JPH04326489A - Icメモリカード - Google Patents
IcメモリカードInfo
- Publication number
- JPH04326489A JPH04326489A JP3097064A JP9706491A JPH04326489A JP H04326489 A JPH04326489 A JP H04326489A JP 3097064 A JP3097064 A JP 3097064A JP 9706491 A JP9706491 A JP 9706491A JP H04326489 A JPH04326489 A JP H04326489A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- circuit
- battery
- memory
- voltage
- section
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims abstract description 20
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 13
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 7
- 238000007600 charging Methods 0.000 abstract description 16
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 9
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 8
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 5
- 230000006378 damage Effects 0.000 description 4
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011149 active material Substances 0.000 description 2
- GNTDGMZSJNCJKK-UHFFFAOYSA-N divanadium pentaoxide Chemical group O=[V](=O)O[V](=O)=O GNTDGMZSJNCJKK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 2
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- JFBZPFYRPYOZCQ-UHFFFAOYSA-N [Li].[Al] Chemical compound [Li].[Al] JFBZPFYRPYOZCQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 description 1
- 238000010280 constant potential charging Methods 0.000 description 1
- 230000006870 function Effects 0.000 description 1
- 238000009499 grossing Methods 0.000 description 1
- 230000014759 maintenance of location Effects 0.000 description 1
- 230000000717 retained effect Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Credit Cards Or The Like (AREA)
- Power Sources (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、記憶保持のために電池
を内蔵したICメモリカードに関するものである。
を内蔵したICメモリカードに関するものである。
【0002】
【従来の技術】近年、ICメモリカードは、RAM、R
OMなどのメモリLSIを内蔵した携帯型情報記憶装置
として、多方面で利用されている。用途の拡大に伴い、
記憶容量の大きい、すなわち大容量のICメモリカード
が要望されるようになってきた。このような大容量のI
Cメモリカードにおいては、多数個のメモリLSIを、
一定面積のプリント基板に実装しなければならない。
OMなどのメモリLSIを内蔵した携帯型情報記憶装置
として、多方面で利用されている。用途の拡大に伴い、
記憶容量の大きい、すなわち大容量のICメモリカード
