CN104379347A - 显示元件及其制造方法 - Google Patents

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Abstract

本发明的显示元件包含：基底膜；和在所述基底膜的至少一个表面上形成的阻挡层，其中，所述阻挡层包含第一无机层，并且所述第一无机层包含SiOx(1.5≤x≤2.5)作为含有氢化聚环氧硅氮烷的涂布溶液的固化剂。

Description

显示元件及其制造方法
技术领域
本发明涉及显示元件及其制造方法。
背景技术
通常，玻璃板(pane glass)一般用作液晶显示面板、等离子体显示器、电致发光(EL)显示器、荧光显示板和发光二极管的显示元件的电极基板。然而，平板玻璃易碎，不具有弹性，并且具有高比重以及在减小厚度和重量上的限制。为了解决平板玻璃的这种问题，塑料膜已引起人们注意。由于塑料膜重量轻，不易碎，并且允许厚度减小，因此塑料膜可用作能够应对显示装置的尺寸增加的有效材料。
然而，由于塑料膜比玻璃具有更高的透气性，因此在基板中使用塑料膜的显示装置易受到氧或水蒸气渗透的影响，导致显示装置的发光效率劣化。
因此，已经尝试了通过在塑料膜上形成有机材料或无机材料的气体阻挡膜将氧或水蒸气的影响最小化。对于该气体阻挡膜，在相关领域中通常使用无机材料，例如硅氧化物(SiOx)、铝氧化物(AlxOy)、钽氧化物(TaxOy)和钛氧化物(TiOx)等。通过真空沉积(例如等离子体增强化学气相沉积和溅射法)、或溶胶-凝胶法将这些气体阻挡膜涂布在塑料膜的表面上。
该气体阻挡膜可具有不同结构，例如由无机材料形成的单层结构、有机层和无机层的双层结构、有机层/无机层/有机层或者无机层/有机层/无机层的三层结构、具有相同结构的多个层的多层结构等，其中有机层起到防止在无机层中产生的膜缺陷传到其它无机层的作用，而不是提供气体阻挡特性。
日本专利1994-0031850和2005-0119148公开了一种塑料膜，该塑料膜包含通过溅射直接涂布在其表面上的无机层。然而在该情况中，因为该塑料膜和无机层在弹性系数、热膨胀系数、曲率半径等方面显著不同，所以由于弯曲或者加热或者来自外部的反复推压导致的应力，在其间的界面处产生了裂缝，从而导致了无机层容易与塑料膜分层。日本专利2004-0082598公开了一种使用由有机层和无机层组成的多层气体阻挡膜的方法。然而，由于存在具有不同性能的层，或者层间分离的高度可能性，该方法也导致了层之间的界面处的裂缝。此外，由于常规气体阻挡膜是在高真空中通过沉积形成，因此需要昂贵的设备，并且高真空度需要很长时间的抽空，从而提供了经济不可行性。
发明内容
【技术问题】
本发明的一个方面提供了阻挡层和使用该阻挡层的显示元件，该阻挡层具有优异的气体阻挡性能，允许在短时间内制造，显示了在挠曲性、透明度以及与基板的紧密接触方面优异的性能，可防止加热时对基板的损害并且无裂缝。
本发明的另一个方面提供了阻挡层和使用该阻挡层的显示元件，该阻挡层具有高度的膜密度以提供对氧和水蒸气的优异的阻挡性能。
本发明的再一个方面提供了阻挡层和使用该阻挡层的显示元件，该阻挡层无裂缝和变形，并且在热稳定性、可加工性和表面硬度方面具有改善的性能。
本发明的又一个方面提供了阻挡层和使用该阻挡层的显示元件，该阻挡层相对于通过干燥法形成的其它无机层显示了相容性。
本发明的又一个方面提供了显示元件的制造方法，该显示元件可易于制造。
【技术方案】
本发明的一个方面涉及显示元件。该显示元件包含基底膜；和在所述基底膜的至少一个表面上形成的阻挡层，其中所述阻挡层包含第一无机层，并且所述第一无机层为含有氢化聚环氧硅氮烷(polysiloxazane)的涂布溶液的固化产物并且包含SiOx(1.5≤x≤2.5)。
在一个实施方式中，按照ASTM F-1249测量，所述阻挡层可具有约0.09g/m2/天或更小的水蒸气渗透率。
所述显示元件可进一步包含在所述阻挡层之下形成的缓冲层。
在另一个实施方式中，所述显示元件包含基底膜；第一无机层，所述第一无机层在所述基底膜上形成并且包含SiOx(1.5≤x≤2.5)；和第二无机层，所述第二无机层在所述第一无机层之下形成同时直接邻接所述第一无机层，所述第二无机层包含选自由硅氧化物、氮氧化物、硅氮氧化物、铝氧化物、钽氧化物、钛氧化物和它们的混合物组成的组之中的一种材料，其中所述第一无机层具有500nm或更小的厚度，并且，按照ASTM F-1249测量，所述显示元件具有0.01g/m2/天或更小的水蒸气渗透率。
所述第一无机层可由含有氢化聚环氧硅氮烷的涂布溶液的固化产物形成，并且所述第二无机层可通过物理沉积或化学沉积形成。
在又一个实施方式中，所述显示元件可进一步包含在所述第二无机层之下形成的缓冲层。
按照ASTM F-1249测量，所述显示元件可具有约0.005g/m2/天或更小的水蒸气渗透率。
所述缓冲层可为有机-无机混合层或者有机层。在一些实施方式中，所述有机-无机混合层可为聚氨酯混合聚硅氮烷的固化产物。
本发明的另一个方面涉及显示元件的制造方法。该方法包含用含有氢化聚环氧硅氮烷的涂布溶液在基底膜的至少一个表面上形成涂层；和固化该涂层以形成包含SiOx(1.5≤x≤2.5)的第一无机层。
所述氢化聚环氧硅氮烷可包含由通式1表示的单元、由通式2表示的单元和由通式3表示的端基。
[通式1]
[通式2]
[通式3]
*一Si H3
(在通式1和2中，R1至R7各自独立地为氢、取代或未取代的C1至C30烷基、取代或未取代的C3至C30环烷基、取代或未取代的C3至C30芳基、取代或未取代的C3至C30芳烷基、取代或未取代的C3至C30杂烷基、取代或未取代的C3至C30杂环烷基、取代或未取代的C3至C30烯基、取代或未取代的烷氧基、取代或未取代的羰基、羟基、或它们的组合。)
所述氢化聚环氧硅氮烷可包含约0.2wt％至约3wt％的氧。
