JPH04325581A - 高屈折率セラミックス膜及びそれを形成するためのコーティング材料とコーティング方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、錫又は錫化合物を含有
する酸化珪素を主体とする高屈折率セラミックス膜及び
それを形成するためのコーティング材料とコーティング
方法に関するものである。

【０００２】

【従来技術及びその問題点】ポリシラザンやポリシロキ
サザンは、セラミックス先駆体ポリマーとして知られて
いる。このポリマー溶液は、スピンコート法や、ディッ
プコート法、はけ塗り法等の簡便なコーティング法によ
り成膜することができ、そして、この膜を酸化雰囲気下
で焼成することにより、低温でも透明均質なセラミック
ス膜（酸化珪素膜）を得ることができる。このセラミッ
クス膜は、各種基材との接着性が良い上、耐熱性、耐食
性、耐摩耗性にすぐれており、炭素材料の酸化防止被覆
膜や、ソーダガラスのナトリウム流出防止膜等としての
利用が進められている。しかし、ポリシラザンやポリシ
ロキサザンを大気中で焼成して形成されるセラミックス
膜は、その屈折率が低いため、光学材料としてはその用
途が限られてしまうという問題があった。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】本発明は、ポリシラザ
ンやポリシロキサザンから誘導されるセラミックス膜に
見られる前記問題点を解決し、高屈折率のセラミックス
膜を提供するとともに、そのためのコーティング材料及
びセラミックス膜の形成方法を提供することをその課題
とする。

【０００４】

【課題を解決するための手段】本発明者らは、前記課題
を解決すべく鋭意研究を重ねた結果、本発明を完成する
に至った。

【０００５】即ち、本発明によれば、ポリシラザン及び
／又はポリシロキサザンを含有する溶液に、可溶性錫化
合物を溶解させるか又は非可溶性錫化合物もしくは金属
錫を粒径０．２μｍ以下の微粒子状で分散させてなる高
屈折率コーティング材料が提供される。また、本発明に
よれば、前記コーティング材料を基材表面に塗布乾燥し
た後、焼成することを特徴とする高屈折率セラミックス
膜の形成方法が提供される。さらに、本発明によれば、
金属錫又は非溶解性錫化合物を微粒子状で含有する酸化
珪素を主体とするセラミックス膜が提供される。

【０００６】本発明で用いるポリシラザンには、鎖状、
環状、あるいは架橋構造を有するもの、あるいは分子内
にこれら複数の構造を同時に有するものがあり、これら
は単独でもあるいは混合物でも使用できる。本発明で好
ましく用いられるポリシラザンとしては、下記一般式（
１）で表わされる単位からなる主骨格を有する数平均分
子量が約１００〜５０，０００のポリシラザンが挙げら
れる。