が要望されるようになってきた。このような大容量のI
Cメモリカードにおいては、多数個のメモリLSIを、
一定面積のプリント基板に実装しなければならない。
【0003】ところで、揮発性メモリを内蔵したRAM
カードでは、記憶保持のために電池でバックアップする
必要がある。バックアップ電流はメモリ容量に比例して
増大し、ICメモリカードカードの大容量化にともない
、バックアップ寿命は短くなる一方であった。
カードでは、記憶保持のために電池でバックアップする
必要がある。バックアップ電流はメモリ容量に比例して
増大し、ICメモリカードカードの大容量化にともない
、バックアップ寿命は短くなる一方であった。
【0004】そのため、電池交換式や充電式のRAMカ
ードが提案されてきた。以下図面を参照しながら、従来
のICメモリカードについて説明する。
ードが提案されてきた。以下図面を参照しながら、従来
のICメモリカードについて説明する。
【0005】図7は従来の充電式ICメモリカードを示
すブロック図である。図7において、51は接続部であ
り、外部機器(図示しない)からの電源供給、信号の授
受を行う。52はメモリ部であり、接続部51を介して
データの読出し書込みをする揮発性メモリ、例えばスタ
ティックRAMダイナミックRAMで少なくとも1つ以
上からなる。53は2次電池であり、接続部51を介し
て上記外部機器から電源が供給されていない時にメモリ
部52の記憶内容を保持するバックアップ電源である。 54は電源制御部であり、メモリ部52の記憶内容を破
壊することなくメモリ部52への電源供給を上記外部機
器から電池53に切換え制御するとともに、接続部51
を介して上記外部機器から電源が供給されている時に電
池53を充電する。55は制御部であり、接続部51を
介して上記外部機器からの信号により上記メモリ部を制
御する。
すブロック図である。図7において、51は接続部であ
り、外部機器(図示しない)からの電源供給、信号の授
受を行う。52はメモリ部であり、接続部51を介して
データの読出し書込みをする揮発性メモリ、例えばスタ
ティックRAMダイナミックRAMで少なくとも1つ以
上からなる。53は2次電池であり、接続部51を介し
て上記外部機器から電源が供給されていない時にメモリ
部52の記憶内容を保持するバックアップ電源である。 54は電源制御部であり、メモリ部52の記憶内容を破
壊することなくメモリ部52への電源供給を上記外部機
器から電池53に切換え制御するとともに、接続部51
を介して上記外部機器から電源が供給されている時に電
池53を充電する。55は制御部であり、接続部51を
介して上記外部機器からの信号により上記メモリ部を制
御する。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら上記従来
の構成では、2次電池で記憶内容を保持しているため、
1次電池によるバックアップと比較すると電池交換は不
要になったものの充電する必要があり、充電時期をあら
かじめ知る必要がある。また、充電忘れによる記憶内容
の破壊を容易に確認できないという課題を有していた。
の構成では、2次電池で記憶内容を保持しているため、
1次電池によるバックアップと比較すると電池交換は不
要になったものの充電する必要があり、充電時期をあら
かじめ知る必要がある。また、充電忘れによる記憶内容
の破壊を容易に確認できないという課題を有していた。
【0007】本発明は上記従来の課題を解決するもので
、記憶内容を保持するための2次電池の充電時期をあら
かじめ知ることができ、また、充電忘れによる記憶内容
の破壊を容易に確認できる信頼性の高いICメモリカー
ドを提供することを目的としている。
、記憶内容を保持するための2次電池の充電時期をあら
かじめ知ることができ、また、充電忘れによる記憶内容
の破壊を容易に確認できる信頼性の高いICメモリカー
ドを提供することを目的としている。
【0008】
【課題を解決するための手段】この目的を達成するため
に本発明のICメモリカードは、外部機器と接続された
時に電源の供給を受け信号の授受を行う接続部と、少な
くとも1つ以上の揮発性メモリからなるメモリ部と、上
記メモリ部の記憶保持を行う2次電池と抵抗器とコンデ
ンサとダイオードからなる電池回路と、上記外部機器と
上記電池回路からの電源供給を上記メモリ部の記憶内容
を破壊することなく切換える電源制御部と、上記接続部
を介して上記外部機器からの信号により上記メモリ部を
制御する制御部とを備え、さらに抵抗器と温度依存性抵
抗器からなる分圧回路と、上記電池の端子電圧を上記分
圧回路へ供給するインピーダンス変換回路と、上記分圧
回路の出力電圧を検出する電圧検出回路と、上記電圧検