所述氢化聚环氧硅氮烷可具有约1000g/mol至约5000g/mol的重均分子量(Mw)。
所述涂布溶液可包含约0.1wt％至约50wt％的所述氢化聚环氧硅氮烷。
可通过UV照射、等离子体处理或热处理进行所述涂层的固化，以使按照ASTMF-1249测量，所述第一无机层具有约0.09g/m2/天或更小的水蒸气渗透率。
可将所述涂布溶液涂布至约5nm至约3μm的厚度。
在其它实施方式中，所述方法可进一步包含在所述基底膜的至少一个表面上形成第二无机层，所述第二无机层包含硅氧化物、氮氧化物、硅氮氧化物、铝氧化物、钽氧化物和钛氧化物中的至少一种，其中所述第一无机层在所述第二无机层上形成。
在其它实施方式中，所述方法可进一步包含在形成所述涂层之前在所述基底膜上形成缓冲层。
【有益效果】
本发明提供了阻挡层，所述阻挡层具有优异的气体阻挡性能，允许在非真空条件下湿涂以在短时间内成形，显示了在在挠曲性、透明度以及与基板的紧密接触方面优异的性能，可防止加热时对基板的损害，无裂缝，相对于通过干燥法形成的其它无机层显示了相容性，并且可易于制造。本发明还提供了使用该阻挡层的显示元件以及制造该阻挡层的方法。
附图说明
图1为根据本发明的一个实施方式的显示元件的截面示意图。
图2为根据本发明的另一个实施方式的显示元件的截面示意图。
图3为根据本发明的再一个实施方式的显示元件的截面示意图。
图4为根据本发明的又一个实施方式的显示元件的截面示意图。
图5为根据本发明的又一个实施方式的显示元件的截面示意图。
图6显示了在初始弯曲的测量中的最大高度。
具体实施方式
【最佳方式】
下文，将参考附图详细说明本发明的实施方式。应理解的是，本发明不限于以下实施方式并且可以不同方式体现，并且给出以下实施方式以提供本发明的完全公开并使本领域技术人员彻底理解本发明。同样地，应注意的是，附图不是按精确比例，为了在附图中描述的清楚，放大了一些尺寸，例如宽度、长度、厚度等。虽然为了方便描述，在附图中说明了一些元件，但是本领域技术人员将会容易理解其它元件。应注意的是全部附图都是从观察者的角度说明的。应理解的是，当一个元件被提及在另一个元件“上”时，该元件可直接在另一元件上形成，或者在它们之间也可存在中间元件。此外，应理解的是，本发明可由本领域技术人员以不同方式实现而不背离本发明的范围。相同的附图标记始终指代相似的元件。
此外，应理解的是，“在另一层上形成的某一层”的表达是指层的位置，并且不仅包含一层直接堆叠在另一层之上的结构，而且还包含在它们之间存在中间层的结构。
如本文使用的，湿阻挡层是指通过涂布液体涂布溶液形成的层，并且干阻挡层是指通过诸如溅射、化学气相沉积、等离子体增强CVD等物理沉积或化学沉积形成的层。
此外，缓冲层是指用于减轻或补偿基底膜和无机层的不同性能的层。
显示元件
根据本发明，显示元件包含基底膜；和在基底膜的至少一个表面上形成的阻挡层。
在一个实施方式中，阻挡层包含第一无机层。
在另一个实施方式中，阻挡层包含第二无机层和第一无机层。
在再一个实施方式中，阻挡层包含缓冲层、第二无机层和第一无机层。
在又一个实施方式中，阻挡层包含缓冲层和第一无机层。
在一些实施方式中，第一无机层为含有氢化聚环氧硅氮烷的涂布溶液的固化产物，并且可包含SiOx(1.5≤x≤2.5)。
此外，当使用纳米压痕器测量时，显示元件在25℃下可具有约50Gpa至约60GPa的模量。在该范围内，显示元件可使初始弯曲最小而不会产生裂缝。如本文使用的，术语模量指的是使用纳米压痕器Ti 750 Ubi(Hysitron Co.,Ltd.)在室温下测量的值。这里，除非另外明确规定，术语室温指的是25℃±3℃。
在一些实施方式中，第一无机层可通过固化涂布溶液形成，涂布溶液含有氢化聚环氧硅氮烷和溶剂。
氢化聚环氧硅氮烷包含硅-氮(Si-N)键单元和硅-氧-硅(Si-O-Si)键单元。该硅-氧-硅(Si-O-Si)键单元可通过在固化过程中减轻应力而降低收缩率。
在一些实施方式中，氢化聚环氧硅氮烷可包含由通式1表示的单元、由通式2表示的单元和由通式3表示的端基。
[通式1]
[通式2]
[通式3]
*-Si H3
在通式1和2中，R1至R7各自独立地为氢、取代或未取代的C1至C30烷基、取代或未取代的C3至C30环烷基、取代或未取代的C3至C30芳基、取代或未取代的C3至C30芳烷基、取代或未取代的C3至C30杂烷基、取代或未取代的C3至C30杂环烷基、取代或未取代的C3至C30烯基、取代或未取代的烷氧基、取代或未取代的羰基、羟基、或它们的组合。
如本文使用的，术语“取代的”指的是氢原子被卤素原子、羟基、硝基、氰基、氨基、叠氮基、脒基、肼基、羰基、氨基酰基、巯基、酯基、羧基或其盐、磺酸基或其盐、磷酸基或其盐、C1至C20烷基、C2至C20烯基、C2至C20炔基、C1至C20烷氧基、C6至C30芳基、C6至C30芳氧基、C3至C30环烷基、C3至C30环烯基、C3至C30环炔基或它们的组合所取代。
氢化聚环氧硅氮烷可含约0.2wt％至约3wt％的氧。在该氧含量的范围内，氢化聚环氧硅氮烷可通过在该结构中的硅-氧-硅(Si-O-Si)键确保充分的应力消除以防止热处理时固化产物的收缩，并且可防止阻挡层产生裂缝。优选地，氢化聚环氧硅氮烷包含约0.4wt％至约2.5wt％的氧，更优选约0.5wt％至约2wt％的氧。
此外，氢化聚环氧硅氮烷具有用氢封端的端基，并且可包含15wt％至35wt％的由通式3表示的端基。在该端基的含量范围内，氢化聚环氧硅氮烷可通过防止SiH3转化为SiH4来防止固化产物的收缩，且防止分散，同时允许固化时的充分氧化，并且可防止阻挡层产生裂缝。优选地，相对于全部端基的总量，氢化聚环氧硅氮烷包含约20wt％约30wt％的由通式3表示的端基。
