JPH04312002A - 誘電体フィルタ - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】この発明は誘電体フィルタに関し
、特にたとえばトリプレート構造を有する誘電体フィル
タに関する。

【０００２】

【従来の技術】図１５を参照して、従来のトリプレート
構造を有する誘電体フィルタ１はマイクロストリップラ
インフィルタ２を含む。マイクロストリップラインフィ
ルタ２は誘電体基板３を含み、誘電体基板３の上面には
共振電極４が形成され、その上面から誘電体基板５が貼
り合わされる。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】誘電体フィルタ１のＱ
を大きくするには、共振電極４の断面積すなわち幅ある
いは厚みを大きくすればよい。しかし、共振電極４の幅
を大きくすれば、誘電体フィルタ１自体の外形寸法が大
きくなってしまい、また、共振電極４の厚みを大きくす
れば、誘電体基板３と５との接合状態が悪くなり、剥離
しやすくなってしまう。

【０００４】それゆえに、この発明の主たる目的は、外
形寸法を大きくせずかつ剥離を生ずることなくＱを大き
くできる、誘電体フィルタを提供することである。

【０００５】

【課題を解決するための手段】この発明は、第１の誘電
体基板，第１の誘電体基板の上面に配置される第２の誘
電体基板ならびに第１および第２の誘電体基板のそれぞ
れの接合面に対向するように形成される第１および第２
の共振電極を含む誘電体フィルタにおいて、第１および
第２の誘電体基板の少なくとも一方の接合面に溝を形成
し、第１および第２の共振電極の対応のものを溝の内面
に形成したことを特徴とする、誘電体フィルタである。

【０００６】

【作用】溝の内面に共振電極を形成することによって、
共振電極の幅すなわち断面積が実質的に大きくなり、し
たがってＱが大きくなる。

【０００７】

【発明の効果】この発明によれば、共振電極の断面積を
実質的に大きくできるので、誘電体フィルタ自体の外形
寸法を大きくすることなくＱを大きくすることができる
。また、共振電極は溝中に形成されるため、第１および
第２の誘電体基板の接合面から突出しないので、第１お
よび第２の誘電体基板の接合が良好となり、剥離するこ
とはない。

【０００８】さらに、溝の断面形状や寸法を変更するこ
とによって、溝の断面積を調節すれば、Ｑを調節でき、
設計の自由度も向上する。この発明の上述の目的，その
他の目的，特徴および利点は、図面を参照して行う以下
の実施例の詳細な説明から一層明らかとなろう。

【０００９】

【実施例】図１を参照して、この実施例の誘電体フィル
タ１０は、２段のトリプレート構造を有し、ＢＰＦ（バ
ンドパスフィルタ）として用いられる。誘電体フィルタ
１０はマイクロストリップラインフィルタ１２を含む。 マイクロストリップラインフィルタ１２は板状の誘電体
基板１４を含み、その上面には幅方向に延びる２つの溝
１６ａおよび１６ｂが形成される。溝１６ａおよび１６
ｂの断面形状は、たとえば図２に示すように角状に形成
される。溝１６ａおよび１６ｂの内面全面には、それぞ
れ共振電極１８ａおよび１８ｂが形成される。そして、
共振電極１８ａおよび１８ｂとそれぞれ電気的に接続さ
れる入出力電極２０ａおよび２０ｂが、誘電体基板１４
の上面から短辺側両側面を通り、図３に示すように誘電
体基板１４の下面の一部にまで形成される。また、誘電
体基板１４の下面および側面には、共振電極１８ａおよ
び１８ｂと電気的に接続されるアース電極２１が形成さ
れる。

【００１０】このマイクロストリップラインフィルタ１
２の上面には板状の誘電体基板２２が貼り合わされる。 誘電体基板２２の下面のうち、溝１６ａおよび１６ｂす
なわち共振電極１８ａおよび１８ｂに対向する位置には
、それぞれ共振電極２４ａおよび２４ｂが形成され、共
振電極２４ａおよび２４ｂは、それぞれ共振電極１８ａ
および１８ｂに電気的に接続される。また、誘電体共振
器２２の上面および側面には、共振電極２４ａおよび２
４ｂと電気的に接続されるアース電極２６が形成される
。

【００１１】なお、溝１６ａや１６ｂの断面形状は、角
状に限らず、図４に示す半円状や、図５に示す三角形状
であってもよく、その組み合わせは任意である。また、
図６を参照して、他の実施例の誘電体フィルタ３０は、
誘電体基板３２の下面にも溝が形成されている点におい
て誘電体フィルタ１０と異なる。すなわち、誘電体フィ
ルタ３０は、先の実施例と同様のマイクロストリップラ
インフィルタ１２を含み、その上面に誘電体基板３２が
貼り合わされる。誘電体基板３２の下面のうち、溝１６
ａおよび１６ｂに対向する位置には、それぞれたとえば
断面角状の溝３４ａおよび３４ｂが形成される。溝３４
ａおよび３４ｂの内面全面には、それぞれ共振電極３６
ａおよび３６ｂが形成される。そして、誘電体基板３２
の上面および側面には、共振電極３６ａおよび３６ｂと
電気的に接続されるアース電極３７が形成される。

【００１２】そして、溝１６ａおよび１６ｂがそれぞれ
溝３４ａおよび３４ｂに対向するように、マイクロスト
リップラインフィルタ１２の上面に誘電体基板３２を貼
り合わせたとき、図７に示すように、共振電極１８ａお
よび１８ｂがそれぞれ共振電極３６ａおよび３６ｂに電
気的に接続される。そして、溝１６ａおよび１６ｂがそ
れぞれ溝３４ａおよび３４ｂに対向することにより、断
面角形の空間が形成される。

【００１３】なお、溝１６ａ，１６ｂ，３４ａまたは３
４ｂの断面形状は、それぞれ半円状や三角形状であって
もよく、その組み合わせは任意である。溝１６ａ，１６
ｂ，３４ａおよび３４ｂの断面形状が半円状であれば、
溝１６ａおよび１６ｂがそれぞれ溝３４ａおよび３４ｂ
に対向するように、マイクロストリップラインフィルタ
１２の上面に誘電体基板３２を貼り合わせることにより
、図８に示すように断面円形の空間が形成される。また
、溝１６ａ，１６ｂ，３４ａおよび３４ｂの断面形状が
三角形状であれば、溝１６ａおよび１６ｂがそれぞれ溝
３４ａおよび３４ｂに対向するように、マイクロストリ
ップラインフィルタ１２の上面に誘電体基板３２を貼り
合わせることにより、図９に示すように断面四角形の空
間が形成される。

【００１４】また、図１０に示すその他の実施例の誘電
体フィルタ４０のように形成してもよい。誘電体フィル
タ４０は、誘電体基板４２の上面および誘電体基板４４
の下面に、それぞれ１つずつ互い違いに溝４６および４
８を形成したものである。溝４６および４８の内面全面
には、それぞれ共振電極５０および５２が形成される。 そして、誘電体基板４２の上面および誘電体基板４４の
下面には、それぞれ共振電極５２および５０に対向する
位置に共振電極５４および５６が形成される。なお、入
出力電極およびアース電極は、上述の実施例と同様に形
成されるので、その説明は省略する。

【００１５】なお、図６に示す実施例においては、点線
円３８で示す部分のように、溝３４ａは、誘電体基板３
２の幅方向の途中までしか形成されていなかったが、図
１１に示すように、誘電体基板３２の長辺側端面５８に
まで延長して形成されてもよい。このとき、溝３４ａの
延長された部分６０の内面には電極は形成されない。た
だし、上述の各実施例の他の溝１６ａ，１６ｂ，３４ｂ
，４６および４８や、後述の実施例の溝についても同様
に適用され、溝は誘電体基板の端面にまで形成され得る
。

【００１６】また、この発明は、図１２および図１３に
それぞれ示すような１段のトリプレート構造を有する誘
電体フィルタ７０および８０にも適用され得る。さらに
、図１４に示すように、溝をステップ状に形成すること
により、設計の自由度を上げることも可能である。この
ようなステップ状の溝は、上述の各実施例に適用できる
。

【００１７】また、誘電体フィルタ４０，７０または８
０における溝の断面形状も上述の実施例と同様、角状の
みならず、半円状や三角形状であってもよい。さらに、
溝の内面に形成される共振電極は、必ずしも溝の内面全
面に形成される必要はない。なお、図２，図４，図５，
図７，図８および図９の溝の断面形状を示す部分断面図
では、図面の複雑化を避けるために、溝や共振電極の参
照番号に“ａ”のみを付して図示したが、その他の溝や
共振電極についても同様に適用し得ることはいうまでも
ない。

【００１８】また、この発明は、誘電体フィルタをＢＥ
Ｆ（バンドエリミネーションフィルタ）として用いる場
合についても同様に適用される。

【図面の簡単な説明】

【図１】この発明の一実施例を示す分解斜視図である。

【図２】溝の断面形状を示す部分断面図である。

【図３】図１の実施例のマイクロストリップラインフィ
ルタを示す斜視図である。

【図４】溝の断面形状の変形例を示す部分断面図である
。

【図５】溝の断面形状のその他の変形例を示す部分断面
図である。

【図６】この発明の他の実施例を示す分解斜視図である
。

【図７】図６の実施例の溝の断面形状を示す部分断面図
である。

【図８】溝の断面形状の変形例を示す部分断面図である
。

【図９】溝の断面形状のその他の変形例を示す部分断面
図である。

【図１０】この発明のその他の実施例を示す分解斜視図
である。

【図１１】溝の変形例を示す要部斜視図である。

【図１２】この発明のさらにその他の実施例を示す分解
斜視図である。

【図１３】この発明の他の実施例を示す分解斜視図であ
る。

【図１４】溝の他の変形例を示す斜視図である。

【図１５】従来技術を示す分解斜視図である。

【符号の説明】

１０，３０，４０，７０，８０　　…誘電体フィルタ１
２　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　
　　…マイクロストリップラインフィルタ １４，２２，３２，４２，４４　　…誘電体基板１６ａ
，１６ｂ，３４ａ，３４ｂ，４６，４８　　…溝１８ａ
，１８ｂ，２４ａ，２４ｂ，３６ａ，３６ｂ，４４，５
０，５２，５４，５６　　　　　　　　　　　　　　　
　　　　　　　　　　　…共振電極

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】第１の誘電体基板，前記第１の誘電体基板
   の上面に配置される第２の誘電体基板ならびに前記第１
   および第２の誘電体基板のそれぞれの接合面に対向する
   ように形成される第１および第２の共振電極を含む誘電
   体フィルタにおいて、前記第１および第２の誘電体基板
   の少なくとも一方の前記接合面に溝を形成し、前記第１
   および第２の共振電極の対応のものを前記溝の内面に形
   成したことを特徴とする、誘電体フィルタ。