出回路の出力信号をディジタル信号に変換して上記接続
部に供給する出力回路とを備えた構成である。
に本発明のICメモリカードは、外部機器と接続された
時に電源の供給を受け信号の授受を行う接続部と、少な
くとも1つ以上の揮発性メモリからなるメモリ部と、上
記メモリ部の記憶保持を行う2次電池と抵抗器とコンデ
ンサとダイオードからなる電池回路と、上記外部機器と
上記電池回路からの電源供給を上記メモリ部の記憶内容
を破壊することなく切換える電源制御部と、上記接続部
を介して上記外部機器からの信号により上記メモリ部を
制御する制御部とを備え、さらに抵抗器と温度依存性抵
抗器からなる分圧回路と、上記電池の端子電圧を上記分
圧回路へ供給するインピーダンス変換回路と、上記分圧
回路の出力電圧を検出する電圧検出回路と、上記電圧検
出回路の出力信号をディジタル信号に変換して上記接続
部に供給する出力回路とを備えた構成である。
【0009】
【作用】この構成によって、記憶内容を保持するための
2次電池の端子電圧を検出し、充放電状態が接続部にデ
ィジタル信号として出力されるので、外部機器によって
、充電時期をあらかじめ知ることができ、また、充電忘
れによる記憶内容の破壊を容易に確認できる信頼性の高
いICメモリカードを実現することができる。
2次電池の端子電圧を検出し、充放電状態が接続部にデ
ィジタル信号として出力されるので、外部機器によって
、充電時期をあらかじめ知ることができ、また、充電忘
れによる記憶内容の破壊を容易に確認できる信頼性の高
いICメモリカードを実現することができる。
【0010】
【実施例】以下本発明の一実施例について、図面を参照
しながら説明する。
しながら説明する。
【0011】図1は本発明の実施例におけるICメモリ
カードのブロック図を示すものである。図2、図3は電
池の特性の一例を示し、図4はインピーダンス変換回路
の一例を示すものである。図5は分圧回路の一例を示す
ものである。図6は電圧検出回路の一例を示すものであ
る。
カードのブロック図を示すものである。図2、図3は電
池の特性の一例を示し、図4はインピーダンス変換回路
の一例を示すものである。図5は分圧回路の一例を示す
ものである。図6は電圧検出回路の一例を示すものであ
る。
【0012】図1において、1は接続部であり、外部機
器(図示しない)からの電源供給、信号の授受を行う。 2はメモリ部であり、接続部1を介してデータの読出し
書込みをする揮発性メモリ、例えばスタティックRAM
ダイナミックRAMで少なくとも1つ以上からなる。3
は電池回路であり、接続部1を介して上記外部機器から
電源が供給されていない時にメモリ部2の記憶内容を保
持するバックアップ電源である。電池回路3は電池3A
、抵抗器3B、ダイオード3Cの直列回路と並列にコン
デンサ3Dが接続され、ダイオード3Cのアノードより
インピーダンス変換回路6に電池3Aの端子電圧が出力
され、電池3Aの正極端子には電源制御部4の充電出力
が接続され、ダイオード3Cのカソードより電源制御部
4に接続し、メモリ部2の記憶内容を保持するバックア
ップ電源を供給する。3Aは2次電池であり、充電、放
電時に端子電圧が段階的に変化する電池である。その一
例としては、正極の活物質に五酸化バナジウム、負極の
活物質にリチウムもしくはリチウムアルミニウム合金で
構成した直径が20mm、厚さ2.5mmのボタン形リ
チウム2次電池であって、図2、図3に示す特性をもっ
ている。抵抗器3Bは保護抵抗であり、コンデンサ3D
への充電電流の制限および電池回路3の異常短絡時にお
ける電池3Aの電流制限用である。ダイオード3Cは上
記外部機器より接続部1を介して電源が供給されている
時に電流が流入し異常充電を防止する。コンデンサ3D
は電源電圧の平滑用である。4は電源制御部であり、メ
モリ部2の記憶内容を破壊することなくメモリ部2への
電源供給を上記外部機器から電池回路3に切換え制御す
るとともに、接続部1を介して上記外部機器から電源が
供給されている時に電池3Aを充電する。5は制御部で
ありデコーダ回路等からなり、接続部1を介して上記外
部機器からの信号によって上記メモリ部2を制御する。 6は、インピーダンス変換回路であり、その一例として
図4に示す。7は分圧回路であり、電池3Aの端子電圧
を分圧する。8は電圧検出回路であり、分圧回路7の出
力電圧と基準電圧を比較する。9は出力回路であり、電
圧検出回路8の出力信号を電池3Aの充放電状態を示す
2ビットのディジタル信号に変換して接続部1へ出力す
る。
器(図示しない)からの電源供給、信号の授受を行う。 2はメモリ部であり、接続部1を介してデータの読出し
書込みをする揮発性メモリ、例えばスタティックRAM
ダイナミックRAMで少なくとも1つ以上からなる。3
