JPS62153130A - 光フアイバ−用ガラス母材の製造方法 - Google Patents
光フアイバ−用ガラス母材の製造方法Info
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- JPS62153130A JPS62153130A JP29305985A JP29305985A JPS62153130A JP S62153130 A JPS62153130 A JP S62153130A JP 29305985 A JP29305985 A JP 29305985A JP 29305985 A JP29305985 A JP 29305985A JP S62153130 A JPS62153130 A JP S62153130A
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- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
- C03B37/00—Manufacture or treatment of flakes, fibres, or filaments from softened glass, minerals, or slags
- C03B37/01—Manufacture of glass fibres or filaments
- C03B37/012—Manufacture of preforms for drawing fibres or filaments
- C03B37/014—Manufacture of preforms for drawing fibres or filaments made entirely or partially by chemical means, e.g. vapour phase deposition of bulk porous glass either by outside vapour deposition [OVD], or by outside vapour phase oxidation [OVPO] or by vapour axial deposition [VAD]
- C03B37/01446—Thermal after-treatment of preforms, e.g. dehydrating, consolidating, sintering
- C03B37/0146—Furnaces therefor, e.g. muffle tubes, furnace linings
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- C03B2201/06—Doped silica-based glasses
- C03B2201/07—Impurity concentration specified
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
- C03B2201/00—Type of glass produced
- C03B2201/06—Doped silica-based glasses
- C03B2201/08—Doped silica-based glasses doped with boron or fluorine or other refractive index decreasing dopant
- C03B2201/12—Doped silica-based glasses doped with boron or fluorine or other refractive index decreasing dopant doped with fluorine
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はガラス母材に対する不純物元素の混入を防止で
き、かつ高品質な光ファイバを製造する方法に関する。
き、かつ高品質な光ファイバを製造する方法に関する。
光フアイバ用母材を大量生産する一般的な方法としてＶ
ＡＤ法が知られている。このＶＡＤ法は回転する出発部
材、例えばガラス板あるいはガラス棒の上に酸水素炎中
