JP3232845B2 - 誘電体共振器装置 - Google Patents
誘電体共振器装置Info
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- H01P1/20—Frequency-selective devices, e.g. filters
- H01P1/207—Hollow waveguide filters
- H01P1/208—Cascaded cavities; Cascaded resonators inside a hollow waveguide structure
- H01P1/2084—Cascaded cavities; Cascaded resonators inside a hollow waveguide structure with dielectric resonators
- H01P1/2086—Cascaded cavities; Cascaded resonators inside a hollow waveguide structure with dielectric resonators multimode
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- H01P1/16—Auxiliary devices for mode selection, e.g. mode suppression or mode promotion; for mode conversion
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- H01P7/00—Resonators of the waveguide type
- H01P7/10—Dielectric resonators
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- Y10T29/49—Method of mechanical manufacture
- Y10T29/49002—Electrical device making
- Y10T29/49016—Antenna or wave energy "plumbing" making
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、キャビティ内に内部
誘電体を配置した誘電体共振器装置に関する。
誘電体を配置した誘電体共振器装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】ＴＭ110 モードなどのＴＭモードを用い
た誘電体共振器を小型化する目的で、同一キャビティ内
に複数のＴＭモード誘電体共振器を構成するとともに、
それぞれのモードを交差させた誘電体共振器が特開昭６
１−１５７１０１号公報に開示されている。また、従来
よりこのような多重モード誘電体共振器を複数個用いて
誘電体フィルタを構成したものが知られている。
た誘電体共振器を小型化する目的で、同一キャビティ内
に複数のＴＭモード誘電体共振器を構成するとともに、
それぞれのモードを交差させた誘電体共振器が特開昭６
１−１５７１０１号公報に開示されている。また、従来
よりこのような多重モード誘電体共振器を複数個用いて
誘電体フィルタを構成したものが知られている。
【０００３】多重モードの誘電体共振器を複数個配列し
て、多重モードの誘電体共振器間で結合をとる際、複数
の共振モードのうち所定方向の共振モードで結合をとる
ために所定方向の磁界成分のみを透過させ、例えばそれ
に直交する磁界成分は遮蔽しなければならない。また、
ある方向の磁界成分で主結合をとり、これに直交する方
向の磁界成分で副結合をとることによって、例えば２段
の共振器をとばしてその前後２つの共振器間を結合させ
て減衰極を形成するような場合に、従来より図６に示す
ような電磁界結合用窓として作用する仕切り板を用いて
いる。図６において１は十字型の内部誘電体、２はその
内部誘電体の周囲を囲むキャビティ、３はキャビティ２
の一方の開口部を塞ぐ仕切り板である。この仕切り板３
はセラミック板に対し図に示すように複数のスリット状
導体開口部３３を配列したシールド導体３０を形成して
成る。またこれらのスリット状導体開口部を部分的に覆
う結合調整板４を半田付けしている。
て、多重モードの誘電体共振器間で結合をとる際、複数
の共振モードのうち所定方向の共振モードで結合をとる
ために所定方向の磁界成分のみを透過させ、例えばそれ
に直交する磁界成分は遮蔽しなければならない。また、