氢化聚环氧硅氮烷可具有约1000g/mol至约5000g/mol的重均分子量(Mw)。在该重均分子量的范围内，氢化聚环氧硅氮烷允许通过膜涂布同时降低氢化聚环氧硅氮烷中可蒸发成分的含量而形成致密阻挡层，所述可蒸发成分可在热处理过程中被蒸发。优选地，氢化聚环氧硅氮烷具有约1500g/mol至约3500g/mol的重均分子量(Mw)。
基于涂布溶液的总量，氢化聚环氧硅氮烷的含量可为约0.1wt％至约50wt％。在氢化聚环氧硅氮烷的该范围内，涂布溶液可保持合适的粘度并且可顺利并均匀地被涂布而没有起泡和空隙。
溶剂可选自不与氢化聚环氧硅氮烷反应并且可溶解氢化聚环氧硅氮烷的任何溶剂。当溶剂包含OH基时，溶剂可与氢化聚环氧硅氮烷反应，因此希望溶剂不含-OH基。例如，溶剂可包含烃类溶剂，例如脂族烃、脂环烃、芳烃等；卤代烃溶剂；和醚，例如脂族醚、脂环醚等。具体地，溶剂的实例包含烃类，例如戊烷、己烷、环己烷、甲苯、二甲苯、Solvesso、Taben等；卤代烃，例如二氯甲烷、三氯乙烷等；和醚，例如二丁醚、二氧六环、四氢呋喃等。可考虑氢化聚环氧硅氮烷的溶解性或者溶剂的蒸发速率适当地选择溶剂，并且可混合多种溶剂。
涂布溶液可进一步包含热生酸剂(TAG)。热生酸剂是一种用于促进氢化聚环氧硅氮烷的生长和防止由于未固化的氢化聚环氧硅氮烷的污染的添加剂，它允许氢化聚环氧硅氮烷在相对较低温度下生长。虽然热生酸剂可选自通过加热能够产生氢离子(H+)的任何化合物，但是热生酸剂也可选自能够在约90℃或更高温度下活化以产生足够的氢离子并且呈现低挥发性的化合物。例如，这种热生酸剂可选自硝基苄基甲苯磺酸酯、硝基苄基苯磺酸酯、苯酚磺酸酯和它们的组合中。基于涂布溶液的总量，热生酸剂的含量可为约25wt％或更少，例如，约0.01wt％至约20wt％。在该含量范围内，热生酸剂能够使氢化聚环氧硅氮烷在相对较低温度下生长。这里，为了提供优良的气体阻挡性能，涂布溶液不包含有机成分。
根据本发明，涂布溶液可进一步包含表面活性剂。根据本发明，可使用任何表面活性剂而无限制，并且表面活性剂的实例可包含：非离子表面活性剂，例如，包含聚氧乙烯月桂醚、聚氧乙烯硬脂醚、聚氧乙烯醚、聚氧乙烯油基醚等的聚氧乙烯烷基醚，包含聚氧乙烯壬基酚醚等的聚氧乙烯烷基烯丙基醚，聚氧乙烯聚氧丙烯嵌段共聚物，包含山梨醇酐单月桂酸酯、山梨糖醇酐单棕榈酸酯、山梨糖醇酐单硬脂酸酯、山梨糖醇单油酸酯等的聚氧乙烯山梨糖醇酐脂肪酸酯；氟表面活性剂，例如F-Top EF301、EF303、EF352(Tohchem Products Co.,Ltd.)、MegapackF171、F173(Dainippon Ink & Chemicals Inc.)、Fluorad FC430、FC431(Sumitomo 3MCo.,Ltd.)、Asahi Guard AG710、Surflon S-382、SC101、SC102、SC103、SC104、SC105、SC106(Asahi Glass Co.,Ltd.)等；有机硅表面活性剂，例如有机硅氧烷聚合物KP341(Shin-Etsu Chemical Co.,Ltd.)等。基于涂布溶液的总量，表面活性剂的含量可为约10wt％或更少，例如，约0.001wt％至约5wt％。涂布溶液可不含有机成分从而获得改善的气体阻挡性能。
可通过辊涂、旋涂、浸涂、流涂、喷涂等将涂布溶液涂布在基底膜上，但不限于此。
可将涂布溶液涂布至约5nm至约3000nm的厚度，但不限于此。在该厚度范围内，涂布溶液提供了优异的气体阻挡性能而无裂缝。例如，可将涂布溶液涂布至约20nm至约600nm的厚度，优选从约100nm至约300nm。
然后，可通过UV照射、等离子体处理、热处理或它们的组合固化涂层。这里，“固化”过程指的是通过将氢化聚环氧硅氮烷转化为SiOx(1.5≤x≤2.5)的陶瓷化过程。
在一个实施方式中，涂层可被热处理。在该情况中，虽然加热温度取决于基底膜的耐热性，但是当基底膜由诸如PET或PEN的低耐热材料形成时，涂层可在120℃或更低的低加热温度下经受热处理。此外，当将平坦化层或缓冲层涂布在塑料膜上时，要考虑这些层的耐热性来确定加热温度。
虽然通过该热处理将氢化聚环氧硅氮烷陶瓷化，但是很难通过简单地加热到150℃或更低温度而获得由氢化聚环氧硅氮烷到陶瓷材料的充分转化。因此，可应用UV照射、等离子体处理或在高温下干燥从而增加向硅氧化物的转化率。
优选地，进行真空UV处理。具体地，对于真空UV处理，在真空条件下使用约100nm至约200nm的波长的UV光。在真空UV处理中，可适当确定UV光的辐照度和辐射曝光量。在一个实施方式中，可在约10mW/cm2至约200mW/cm2的辐照度和约100mJ/cm2至约6000mJ/cm2的辐射曝光量(优选在约1000mJ/cm2至约5000mJ/cm2)下进行真空UV处理约0.1至5分钟。
可在大气压下或者在真空中进行等离子体处理。然而，为了确保持续的等离子体处理同时降低加工成本，在大气压下进行等离子体处理较方便。对于大气压等离子体处理，使用氮气、氧气或它们的混合物，优选使用氧气。在该情况中，用等离子体照射基底膜，所述等离子体通过允许气体穿过两极之间的空隙而产生。或者，对于置于两极之间的基底膜，等离子体通过允许气体穿过两极之间的空隙而产生。这里，在约0.01L/min至约100L/min的流速下供给气体。以约0.1m/min至约1000m/min移动基底膜。对于真空等离子体处理，使用氮气、氧气或它们的混合物，优选使用氧气。在该情况中，通过被置于具有约20Pa至约50Pa的真空度的封闭空间中的电极或波导，将直流电、交流电、无线电波或微波功率施加至电极或波导以产生等离子体。在约100W至约5000W的功率输出下进行等离子体处理。此外，等离子体处理进行约1分钟至约30分钟。
此外，可在高湿和低温条件下通过热处理固化氢化聚环氧硅氮烷。在该情况中，在约40℃至约350℃的温度和约50％至约100％的相对湿度下进行热处理。在该范围内，可能获得氢化聚环氧硅氮烷到陶瓷材料的充分转化而不产生裂缝。
