 1. As shown in FIG. 2, the signal processing chip 4 of the sensor is mounted on the upper stopper 3, as described above.
Similarly, a bonding pad 7 and an aluminum wiring 9 are also formed on the upper stopper 3. Electrically, the bonding pad 8 of the sensor chip 1 and the bonding pad 7 of the upper stopper 3 are connected by a bonding wire 5. Further, the bonding pad 7 is connected to a bonding pad attached to the upper surface of the signal processing chip 4 via an aluminum wiring 9. Thereby, the signal detected by the bridge resistor (not shown) in the sensor chip 1 is processed by the signal processing chip 4, and the result is output to the outside.

【0012】図3は本発明の他の実施例を示す半導体加
速度センサの断面図である。図3に示すように、本実施
例が前述した一実施例と比較して相違する点は、信号処
理チップ4をバンプ方式(フリップチップ方式)により
上部のストッパ3に接合していることにある。図3にお
いて、センサチップ1の下部にはストッパ2が、上部に
はストッパ3がそれぞれ接着してあり、センサチップ1
の出力はワイヤ5により上部のストッパ3に接続される
。この出力信号はストッパ3上の配線により所定の位置
のバンプ用のボンディングパッド10に接続される。 しかも、ストッパ3上のバンプ用ボンディングパッド1
0と信号処理チップ4上のバンプ用ボンディングパッド
10は、バンプ11により接合される。このバンプ11
によりセンサチップ1の信号が信号処理チップ4に伝送
されると共に、信号処理チップ4はストッパ3上に固定
される。
FIG. 3 is a sectional view of a semiconductor acceleration sensor showing another embodiment of the present invention. As shown in FIG. 3, the difference between this embodiment and the above-mentioned embodiment is that the signal processing chip 4 is bonded to the upper stopper 3 by a bump method (flip chip method). . In FIG. 3, a stopper 2 is attached to the lower part of the sensor chip 1, and a stopper 3 is attached to the upper part of the sensor chip 1.
The output of is connected by a wire 5 to the upper stopper 3. This output signal is connected to a bump bonding pad 10 at a predetermined position by wiring on the stopper 3. Moreover, the bump bonding pad 1 on the stopper 3
0 and a bump bonding pad 10 on the signal processing chip 4 are bonded to each other by a bump 11. This bump 11
As a result, the signal of the sensor chip 1 is transmitted to the signal processing chip 4, and the signal processing chip 4 is fixed on the stopper 3.

【0013】[0013]

【発明の効果】以上説明したように、本発明の半導体加
速度センサは、パッケージへの実装面積を減少させ、従
来のストッパ上に信号処理回路をマウントした構造と比
較してもボンディングパッドのレイアウトの自由度を増
大させるとともに、ワイヤボンディング性を向上させる
ことができるという効果がある。
Effects of the Invention As explained above, the semiconductor acceleration sensor of the present invention reduces the mounting area on the package and improves the bonding pad layout compared to the conventional structure in which the signal processing circuit is mounted on the stopper. This has the effect of increasing the degree of freedom and improving wire bonding properties.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

【図1】本発明の一実施例を示す半導体加速度センサの
断面図である。
FIG. 1 is a sectional view of a semiconductor acceleration sensor showing an embodiment of the present invention.

【図2】図1に示すセンサの平面図である。FIG. 2 is a plan view of the sensor shown in FIG. 1;

【図3】本発明の他の実施例を示す半導体加速度センサ
の断面図である。
FIG. 3 is a sectional view of a semiconductor acceleration sensor showing another embodiment of the present invention.

【図4】従来の一例を示す半導体加速度センサの平面図
である。
FIG. 4 is a plan view of a semiconductor acceleration sensor showing a conventional example.

【図5】従来の他の例を示す半導体加速度センサの断面
図である。
FIG. 5 is a sectional view of another conventional semiconductor acceleration sensor.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1    センサチップ 2,3    ストッパ 4    信号処理チップ 5    ボンディングワイヤ 6    おもり部 7,8    ボンディングパッド 9    アルミ配線 10    バンプ用ボンディングパッド11    
バンプ
1 Sensor chips 2, 3 Stopper 4 Signal processing chip 5 Bonding wire 6 Weight portions 7, 8 Bonding pad 9 Aluminum wiring 10 Bump bonding pad 11
bump

Claims (2)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】  半導体基板を3次元加工して形成する
センサチップと、前記センサチップのおもり部の過振動
による破壊を防止するために前記センサチップの上側お
よび下側に設けたストッパと、前記センサチップの出力
信号を処理するために前記上側ストッパ上に設けられる
信号処理チップとを有し、前記上側ストッパの上部にボ
ンディングパッドとアルミ配線を形成したことを特徴と
する半導体加速度センサ。
1. A sensor chip formed by three-dimensional processing of a semiconductor substrate; stoppers provided on the upper and lower sides of the sensor chip to prevent a weight portion of the sensor chip from being destroyed due to excessive vibration; A semiconductor acceleration sensor comprising: a signal processing chip provided on the upper stopper for processing an output signal of the sensor chip; and a bonding pad and aluminum wiring formed on the upper part of the upper stopper.
【請求項2】  半導体基板を3次元加工して形成する
センサチップと、前記センサチップのおもり部の過振動
による破壊を防止するために前記センサチップの上側お
よび下側に設けたストッパと、前記センサチップの出力
信号を処理するために前記上側ストッパ上に設けられる
信号処理チップとを有し、前記上側ストッパの上部に形
成したボンディングパッドと前記信号処理チップの信号
処理回路のボンディングパッドをバンプ方式により接合
したことを特徴とする半導体加速度センサ。
2. A sensor chip formed by three-dimensional processing of a semiconductor substrate; stoppers provided on the upper and lower sides of the sensor chip to prevent a weight portion of the sensor chip from being destroyed due to excessive vibration; and a signal processing chip provided on the upper stopper to process the output signal of the sensor chip, and the bonding pad formed on the upper part of the upper stopper and the bonding pad of the signal processing circuit of the signal processing chip are connected by bumping. A semiconductor acceleration sensor characterized by being bonded by.
JP10233091A 1991-05-08 1991-05-08 Semiconductor acceleration sensor Pending JPH04332871A (en)

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004304189A (en) * 2003-03-31 2004-10-28 Robert Bosch Gmbh Method of protecting encapsulated sensor structure using stack packaging
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