で生成したガラス微粒子を堆積させて円柱状の多孔質母
材をつくり、この多孔質母材を焼結して透明な光フアイ
バ用母材を製造する方法である。この方法において多孔
質母材を焼結し透明化するには母材をＨｅ もしくはＡ
ｒガス雰囲気で１６００Ｃ以上に加熱する必要がある。
ＡＤ法が知られている。このＶＡＤ法は回転する出発部
材、例えばガラス板あるいはガラス棒の上に酸水素炎中
で生成したガラス微粒子を堆積させて円柱状の多孔質母
材をつくり、この多孔質母材を焼結して透明な光フアイ
バ用母材を製造する方法である。この方法において多孔
質母材を焼結し透明化するには母材をＨｅ もしくはＡ
ｒガス雰囲気で１６００Ｃ以上に加熱する必要がある。
この加熱炉としては通常カーボン炉が用いられている。
かかる加熱炉における焼結に際して特に留意しなければ
ならない点は、Ｃｕ−？Ｆｅなどの遷移元素の混入並び
に水分の混入の防止である。遷移元素が１ ｐｐｂ以上
混入すると、光ファイバの損失波長特性が全波長にわた
り著しく損われ、また水分がＩＩＬ１ｐｐｍ以上混入す
ると長波長域におけるその特性が損なわれるからである
。そこで、通常上記多孔質母材を脱水することが行なわ
れ、この脱水処理として該多孔質母材をフッ素ガスを添
加した不活性ガス雰囲気中で高温加熱する方法が知られ
ている。この方法は多孔質母材の脱水を行うのみならず
フッ素を添加させる効果をも有している。多孔質母材中
にフッ素を添加すると光ファイバの必須要素である屈折
率分布の調整ができる利点がある。尚この点に関しては
特公昭５５−１５６８２号公報、特開昭５５−６７５３
５号公報に詳しく説明されている。
ならない点は、Ｃｕ−？Ｆｅなどの遷移元素の混入並び
に水分の混入の防止である。遷移元素が１ ｐｐｂ以上
混入すると、光ファイバの損失波長特性が全波長にわた
り著しく損われ、また水分がＩＩＬ１ｐｐｍ以上混入す
ると長波長域におけるその特性が損なわれるからである
。そこで、通常上記多孔質母材を脱水することが行なわ
れ、この脱水処理として該多孔質母材をフッ素ガスを添
加した不活性ガス雰囲気中で高温加熱する方法が知られ
ている。この方法は多孔質母材の脱水を行うのみならず
フッ素を添加させる効果をも有している。多孔質母材中
にフッ素を添加すると光ファイバの必須要素である屈折
率分布の調整ができる利点がある。尚この点に関しては
特公昭５５−１５６８２号公報、特開昭５５−６７５３
５号公報に詳しく説明されている。
上記フッ素ガスを用いた処理は通常、焼結と同時にもし
くは前工程として、カーボン堀内で行なわれる。カーボ
ン炉には、カーボン発熱体が母材の加熱処理中に発生す
る水分や酸素で消耗するのを防ぐため、カーボン発熱体
と焼結雰囲気とを隔離する炉心管が配置されており、従
来アルミナ製のものが使用されていた。しかし、アルミ
ナ製の炉心管を用いるとアルミナの中に含まれるアルカ
リ成分が高温で周囲に飛散し、これが多孔質母材表面に
付着し、クリストパライｌ−Ｍを形成するという問題が
ある。さらに若干の反応が起１）、ｋｔＦ３なるものを
つくシ、これがファイバ中に混入することが起った。そ
こで炉心管として石英ガラス製のものが実用化されてい
る。石英ガフス製炉心管の使用は、アルミナ管の使用に
比し、下記の利点を有する。
くは前工程として、カーボン堀内で行なわれる。カーボ
ン炉には、カーボン発熱体が母材の加熱処理中に発生す
る水分や酸素で消耗するのを防ぐため、カーボン発熱体
と焼結雰囲気とを隔離する炉心管が配置されており、従
来アルミナ製のものが使用されていた。しかし、アルミ
ナ製の炉心管を用いるとアルミナの中に含まれるアルカ
リ成分が高温で周囲に飛散し、これが多孔質母材表面に
付着し、クリストパライｌ−Ｍを形成するという問題が
ある。さらに若干の反応が起１）、ｋｔＦ３なるものを
つくシ、これがファイバ中に混入することが起った。そ
こで炉心管として石英ガラス製のものが実用化されてい
る。石英ガフス製炉心管の使用は、アルミナ管の使用に
比し、下記の利点を有する。
■ 機械的加工精度が良く、このため雰囲気の気密性が
保たれスート母材の脱水が有効に行われる。
保たれスート母材の脱水が有効に行われる。
■ Ｆｅ アルカリ等の不純物が殆んどなく、アルミナ
に比し高純度である。
に比し高純度である。