将含有氢化聚环氧硅氮烷的涂布溶液涂布到基底膜、缓冲层或第二无机层上(所述第二无机层为干阻挡层)，随后固化，从而形成第一无机层。干阻挡层可通过溅射、化学沉积、等离子体化学沉积等由硅氧化物、氮氧化物、硅氮氧化物、铝氧化物、钽氧化物、钛氧化物等形成，并且被称为第二无机层。
在一些实施方式中，将涂布溶液涂布到基底膜的至少一个表面上以形成涂层，随后固化涂层以使其按照ASTM F-1249测量具有约0.09g/m2/天或更小的水蒸气渗透率，从而提供气体阻挡膜。
在一个实施方式中，第一无机层21可直接邻接基底膜而在其间没有其他中间层。
图1为根据本发明的一个实施方式的显示元件的截面示意图。如图所示，根据本发明的该实施方式的显示元件100包含基底膜10；和在基底膜的至少一个表面上形成的本发明的第一无机层21。虽然第一无机层21被阐述为在基底膜10的一个表面上形成，但是第一无机层21可在基底膜10的两个表面上形成。当阻挡层仅由第一无机层单独组成时，按照ASTM F-1249测量，显示元件可具有0.1g/m2/天的水蒸气渗透率，例如，约0.09g/m2/天或更小。
基底膜可包含涂布在其上的缓冲层。图2为根据本发明的另一个实施方式的显示元件的截面示意图。如图所示，根据该实施方式的显示元件200包含基底膜10，涂布在基底膜10上的缓冲层15，和在缓冲层15上形成的本发明的第一无机层21。即，根据该实施方式的显示元件具有层压结构，其中依次堆叠基底膜10、缓冲层15和第一无机层21。在该情况中，按照ASTM F-1249测量，显示元件可具有约0.09g/m2/天的水蒸气渗透率。
在又一个实施方式中，在第一无机层21的另一个表面上可形成缓冲层。图3为根据本发明的又一个实施方式的显示元件的截面示意图。如图所示，根据该实施方式的显示元件300包含基底膜10，在基底膜10上形成的本发明的第一无机层21，和在第一无机层21上形成的缓冲层25。即，根据该实施方式的显示元件具有层压结构，其中依次堆叠基底膜10、第一无机层21和缓冲层层25。
第一无机层21可具有约5nm至约3000nm的厚度，优选约5nm至约500nm，更优选约100nm至约300nm。在该厚度范围内，可形成薄膜，并且可能改善阻挡性能和破裂性能。
虽然没有具体限制，但是优选具有优异耐热性和低热膨胀系数的高耐热塑料膜作为基底膜10。例如，基底膜10可选自由聚醚砜膜、聚碳酸酯膜、聚酰亚胺膜、聚醚酰亚胺膜、聚丙烯酸酯膜、聚萘二甲酸乙二醇酯膜和聚酯膜组成的组中的至少一种，但不限于此。这些材料的至少两种可在单层中混合或者可构成互相堆叠的单独的层。
基底膜10可具有约20μm至约150μm的厚度，优选约70μm至约100μm。在该厚度范围内，基底膜在机械强度、挠曲性、透明度、耐热性等方面呈现优异的性能。基底膜10可进一步包含无机填料。无机填料可包含，例如，硅氧化物、板状或球形玻璃片、包含纳米粘土颗粒的颗粒、玻璃布等。这些可单独使用或者以它们的组合使用。基底膜可具有约20ppm/℃至约100ppm/℃的热膨胀系数(CTE)。
缓冲层15、25的材料和形成方法可被本领域技术人员容易地采用并实现。
作为缓冲层15、25，可优选使用包含硅氧化物纳米颗粒、硅氧化物溶胶、硅氧烷、硅氮烷或硅氧氮烷的有机-无机混合层或者有机层。
有机-无机混合层可由选自由聚环氧树脂、聚酯树脂、聚亚克力树脂、聚氨酯树脂和它们的混合物组成的组中的一种材料形成。在一些实施方式中，可通过将硅氧化物纳米颗粒、硅氧化物溶胶、硅氧烷、硅氮烷或硅氧氮烷与丙烯酸化合物混合并且固化该混合物，或者通过固化硅氧烷、硅氮烷或硅氧氮烷修饰的丙烯酸共聚物，而形成有机-无机混合层。或者，可将聚氨酯混合聚硅氮烷用于有机-无机混合层。其中，聚氨酯混合聚硅氮烷在防止由无机层组成的阻挡膜的裂缝和变形、相对于无机层的改善的热稳定性、可加工性、透气性、表面粗糙度和相容性方面是优选的。可通过热固化或UV固化进行固化。优选使用UV固化。当使用包含硅氧化物纳米颗粒、硅氧化物溶胶、硅氧烷、硅氮烷或硅氧氮烷的有机-无机混合层作为缓冲层时，可能防止膜的裂缝和变形，同时确保相对于无机层的进一步改善的热稳定性、可加工性、透气性、表面粗糙度和相容性。
有机层可由选自由聚环氧树脂、聚酯树脂、聚压克力树脂、聚氨酯树脂和它们的混合物组成的组中的一种材料形成。
缓冲层可具有10nm至5000nm的厚度，优选200nm至2,000nm。在该厚度范围内，缓冲层可消除基底膜和无机阻挡层之间的模量差以改善破裂性能并且防止气体阻挡膜的裂缝和变形，同时确保气体阻挡膜的平坦化。
由于本发明的第一无机层呈现优异的气体阻挡性能，因此可能使用单层结构代替由重复有机层/无机层的双层结构或者有机层/无机层/有机层或无机层/有机层/无机层的三层结构形成的典型的多层阻挡层结构来实现阻挡层。
图4为根据本发明的又一个实施方式的显示元件的截面示意图。如图所示，根据该实施方式的显示元件400包含基底膜10和在基底膜的至少一个表面上堆叠的阻挡层20。虽然阻挡层20显示为在基底膜10的一个表面上形成，但是阻挡层20可在基底膜10的两个表面上形成。在该情况中，阻挡层20由第一无机层21和第二无机层22组成。在一些实施方式中，阻挡层20的第二无机层22在基底膜上形成，并且第一无机层21在第二无机层22上形成。第一无机层21由源自氢化聚环氧硅氮烷的SiOx(1.5≤x≤2.5)形成。
第二无机层22可由硅氧化物、氮氧化物、硅氮氧化物、铝氧化物、钽氧化物、钛氧化物等形成。这些可单独使用或者以它们的组合使用。
第二无机层22可通过溅射、化学沉积、等离子体化学沉积等形成，并且被称为干阻挡层。干阻挡层具有约5nm至约1,000nm的厚度，优选约10nm至约500nm，更优选约20nm至约300nm的厚度。在该厚度范围内，第二无机层可确保优异的透光率和挠曲性。