は電池回路であり、接続部1を介して上記外部機器から
電源が供給されていない時にメモリ部2の記憶内容を保
持するバックアップ電源である。電池回路3は電池3A
、抵抗器3B、ダイオード3Cの直列回路と並列にコン
デンサ3Dが接続され、ダイオード3Cのアノードより
インピーダンス変換回路6に電池3Aの端子電圧が出力
され、電池3Aの正極端子には電源制御部4の充電出力
が接続され、ダイオード3Cのカソードより電源制御部
4に接続し、メモリ部2の記憶内容を保持するバックア
ップ電源を供給する。3Aは2次電池であり、充電、放
電時に端子電圧が段階的に変化する電池である。その一
例としては、正極の活物質に五酸化バナジウム、負極の
活物質にリチウムもしくはリチウムアルミニウム合金で
構成した直径が20mm、厚さ2.5mmのボタン形リ
チウム2次電池であって、図2、図3に示す特性をもっ
ている。抵抗器3Bは保護抵抗であり、コンデンサ3D
への充電電流の制限および電池回路3の異常短絡時にお
ける電池3Aの電流制限用である。ダイオード3Cは上
記外部機器より接続部1を介して電源が供給されている
時に電流が流入し異常充電を防止する。コンデンサ3D
は電源電圧の平滑用である。4は電源制御部であり、メ
モリ部2の記憶内容を破壊することなくメモリ部2への
電源供給を上記外部機器から電池回路3に切換え制御す
るとともに、接続部1を介して上記外部機器から電源が
供給されている時に電池3Aを充電する。5は制御部で
ありデコーダ回路等からなり、接続部1を介して上記外
部機器からの信号によって上記メモリ部2を制御する。 6は、インピーダンス変換回路であり、その一例として
図4に示す。7は分圧回路であり、電池3Aの端子電圧
を分圧する。8は電圧検出回路であり、分圧回路7の出
力電圧と基準電圧を比較する。9は出力回路であり、電
圧検出回路8の出力信号を電池3Aの充放電状態を示す
2ビットのディジタル信号に変換して接続部1へ出力す
る。
【0013】図2は電池3Aの放電特性の一例であり、
0.25mA定電流放電時の電池3Aの端子電圧の変化
を示したものである。
0.25mA定電流放電時の電池3Aの端子電圧の変化
を示したものである。
【0014】図3は電池3Aの充電特性の一例であり、
3.6V定電圧充電時(充電電流制限用に300Ωの抵
抗器を直列に接続)の電池3Aの端子電圧の変化と充電
電流の変化を示したものである。
3.6V定電圧充電時(充電電流制限用に300Ωの抵
抗器を直列に接続)の電池3Aの端子電圧の変化と充電
電流の変化を示したものである。
【0015】図4はインピーダンス変換回路の一例であ
り、電池3Aの端子電圧を非反転入力6Dに入力し、演
算増幅器6Aの出力6Bを分圧回路7に出力するととも
に、出力6Bを反転入力6Cに帰還したゲインが1のボ
ルテージフォロワ回路である。
り、電池3Aの端子電圧を非反転入力6Dに入力し、演
算増幅器6Aの出力6Bを分圧回路7に出力するととも
に、出力6Bを反転入力6Cに帰還したゲインが1のボ
ルテージフォロワ回路である。
【0016】図5は分圧回路の一例であり、抵抗器7A
、7B、7Cと温度依存性抵抗器7D(例えばサーミス
タやポジスタ)からなり、電池3Aの端子電圧に等しい
インピーダンス変換回路6の出力電圧6Bを分圧すると
ともに温度補償を行う。
、7B、7Cと温度依存性抵抗器7D(例えばサーミス
タやポジスタ)からなり、電池3Aの端子電圧に等しい
インピーダンス変換回路6の出力電圧6Bを分圧すると
ともに温度補償を行う。
【0017】図6は電圧検出回路の一例であり、基準電
圧発生器8A(例えばツェナーダイオードや定電圧IC
)と抵抗器8B、8C、8D、8Eと電圧比較器(例え
ばコンパレータ)8F、8G、8Hからなり、基準電圧
発生器8Aの基準電圧を抵抗器8B、8C、8D、8E
で分圧し、電池3Aの端子電圧が図3に示すV1、V2
、V3時の分圧回路7の出力電圧と等しくする。電圧比
較器8F、8G、8Hによって分圧回路7の出力電圧と
比較することにより、電池3Aの端子電圧が図3に示す
V1、V2、V3より高いか低いかを検出する。図2示
すV1’、V2’、V3’と図3に示すV1、V2、V
3との相関から電池3Aの充電時に直前の放電状態を推
定する。
圧発生器8A(例えばツェナーダイオードや定電圧IC
)と抵抗器8B、8C、8D、8Eと電圧比較器(例え
ばコンパレータ)8F、8G、8Hからなり、基準電圧
発生器8Aの基準電圧を抵抗器8B、8C、8D、8E
で分圧し、電池3Aの端子電圧が図3に示すV1、V2
、V3時の分圧回路7の出力電圧と等しくする。電圧比
較器8F、8G、8Hによって分圧回路7の出力電圧と
比較することにより、電池3Aの端子電圧が図3に示す
V1、V2、V3より高いか低いかを検出する。図2示
