JPH04315730A - 非蒸発型ゲッターの製造方法 - Google Patents
非蒸発型ゲッターの製造方法Info
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Landscapes
- Common Detailed Techniques For Electron Tubes Or Discharge Tubes (AREA)
- Particle Accelerators (AREA)
- Thermally Insulated Containers For Foods (AREA)
- Manufacture Of Electron Tubes, Discharge Lamp Vessels, Lead-In Wires, And The Like (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、真空容器中のガス吸着
などのために用いられるゲッターを製造する方法に関し
、特に、加速器などのように磁場中に設置されるコンダ
クタンスが小さく、複雑な形状の真空容器に用いられる
ものに適用した場合にとりわけ効果的な非蒸発型ゲッタ
ーの製造方法について提案する。
などのために用いられるゲッターを製造する方法に関し
、特に、加速器などのように磁場中に設置されるコンダ
クタンスが小さく、複雑な形状の真空容器に用いられる
ものに適用した場合にとりわけ効果的な非蒸発型ゲッタ
ーの製造方法について提案する。
【０００２】
【従来の技術】前記ゲッターは、真空管や魔法瓶などの
ような真空容器内を真空にするために、それらの内部に
直接もしくは間接に取付けて使用するものである。この
ようなゲッターには、バリウム系のような真空容器内で
蒸発する「蒸発型」と、Ｚｒ系に代表される「非蒸発型
」があり、最近では、取扱いが簡単で吸着能力の大きい
非蒸発型ゲッターと呼ばれているものが優勢であるが、
この非蒸発型ゲッターについてもその吸着能力をさらに
大きくするための研究、すなわち合金成分の改良や形状
の改良が行われている。
ような真空容器内を真空にするために、それらの内部に
直接もしくは間接に取付けて使用するものである。この
ようなゲッターには、バリウム系のような真空容器内で
蒸発する「蒸発型」と、Ｚｒ系に代表される「非蒸発型
」があり、最近では、取扱いが簡単で吸着能力の大きい
非蒸発型ゲッターと呼ばれているものが優勢であるが、
この非蒸発型ゲッターについてもその吸着能力をさらに
大きくするための研究、すなわち合金成分の改良や形状
の改良が行われている。
【０００３】従来、この非蒸発型ゲッターの形状として
は、タブレット状、リング状および板状の構造が知られ
ており、それらを真空容器内に取付ける方法としては、
金属製の保持容器または保持具を介して、タブレット状
またはリング状のゲッターを、真空容器内壁などに取付
ける方法（実公昭６０−２８号公報）や、板状ゲッター
を、直接に真空容器内壁に取付ける方法（実開平２−１
０９５４３号公報）が開示されている。
は、タブレット状、リング状および板状の構造が知られ
ており、それらを真空容器内に取付ける方法としては、
金属製の保持容器または保持具を介して、タブレット状
またはリング状のゲッターを、真空容器内壁などに取付
ける方法（実公昭６０−２８号公報）や、板状ゲッター
を、直接に真空容器内壁に取付ける方法（実開平２−１
０９５４３号公報）が開示されている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ところが、かかる従来
のゲッターは、ステンレスやコンスタンタンなどの２〜
３種の金属基材にゲッター材を被覆したもので、しかも
、上述したように金属保持具などに保持するか、あるい
は直接取付ける構造であるため、限られた金属で、かつ
単純な形状の材料にしか被覆できなかった。
のゲッターは、ステンレスやコンスタンタンなどの２〜
３種の金属基材にゲッター材を被覆したもので、しかも
、上述したように金属保持具などに保持するか、あるい
は直接取付ける構造であるため、限られた金属で、かつ
単純な形状の材料にしか被覆できなかった。
【０００５】また、ゲッターの吸着性能を改善したもの
として、金属板にゲッター材をロール押圧成型すること
により、板状ゲッターを得る方法が提案されているが、
用途によっては、ゲッターの吸着能力が充分とはいえな
い。
として、金属板にゲッター材をロール押圧成型すること
により、板状ゲッターを得る方法が提案されているが、
用途によっては、ゲッターの吸着能力が充分とはいえな
い。
【０００６】本発明の目的は、材料や形状の影響を受け
ることなく、かつ吸着速度が速く、吸着量の大きい非蒸
発型ゲッターを得る方法を提供することにある。
ることなく、かつ吸着速度が速く、吸着量の大きい非蒸
発型ゲッターを得る方法を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上述のような従来技術が