■ これを用いて得られたガラス母材は、アルカリによ
る表面失透を起さない。
る表面失透を起さない。
■ 熱的な破損（サーマμショックによる破壊）がない
。
。
■ 弗素系ガスを用いた場合に、）ＬＦ’３ 等の不純
物ガスの発生がない。但し、ＳｉＦ４ ガスの発生は
あるが、ガラス母材への不純物としての悪影響は及ぼさ
ない。
物ガスの発生がない。但し、ＳｉＦ４ ガスの発生は
あるが、ガラス母材への不純物としての悪影響は及ぼさ
ない。
なお、石英製炉心管を利用した方法については、特公昭
５８−５８２９９、同５８−４２１５６及び特開昭６０
−１６０４９各号公報に詳細に示されている。
５８−５８２９９、同５８−４２１５６及び特開昭６０
−１６０４９各号公報に詳細に示されている。
しかしながら、石英管には高熱で変形し易いという重大
な問題点が存在する。ちなみに、温度１３００℃程度で
も、１ケ月以上昇降温を毎日繰り返すと、失透による破
壊や変形が起きてしまうのでコス）が高くついてしまう
。
な問題点が存在する。ちなみに、温度１３００℃程度で
も、１ケ月以上昇降温を毎日繰り返すと、失透による破
壊や変形が起きてしまうのでコス）が高くついてしまう
。
また、８Ｆ、、ＣＦ４ などの弗素系ガスを用いた場合
、石英管がエツチングされ、ビンホー〃を生じることも
あった。この現象は、外気の混入や雰囲気ガスが漏出す
る原因ともな９′、製造工程上悪影響を招く結果になる
。
、石英管がエツチングされ、ビンホー〃を生じることも
あった。この現象は、外気の混入や雰囲気ガスが漏出す
る原因ともな９′、製造工程上悪影響を招く結果になる
。
本発明はこのような現状に鑑み、光フアイバ用母材の脱
水、焼結、弗素添加処理における従来の炉心管の問題点
を解決し、炉心管が高寿命で使用できる光フアイバ母材
の製造方法を提供せんと意図するものである。
水、焼結、弗素添加処理における従来の炉心管の問題点
を解決し、炉心管が高寿命で使用できる光フアイバ母材
の製造方法を提供せんと意図するものである。
本発明者等は上記問題点を解決するための手段について
鋭意研究の結果、炉心管としてＳｉＣもしくはムフィト
製炉心管の内壁に純石英習を形成したものを使用すれば
、高温での使用であっても石英炉心管の長所は生かしつ
つ、しかも上記の欠点は克服し、さらに弗素系ガスの使
用にあたっては８１Ｆ４ を選択するならば、炉心管の
長寿命化にも非常に有効であるとの結論に至り、本発明
を完成できたのである。
鋭意研究の結果、炉心管としてＳｉＣもしくはムフィト
製炉心管の内壁に純石英習を形成したものを使用すれば
、高温での使用であっても石英炉心管の長所は生かしつ
つ、しかも上記の欠点は克服し、さらに弗素系ガスの使
用にあたっては８１Ｆ４ を選択するならば、炉心管の
長寿命化にも非常に有効であるとの結論に至り、本発明
を完成できたのである。
すなわち、本発明はＳｉｎ、を主成分とするガラス微粒
子体を、弗素系ガスを含むガス雰囲気中にて加熱処理し
て弗素を含んだ光ファイバー用ガラス母材とする方法に
おいて、上記加熱処理を内壁表面に高純度石英層を有す
る耐熱炉心管において、ＳｉＦ４ を共存させたガス雰
囲気中にて行なうことを特徴とする光ファイバー用ガラ
ス母材の製造方法である。
子体を、弗素系ガスを含むガス雰囲気中にて加熱処理し
て弗素を含んだ光ファイバー用ガラス母材とする方法に
おいて、上記加熱処理を内壁表面に高純度石英層を有す
る耐熱炉心管において、ＳｉＦ４ を共存させたガス雰
囲気中にて行なうことを特徴とする光ファイバー用ガラ
ス母材の製造方法である。
本発明の特に好ましい実施態様としては、耐熱炉心管と
してムフイｔ１アルミナもしくはＳｉＣかもなるものを
用い、８１Ｆ’、及びＨｅのみからなる雰囲気中で行う
上記方法が挙げられる。
してムフイｔ１アルミナもしくはＳｉＣかもなるものを
用い、８１Ｆ’、及びＨｅのみからなる雰囲気中で行う
上記方法が挙げられる。
またガラス微粒子が予め塩素系ガス含有不活性ガス雰囲
気中で予め脱水されたものであること、ＳｉＦ４ が
高純度石英層とフッ素化合物ガスの反応により生成され
たものであることは、本発明の効果をより高める好まし
い実施態様である。
気中で予め脱水されたものであること、ＳｉＦ４ が
高純度石英層とフッ素化合物ガスの反応により生成され