すV1’、V2’、V3’と図3に示すV1、V2、V
3との相関から電池3Aの充電時に直前の放電状態を推
定する。
【0018】以上のように構成されたICメモリカード
について以下その動作を説明する。まず、接続部1を介
して外部機器に接続されている時は、上記外部機器より
電源供給を受け、信号の授受を行い、制御部5によりメ
モリ部2を制御してデータの書込み読出しを行うととも
に、電源制御部4より電源が供給され電池3Aを充電す
る。また、外部機器に接続されていない時は、電源制御
部4によってメモリ部2への電源供給を電池回路部3か
らに切換え、メモリ部2の記憶内容が破壊されることな
く保持する。
について以下その動作を説明する。まず、接続部1を介
して外部機器に接続されている時は、上記外部機器より
電源供給を受け、信号の授受を行い、制御部5によりメ
モリ部2を制御してデータの書込み読出しを行うととも
に、電源制御部4より電源が供給され電池3Aを充電す
る。また、外部機器に接続されていない時は、電源制御
部4によってメモリ部2への電源供給を電池回路部3か
らに切換え、メモリ部2の記憶内容が破壊されることな
く保持する。
【0019】次に、電池3Aの充放電状態のチェック機
能について述べる。まず、接続部1を介して外部機器に
接続されている時は、電源制御部4によりインピーダン
ス変換回路6、分圧回路7、電圧検出回路8、出力回路
9に電源が供給されることによって各回路が作動する。 電池3Aの端子電圧はインピーダンス変換回路6を介し
て分圧回路7によって分圧されるが、その時温度依存性
抵抗器7Dと抵抗器7A、7B、7Cによって電池3A
の温度特性が補正される。電圧検出回路8により図3に
示すV1、V2、V3と比較され、その結果を出力回路
9によって2ビットのディジタル信号に変換されて接続
部1に出力される。上記外部機器では接続部1に出力さ
れた2ビットのディジタル信号をチェックことによって
容易に電池3Aの充放電状態を確認することができる。
能について述べる。まず、接続部1を介して外部機器に
接続されている時は、電源制御部4によりインピーダン
ス変換回路6、分圧回路7、電圧検出回路8、出力回路
9に電源が供給されることによって各回路が作動する。 電池3Aの端子電圧はインピーダンス変換回路6を介し
て分圧回路7によって分圧されるが、その時温度依存性
抵抗器7Dと抵抗器7A、7B、7Cによって電池3A
の温度特性が補正される。電圧検出回路8により図3に
示すV1、V2、V3と比較され、その結果を出力回路
9によって2ビットのディジタル信号に変換されて接続
部1に出力される。上記外部機器では接続部1に出力さ
れた2ビットのディジタル信号をチェックことによって
容易に電池3Aの充放電状態を確認することができる。
【0020】以上のように、抵抗器7A、7B、7Cと
温度依存性抵抗器7Dからなる分圧回路7と、電池3A
の端子電圧を分圧回路7へ供給するインピーダンス変換
回路6と、分圧回路7の出力電圧を検出する電圧検出回
路8と、電圧検出回路8の出力信号をディジタル信号に
変換して接続部1に供給する出力回路9とを設けること
により、外部機器では、接続部1に出力されたディジタ
ル信号をチェックすることによって、電池3Aの充放電
状態を確認することができるので、容易に充電時期をあ
らかじめ知ることができ、また、充電忘れによる記憶内
容の破壊を容易に確認できる。
温度依存性抵抗器7Dからなる分圧回路7と、電池3A
の端子電圧を分圧回路7へ供給するインピーダンス変換
回路6と、分圧回路7の出力電圧を検出する電圧検出回
路8と、電圧検出回路8の出力信号をディジタル信号に
変換して接続部1に供給する出力回路9とを設けること
により、外部機器では、接続部1に出力されたディジタ
ル信号をチェックすることによって、電池3Aの充放電
状態を確認することができるので、容易に充電時期をあ
らかじめ知ることができ、また、充電忘れによる記憶内
容の破壊を容易に確認できる。
【0021】
【発明の効果】以上のように本発明は、外部機器と接続
された時に電源の供給を受け信号の授受を行う接続部と
、少なくとも1つ以上の揮発性メモリからなるメモリ部
と、上記メモリ部の記憶保持を行う2次電池と抵抗器や
コンデンサやダイオードからなる電池回路と、上記外部
機器と上記電池回路からの電源供給を上記メモリ部の記
憶内容を破壊することなく切換え制御するとともに上記
接続部を介して上記外部機器からの電源で上記電池を充
電する電源制御部と、上記接続部を介して上記外部機器
からの信号により上記メモリ部を制御する制御部とを備
えた構成であって、さらに、抵抗器と温度依存性抵抗器
からなる分圧回路と、上記電池の端子電圧を上記分圧回
路へ供給するインピーダンス変換回路と、上記分圧回路