【０００７】

【化１】

【０００８】（式中、Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３は水素原子、ア
ルキル基、アルケニル基、シクロアルキル基、アリール
基又はこれらの基以外でケイ素に直結する基が炭素であ
る基、アルキルシリル基、アルキルアミノ基、アルコキ
シ基を表わす。但し、Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３の少なくとも１
個は水素原子である）一般的には、前記一般式（１）の
Ｒ１，Ｒ２及びＲ３は水素、炭素原子数１〜５個のアル
キル基、炭素原子数２〜６個のアルケニル基、炭素原子
数５〜７個のシクロアルキル基、アリール基、炭素原子
数１〜４個のアルキルシリル基、炭素原子数１〜５個の
アルキルアミノ基、炭素原子数１〜５個のアルコキシ基
からなる群から選ばれるものが立体障害が小さいので好
ましく、より好ましくは水素原子、メチル基、エチル基
、ビニル基、アリル基、メチルアミノ基、エチルアミノ
基、メトキシ基及びエトキシ基から選ばれる。一般式（
１）でＲ１，Ｒ２及びＲ３に水素原子を有するものは、
ペルヒドロポリシラザンであり、その製造法は例えば特
開昭６０−１４５９０３号公報、Ｄ．Ｓｅｙｆｅｒｔｈ
らＣｏｍｍｕｎｉｃａｔｉｏｎ　ｏｆ　Ａｍ．Ｃｅｒ．
Ｓｏｃ．，Ｃ−１３，Ｊａｎｕａｒｙ　１９８３．に報
告されている。一般式（１）でＲ１及びＲ２に水素原子
、Ｒ３にメチル基を有するポリシラザンの製造法は、Ｄ
．ＳｅｒｆｅｒｔｈらＰｏｌｙｍ．Ｐｒｅｐｒ．，Ａｍ
．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．，Ｄｉｖ．Ｐｏｌｙｍ．Ｃｈｅｍ
．，２５，１０（１９８４）に報告されている。この方
法により得られるポリシラザンは、繰り返し単位が−（
ＳｉＨ２ＮＣＨ３）−の鎖状ポリマーと環状ポリマーで
あり、いずれも架橋構造をもたない。 一般式（１）でＲ１及びＲ３に水素原子、Ｒ２に有機基
を有するポルオルガノ（ヒドロ）シラザンの製造法は、
Ｄ．ＳｅｙｆｅｒｔｈらＰｏｌｙｍ．Ｐｒｅｐｒ．，Ａ
ｍ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．，Ｄｉｖ．Ｐｏｌｙｍ．Ｃｈｅ
ｍ．，２５，１０（１９８４）、特開昭６１−８９２３
０号公報に報告されている。一般式（１）でＲ１に水素
原子、Ｒ２及びＲ３に有機基を有するポリシラザン、ま
たＲ１及びＲ２に有機基、Ｒ３に水素原子を有するもの
は−（Ｒ１Ｒ２ＳｉＮＲ３）−を繰り返し単位として、
主に重合度が３〜５の環状構造を有している。本発明で
用いるポリシラザンは、前記一般式（１）で表わされる
ものに限られるものではなく、Ｄ．Ｓｅｙｆｅｒｔｈら
Ｃｏｍｍｕｎｉｃａｔｉｏｎ　ｏｆ　Ａｍ．Ｃｅｒ．Ｓ
ｏｃ．，Ｃ−１３２，Ｊｕｌｙ　１９８４．が報告して
いる様な分子内に架橋構造を有するポリオルガノ（ヒド
ロ）シラザンや、特開昭４９−６９７１７号公報に報告
されている様なＲ１ＳｉＸ３（Ｘ：ハロゲン）のアンモ
ニア分解によって得られる架橋構造を有するポリシラザ
ン（Ｒ１Ｓｉ（ＮＨ）ｘ）、あるいはＲ１ＳｉＸ３及び
Ｒ２２ＳｉＸ２の共アンモニア分解によって得られるポ
リシラザン等を挙げることができる。

【０００９】本発明で用いるポリシロキサザンには、鎖
状、環状、あるいは架橋構造を有するもの、あるいは分
子内にこれらの複数の構造を同時に有するもの等があり
、これらは単独でもあるいは混合物でも使用できる。 本発明で好ましく用いられるポリシロキサザンとしては
、下記一般式（２）で表わされる単位からなる主骨格を
有する数平均分子量が約３００〜３００００のポリシロ
キサザンが挙げられる。

【００１０】

【化２】

【００１１】前記式中、ｘ，ｙは任意の整数、Ｒ４，Ｒ
５，Ｒ６，Ｒ７，Ｒ８は、それぞれ独立に、水素原子、
アルキル基、アルケニル基、シクロアルキル基、アリー
ル基又はこれらの基以外で、珪素又は窒素に直結する原
子が炭素である基、アルキルシリル基、アルキルアミノ
基、アルコキシ基を表わす。その製造法は例えば特開昭
６２−１９５０２４に報告されている。本発明で用いる
コーティング材料は、ポリシラザン及び／又はポリシロ
キサザン（以下、ポリマー成分とも言う）の有機溶媒溶
液に対し、可溶性錫化合物を溶解させるか又は非可溶性
錫化合物もしくは金属錫を微粒子状で分散させる。可溶
性錫化合物としては、有機錫化合物や、錫の有機酸塩や
、錫の有機錯体、ハロゲン化錫等が挙げられる。