たものであることは、本発明の効果をより高める好まし
い実施態様である。
本発明の方法の詳細な説明に先立ち、本発明の基礎とな
った実験及び概念について説明する。
った実験及び概念について説明する。
ここで断っておくが、以下に述べる概念は、本発明に有
効な実験による知見を得て、初めて説明できたものであ
って、予め容易に類推できるものではなかった。
効な実験による知見を得て、初めて説明できたものであ
って、予め容易に類推できるものではなかった。
実験１
内径１００ｗ１長さ３００箇、厚さ２−の石英炉心管を
１５００℃で加熱し、１思夜この温度に保持したところ
、炉心管は引伸び長さ４０〇−になってしまった。
１５００℃で加熱し、１思夜この温度に保持したところ
、炉心管は引伸び長さ４０〇−になってしまった。
実験２
実験１と同サイズで、内表面に２００μｍ厚に石英コー
トしたム・ライト管を用い、実験１と同様に行ったとこ
ろ、炉心管の伸びは全くみられなかった。
トしたム・ライト管を用い、実験１と同様に行ったとこ
ろ、炉心管の伸びは全くみられなかった。
実験３
実験１と同じ炉心管を１日毎に室温から１５００℃に３
時間かけて昇温するテストを繰シ返したところ、２０日
後に炉心管は失透による破壊を起した。
時間かけて昇温するテストを繰シ返したところ、２０日
後に炉心管は失透による破壊を起した。
実験４
実験２と同じ炉心管につき、１日毎に室温から１５００
℃に３時間かけて昇温するテスＦを繰り返しだところ、
２０日間経過後も全く問題はなかった。
℃に３時間かけて昇温するテスＦを繰り返しだところ、
２０日間経過後も全く問題はなかった。
実験５
内壁に２００μ厚の石英層を有する内径１１０嘔、長さ
３００頷、厚さ６簡のＥｉｉＣ管を用い、その他の条件
は実験１と同様に行ったところ、炉心管の伸びは全く見
られなかった。
３００頷、厚さ６簡のＥｉｉＣ管を用い、その他の条件
は実験１と同様に行ったところ、炉心管の伸びは全く見
られなかった。
実験６
内壁に２００μ厚の石英層を有する内径１００■、長さ
３００ｍ＋、厚さ５ｗのＡ４，０．管を用い、その他の
条件は実験１と同様に行ったところ１、炉心管の伸びは
全く見られなかった。
３００ｍ＋、厚さ５ｗのＡ４，０．管を用い、その他の
条件は実験１と同様に行ったところ１、炉心管の伸びは
全く見られなかった。
実験７
石英管の厚みを２００μ、１０００μ、２０００μとし
て、その他は実験４と同様に行ったところ、いずれの場
合も実験４と同じく、２０日間経過後も全く問題はなか
った。
て、その他は実験４と同様に行ったところ、いずれの場
合も実験４と同じく、２０日間経過後も全く問題はなか
った。
実験８
石英コートを施こさずに、８ｉＣ、ムライト、及びアル
ミナ片を８１Ｆ４ ガス中に放置し、１５００℃にて６
時間保持したところ、いずれの片もエツチングされてい
た。
ミナ片を８１Ｆ４ ガス中に放置し、１５００℃にて６
時間保持したところ、いずれの片もエツチングされてい
た。
以上の実験１〜８から、次のこ、とが明らかである。
１）石英層を施したムライト、アルミナ又はＳｉＣ管は
純粋な石英管に比べ極めて高温に耐える。
純粋な石英管に比べ極めて高温に耐える。
１１）さらに弗素系ガスを使用する場合は、ＳｉＦ４ガ
スを使用すれば石英層を施したムライト、アルミナ又は
ＳｉＣ炉心管はエツチングされない。
スを使用すれば石英層を施したムライト、アルミナ又は
ＳｉＣ炉心管はエツチングされない。
この実験に基き、炉心管の中でスート母材を１５００℃
以上の高温で加熱処理する際の焼心管としては、石英層
を有する耐熱炉心管を用いること、加えて弗素系ガスを
使用する場合にはＳｉＦ４ を使用することが良いと
判った。又、このような知見は、以下のように説明でき
る。
以上の高温で加熱処理する際の焼心管としては、石英層
を有する耐熱炉心管を用いること、加えて弗素系ガスを
使用する場合にはＳｉＦ４ を使用することが良いと
判った。又、このような知見は、以下のように説明でき
る。
石英（Ｓｉｎ、）を有する炉心管や、多孔質母材とＳＦ
、との下記（１）式の反応は炉心管をエツチングする。
、との下記（１）式の反応は炉心管をエツチングする。
Ｓ ｉ ０２ （ｓ） ＋ Ｓ Ｆ６ （す→５ｉＦ４
（ω＋Ｓ Ｆ、（ω＋０□（ｇ）・・・（１）ただしＳ
：固体、ｇ：気体 一方、１３１Ｆ、は下記（２）式の反応を起さず、Ｓｉ
ｎ。
（ω＋Ｓ Ｆ、（ω＋０□（ｇ）・・・（１）ただしＳ
：固体、ｇ：気体 一方、１３１Ｆ、は下記（２）式の反応を起さず、Ｓｉ
ｎ。
をエツチングしない。
５ｉ０２（８）＋ ５ｉＦ４−誉一一→ 生成物なし
・・・（２）本発明において用いる耐熱炉心管として
は、ムフィト、アルミナ、又はＳ１０等の管が好ましく
、石英層の厚みは約１００〜３００μｍ程度で充分に目
的を達成できるが、その内壁表面に石英層を形成する方
法は特に限定されるところはなく、公知のＳｉｎ！ 形
成手段によればよい。
・・・（２）本発明において用いる耐熱炉心管として
は、ムフィト、アルミナ、又はＳ１０等の管が好ましく
、石英層の厚みは約１００〜３００μｍ程度で充分に目
的を達成できるが、その内壁表面に石英層を形成する方
法は特に限定されるところはなく、公知のＳｉｎ！ 形
成手段によればよい。
例えば被コート用の管を温度１２００〜１５００℃に加
熱し、該管内に８１ ＣＬ、もしくは８１０（（Ｊ！、
）４の蒸気を０．ガスと混合して流し、該管内壁に析出
させる方法（Ｃ’ＶＤ法）を用いる。壕だ金属の８ｉ
を蒸気又はミストとし該管内壁に析出させ、次いで１２
００〜１６００℃の高温で０．雰囲気としてＳｌ を
酸化し５１０７層を形成することも可能であυ、この場
合には１回当シの析出厚は２０μｍ前後とすることが、
表面割れや剥離を防止する意味から好ましく、例えば１
００μｍ厚さに形成するには５回線シ返す必要がある。
熱し、該管内に８１ ＣＬ、もしくは８１０（（Ｊ！、
）４の蒸気を０．ガスと混合して流し、該管内壁に析出
させる方法（Ｃ’ＶＤ法）を用いる。壕だ金属の８ｉ
を蒸気又はミストとし該管内壁に析出させ、次いで１２
００〜１６００℃の高温で０．雰囲気としてＳｌ を
酸化し５１０７層を形成することも可能であυ、この場
合には１回当シの析出厚は２０μｍ前後とすることが、
表面割れや剥離を防止する意味から好ましく、例えば１
００μｍ厚さに形成するには５回線シ返す必要がある。
また本発明に用いる８ｉＦ４ガスとしては、室温大気中
にて安定なフッ素系化合物、例えば８Ｆ６ ＋ ＣＦ４
ｖ ”２ Ｆ６ 、Ｃｓ Ｆ８＊ ＣＣ４２Ｆ？＋
オよびＣＯＦ２等を、予め石英系微粒子体と下記（３）
又は（４）式のように反応させることによシ生成せしめ
たＳｉＦ４を用いれば、ＳｉＦ４ はもはや炉心管をエ
ツチングしないので好ましい。
にて安定なフッ素系化合物、例えば８Ｆ６ ＋ ＣＦ４
ｖ ”２ Ｆ６ 、Ｃｓ Ｆ８＊ ＣＣ４２Ｆ？＋
オよびＣＯＦ２等を、予め石英系微粒子体と下記（３）
又は（４）式のように反応させることによシ生成せしめ
たＳｉＦ４を用いれば、ＳｉＦ４ はもはや炉心管をエ
ツチングしないので好ましい。
Ｓ １０２ ＋ ２／’３８Ｆ６−→Ｓｉｎ’４＋ ２
／３８０．＋１／６０．（３）Ｓ ｉｏ２＋ ＣＦ、
ＳｉＦ４ ＋ ＣＯ２（４）なお、このように
して８１Ｆ４を得る方法については、例えば特願昭５９
−９５５４１号明細書（昭和５９年５月１５日出ｈＡ）
に記載される方法等によればよい。
／３８０．＋１／６０．（３）Ｓ ｉｏ２＋ ＣＦ、
ＳｉＦ４ ＋ ＣＯ２（４）なお、このように
して８１Ｆ４を得る方法については、例えば特願昭５９
−９５５４１号明細書（昭和５９年５月１５日出ｈＡ）
に記載される方法等によればよい。
以下実施例を示して具体的に説明する。
第１図は、本発明の１実施態様である、光フアイバ用ガ
ラス母材の製造装置を示す概略構造図である。第１図中
１はスート母材、２は支持棒、３は炉心管、４は発熱体
、５は炉本体、６は不活性ガスの導入口、７は雰囲気ガ
ス（例えばＳ ｉ Ｃｌ−４ｓ Ｓ Ｆ６ ｅ ！’！
ｅ等）の導入口でｓる。
ラス母材の製造装置を示す概略構造図である。第１図中
１はスート母材、２は支持棒、３は炉心管、４は発熱体
、５は炉本体、６は不活性ガスの導入口、７は雰囲気ガ
ス（例えばＳ ｉ Ｃｌ−４ｓ Ｓ Ｆ６ ｅ ！’！
ｅ等）の導入口でｓる。
次の実施例及び比較例は第１図の装置を用いて行った。
実施例１
発熱体４により、石英層１１ｍ厚を有するムフイト炉心
管５を１６００℃に加熱し、該管３内にＳｉＦ、 を
５Ｇｃｃ／分 及びＨｅを５ｉ１分の割合で流し、その
中にスート母材１を下降速度２■／分で挿入した。得ら
れた透明ガラス母材を引き続きファイバに紡糸したとこ
ろ、ファイバの残留水分は１１ ｐｐｍでありＣｕ ＋
Ｆｅに由来する吸収は全くみられなかった。ガフス母材
中には、約１重量％のフッ素が添加されていた。
管５を１６００℃に加熱し、該管３内にＳｉＦ、 を
５Ｇｃｃ／分 及びＨｅを５ｉ１分の割合で流し、その
中にスート母材１を下降速度２■／分で挿入した。得ら
れた透明ガラス母材を引き続きファイバに紡糸したとこ
ろ、ファイバの残留水分は１１ ｐｐｍでありＣｕ ＋
Ｆｅに由来する吸収は全くみられなかった。ガフス母材
中には、約１重量％のフッ素が添加されていた。
この条件にて１ケ月連続使用しても、炉心管の引伸びは
全くなかった。
全くなかった。
実施例２
第１図の装置で石英層ｌ１ｌＬ１−厚を有するＳｉＣ炉
心管を用い、その他は実施例１と同じ条件で多孔質母材
の処理を行ったところ、実施例１と同様の結果が得られ
た。
心管を用い、その他は実施例１と同じ条件で多孔質母材
の処理を行ったところ、実施例１と同様の結果が得られ
た。
実施例３
８ｉＦ４のかわシにＳＦ６を５００ ｃｃ／分流す他は
、実施例１と同様の条件でスート母材の処理を行った。
、実施例１と同様の条件でスート母材の処理を行った。
得られた透明化母材中には若干の気泡が残っていた。ま
た炉心管は若干エツチングされた。
た炉心管は若干エツチングされた。
実施例４
−ｔｏ中心部にコアとクツラド部の一部を有するスート
母材を用いて、実、流側１と同様の条件にて処理したと
ころ、得られた結果は実施例１の場合と同じであった。
母材を用いて、実、流側１と同様の条件にて処理したと
ころ、得られた結果は実施例１の場合と同じであった。
実施例５
実施例１において、予め炉心管を１２００℃としてＣ４
ガスを用いてスート母材を脱水し、その後は実施例１と
同じ条件で処理したところ、極めて低水分量のファイバ
が得られた。その他の結果は実施例１と同じであった。
ガスを用いてスート母材を脱水し、その後は実施例１と
同じ条件で処理したところ、極めて低水分量のファイバ
が得られた。その他の結果は実施例１と同じであった。
比較例
炉心管として純石英管を使用した他は実施例１と同じ条
件でファイバを製造した。得られたファイバの残留水分
は０．１ ｐｐｍであった。しかしながら、炉心管の引
伸びが起り、２０回使用して炉心管は破損した。
件でファイバを製造した。得られたファイバの残留水分
は０．１ ｐｐｍであった。しかしながら、炉心管の引
伸びが起り、２０回使用して炉心管は破損した。
以上の説明は、ＭＡＤ法による場合を例示したが、勿論
これに限定されるものではなく、その他外付は法等で得
た多孔質母材にはすべて本発明の方法を適用して効果が
ある。
これに限定されるものではなく、その他外付は法等で得
た多孔質母材にはすべて本発明の方法を適用して効果が
ある。
又、炉構造も１例を挙げたにすぎず、多孔質母材を移動
せずにすむ均質加熱炉によっても、本実施例と同様の優
れた結果が得られた。
せずにすむ均質加熱炉によっても、本実施例と同様の優
れた結果が得られた。
（発明の効果）
以上、実施例に基づいて具体的に説明したように本発明
は、不純物特にＣｕや水分の混入しない光フアイバ用母
材を炉心管の消耗を低減して製造でき、伝送損失の小さ
な光ファイバを得ることができ、特に石英層を何するム
フィト、アμミナ又はＳｉＣの炉心管の使用は熱的消耗
が少な（、耐久性に優れることから、経済上非常に有利
である。
は、不純物特にＣｕや水分の混入しない光フアイバ用母
材を炉心管の消耗を低減して製造でき、伝送損失の小さ
な光ファイバを得ることができ、特に石英層を何するム
フィト、アμミナ又はＳｉＣの炉心管の使用は熱的消耗
が少な（、耐久性に優れることから、経済上非常に有利
である。
第１図は本発明の光ファイバ用ガヲヌ母材の製造方法の
１例を示す概略構造図でちる。
１例を示す概略構造図でちる。
Claims (5)
- （１）ＳｉＯ＿２を主成分とするガラス微粒子体を、弗
素系ガスを含むガス雰囲気中にて加熱処理して弗素を含
んだ光ファイバー用ガラス母材とする方法において、上
記加熱処理を内壁表面に高純度石英層を有する耐熱炉心
管において、ＳｉＦ＿４を共存させたガス雰囲気中にて
行なうことを特徴とする光ファイバー用ガラス母材の製
造方法。 - （２）耐熱炉心管がムライト、アルミナもしくはＳｉＣ
からなるものである特許請求の範囲第（１）項に記載さ
れる光ファイバー用ガラス母材の製造方法。 - （３）ＳｉＦ＿４及びＨｅのみからなる雰囲気中にてガ
ラス微粒子体を透明ガラス化する特許請求の範囲第（１
）項に記載される光ファイバー用ガラス母材の製造方法
。 - （４）ＳｉＦ＿４が、大気中室温にて安定なフッ素化合
物ガスを予め高純度石英粉と反応させて生成せしめたも
のである特許請求の範囲第（１）項に記載される光ファ
イバー用ガラス母材の製造方法。 - （５）ガラス微粒子体が予め塩素系ガスを含む不活性ガ
ス雰囲気中で脱水処理されその後弗素系ガスを含むガス
雰囲気中にて加熱処理する特許請求の範囲第（１）項に
記載される光ファイバー用ガラス母材の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29305985A JPS62153130A (ja) | 1985-12-27 | 1985-12-27 | 光フアイバ−用ガラス母材の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29305985A JPS62153130A (ja) | 1985-12-27 | 1985-12-27 | 光フアイバ−用ガラス母材の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62153130A true JPS62153130A (ja) | 1987-07-08 |
Family
ID=17789932
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP29305985A Pending JPS62153130A (ja) | 1985-12-27 | 1985-12-27 | 光フアイバ−用ガラス母材の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62153130A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02180729A (ja) * | 1989-01-06 | 1990-07-13 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 光ファイバ用母材の製造方法 |
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| WO2010059464A1 (en) * | 2008-11-19 | 2010-05-27 | Corning Incorporated | Apparatus and method of sintering an optical fiber preform |
| US10781130B2 (en) | 2016-03-03 | 2020-09-22 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Heat treatment apparatus |
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| JPS59184735A (ja) * | 1983-04-06 | 1984-10-20 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 光学系多孔質ガラスの透明ガラス化法 |
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| JPS60239337A (ja) * | 1984-05-15 | 1985-11-28 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 光フアイバ−用ガラス母材の製造法 |
-
1985
- 1985-12-27 JP JP29305985A patent/JPS62153130A/ja active Pending
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