抱えている問題点について検討した結果、本発明者らは
、基材として従来の金属と比べて比較的自由な抵抗値を
選択できるとともに、ガス放出の少ない材料で超高真空
中のヒーター材料を兼ねるような基材に、ゲッター粉末
材料をプラズマ溶射することが有効であることを知見し
、次のような要旨構成の非蒸発型ゲッターの製造方法に
想到した。
抱えている問題点について検討した結果、本発明者らは
、基材として従来の金属と比べて比較的自由な抵抗値を
選択できるとともに、ガス放出の少ない材料で超高真空
中のヒーター材料を兼ねるような基材に、ゲッター粉末
材料をプラズマ溶射することが有効であることを知見し
、次のような要旨構成の非蒸発型ゲッターの製造方法に
想到した。
【０００８】すなわち、本発明は、基材表面に、ゲッタ
ー粉末材料を、プラズマ溶射被覆することを特徴とする
非蒸発型ゲッターの製造方法であり、特に、上記基材は
、Ｃｕ基合金および／または炭素繊維を含む複合炭素材
料であることが好ましく、また、上記ゲッター粉末材料
は、Ｔｉ，Ｚｒ，Ｃｒ，Ｖ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｗ，Ｍｏ，Ｔ
ｈ，Ｃａ，Ａｌ，Ｎｉ，ＭｎおよびＦｅのうちから選ば
れる一種以上の金属または合金からなることが好ましい
。
ー粉末材料を、プラズマ溶射被覆することを特徴とする
非蒸発型ゲッターの製造方法であり、特に、上記基材は
、Ｃｕ基合金および／または炭素繊維を含む複合炭素材
料であることが好ましく、また、上記ゲッター粉末材料
は、Ｔｉ，Ｚｒ，Ｃｒ，Ｖ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｗ，Ｍｏ，Ｔ
ｈ，Ｃａ，Ａｌ，Ｎｉ，ＭｎおよびＦｅのうちから選ば
れる一種以上の金属または合金からなることが好ましい
。
【０００９】
【作用】本発明の非蒸発型ゲッターの製造方法は、例え
ば、図１に示すような高周波プラズマなどの減圧プラズ
マ発生装置１内に、ゲッター粉末材料２を、Ｈ２ やＡ
ｒなどのキャリアガス３とともに導入し、ＡｒやＨｅな
どの不活性ガス雰囲気としたブース４内に載置した基板
５上に、前記ゲッター粉末材料２を溶射することからな
る。
ば、図１に示すような高周波プラズマなどの減圧プラズ
マ発生装置１内に、ゲッター粉末材料２を、Ｈ２ やＡ
ｒなどのキャリアガス３とともに導入し、ＡｒやＨｅな
どの不活性ガス雰囲気としたブース４内に載置した基板
５上に、前記ゲッター粉末材料２を溶射することからな
る。
【００１０】すなわち、本発明は、プラズマ溶射により
ゲッター粉末材料を基板上に被覆することであり、これ
により、真空容器中のガスを吸着するゲッターの表面積
が極めて大きくなる。その結果、ガスの速やかな吸着と
大きい吸着量が達成される。また、基材が自由に選べ真
空容器内が複雑な形状であってもその形状に合わせて所
定の形状とすることができるので、あらゆる真空容器に
適用できる。
ゲッター粉末材料を基板上に被覆することであり、これ
により、真空容器中のガスを吸着するゲッターの表面積
が極めて大きくなる。その結果、ガスの速やかな吸着と
大きい吸着量が達成される。また、基材が自由に選べ真
空容器内が複雑な形状であってもその形状に合わせて所
定の形状とすることができるので、あらゆる真空容器に
適用できる。
【００１１】なお、ガス放出が少なく、超高真空中のヒ
ーターを兼ねることのできる材料としては、コンスタン
タンのようなＣｕ−Ｎｉ系合金や Ｃ／Ｃコンポジット
と称される炭素繊維と炭素の複合材料が好ましい。
ーターを兼ねることのできる材料としては、コンスタン
タンのようなＣｕ−Ｎｉ系合金や Ｃ／Ｃコンポジット
と称される炭素繊維と炭素の複合材料が好ましい。
【００１２】この Ｃ／Ｃコンポジットは、超高真空中
における加熱ヒーター材料として知られており、本発明
の一用途である加速器のような１０−１０Ｔｏｒｒ 以
下の超高真空領域で使われる場合においても充分使用で
きることを、ガス放出率、放出ガスのマススペクトル等
を検討した結果、確認できた。その結果、 Ｃ／Ｃコン
ポジットは、加速器の磁場中に配置されるゲッター材料
のみならず、ベーク用ヒーター材料としても共用するこ
とができるので、真空チャンバー内の有効アパーチャー
の減少防止にも効果的であることが判った。
における加熱ヒーター材料として知られており、本発明
の一用途である加速器のような１０−１０Ｔｏｒｒ 以
下の超高真空領域で使われる場合においても充分使用で
きることを、ガス放出率、放出ガスのマススペクトル等
を検討した結果、確認できた。その結果、 Ｃ／Ｃコン
ポジットは、加速器の磁場中に配置されるゲッター材料
のみならず、ベーク用ヒーター材料としても共用するこ
とができるので、真空チャンバー内の有効アパーチャー
の減少防止にも効果的であることが判った。
【００１３】
【実施例】図１に示すような高周波アークプラズマ（ア