の出力電圧を検出する電圧検出回路と、上記電圧検出回
路の出力信号をディジタル信号に変換して上記接続部に
供給する出力回路とを設けることにより、上記外部機器
では、上記接続部に出力されたディジタル信号をチェッ
クすることによって、上記電池の充放電状態を確認する
ことができるので、容易に充電時期をあらかじめ知るこ
とができ、また、充電忘れによる記憶内容の破壊を容易
に確認できるという効果を得ることができる優れたIC
メモリカードを実現できるものである。
された時に電源の供給を受け信号の授受を行う接続部と
、少なくとも1つ以上の揮発性メモリからなるメモリ部
と、上記メモリ部の記憶保持を行う2次電池と抵抗器や
コンデンサやダイオードからなる電池回路と、上記外部
機器と上記電池回路からの電源供給を上記メモリ部の記
憶内容を破壊することなく切換え制御するとともに上記
接続部を介して上記外部機器からの電源で上記電池を充
電する電源制御部と、上記接続部を介して上記外部機器
からの信号により上記メモリ部を制御する制御部とを備
えた構成であって、さらに、抵抗器と温度依存性抵抗器
からなる分圧回路と、上記電池の端子電圧を上記分圧回
路へ供給するインピーダンス変換回路と、上記分圧回路
の出力電圧を検出する電圧検出回路と、上記電圧検出回
路の出力信号をディジタル信号に変換して上記接続部に
供給する出力回路とを設けることにより、上記外部機器
では、上記接続部に出力されたディジタル信号をチェッ
クすることによって、上記電池の充放電状態を確認する
ことができるので、容易に充電時期をあらかじめ知るこ
とができ、また、充電忘れによる記憶内容の破壊を容易
に確認できるという効果を得ることができる優れたIC
メモリカードを実現できるものである。
【図1】本発明の実施例におけるICメモリカードのブ
ロック図
ロック図
【図2】本発明の実施例における電池の放電特性曲線図
【図3】本発明の実施例における電池の充電特性曲線図
【図4】本発明の実施例におけるインピーダンス変換回
路図
路図
【図5】本発明の実施例における分圧回路図
【図6】本
発明の実施例における電圧検出回路図
発明の実施例における電圧検出回路図
【図7】従来のI
Cメモリカードのブロック図
Cメモリカードのブロック図
1 接続部
2 メモリ部
3 電池回路
3A 電池
3B 抵抗器
3C ダイオード
3D コンデンサ
4 電源制御部
5 制御部
6 インピーダンス変換回路
7 分圧回路
7A 抵抗器
7B 抵抗器
7C 抵抗器
7D 温度依存性抵抗器
8 電圧検出回路
9 出力回路
Claims (1)
- 【請求項1】 外部機器と接続された時に電源の供給
を受け信号の授受を行う接続部と、少なくとも1つ以上
の揮発性メモリからなるメモリ部と、上記メモリ部の記
憶保持を行う2次電池と抵抗器とコンデンサとダイオー
ドからなる電池回路と、上記外部機器と上記電池回路か
らの電源供給を上記メモリ部の記憶内容を破壊すること
なく切換え制御するとともに上記接続部を介して上記外
部機器からの電源で上記電池を充電する電源制御部と、
上記接続部を介して上記外部機器からの信号により上記
メモリ部を制御する制御部とを備えたICメモリカード
であって、抵抗器と温度依存性抵抗器からなる分圧回路
と、上記電池の端子電圧を上記分圧回路へ供給するイン
ピーダンス変換回路と、上記分圧回路の出力電圧を検出
する電圧検出回路と、上記電圧検出回路の出力信号をデ
ィジタル信号に変換して上記接続部に供給する出力回路
とを備えたことを特徴とするICメモリカード。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3097064A JP2874381B2 (ja) | 1991-04-26 | 1991-04-26 | Icメモリカード |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3097064A JP2874381B2 (ja) | 1991-04-26 | 1991-04-26 | Icメモリカード |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH04326489A true JPH04326489A (ja) | 1992-11-16 |
JP2874381B2 JP2874381B2 (ja) | 1999-03-24 |
Family
ID=14182220