【００１２】本発明で用いる可溶性錫化合物としては、
次の一般式で表わされるものが好ましく用いられる。 　　　　　　Ｓｎ（Ｒ）４　　　　　　　　　　　　　
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　
　　　　（３）式中、Ｓｎに結合する４個のＲは、同一
又は異っていてもよく、水素原子、炭素数１〜２０のア
ルキル基、アルケニル基、シクロアルキル基、アリール
基、アリル基、アルコキシ基、アルキルアミノ基、水酸
基、アミノ基又はハロゲン原子を示す。可溶性錫化合物
の具体例を示すと、例えば、Ｓｎ（ＣＨ３）４、Ｓｎ（
Ｃ２Ｈ５）４、Ｓｎ（Ｃ６Ｈ５）４、Ｓｎ（ＣＨ２Ｃ６
Ｈ５）４、Ｓｎ（Ｃ６Ｈ１１）４、Ｓｎ（ＯＣＨ３）４
、Ｓｎ（ＯＣ２Ｈ５）４、（ｎ−Ｃ４Ｈ９）２Ｓｎ（Ｏ
ＣＨ３）２、Ｓｎ（Ｏ−ｎ−Ｃ４Ｈ９）４、（ｎ−Ｃ４
Ｈ９）２Ｓｎ（ＯＣＯＣＨ３）２、ＳｎＣｌ４等が挙げ
られる。　　これらの可溶性錫化合物は、コーティング
材料を基材上に塗布乾燥し、焼成する過程において、ポ
リシラザンやポリシロキサザンと反応し、微粒子状の錫
を析出し、錫微粒子を含有するセラミックス膜を与える
。本発明のコーティング材料においては、その塗布工程
に先立って、あらかじめ錫化合物を反応させることもで
きる。この場合、反応温度は−２５〜２００℃であり、
反応は不活性ガス下で行われる。

【００１３】非可溶性錫化合物としては、酸化錫、トリ
メチルフッ化錫等が挙げられる。本発明では金属錫微粒
子も使用できる。これらのものは、その粒径が０．２μ
ｍ以下の微粒子状で溶液（コーティング材料）中に分散
させる。前記金属錫及び錫化合物の粒径が０．２μｍを
超えるようになると、その屈折率向上効果には問題はな
いものの、得られるセラミックス膜の光透過性（透明性
）が悪くなる。本発明のコーティング材料において、添
加する錫成分（金属錫又は錫化合物）の量は、Ｓｉ／Ｓ
ｎ原子比で、２０００〜０．０１、好ましくは５００〜
０．１の範囲で規定するのが好ましい。錫成分の含有率
が前記範囲より多くなると、ポリマーの特性が損われ、
基材との密着性が損われるようになり、一方、少なすぎ
ると、屈折率向上効果が少なくなる。

【００１４】本発明のコーティング材料における有機溶
媒としては、ポリマー成分を溶解させ得るものであれば
よく、例えば、芳香族炭化水素、脂肪族炭化水素、脂環
式炭化水素等の炭化水素溶媒；ハロゲン化炭化水素；脂
肪族エーテル；脂環式エーテル類が使用できる。好まし
い溶媒は、塩化メチレン、クロロホルム、四塩化炭素、
ブロモホルム、塩化エチレン、塩化エチルデン、トリク
ロロエタン、エチルエーテル、イソプロピルエーテル、
エチルブチルエーテル、ブチルエーテル、１，２−ジオ
キシエタン、ジオキサン、ジメチルジオキサン、テトラ
ヒドロフラン、テトラヒドロピラン、ペンタン、ヘキサ
ン、メチルペンタン、ヘプタン、イソヘプタン、オクタ
ン、イソオクタン、シクロペンタン、メチルシクロペン
タン、シクロヘキサン、メチルシクロヘキサン、ベンゼ
ン、トルエン、キシレン、エチルベンゼン、ピリジン等
である。ポリマー成分の有機溶媒溶液中の濃度は、通常
、１．０〜６０．０重量％、好ましくは５．０〜４０．
０重量％である。

【００１５】本発明のコーティング材料を用いて基材上
にセラミックス膜を形成するには、先ず、コーティング
材料を基材上に塗布乾燥する。塗布方法としては、浸漬
法（ディッピング法）、スピンコート法、ロールコート
法、スプレー法、ハケ塗り法等の従来公知の方法を採用
できる。乾燥温度は、０〜２００℃、好ましくは室温〜
１５０℃である。次に、前記のようにしてコーティング
材料を塗布乾燥したものを、焼成し、基材上にセラミッ
クス膜を形成する。この焼成は大気下で行うことができ
、その温度は、２００℃以上、好ましくは３５０〜８０
０℃である。この焼成によって形成されるセラミックス
膜は、酸化珪素（ＳｉＯ２）を主体とするもので、錫微
粒子又は非溶解性錫化合物が均一に分散し、高屈折率を
示す。基材としては、ポリマーの焼成温度に耐える程度
の耐熱性を有するものであればよく、例えば、金属、セ
ラミックス、ガラス、炭素基材等が挙げられる。