ークガス （Ｈ２）７０ｐｓｉ，キャリアガス（Ａｒ）
３５ｐｓｉ ）内に、Ｚｒ−Ｖ−Ｆｅ−Ｎｉ−Ｍｎ−Ａ
ｌ合金粉末（エルジェニクス社ＨＳ−４０２Ｓ）を導入
し、表１に示すそれぞれの基板上に、前記合金粉末を溶
射した。得られた非蒸発型ゲッターの溶射後重量および
膜厚を測定した結果を表１に示す。
ークガス （Ｈ２）７０ｐｓｉ，キャリアガス（Ａｒ）
３５ｐｓｉ ）内に、Ｚｒ−Ｖ−Ｆｅ−Ｎｉ−Ｍｎ−Ａ
ｌ合金粉末（エルジェニクス社ＨＳ−４０２Ｓ）を導入
し、表１に示すそれぞれの基板上に、前記合金粉末を溶
射した。得られた非蒸発型ゲッターの溶射後重量および
膜厚を測定した結果を表１に示す。
【００１４】
【表１】
【００１５】次に、得られた非蒸発型ゲッターを活性化
し、単位重量当りの水素および炭酸ガス吸着量を測定し
た。その結果を図２および図３に示す。図２および図３
から、特に、 Ｃ／Ｃコンポジットにゲッター粉末材料
を溶射したものは、測定開始後１時間以内の初期吸着速
度が非常に速いことがわかる。例えば、吸着開始後１０
分までを、通常のロール成型した非蒸発型ゲッターと比
較すると、水素ガスの吸着では、２倍以上、一酸化炭素
ガスでは、３倍以上吸着速度が速いことが確認できた。 また、ガス吸着量では、ロール成型品の約１．５倍の吸
着量であった。これは、プラズマ溶射によりゲッター比
表面積および気孔率が大きくなっているためと考えられ
る。一方、コンスタンタンに、ゲッター粉末材料を溶射
したものは、 Ｃ／Ｃコンポジットほど初期吸着速度は
速くないが、ロール成型品より、ガス吸着が速く、ガス
吸着量が大きいことが確認できた。
し、単位重量当りの水素および炭酸ガス吸着量を測定し
た。その結果を図２および図３に示す。図２および図３
から、特に、 Ｃ／Ｃコンポジットにゲッター粉末材料
を溶射したものは、測定開始後１時間以内の初期吸着速
度が非常に速いことがわかる。例えば、吸着開始後１０
分までを、通常のロール成型した非蒸発型ゲッターと比
較すると、水素ガスの吸着では、２倍以上、一酸化炭素
ガスでは、３倍以上吸着速度が速いことが確認できた。 また、ガス吸着量では、ロール成型品の約１．５倍の吸
着量であった。これは、プラズマ溶射によりゲッター比
表面積および気孔率が大きくなっているためと考えられ
る。一方、コンスタンタンに、ゲッター粉末材料を溶射
したものは、 Ｃ／Ｃコンポジットほど初期吸着速度は
速くないが、ロール成型品より、ガス吸着が速く、ガス
吸着量が大きいことが確認できた。
【００１６】以上説明したように、本発明によれば、材
料や形状の影響を受けることなく、かつ吸着速度が非常
に速く、吸着量も大きい非蒸発型ゲッターを安定して製
造することができる。このようにして製造した非蒸発型
ゲッターは、加速器などのように磁場の影響を受けやす
く、複雑な形状の真空チャンバー中での利用に特に有効
である。もちろん、吸着速度が速いことと、吸着量が大
きいことから、通常のゲッターの代用としても有利なゲ
ッターである。
料や形状の影響を受けることなく、かつ吸着速度が非常
に速く、吸着量も大きい非蒸発型ゲッターを安定して製
造することができる。このようにして製造した非蒸発型
ゲッターは、加速器などのように磁場の影響を受けやす
く、複雑な形状の真空チャンバー中での利用に特に有効
である。もちろん、吸着速度が速いことと、吸着量が大
きいことから、通常のゲッターの代用としても有利なゲ
ッターである。
【００１７】なお、本発明によれば、プラズマ溶射によ
って充分なゲッター効果を得ることができるので、種々
の材料あるいは複雑な形状のものに対しても、ゲッター
材を成型することができ、応用領域が拡がることが期待
される。
って充分なゲッター効果を得ることができるので、種々
の材料あるいは複雑な形状のものに対しても、ゲッター
材を成型することができ、応用領域が拡がることが期待
される。
【図１】本発明にかかる製造方法の一実施例を示す説明
図である。
図である。
【図２】本発明によって得られた非蒸発型ゲッターの水
素ガス吸着特性を示す図である。
素ガス吸着特性を示す図である。
【図３】本発明によって得られた非蒸発型ゲッターの一
酸化炭素ガス吸着特性を示す図である。
酸化炭素ガス吸着特性を示す図である。
【符号の説明】
１ プラズマ発生装置
２ ゲッター粉末材料
３ キャリアガス
４ ブース
５ 基板
Claims (3)
- 【請求項１】 基材表面に、ゲッター粉末材料を、真
空下でプラズマ溶射被覆することを特徴とする非蒸発型
ゲッターの製造方法。 - 【請求項２】 上記基材が、Ｃｕ基合金および／また
は炭素繊維を含む複合炭素材料である請求項１に記載の
非蒸発型ゲッターの製造方法。 - 【請求項３】 上記ゲッター粉末材料が、Ｔｉ，Ｚｒ
，Ｃｒ，Ｖ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｗ，Ｍｏ，Ｔｈ，Ｃａ，Ａｌ
，Ｎｉ，ＭｎおよびＦｅのうちから選ばれる一種以上の