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP3097064A Expired - Fee Related JP2874381B2 (ja) | 1991-04-26 | 1991-04-26 | Icメモリカード |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2874381B2 (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008243189A (ja) * | 2007-02-26 | 2008-10-09 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 記憶装置 |
WO2013105261A1 (ja) * | 2012-01-13 | 2013-07-18 | 三菱電機株式会社 | Sramメモリカード及び電圧監視回路 |
-
1991
- 1991-04-26 JP JP3097064A patent/JP2874381B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008243189A (ja) * | 2007-02-26 | 2008-10-09 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 記憶装置 |
US8365309B2 (en) | 2007-02-26 | 2013-01-29 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Memory device |
WO2013105261A1 (ja) * | 2012-01-13 | 2013-07-18 | 三菱電機株式会社 | Sramメモリカード及び電圧監視回路 |
JP5562496B2 (ja) * | 2012-01-13 | 2014-07-30 | 三菱電機株式会社 | Sramメモリカード及び電圧監視回路 |
US9117551B2 (en) | 2012-01-13 | 2015-08-25 | Mitsubishi Electric Corporation | SRAM memory card and voltage monitoring circuit |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2874381B2 (ja) | 1999-03-24 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US6265848B1 (en) | Battery state monitoring circuit and battery device | |
US5929603A (en) | Apparatus for preventing over-discharge | |
US5734204A (en) | Backup apparatus | |
JP2874381B2 (ja) | Icメモリカード | |
EP0437129A2 (en) | Card type semiconductor device | |
US6894458B2 (en) | Charge control device and battery pack employing it | |
JPH0442496A (ja) | 不揮発性ram | |
CN213399501U (zh) | 掉电保持电路及电子设备 | |
JP2002199619A (ja) | 無停電電源装置 | |
JPS63175911A (ja) | メモリモジユ−ル | |
JP3268513B2 (ja) | 電池パック充電装置 | |
JPH0993831A (ja) | 電源制御装置 | |
CN212969153U (zh) | 单片机掉电保护电路 | |
JP2002186187A (ja) | 二次電池の保護方法およびその回路 | |
JP2817180B2 (ja) | メモリカード | |
JPS61167347A (ja) | ピ−ク検出回路 | |
JPH0251717A (ja) | メモリの電源バックアップ回路 | |
JP3077552B2 (ja) | データ記憶回路のバックアップ装置 | |
JP2000075968A (ja) | 小型電子機器 | |
JPH0267980A (ja) | バッテリへの充電状態検知回路 | |
JPS63194534A (ja) | 充電装置 | |
JPH01195590A (ja) | Icメモリカードの保管装置 | |
JPH06327168A (ja) | バックアップ装置 | |
JPH0696301A (ja) | Icカード | |
JPH01279493A (ja) | メモリカード |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |