JPH04325433A - 光ファイバ用母材の製造方法 - Google Patents
光ファイバ用母材の製造方法Info
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- JPH04325433A JPH04325433A JP12558591A JP12558591A JPH04325433A JP H04325433 A JPH04325433 A JP H04325433A JP 12558591 A JP12558591 A JP 12558591A JP 12558591 A JP12558591 A JP 12558591A JP H04325433 A JPH04325433 A JP H04325433A
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
- C03B37/00—Manufacture or treatment of flakes, fibres, or filaments from softened glass, minerals, or slags
- C03B37/01—Manufacture of glass fibres or filaments
- C03B37/012—Manufacture of preforms for drawing fibres or filaments
- C03B37/014—Manufacture of preforms for drawing fibres or filaments made entirely or partially by chemical means, e.g. vapour phase deposition of bulk porous glass either by outside vapour deposition [OVD], or by outside vapour phase oxidation [OVPO] or by vapour axial deposition [VAD]
- C03B37/01446—Thermal after-treatment of preforms, e.g. dehydrating, consolidating, sintering
- C03B37/0146—Furnaces therefor, e.g. muffle tubes, furnace linings
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は光ファイバ用母材(プリ
フォーム)などの高純度石英ガラス母材を製造する方法
に関するものであり,更に詳しくは、石英系多孔質ガラ
ス微粒子から成る成形体を脱水処理、精製処理及び透明
ガラス化処理を行い、高純度の石英ガラス母材を製造す
る方法に関する。
フォーム)などの高純度石英ガラス母材を製造する方法
に関するものであり,更に詳しくは、石英系多孔質ガラ
ス微粒子から成る成形体を脱水処理、精製処理及び透明
ガラス化処理を行い、高純度の石英ガラス母材を製造す
る方法に関する。
【0002】
【従来の技術】光ファイバ用ガラス母材を製造する場合
、通常、石英系多孔質ガラス微粒子体を石英ガラス(炉
心)管などの加熱炉中で処理する(たとえば,特公昭5
8−42136号公報、特公昭58−58299号公報
参照)。しかし、石英ガラス管は高温で加熱変形し易い
という欠点があり、実際は1500°C以上の高温では
石英ガラス管の支持方法と石英ガラス管内外の差圧を厳
密に調節しないと、石英ガラス管が変形してしまうとい
う問題がある。
、通常、石英系多孔質ガラス微粒子体を石英ガラス(炉
心)管などの加熱炉中で処理する(たとえば,特公昭5
8−42136号公報、特公昭58−58299号公報
参照)。しかし、石英ガラス管は高温で加熱変形し易い
という欠点があり、実際は1500°C以上の高温では
石英ガラス管の支持方法と石英ガラス管内外の差圧を厳
密に調節しないと、石英ガラス管が変形してしまうとい
う問題がある。
【0003】一方、高温に耐えうる材料として、カーボ
ン炉心管あるいはSiCをコートしたカーボン炉心管が
提案されている(たとえば、特開昭64−76927号
公報参照)。ところが、カーボン炉心管は塩素と反応す
るため、たとえば、特開平2−180729号公報に開
示されているように,Cl2 の代わりにSiCl4
を用いる必要がある。しかしながら、SiCl4 を脱
水及び精製用ガスとして使うと、使用後の廃ガス処理が