金属または合金からなる請求項１に記載の非蒸発型ゲッ
ターの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10657191A JP3088480B2 (ja) | 1991-04-12 | 1991-04-12 | 非蒸発型ゲッターの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10657191A JP3088480B2 (ja) | 1991-04-12 | 1991-04-12 | 非蒸発型ゲッターの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04315730A true JPH04315730A (ja) | 1992-11-06 |
| JP3088480B2 JP3088480B2 (ja) | 2000-09-18 |
Family
ID=14436939
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10657191A Expired - Fee Related JP3088480B2 (ja) | 1991-04-12 | 1991-04-12 | 非蒸発型ゲッターの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3088480B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100320240B1 (ko) * | 1999-06-29 | 2002-01-10 | 최인효 | 게터의 제조방법 및 이를 이용한 램프 |
| KR100381960B1 (ko) * | 2000-06-05 | 2003-05-01 | 주식회사 세종소재 | 겟터 |
| EP1371077A2 (en) * | 2000-10-27 | 2003-12-17 | Candescent Intellectual Property Services, Inc. | Structure and fabrication of device, such as light-emitting device or electron-emitting device, having getter region |
| JP2009076242A (ja) * | 2007-09-19 | 2009-04-09 | Toshiba Hokuto Electronics Corp | マグネトロン |
-
1991
- 1991-04-12 JP JP10657191A patent/JP3088480B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100320240B1 (ko) * | 1999-06-29 | 2002-01-10 | 최인효 | 게터의 제조방법 및 이를 이용한 램프 |
| KR100381960B1 (ko) * | 2000-06-05 | 2003-05-01 | 주식회사 세종소재 | 겟터 |
| EP1371077A2 (en) * | 2000-10-27 | 2003-12-17 | Candescent Intellectual Property Services, Inc. | Structure and fabrication of device, such as light-emitting device or electron-emitting device, having getter region |
| EP1371077A4 (en) * | 2000-10-27 | 2006-11-02 | Candescent Intellectual Prop | STRUCTURE AND MANUFACTURE OF A DEVICE, SUCH AS A LIGHT EMITTING DEVICE OR ELECTRON EMISSION DEVICE WITH A REGION TO BE GETTERED |
| US7315115B1 (en) | 2000-10-27 | 2008-01-01 | Canon Kabushiki Kaisha | Light-emitting and electron-emitting devices having getter regions |
| JP2009076242A (ja) * | 2007-09-19 | 2009-04-09 | Toshiba Hokuto Electronics Corp | マグネトロン |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3088480B2 (ja) | 2000-09-18 |
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