以此方式，当在第二无机层(即干阻挡层)上形成源自氢化聚环氧硅氮烷的第一无机层21时，可能除去或减少在第二无机层22上的针孔和裂缝。即，包含氢化聚环氧硅氮烷的涂布溶液渗入在第二无机层22上形成的针孔和裂缝之间的空隙中，从而通过自愈合效应改善膜密度同时阻挡氧和水蒸气。照此，由于在第二无机层上形成的源自氢化聚环氧硅氮烷的第一无机层21可防止针孔或裂缝在第二无机层22(其为干阻挡层)的晶界中形成，因此第一无机层21可以最小厚度改善对水蒸气的阻挡。具体地，当将氢化聚环氧硅氮烷薄薄地涂布在第二无机层22上时，氢化聚环氧硅氮烷呈现改善的粘附性并且未转化的氢化聚环氧硅氮烷防止了膜破裂并增加了膜密度，同时调整了硅氧化物转化率。
在一些实施方式中，当阻挡层由第一无机层21和第二无机层22组成时，按照ASTM F-1249测量，显示元件可具有约0.01g/m2/天或更小的水蒸气渗透率，例如约0.009g/m2/天或更小。
虽然未显示，基底膜10可包含在其上形成的平坦化层或缓冲层。
图5为根据本发明的又一个实施方式的显示元件的截面示意图。如图所示，根据该实施方式的显示元件500包含基底膜10和在基底膜的至少一个表面上形成的阻挡层20。虽然阻挡层20被阐述为在基底膜10的一个表面上形成，但是阻挡层20可在基底膜10的两个表面上形成。
阻挡层可具有其中在基底膜10上依次堆叠缓冲层15、相当于干阻挡层的第二无机层22和相当于湿阻挡层的第一无机层21的结构。作为湿阻挡层，可使用本发明的第一无机层21。
在该情况中，缓冲层15可为有机-无机混合层，并且插在由有机材料形成的基底膜10和由无机材料形成的第二无机层22之间以在其间提供缓冲作用。以此方式，当在基底膜10和第二无机层22之间形成缓冲层15时，可能防止膜的裂缝和变形，同时确保在热稳定性、可加工性、透气性、表面硬度和相容性方面比气体阻挡层优异的性能。由于基底膜10和第二无机层22之间的热膨胀系数不同(即干阻挡层)，阻挡膜可在基板加工中产生裂缝、剥离和褪色。然而，当由有机-无机混合层形成的缓冲层15插在基底膜和第二无机层22之间时，缓冲层15可减轻在其间的界面处的应力，从而补充或减轻由有机材料形成的基底膜和第二无机层22之间的不同性能。缓冲层15可形成为约5μm或更小的厚度，例如，在约1μm至约3μm的范围内。在缓冲层的该厚度范围内，可能防止膜的裂缝或变形，同时确保在热稳定性、可加工性、透气性、表面硬度和相容性方面获得比气体阻挡层优异的性能。
在一个实施方式中，当阻挡层由缓冲层、第二无机层和第一无机层组成时，按照ASTM F-1249测量，显示元件可具有约0.005g/m2/天或更小的水蒸气渗透率。
下文，将参照一些实施例更详细地描述本发明。然而，应理解的是，提供这些实施例仅用于说明，并且不以任何方式解释为限制本发明。为清楚起见，将省略对于本领域技术人员显而易见的细节描述。
【发明方式】
实施例
制备例1：涂布溶液1的制备
2L的带有搅拌器和温度控制器的反应器的内部被干燥氮气填充。然后，将通过充分混合2.0g纯水与1,500g干燥吡啶而制备的混合物放置在反应器中并且将其保持在5℃下。然后，在超过1小时的时间内将100g的二氯甲硅烷缓慢加入反应器中。然后，将70g的氨缓慢加入混合物中同时搅拌该混合物。接着，将干燥氮气供入反应器中30分钟，并且从反应器中除去氨。
通过在干燥氮气气氛中使经过所得的具有白色浆态相的物质通过具有1μm孔径的Teflon过滤器过滤而获得1,000g的滤液。然后，在向该滤液加入1,000g干燥二甲苯之后，将使用旋蒸仪将溶剂由吡啶替换为二甲苯的操作重复三次直到获得溶液中20％的固含量，随后通过具有0.03μm孔径的Teflon过滤器过滤所得物质，从而制备氢化聚环氧硅氮烷。制得的氢化聚环氧硅氮烷含有用FlashEA 1112(Thermo FisherScientific Inc.)测量的0.5wt％的氧，和用质子NMR(AC-200,Bruker Co.,Ltd)测量的基于端基总量的20wt％的SiH3端基，并且具有用GPC(HPLC Pump 1515,RI Detector2414,Waters Co.,Ltd.)和Colum:KF801,KF802,KF803(Shodex Co.,Ltd.)测量的2,000g/mol的重均分子量。
制备例2：涂布溶液2的制备
除了将1.1g纯水与1,500g干燥吡啶混合以外，以与制备例1相同的方法制备涂布溶液。制得的氢化聚环氧硅氮烷含有2.1wt％的氧和基于端基总量的19wt％的SiH3端基，并且具有2,700g/mol的重均分子量。
制备例3：涂布溶液3的制备
除了在反应器中通过混合0.3g纯水与1,500g干燥吡啶制备混合物并且将其保持在20℃下以制备混合物以外，以与制备例1相同的方法制备涂布溶液。制得的氢化聚环氧硅氮烷含有0.4wt％的氧和基于端基总量的30wt％的SiH3端基，并且具有2,600g/mol的重均分子量。
制备例4：涂布溶液4的制备
通过向100g的混有0.3g的95％醋酸的蒸馏水中加入25.62g的硅酸四乙酯(TEOS,Sigma-Aldrich Co.)，随后加入甲基三甲氧基硅烷(MTMS,KBM503,Shin-Etsu K.K.)同时搅拌混合液，制备涂布溶液4作为有机/无机混合溶液。这里，硅酸四乙酯与甲基三甲氧基硅烷的摩尔比为1:2。
制备例5：涂布溶液5的制备
通过将60wt％的聚氨酯类聚硅氮烷混合物(HSU 300B,Clariant AG)与40wt％的醋酸丁酯(Samchun Pure Chemical Co.,Ltd.)混合，随后在2,000rpm下搅拌该混合物20分钟，制备用于缓冲层的涂布溶液。
制备例6：涂布溶液6的制备
使用20wt％的聚硅氮烷NL110A(AZ Electric Materials)的二甲苯溶液。
实施例1