極めて困難となる。すなわち,SiCl4 を含むガス
を使用後に排出するため廃ガス処理,たとえば,スクラ
バーで中和してSiCl4 をSiO2 として除去す
る排ガス処理を行うと、処理しにくいSiO2 がスク
ラバーに生成するという問題がある。
ン炉心管あるいはSiCをコートしたカーボン炉心管が
提案されている(たとえば、特開昭64−76927号
公報参照)。ところが、カーボン炉心管は塩素と反応す
るため、たとえば、特開平2−180729号公報に開
示されているように,Cl2 の代わりにSiCl4
を用いる必要がある。しかしながら、SiCl4 を脱
水及び精製用ガスとして使うと、使用後の廃ガス処理が
極めて困難となる。すなわち,SiCl4 を含むガス
を使用後に排出するため廃ガス処理,たとえば,スクラ
バーで中和してSiCl4 をSiO2 として除去す
る排ガス処理を行うと、処理しにくいSiO2 がスク
ラバーに生成するという問題がある。
【0004】また、フッ素を含んだ光ファイバ用母材の
製造方法として、たとえば、特開平2−217329号
公報には、多孔質ガラス母材を予め1100°C以下の
石英ガラス炉心管中で脱水剤を含む雰囲気中で脱水し、
次いでSiCをコートしたカーボン炉心管に移してフッ
素添加処理をしたのち、He雰囲気中で1500〜16
50°Cに加熱して透明ガラス化する方法が提案されて
いる。しかしながら、もちろん、この方法はフッ素を含
んでおり、本願発明が意図するガラス母材と異なるもの
であり、本発明には適用できない。
製造方法として、たとえば、特開平2−217329号
公報には、多孔質ガラス母材を予め1100°C以下の
石英ガラス炉心管中で脱水剤を含む雰囲気中で脱水し、
次いでSiCをコートしたカーボン炉心管に移してフッ
素添加処理をしたのち、He雰囲気中で1500〜16
50°Cに加熱して透明ガラス化する方法が提案されて
いる。しかしながら、もちろん、この方法はフッ素を含
んでおり、本願発明が意図するガラス母材と異なるもの
であり、本発明には適用できない。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】SiCコートカーボン
炉心管は非常に高価であり、酸素の混入があるとSiC
からSiO2 に酸化されるため、高温での安定性も高
くない。一方、SiCコートカーボン炉心管の代わりに
SiCコートのないカーボン炉心管が使えれば、安価で
あるため経済的に非常に有利である。しかし、カーボン
は塩素や酸素によって腐食を受けるという問題がある。 以上に鑑みて、本発明の目的は、上述した二律背反する
問題を解決し、シリカ微粒子を成形し、これから気泡の
ない透明で高純度の光ファイバ用母材を低価格で製造す
る方法を提供することにある。
炉心管は非常に高価であり、酸素の混入があるとSiC
からSiO2 に酸化されるため、高温での安定性も高
くない。一方、SiCコートカーボン炉心管の代わりに
SiCコートのないカーボン炉心管が使えれば、安価で
あるため経済的に非常に有利である。しかし、カーボン
は塩素や酸素によって腐食を受けるという問題がある。 以上に鑑みて、本発明の目的は、上述した二律背反する
問題を解決し、シリカ微粒子を成形し、これから気泡の
ない透明で高純度の光ファイバ用母材を低価格で製造す
る方法を提供することにある。
【0006】上記問題を解決するため、本発明において
は、シリカ微粒子を成形して光ファイバ用成形体を形成
し、この成形体をまず、石英ガラス炉心管中で、塩素を
含む不活性ガス雰囲気下、ほぼ700〜1300°Cの
温度範囲で脱水および不純物金属元素の除去処理を行っ
たのち、残存する塩素をパージして除去し、ついで,カ
ーボン炉心管内に上記光ファイバ用成形体を移して、ヘ
リウム雰囲気中、ほぼ1500〜1700°Cの温度条
件で光ファイバ用成形体を透明ガラス化する。
は、シリカ微粒子を成形して光ファイバ用成形体を形成
し、この成形体をまず、石英ガラス炉心管中で、塩素を
含む不活性ガス雰囲気下、ほぼ700〜1300°Cの
温度範囲で脱水および不純物金属元素の除去処理を行っ
たのち、残存する塩素をパージして除去し、ついで,カ
ーボン炉心管内に上記光ファイバ用成形体を移して、ヘ
リウム雰囲気中、ほぼ1500〜1700°Cの温度条
件で光ファイバ用成形体を透明ガラス化する。
【0007】
【作用】上記方法は、石英ガラス炉心管の有利な点とカ
ーボン炉心管の有利な点を利用しており、低価格で安定
に、塩素が除去されたシリカ微粒子の光ファイバ用成形