【００１６】

【発明の効果】本発明のコーティング材料を用いること
により、基材上に屈折率の大きい、通常、屈折率１．６
以上のセラミックス膜を形成することができる。しかも
、このセラミックス膜は、ポリシラザン及び／又はポリ
シロキサザンから誘導された酸化珪素を主体とするもの
であることから、基材に対する接着性にすぐれている上
、耐熱性、耐食性及び耐摩耗性においてもすぐれたもの
である。本発明のコーティング材料は、高屈折率のセラ
ミックス膜を与えることから、特に、光学材料の分野、
マイクロエレクトロニクスの分野、航空宇宙産業分野、
自動車産業分野、建築材料分野等において有利に用いら
れる。

【００１７】

【実施例】次に本発明を実施例においてさらに詳細に説
明する。

【００１８】参考例１ 内容積１リットルの四つ口フラスコにガス吹き込み管、
メカニカルスターラー、ジュワーコンデンサーを装置し
た。反応器内部を脱酸素した乾燥窒素で置換した後、四
つ口フラスコに脱気した乾燥ピリジン４９０ｍｌを入れ
、これを氷冷した。次にジクロロシラン５１．６ｇを加
えると白色固体状のアダクト（ＳｉＨ２Ｃｌ２・２Ｃ５
Ｈ５Ｎ）が生成した。反応混合物を氷冷し、撹拌しなが
ら、水酸化ナトリウム管及び活性炭管を通して精製した
アンモニア５１．０ｇを吹き込んだ。反応終了後、反応
混合物を遠心分離し、乾燥ピリジンを用いて洗浄した後
、更に窒素雰囲気下でろ過し、ろ液８５０ｍｌを得た。 ろ液５ｍｌから溶媒を減圧留去すると樹脂固体状ペルヒ
ドロポリシラザン０．１０２ｇが得られた。得られたポ
リマーの数平均分子量はＧＰＣにより測定したところ、
９８０であった。また、このポリマーのＩＲ（赤外吸収
）スペクトル（溶媒：乾燥ｏ−キレン；ペルヒドロポリ
シラザンの濃度：１０．２ｇ／ｌ）を検討すると、波数
（ｃｍ−１）３３５０（見かけの吸光係数ε＝０．５５
７ｌｇ−１ｃｍ−１及び１１７５のＮＨに基づく吸収；
２１７０（ε＝３．１４）のＳｉＨに基づく吸収；１０
２０〜８２０のＳｉＨ及びＳｉＮＳｉに基づく吸収を示
すことが確認された。 またこのポリマーの１ＨＮＭＲ（プロトン核磁気共鳴）
スペクトル（６０ＭＨｚ　溶媒ＣＤＣｌ３／基準物質Ｔ
ＭＳ）を検討すると、いずれも幅広い吸収を示している
ことが確認された。即ちδ４．８及び４．４（ｂｒ，Ｓ
ｉＨ）；１．５（ｂｒ，ＮＨ）の吸収が確認された。

【００１９】参考例２ 参考例１と同一の装置を用いて反応を行った。即ち、参
考例１で示した四つ口フラスコに脱気した乾燥テトラヒ
ドロフラン４５０ｍｌを入れ、これをドライアイス−メ
タノール浴で冷却した。次にジクロロシラン４６．２ｇ
を加えた。 この溶液を冷却し、撹拌しながら無水メチルアミン４４
．２ｇを窒素との混合ガスとして吹き込んだ。反応終了
後、反応混合物を遠心分離し、乾燥テトラヒドロフラン
を用いて洗浄した後、さらに窒素雰囲気下でろ過してろ
液８２０ｍｌを得た。溶媒を減圧留去すると粘性油状Ｎ
−メチルシラザンが８．４ｇ得られた。得られたポリマ
ーの数平均分子量は、ＧＰＣにより測定したところ１１
００であった。

【００２０】参考例３ 内容積１リットルの四つ口スターラーにガス吹き込み管
、メカニカルスターラー、ジュワーコンデンサーを装置
した。反応器内部を脱酸素した乾燥窒素で置換した後、
四つ口フラスコに乾燥ジクロロメタン３００ｍｌ及びメ
チルジクロロシラン２４．３ｇ（０．２１１ｍｏｌ）を
入れ、氷冷した。撹拌しながら、水酸化ナトリウム管及
び活性炭管を通して精製したアンモニア１８．１ｇ（１
．０６ｍｏｌ）を吹き込んだ。反応終了後、反応混合物
を遠心分離し、乾燥ジクロロメタンを用いて洗浄後、更
に窒素雰囲気下でろ過した。ろ液から溶媒を減圧留去す
ると無色透明のメチル（ヒドロ）シラザンを８．８１ｇ
得た。この生成物の数平均分子量はＧＰＣにより測定し
たところ、３８０であった。

【００２１】参考例４ 内容積３００ｍｌの四つ口フラスコにガス吹き込み管、
メカニカルスターラー、ジュワーコンデンサーを装置し
た。四つ口フラスコに乾燥ピリジン１５０ｍｌを入れ、
これを氷冷した。次にジクロロシラン１５．８ｇ（０．
１５６ｍｏｌ）を約１時間かけて加えると白色固体状の
アダクト（ＳｉＨ２Ｃｌ２・２Ｃ５Ｈ５Ｎ）が生成した
。反応混合物を氷冷し、撹拌しながら、アンモニア１５
．７ｇ（０．９２ｍｏｌ）、水０．３３ｇ（０．０１８
ｍｏｌ）を窒素ガスに混合して、約１．５時間かけて吹
き込んた。反応終了後、反応混合物を窒素雰囲気下で遠
心分離し、乾燥塩化メチレンを用いて残分を洗浄し、更
に洗液と遠心分離液とを合わせて窒素雰囲気下で濾過し
た。 濾液にはポリシロキサザンが２．０１ｇ／ｍｌ溶解して
いた。

【００２２】実施例１ 内容積１００ｍｌの四口フラスコにガス吹き込み管、メ
カニカルスターラー、ジュワーコンデンサーを装置した
。反応器内部を脱酸素した乾燥窒素で置換した後、テト
ラメトキシ錫のオルトキシレン溶液（テトラメトキシ錫
の濃度：４．８ｗｔ％）１１．５ｍｌを四つ口フラスコ
に入れ、参考例１で得たペルヒドロポリシラザンのオル
トキシレン溶液（ペルヒドロポリシラザンの濃度：９．
６ｗｔ％）２０．８ｍｌを加え窒素気流下で１００℃で
３時間撹拌しながら反応を行った。得られた反応生成物
のオルトキシレン溶液をスピンコータによってシリコン
基板にコーティングした。このコーティング膜を、大気
中４００℃で２時間焼成したところ、剥離のない均質な
ＳｉＯ２を主体とするセラミックス薄膜を得た。このセ
ラミックス薄膜をＥＤＳによって分析したところ、Ｓｎ
原子が確認された。このセラミックス薄膜の膜厚及び屈
折率をエリプソメータにて測定したところ、膜厚１２６
２Å、屈折率１．９１であった。

【００２３】実施例２ 内容積１００ｍｌの四口フラスコに実施例１と同様に装
置して反応器内部を乾燥窒素で置換した。テトラメトキ
シ錫のピリジン溶液（テトラメトキシ錫の濃度：５．０
ｗｔ％）１０．０ｍｌを四つ口フラスコに入れ、参考例
２で得られたＮ−メチルシラザンのピリジン溶液（Ｎ−
メチルシラザンの濃度：１０．０ｗｔ％）２６．０ｍｌ
を加えて窒素気流下８０℃で３時間撹拌しながら反応を
行った。得られた反応生成物のオルトキシレンに溶媒置
換後、スピンコータでシリコン基板にコーティングした
。このコーティング膜を、大気中４００℃で２時間焼成
したところ、剥離のない均質なセラミックス薄膜が得ら
れた。このセラミックス薄膜の膜厚及び屈折率をエリプ
ソメータで測定したところ、膜厚９５３Å、屈折率１．
８２であった。

【００２４】実施例３ 内容積１００ｍｌの四口フラスコに実施例１と同様に装
置して反応器内部を乾燥窒素で置換した。テトライソプ
ロポキシ錫のオルトキレン溶液（テトライソプロポキシ
錫の濃度：５．０ｗｔ％）１６．０ｍｌを四つ口フラス
コに入れ、参考例３で得られたＮ−メチルヒドロシラザ
ンのオルトキシレン溶液（メチルヒドロシラザンの濃度
：１０．０ｗｔ％）２６．０ｍｌを加えて窒素気流下１
００℃で３時間撹拌しながら反応を行った。得られた反
応生成物のオルトキシレン溶液を、ディップ法によりシ
リコン基板にコーティングした。このコーティング膜を
、大気中４００℃で２時間焼成したところ、剥離のない
均質なセラミックス薄膜が得られた。このセラミックス
薄膜の膜厚及び屈折率をエリプソメータで測定したとこ
ろ、膜厚１０２７Å、屈折率１．８４であった。

【００２５】実施例４ 窒素雰囲気下において参考例１で得られたペルヒドロポ
リシラザンのオルトキシレン溶液（ペルヒドロポリシラ
ザンの濃度；９．６ｗｔ％）２０．８ｍｌに酸化錫超微
粉末（一次粒径０．０５μｍ以下）０．３２ｇを加えて
撹拌した。酸化錫超微粉が充分に分散している状態で、
スピンコータによってシリコン基板にコーティングした
。このコーティング膜を大気中４００℃で２時間焼成し
たところ、透明なセラミックス薄膜を得た。このセラミ
ックス薄膜の膜厚及び屈折率はエリプソメータにて測定
したところ、それぞれ、９１３Å、１．７９であった。

【００２６】比較例１ 参考例１で得られたペルヒドロポリシラザンのｏ−キシ
レン溶液（ペルヒドロポリシラザンの濃度；５．０ｗｔ
％）をスピンコータによってシリコン基板にコーティン
グした。このコーティング膜を大気中で４００℃で焼成
したところ、透明なＳｉＯ２質の薄膜を得た。このセラ
ミック薄膜の膜厚及び屈折率はエリプソメータにて測定
したところ、それぞれ１２８２Å、１．４５であった。

【００２７】比較例２ 窒素雰囲気下において、参考例１で得られたペルヒドロ
ポリシラザンのオルトキシレン溶液（ペルヒドロポリシ
ラザンの濃度：９．６ｗｔ％）２０．８ｍｌに金属錫微
粉末（約５μｍ）０．２６ｇを加え撹拌した。金属錫が
充分に分散している状態でスピンコータによってシリコ
ン基板にコーティングした。このコーティング膜を大気
中４００℃で２時間焼成したところ、セラミックス薄膜
を得た。このセラミックス薄膜の膜厚及び屈折率をエリ
プソメータにて測定したところ、それぞれ、２５６Å、
１．６４であった。このセラミックス薄膜は黒色微粉末
が分散している不透明なものであった。

【００２８】比較例３ 窒素雰囲気下において、参考例１で得られたペルヒドロ
ポリシラザンのオルトキシレン溶液（ペルヒドロポリシ
ラザンの濃度：９．６ｗｔ％）２０．８ｍｌに酸化錫微
粉末（粒径約０．７μｍ）０．３２ｇを加え撹拌した。 酸化錫微粉が充分に分散している状態でスピンコータに
よってシリコン基板にコーティングした。このコーティ
ング膜を大気中４００℃で２時間焼成したところ、セラ
ミックス薄膜を得た。このセラミックス薄膜の膜厚及び
屈折率はエリプソメータにて測定したところ、それぞれ
、８９５Å、１．８２であった。このセラミックス薄膜
は白色微粉が分散している不透明なものであった。

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】　　ポリシラザン及び／又はポリシロキサ
   ザンを含有する溶液に、可溶性錫化合物を溶解させるか
   又は非可溶性錫化合物もしくは金属錫を粒径０．２μｍ
   以下の微粒子状で分散させてなる高屈折率コーティング
   材料。
2. 【請求項２】　　請求項１のコーティング材料を基材表
   面に塗布乾燥した後、焼成することを特徴とする高屈折
   率セラミックス膜の形成方法。
3. 【請求項３】　　金属錫又は非溶解性錫化合物を粒径０
   ．２μｍ以下の微粒子状で含有する酸化珪素を主体とす
   るセラミックス膜。