通过旋涂将涂布溶液1涂布在125μm的PEN基底膜(TEONEX PQDA5,TeijinDupont Co.,Ltd.)上。在1,000rpm下进行旋涂20秒，随后在对流式烘箱中于80℃下干燥3分钟。然后，使用真空UV辐照器(Model CR403,SMT Co.,Ltd.)在14mW/cm2的辐照度下照射涂层143秒以具有2,000mJ/cm2的辐射曝光量。接着，在对流式烘箱中于120℃下干燥涂层1小时，从而形成500nm厚的第一无机层作为阻挡层。
实施例2
通过旋涂将涂布溶液1涂布在125μm的PEN基底膜(TEONEX PQDA5,TeijinDupont Co.,Ltd.)上。具体地，在1,000rpm下进行旋涂20秒，随后在对流式烘箱中于80℃下干燥3分钟。然后，在1,000rpm下再次进行旋涂20秒，随后在对流式烘箱中于80℃下干燥3分钟。以此方式，重复旋涂共5次，随后在对流式烘箱中于80℃下干燥3分钟，从而形成涂层。然后，使用真空UV辐照器(Model CR403,SMT Co.,Ltd.)在14mW/cm2的辐照度下照射涂层143秒以具有2,000mJ/cm2的辐射曝光量。接着，在对流式烘箱中于120℃下干燥涂层1小时，从而形成具有3μm的总厚度的第一无机层作为阻挡层。
实施例3
除了使用真空UV辐照器(Model CR403,SMT Co.,Ltd.)在14mW/cm2的辐照度下照射涂层286秒以具有4,000mJ/cm2的辐射曝光量以外，以与实施例1相同的方法进行该步骤。
实施例4
除了使用涂布溶液2代替涂布溶液1以外，以与实施例1相同的方法进行该步骤。
实施例5
除了使用涂布溶液3代替涂布溶液1以外，以与实施例1相同的方法进行该步骤。
实施例6
通过旋涂将涂布溶液5涂布在100μm的PEN基底膜(TEONEX PQDA5,TeijinDupont Co.,Ltd.)上。在1,500rpm下进行旋涂20秒，随后在对流式烘箱中于150℃下干燥20分钟以形成300nm厚的涂层。然后，通过旋涂将涂布溶液1涂布在该涂层上。这里，在1,500rpm下进行旋涂20秒，随后在对流式烘箱中于80℃下干燥3分钟。然后，使用真空UV辐照器(Model CR403,SMT Co.,Ltd.)在14mW/cm2的辐照度下照射涂层143秒以具有2,000mJ/cm2的辐射曝光量。接着，在对流式烘箱中于120℃下干燥涂层1小时，从而形成220nm厚的第一无机层作为阻挡层。
实施例7
通过旋涂将涂布溶液5涂布在100μm的PEN基底膜(TEONEX PQDA5,TeijinDupont Co.,Ltd.)上。在1,500rpm下进行旋涂20秒，随后在对流式烘箱中于150℃下干燥20分钟以形成300nm厚的涂层。然后，通过旋涂将涂布溶液1涂布在该涂层上。这里，在1,500rpm下进行旋涂20秒，随后在对流式烘箱中于80℃下干燥3分钟。然后，以相同的方法再次涂布涂布溶液1。然后，使用真空UV辐照器(Model CR403,SMTCo.,Ltd.)在14mW/cm2的辐照度下照射涂层143秒以具有2,000mJ/cm2的辐射曝光量。接着，在对流式烘箱中于120℃下干燥涂层1小时，从而形成540nm厚的第一无机层作为阻挡层。
实施例8
通过旋涂将涂布溶液5涂布在100μm的PEN基底膜(TEONEX PQDA5,TeijinDupont Co.,Ltd.)上。在1,500rpm下进行旋涂20秒，随后在对流式烘箱中于150℃下干燥20分钟以形成300nm厚的涂层。然后，使用溅射设备在其上形成SiOx(1.5≤x≤2.5)层。具体地，在1.8mTorr的真空中，于0.1mpm的速度和3.5kW的功率下使用Si靶通过反应溅射形成100nm厚的第二无机层，同时注入O2，其中将PEM(等离子体发射监控)的设定点设置到2.5。然后，通过旋涂将涂布溶液1涂布在第二无机层上。在1,500rpm下进行旋涂20秒，随后在对流式烘箱中于80℃下干燥3分钟。然后，使用真空UV辐照器(Model CR403,SMT Co.,Ltd.)在14mW/cm2的辐照度下照射涂层143秒以具有2,000mJ/cm2的辐射曝光量。接着，在对流式烘箱中于120℃下干燥涂层1小时，从而形成220nm厚的第一无机层。
实施例9
除了没有在100μm的PEN基底膜(TEONEX PQDA5,Teijin Dupont Co.,Ltd.)上通过旋涂涂布溶液5形成缓冲层以外，以与实施例8相同的方法形成第一无机层和第二无机层。
实施例10
通过旋涂将涂布溶液5涂布在100μm的PEN基底膜(TEONEX PQDA5,TeijinDupont Co.,Ltd.)上。在1,500rpm下进行旋涂20秒，随后在对流式烘箱中于150℃下干燥20分钟以形成300nm厚的涂层。然后，使用溅射设备在其上形成SiOx层。具体地，在1.8mTorr的真空中，于0.1mpm的速度和3.5kW的功率下使用Si靶通过反应溅射形成100nm厚的第二无机层，同时注入O2，其中将PEM(等离子体发射监控)的设定点设置到2.5。然后，通过旋涂将涂布溶液1涂布在第二无机层上。在1,500rpm下进行旋涂20秒，随后在对流式烘箱中于80℃下干燥3分钟。然后，以相同的方法再次涂布涂布溶液1。然后，使用真空UV辐照器(Model CR403,SMT Co.,Ltd.)在14mW/cm2的辐照度下照射涂层143秒以具有2,000mJ/cm2的辐射曝光量。接着，在对流式烘箱中于120℃下干燥涂层1小时，从而形成540nm厚的第一无机层。
实施例11
通过旋涂将涂布溶液5涂布在100μm的PEN基底膜(TEONEX PQDA5,TeijinDupont Co.,Ltd.)上。在1,500rpm下进行旋涂20秒，随后在对流式烘箱中于150℃下干燥20分钟以形成300nm厚的涂层。然后，使用溅射设备在其上形成AlOx(1.0≤x≤2.0)层。具体地，在1.8mTorr的真空中，于0.1mpm的速度和5kW的功率下使用Al靶通过反应溅射形成100nm厚的第二无机层，同时注入O2，其中将PEM(等离子体发射监控)的设定点设置到2.5。然后，通过旋涂将涂布溶液1涂布在第二无机层上。在1,500rpm下进行旋涂20秒，随后在对流式烘箱中于80℃下干燥3分钟。然后，使用真空UV辐照器(Model CR403,SMT Co.,Ltd.)在14mW/cm2的辐照度下照射涂层143秒以具有2,000mJ/cm2的辐射曝光量。接着，在对流式烘箱中于120℃下干燥涂层1小时，从而形成220nm厚的第一无机层。
实施例12
除了使用涂布溶液2代替涂布溶液1以外，以与实施例11相同的方法进行该步骤。
实施例13
除了使用涂布溶液3代替涂布溶液2以外，以与实施例12相同的方法进行该步骤。
对比例1
通过旋涂将涂布溶液4涂布在125μm的PEN基底膜(TEONEX PQDA5,TeijinDupont Co.,Ltd.)上。在1,000rpm下进行旋涂20秒，随后在对流式烘箱中于80℃下干燥3分钟然后于120℃下干燥1小时以形成500nm厚的第一无机层。
对比例2
通过旋涂将涂布溶液4涂布在125μm的PEN基底膜(TEONEX PQDA5,TeijinDupont Co.,Ltd.)上。在1,000rpm下进行旋涂20秒，随后在对流式烘箱中于80℃下干燥3分钟。然后，在1,000rpm下再次进行旋涂20秒，随后在对流式烘箱中于80℃下干燥3分钟。以此方式，重复旋涂共5次，随后在对流式烘箱中于80℃下干燥3分钟。然后，使用真空UV辐照器(Model CR403,SMT Co.,Ltd.)在14mW/cm2的辐照度下照射涂层143秒以具有2,000mJ/cm2的辐射曝光量。接着，在对流式烘箱中于120℃下干燥涂层1小时，从而形成具有3μm的总厚度的阻挡层。
对比例3
通过旋涂将涂布溶液6涂布在125μm的PEN基底膜(TEONEX PQDA5,TeijinDupont Co.,Ltd.)上。在3,000rpm下进行旋涂40秒，随后在对流式烘箱中于80℃下干燥3分钟。然后，使用真空UV辐照器(Model CR403,SMT Co.,Ltd.)在14mW/cm2的辐照度下照射涂层72秒以具有1,000mJ/cm2的辐射曝光量。接着，在对流式烘箱中于120℃下干燥涂层1小时，从而形成具有500nm厚的阻挡层。
对比例4
除了使用真空UV辐照器(Model CR403,SMT Co.,Ltd.)在14mW/cm2的辐照度下照射涂层143秒以具有2,000mJ/cm2的辐射曝光量以外，以与对比例3相同的方法形成阻挡层。
对比例5
通过旋涂在125μm的PEN基底膜(TEONEX PQDA5,Teijin Dupont Co.,Ltd.)上将涂布溶液6涂布至500nm的厚度。在1,000rpm下进行旋涂20秒，随后在对流式烘箱中于80℃下干燥3分钟。然后，使用真空UV辐照器(Model CR403,SMT Co.,Ltd.)在14mW/cm2的辐照度下照射涂层72秒以具有1,000mJ/cm2的辐射曝光量。接着，在对流式烘箱中于120℃下干燥涂层1小时，从而形成500nm厚的阻挡层。
对比例6
通过旋涂将涂布溶液5涂布在100μm的PEN基底膜(TEONEX PQDA5,TeijinDupont Co.,Ltd.)上。在1,500rpm下进行旋涂20秒，随后在对流式烘箱中于150℃下干燥20分钟以形成300nm厚的涂层。然后，使用溅射设备在其上形成SiOx(1.5≤x≤2.5)层。具体地，在1.8mTorr的真空中，于0.1mpm的速度和3.5kW的功率下使用Si靶通过反应溅射形成100nm厚的第二无机层，同时注入O2，其中将PEM(等离子体发射监控)的设定点设置到2.5。
对比例7
除了通过沉积100nm厚的SiOx层，随后以相同方式在其上沉积100nm厚的SiOx层形成具有200nm的总厚度的第二无机层以外，以与对比例6相同的方法进行该步骤。
对比例8
通过旋涂将涂布溶液5涂布在100μm的PEN基底膜(TEONEX PQDA5,TeijinDupont Co.,Ltd.)上。在1,500rpm下进行旋涂20秒，随后在对流式烘箱中于150℃下干燥20分钟以形成300nm厚的涂层。然后，使用溅射设备在其上形成AlOx层。具体地，在1.8mTorr的真空中，于0.1mpm的速度和5kW的功率下使用Al靶通过反应溅射形成100nm厚的层，同时注入O2，其中将PEM(等离子体发射监控)的设定点设置到2.5。通过沉积100nm厚的AlOx层，随后以相同方式在其上沉积100nm厚的AlOx层形成具有200nm的总厚度的第二无机层。
对比例9
除了通过在1,500rpm下将涂布溶液4在第二无机层上旋涂20秒，随后在对流式烘箱中于120℃下干燥10分钟而形成500nm厚的第一无机层以外，以与对比例6相同的方法制造显示元件。
对比例10
通过旋涂将涂布溶液5涂布在100μm的PEN基底膜(TEONEX PQDA5,TeijinDupont Co.,Ltd.)上。在1,500rpm下进行旋涂20秒，随后在对流式烘箱中于150℃下干燥20分钟以形成300nm厚的涂层。然后，通过旋涂将涂布溶液4涂布在该涂层上。在1,500rpm下进行旋涂20秒，随后在对流式烘箱中于120℃下干燥10分钟。
评价在实施例和对比例中制备的显示元件的以下性能，并且结果显示在表1中。
性能评价
1.水蒸气渗透率(WVTR)：使用Aquatran模型1(由Mocon Co.,Ltd.制造)按照ASTM F-1249测量各显示元件的水蒸气渗透率。样品具有100x 100mm的尺寸。
2.裂缝：将在实施例和对比例中制备的显示元件在室温下放置1小时，随后用裸眼观察裂缝。评价结果由以下两级评定。结果显示在表中。
*良好(在下表中由「×」表示)：在涂层上未观察到裂缝。
*差(在下表中由「○」表示)：在部分或全部涂层上观察到裂缝。
3.初始弯曲：如图6中所示,将具有100mm x 100mm的尺寸的所制备的各显示元件放置在平坦表面上，测量显示元件的最高点和最低点以计算最大弯曲高度(图6中的C)。最大弯曲高度小于5mm评价为“良好”，而最大弯曲高度为5mm或更高评价为“差”。
表1
表1中，可见实施例1至13的阻挡层具有优异的气体阻挡性能，没有产生裂缝，并且提供了优异的外观。当与这些实施例相比时，对比例1至6的显示元件具有高的水蒸气渗透率，导致差的阻挡性能。虽然对比例7和8的显示元件具有良好的气体阻挡性能，但是这些显示元件遭受初始弯曲并且使用物理沉积通过复杂的涂布过程制备。尽管无机层厚，但实施例2的显示元件没有遭受初始弯曲和破裂，并且具有良好的水蒸气渗透率。在实施例8以及10至13中，形成了能够补偿并且缓冲不同性能的缓冲层从而减轻了由于其弹性模量和热膨胀系数的不同导致的阻挡层和基底膜之间的界面处的应力。因此，显示元件没有遭受初始弯曲和裂缝，并且呈现优异的气体阻挡性能。此外，显示元件即使在第一无机层的厚度增加的情况下也没有产生裂缝。
虽然上面已经描述了一些实施方式，但是应理解的是本发明不限于前述的实施方式并且可以不同方式体现，并且本领域技术人员可作出各种修改、变更、替换和等效实施方式而不背离本发明的精神和范围。因此，应理解的是提供前述的实施方式仅用于说明而非限制本发明的范围。

Claims (20)

1.一种显示元件，包含：
基底膜；和
形成在所述基底膜的至少一个表面上的阻挡层，
其中，所述阻挡层包含第一无机层，所述第一无机层为含有氢化聚环氧硅氮烷的涂布溶液的固化产物并且包含SiOx(1.5≤x≤2.5)。
2.根据权利要求1所述的显示元件，其中，按照ASTM F-1249测量，所述显示元件具有约0.09g/m2/天或更小的水蒸气渗透率。
3.根据权利要求1所述的显示元件，进一步包含：在所述阻挡层之下形成的缓冲层。
4.一种显示元件，包含：
基底膜；
第一无机层，所述第一无机层在所述基底膜上形成并且包含SiOx(1.5≤x≤2.5)；和
第二无机层，所述第二无机层在所述第一无机层之下形成同时直接邻接所述第一无机层，
所述第二无机层包含选自由硅氧化物、氮氧化物、硅氮氧化物、铝氧化物、钽氧化物、钛氧化物和它们的混合物组成的组之中的至少一种材料，
其中所述第一无机层具有500nm或更小的厚度，并且，
按照ASTM F-1249测量，所述显示元件具有0.01g/m2/天或更小的水蒸气渗透率。
5.根据权利要求4所述的显示元件，其中所述第一无机层由含有氢化聚环氧硅氮烷的涂布溶液的固化产物形成，并且所述第二无机层通过物理沉积或化学沉积形成。
6.根据权利要求4所述的显示元件，进一步包含：在所述第二无机层之下形成的缓冲层。
7.根据权利要求6所述的显示元件，其中，按照ASTM F-1249测量，所述显示元件具有约0.005g/m2/天或更小的水蒸气渗透率。
8.根据权利要求6所述的显示元件，其中，所述缓冲层为有机-无机混合层或者有机层。
9.根据权利要求8所述的显示元件，其中，所述有机-无机混合层为聚氨酯混合聚硅氮烷的固化产物。
10.一种显示元件的制造方法，包含：
用含有氢化聚环氧硅氮烷的涂布溶液在基底膜的至少一个表面上形成涂层；和
固化所述涂层以形成包含SiOx(1.5≤x≤2.5)的第一无机层。
11.根据权利要求10所述的显示元件的制造方法，其中，所述氢化聚环氧硅氮烷包含由通式1表示的单元、由通式2表示的单元和由通式3表示的端基：
[通式1]
[通式2]
[通式3]
＊-SiH3
在通式1和2中，R1至R7各自独立地为氢、取代或未取代的C1至C30烷基、取代或未取代的C3至C30环烷基、取代或未取代的C3至C30芳基、取代或未取代的C3至C30芳烷基、取代或未取代的C3至C30杂烷基、取代或未取代的C3至C30杂环烷基、取代或未取代的C3至C30烯基、取代或未取代的烷氧基、取代或未取代的羰基、羟基、或它们的组合。
12.根据权利要求10所述的显示元件的制造方法，其中所述氢化聚环氧硅氮烷包含约0.2wt％至约3wt％的氧。
13.根据权利要求10所述的显示元件的制造方法，其中所述氢化聚环氧硅氮烷具有约1000g/mol至约5000g/mol的重均分子量(Mw)。
14.根据权利要求10所述的显示元件的制造方法，其中所述涂布溶液包含约0.1wt％至约50wt％的所述氢化聚环氧硅氮烷。
15.根据权利要求10所述的显示元件的制造方法，其中，通过UV照射、等离子体处理或热处理进行所述涂层的固化，以使按照ASTM F-1249测量，所述第一无机层具有约0.09g/m2/天或更小的水蒸气渗透率。
16.根据权利要求10所述的显示元件的制造方法，其中，通过UV照射、等离子体处理或热处理进行所述涂层的固化，以使按照ASTM F-1249测量，所述第一无机层具有约0.09g/m2/天或更小的水蒸气渗透率。
17.根据权利要求10所述的显示元件的制造方法，进一步包含：
在所述基底膜的至少一个表面上形成第二无机层，所述第二无机层包含硅氧化物、氮氧化物、硅氮氧化物、铝氧化物、钽氧化物和钛氧化物中的至少一种，
其中所述第一无机层在所述第二无机层上形成。
18.根据权利要求17所述的显示元件的制造方法，进一步包含：在形成所述涂层之前在所述基底膜上形成缓冲层。
19.根据权利要求18所述的显示元件的制造方法，其中所述缓冲层为有机-无机混合层或者有机层。
20.根据权利要求19所述的显示元件的制造方法，其中，通过固化聚氨酯混合聚硅氮烷形成所述有机-无机混合层。
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