体から、気泡のない、透明で、高純度の光ファイバ用母
材が製造できる。
ーボン炉心管の有利な点を利用しており、低価格で安定
に、塩素が除去されたシリカ微粒子の光ファイバ用成形
体から、気泡のない、透明で、高純度の光ファイバ用母
材が製造できる。
【0008】
【実施例】発明のシリカ微粒子の実施例としては、四塩
素化珪素を火災加水分解して生成したシリカ微粒子、金
属珪素の蒸気を酸化して生成したもの、エチルシリケー
トのようなアルキルシリケートを加水分解して生成した
もの、水ガラスから精製して生成したものなどが使われ
る。シリカ微粒子の成形には、スリップキャスト法、押
出法、静水圧加圧法、スラリー塗布法、コロイダル・ゾ
ル法、MSP(メカニカルシェープドプリフォーム)法
、遠心分離法などが使われる。こうして形成された光フ
ァイバ用の成形体としては、棒状、管状および中心部に
コアと一部のクラッドから成る棒状のガラス体を配置し
、その外周にシリカ微粒子の成形体を成形したハイブリ
ッド型がある。シリカ微粒子の成形体は、純シリカでも
よく、光ファイバに使われるドーパントを含んでいても
よい。
素化珪素を火災加水分解して生成したシリカ微粒子、金
属珪素の蒸気を酸化して生成したもの、エチルシリケー
トのようなアルキルシリケートを加水分解して生成した
もの、水ガラスから精製して生成したものなどが使われ
る。シリカ微粒子の成形には、スリップキャスト法、押
出法、静水圧加圧法、スラリー塗布法、コロイダル・ゾ
ル法、MSP(メカニカルシェープドプリフォーム)法
、遠心分離法などが使われる。こうして形成された光フ
ァイバ用の成形体としては、棒状、管状および中心部に
コアと一部のクラッドから成る棒状のガラス体を配置し
、その外周にシリカ微粒子の成形体を成形したハイブリ
ッド型がある。シリカ微粒子の成形体は、純シリカでも
よく、光ファイバに使われるドーパントを含んでいても
よい。
【0009】本発明の光ファイバ用母材の製造方法につ
いて,添付図面を参照して述べる。ここで使われる光フ
ァイバ用成形体は予め乾燥、必要によっては脱脂された
ものである。図1に示した石英ガラス製の炉心管壁3を
持つ石英ガラス炉心管3Aに上記に述べた方法によって
形成された光ファイバ用成形体1を挿入し、塩素ガスC
l2 を含む不活性ガス雰囲気中で、最高温度1300
°C以下、700°C以上に設定された温度ゾーン10
を通過させる。塩素を含む不活性ガスはガス導入口7か
ら導入され、ガス排出口8から排出される。温度ゾーン
10の上記温度はヒータ枠5内に配設されたヒータ4の
温度制御によって温度制御される。塩素を含む不活性ガ
スとしては1〜10%の塩素を含むヘリウムガスが好ま
しい。ただし、酸素は精製効果を防げるので、不活性ガ
スに酸素を含むことは好ましくない。
いて,添付図面を参照して述べる。ここで使われる光フ
ァイバ用成形体は予め乾燥、必要によっては脱脂された
ものである。図1に示した石英ガラス製の炉心管壁3を
持つ石英ガラス炉心管3Aに上記に述べた方法によって
形成された光ファイバ用成形体1を挿入し、塩素ガスC
l2 を含む不活性ガス雰囲気中で、最高温度1300
°C以下、700°C以上に設定された温度ゾーン10
を通過させる。塩素を含む不活性ガスはガス導入口7か
ら導入され、ガス排出口8から排出される。温度ゾーン
10の上記温度はヒータ枠5内に配設されたヒータ4の
温度制御によって温度制御される。塩素を含む不活性ガ
スとしては1〜10%の塩素を含むヘリウムガスが好ま
しい。ただし、酸素は精製効果を防げるので、不活性ガ
スに酸素を含むことは好ましくない。
【0010】光ファイバ用成形体1は成形体降下・回転
部材2によって回転させながら石英ガラス炉心管3Aの
温度ゾーン10を降下されるが、その降下速度は、1分
間1〜100mmの降下速度が好ましい。なお、上記温
度ゾーン10の最高温度は、シリカ微粒子の成形体の収
縮が起こらない温度がよく、好ましくは1000〜12
50°Cである。
部材2によって回転させながら石英ガラス炉心管3Aの
温度ゾーン10を降下されるが、その降下速度は、1分
間1〜100mmの降下速度が好ましい。なお、上記温
度ゾーン10の最高温度は、シリカ微粒子の成形体の収
縮が起こらない温度がよく、好ましくは1000〜12
50°Cである。
【0011】前記の脱水処理及び不純物金属元素の除去
処理が終わったあと、不活性ガスをガス導入口7から流
して、塩素をパージする。ガス排出口8から排出される
排ガス中に塩素ガスの存在が認められなくなっったら、
透明ガラス化のため、光ファイバ用成形体1は図2に示
すカーボン炉心管壁103を持つカーボン炉心管103
Aに投入される。ここでは、ヘリウムガス雰囲気中で最
高温度1500°C〜1700°Cに設定された温度ゾ
ーン110を通過させ、シリカ微粒子成形体101を透
明に変化させる。ここで言うヘリウムガス雰囲気とはヘ
リウムガスを主成分として、多少不活性ガス、例えばア
ルゴンガスあるいは窒素ガスなどを含んでいてもよい。 光ファイバ用成形体101は、成形体降下・回転部材1
02によって回転されながらカーボン炉心管103A内
を降下させられ、その降下速度は、1.0〜100mm
/minである。上記温度ゾーン110の温度を制御す
るため、ヒータ枠105内にヒータ104が配設されて
いる。また、このカーボン炉心管103Aにおいても、
ガス導入口107、ガス排出口108を介して不活性ガ
スが導入され、排出される。
処理が終わったあと、不活性ガスをガス導入口7から流
して、塩素をパージする。ガス排出口8から排出される
排ガス中に塩素ガスの存在が認められなくなっったら、
透明ガラス化のため、光ファイバ用成形体1は図2に示
すカーボン炉心管壁103を持つカーボン炉心管103
Aに投入される。ここでは、ヘリウムガス雰囲気中で最
高温度1500°C〜1700°Cに設定された温度ゾ
ーン110を通過させ、シリカ微粒子成形体101を透
明に変化させる。ここで言うヘリウムガス雰囲気とはヘ
リウムガスを主成分として、多少不活性ガス、例えばア
ルゴンガスあるいは窒素ガスなどを含んでいてもよい。 光ファイバ用成形体101は、成形体降下・回転部材1
02によって回転されながらカーボン炉心管103A内
を降下させられ、その降下速度は、1.0〜100mm
/minである。上記温度ゾーン110の温度を制御す
るため、ヒータ枠105内にヒータ104が配設されて
いる。また、このカーボン炉心管103Aにおいても、
ガス導入口107、ガス排出口108を介して不活性ガ
スが導入され、排出される。
【0012】以下,本発明の実施例に基づく具体例を示
す。 具体例1 火炎加水分解法で製造した平均粒径1μmのシリカ微粒
子を1000kgf/cm2 で1分間、静水圧加圧し
て、外径25mm、長さ150mmの光ファイバ用成形
体を作った。この光ファイバ用成形体を図1に示す石英
ガラス炉心管3Aで2.5%のCl2 ガスを含むヘリ
ウムガス10リットル(l)/minで流し、下降速度
4.0mm/min、最高温度1200°Cで処理した
。その後、塩素ガスの流入を停め、光ファイバ用成形体
1を予備室11内に保持して、ガス導入口7からヘリウ
ムを流しながら1時間保った。そのあと、予備室11を
、図2に示すカーボン炉心管103Aの上部の予備室1
11として移した。予備室111と透明化炉110の間
のフタ106を開き、上記光ファイバ用成形体1を成形
体101としてカーボン炉心管103A内の温度ゾーン
110に投入する。カーボン炉心管103Aにはガス導
入口107から4リットルl/minの流速でヘリウム
を流し、温度ゾーン110の温度を最高温度1650°
Cに保ち、成形体降下・回転部材102を介して光ファ
イバ用成形体101を1.5mm/minでカーボン炉
心管壁103の内部の最高温度ゾーン110を通過させ
る。これによって、透明で高純度な石英棒が得られた。 これは、シリコンクラッド・シリカファイバの母材とし
て使用できる。
す。 具体例1 火炎加水分解法で製造した平均粒径1μmのシリカ微粒
子を1000kgf/cm2 で1分間、静水圧加圧し
て、外径25mm、長さ150mmの光ファイバ用成形
体を作った。この光ファイバ用成形体を図1に示す石英
ガラス炉心管3Aで2.5%のCl2 ガスを含むヘリ
ウムガス10リットル(l)/minで流し、下降速度
4.0mm/min、最高温度1200°Cで処理した
。その後、塩素ガスの流入を停め、光ファイバ用成形体
1を予備室11内に保持して、ガス導入口7からヘリウ
ムを流しながら1時間保った。そのあと、予備室11を
、図2に示すカーボン炉心管103Aの上部の予備室1
11として移した。予備室111と透明化炉110の間
のフタ106を開き、上記光ファイバ用成形体1を成形
体101としてカーボン炉心管103A内の温度ゾーン
110に投入する。カーボン炉心管103Aにはガス導
入口107から4リットルl/minの流速でヘリウム
を流し、温度ゾーン110の温度を最高温度1650°
Cに保ち、成形体降下・回転部材102を介して光ファ
イバ用成形体101を1.5mm/minでカーボン炉
心管壁103の内部の最高温度ゾーン110を通過させ
る。これによって、透明で高純度な石英棒が得られた。 これは、シリコンクラッド・シリカファイバの母材とし
て使用できる。
【0013】具体例2
前記の光ファイバ用成形体の塩素を,石英ガラス炉心管
3Aを用いて上記したようにパージはせずに、透明ガラ
ス化した。その結果、具体例1と同様に透明ガラス化し
たが、石英棒は発泡してしまった。
3Aを用いて上記したようにパージはせずに、透明ガラ
ス化した。その結果、具体例1と同様に透明ガラス化し
たが、石英棒は発泡してしまった。
【0014】具体例3
前記の光ファイバ用成形体を図1に示した石英ガラス炉
心管3Aで脱水・精製工程と透明化工程を行ったが、石
英ガラス炉心管3Aの石英ガラス炉心管壁3が変形して
しまった。
心管3Aで脱水・精製工程と透明化工程を行ったが、石
英ガラス炉心管3Aの石英ガラス炉心管壁3が変形して
しまった。
【0015】具体例4
前記の光ファイバ用成形体を図2に示すカーボン炉心管
103Aで脱水・精製工程と透明化工程を行ったが、カ
ーボン炉心管103Aのカーボン炉心管壁103の腐食
が激しかった。
103Aで脱水・精製工程と透明化工程を行ったが、カ
ーボン炉心管103Aのカーボン炉心管壁103の腐食
が激しかった。
【0016】具体例5
VAD法で作成したコアと一部クラッドを有するガラス
棒の外周に平均粒径0.5μmのシリカ粒子を押出し被
覆した光ファイバ用成形体を使い、上記具体例1と同様
の操作を行い、光ファイバ用プリフォームを作成した。 これからは、VAD法で作ったプリフォームと同程度の
特性をもつ光ファイバが得られた。
棒の外周に平均粒径0.5μmのシリカ粒子を押出し被
覆した光ファイバ用成形体を使い、上記具体例1と同様
の操作を行い、光ファイバ用プリフォームを作成した。 これからは、VAD法で作ったプリフォームと同程度の
特性をもつ光ファイバが得られた。
【0017】
【発明の効果】以上述べたように、本発明に基づき,上
述したように石英ガラス炉心管における脱水・精製処理
、カーボン炉心管における透明ガラス化処理を行うこと
によって、シリカ微粒子を原料として成形加工した成形
体から光ファイバ用母材となる高純度で透明なガラスプ
リフォームを、上記石英ガラス炉心管およびカーボン炉
心管を損傷させることなく、安定に製造できる。
述したように石英ガラス炉心管における脱水・精製処理
、カーボン炉心管における透明ガラス化処理を行うこと
によって、シリカ微粒子を原料として成形加工した成形
体から光ファイバ用母材となる高純度で透明なガラスプ
リフォームを、上記石英ガラス炉心管およびカーボン炉
心管を損傷させることなく、安定に製造できる。
【図1】本発明の光ファイバ用母材の製造方法を実施す
る脱水・不純物元素除去を行う石英ガラス管の断面図で
ある。
る脱水・不純物元素除去を行う石英ガラス管の断面図で
ある。
【図2】本発明の光ファイバ用母材の製造方法を実施す
る透明ガラス化する石英ガラス管の断面図である。
る透明ガラス化する石英ガラス管の断面図である。
1、101・・光ファイバ用成形体、
2、102・・成形体降下・回転部材、3・・石英ガラ
ス炉心管壁、 3A・・石英ガラス炉心管、 4、104・・ヒータ、 5、105・・ヒータ枠、 6、106・・仕切り部分、 7、107・・ガス導入口、 8、108・・ガス排出口、 10、110・・温度ゾーン、 103・・カーボン炉心管壁、 103A・・カーボン炉心管、 11、111・・保持室。
ス炉心管壁、 3A・・石英ガラス炉心管、 4、104・・ヒータ、 5、105・・ヒータ枠、 6、106・・仕切り部分、 7、107・・ガス導入口、 8、108・・ガス排出口、 10、110・・温度ゾーン、 103・・カーボン炉心管壁、 103A・・カーボン炉心管、 11、111・・保持室。
Claims (1)
- 【請求項1】 シリカ微粒子を成形して光ファイバ用
成形体となし、これを脱水および不純物金属元素の除去
処理を行ったのち透明ガラス化して光ファイバ用母材を
製造する方法において、光ファイバ用成形体を石英ガラ
ス炉心管中で塩素を含む不活性ガス雰囲気下においてほ
ぼ摂氏700度〜1300度の温度範囲において、脱水
処理および不純物金属元素の除去処理を行ったのち不活
性ガスで塩素をパージし、上記塩素パージ後上記成形体
をカーボン炉心管内に移し、ヘリウムガス雰囲気下、ほ
ぼ摂氏1500度〜1700度の温度範囲において透明
ガラス化することを特徴とする光ファイバ用母材の製造
方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP12558591A JPH04325433A (ja) | 1991-04-26 | 1991-04-26 | 光ファイバ用母材の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP12558591A JPH04325433A (ja) | 1991-04-26 | 1991-04-26 | 光ファイバ用母材の製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH04325433A true JPH04325433A (ja) | 1992-11-13 |
Family
ID=14913822
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP12558591A Pending JPH04325433A (ja) | 1991-04-26 | 1991-04-26 | 光ファイバ用母材の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH04325433A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
FR2781475A1 (fr) * | 1998-07-23 | 2000-01-28 | Alsthom Cge Alcatel | Utilisation d'un creuset en graphite poreux pour traiter des granules de silice |
JP2010520140A (ja) * | 2007-02-28 | 2010-06-10 | コーニング インコーポレイテッド | 圧密中の光ファイバケーン/プレフォーム変形の削減 |
WO2019107557A1 (ja) * | 2017-12-01 | 2019-06-06 | 古河電気工業株式会社 | ガラス体の製造装置、ガラス体の製造方法、スート搬送機構、及びスート加熱機構 |
-
1991
- 1991-04-26 JP JP12558591A patent/JPH04325433A/ja active Pending
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
FR2781475A1 (fr) * | 1998-07-23 | 2000-01-28 | Alsthom Cge Alcatel | Utilisation d'un creuset en graphite poreux pour traiter des granules de silice |
JP2010520140A (ja) * | 2007-02-28 | 2010-06-10 | コーニング インコーポレイテッド | 圧密中の光ファイバケーン/プレフォーム変形の削減 |
WO2019107557A1 (ja) * | 2017-12-01 | 2019-06-06 | 古河電気工業株式会社 | ガラス体の製造装置、ガラス体の製造方法、スート搬送機構、及びスート加熱機構 |
CN111386249A (zh) * | 2017-12-01 | 2020-07-07 | 古河电气工业株式会社 | 玻璃体的制造装置、玻璃体的制造方法、套件搬运机构及套件加热机构 |
JPWO2019107557A1 (ja) * | 2017-12-01 | 2020-11-19 | 古河電気工業株式会社 | ガラス体の製造装置、ガラス体の製造方法、スート搬送機構、及びスート加熱機構 |
JP2022171899A (ja) * | 2017-12-01 | 2022-11-11 | 古河電気工業株式会社 | ガラス体の製造装置、ガラス体の製造方法、スート搬送機構、及びスート加熱機構 |
US11548806B2 (en) | 2017-12-01 | 2023-01-10 | Furukawa Electric Co., Ltd. | Glass body manufacturing apparatus, glass body manufacturing method, soot conveying mechanism, and soot heating mechanism |
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