ある方向の磁界成分で主結合をとり、これに直交する方
向の磁界成分で副結合をとることによって、例えば２段
の共振器をとばしてその前後２つの共振器間を結合させ
て減衰極を形成するような場合に、従来より図６に示す
ような電磁界結合用窓として作用する仕切り板を用いて
いる。図６において１は十字型の内部誘電体、２はその
内部誘電体の周囲を囲むキャビティ、３はキャビティ２
の一方の開口部を塞ぐ仕切り板である。この仕切り板３
はセラミック板に対し図に示すように複数のスリット状
導体開口部３３を配列したシールド導体３０を形成して
成る。またこれらのスリット状導体開口部を部分的に覆
う結合調整板４を半田付けしている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ところが、このような
従来の誘電体共振器装置では、図６に示したような仕切
り板３を構成する際、金属板である結合調整板４を半田
付け可能とするため、半田付け性の良好な銀ペーストを
焼き付けてシールド導体３０を形成しなければならな
い。しかし、このような半田付け性の良好な銀ペースト
は、一般にセラミック板に対する密着性が低い。密着性
を高く維持したまま半田付け性を良好とするためには、
下層に密着性の高い銀ペーストの焼き付けによる銀電極
膜を形成し、上層に半田付け性の良好な銀ペーストを焼
き付けて二層構造とする必要があった。しかし、この方
法では、銀ペーストの重ね塗りによるずれや滲みが生
じ、スリット状導体開口部の寸法精度が高められない。
また、接合調整板４を半田付けする際、不要箇所にまで
半田が回り込むという問題があった。図７は結合調整板
４の半田付け時に回り込む半田の領域を示す。このよう
にスリット状導体開口部間にまで半田が回り込めば、こ
の部分で結合調整板４をヒンジ構造で開閉することがで
きず、結合調整が行えなくなる。また、このような構造
の仕切り板を用いた場合、例えばスリット状導体開口部
の各開口部の長手方向寸法を導体膜の切削などによって
調整することは困難であり、結合調整板のみによって結
合調整を行わなければならず、調整時の自由度が低いだ
けでなく、その微調整も困難であった。
従来の誘電体共振器装置では、図６に示したような仕切
り板３を構成する際、金属板である結合調整板４を半田
付け可能とするため、半田付け性の良好な銀ペーストを
焼き付けてシールド導体３０を形成しなければならな
い。しかし、このような半田付け性の良好な銀ペースト
は、一般にセラミック板に対する密着性が低い。密着性
を高く維持したまま半田付け性を良好とするためには、
下層に密着性の高い銀ペーストの焼き付けによる銀電極
膜を形成し、上層に半田付け性の良好な銀ペーストを焼
き付けて二層構造とする必要があった。しかし、この方
法では、銀ペーストの重ね塗りによるずれや滲みが生
じ、スリット状導体開口部の寸法精度が高められない。
また、接合調整板４を半田付けする際、不要箇所にまで
半田が回り込むという問題があった。図７は結合調整板
４の半田付け時に回り込む半田の領域を示す。このよう
にスリット状導体開口部間にまで半田が回り込めば、こ
の部分で結合調整板４をヒンジ構造で開閉することがで
きず、結合調整が行えなくなる。また、このような構造
の仕切り板を用いた場合、例えばスリット状導体開口部
の各開口部の長手方向寸法を導体膜の切削などによって
調整することは困難であり、結合調整板のみによって結
合調整を行わなければならず、調整時の自由度が低いだ
けでなく、その微調整も困難であった。
【０００５】この発明の目的は、スリット状導体開口部
のパターン精度を容易に高められるようにした誘電体共
振器装置を提供することにある。
のパターン精度を容易に高められるようにした誘電体共
振器装置を提供することにある。
【０００６】この発明の目的は、電磁界結合用窓に対す
る結合調整板としての金属板の半田付け性を良好にする
とともに、スリット状導体開口部を容易に形成できるよ
うにした誘電体共振器装置を提供することにある。
る結合調整板としての金属板の半田付け性を良好にする
とともに、スリット状導体開口部を容易に形成できるよ
うにした誘電体共振器装置を提供することにある。
【０００７】この発明の目的は前記結合調整板とは別
に、導体開口部の寸法調整によって結合調整を容易に行
えるようにした誘電体共振器装置を提供することにあ
る。
に、導体開口部の寸法調整によって結合調整を容易に行
えるようにした誘電体共振器装置を提供することにあ
る。
【０００８】
【課題を解決するための手段】この発明の請求項１に係
る誘電体共振器装置は、内部誘電体と、この内部誘電体
の周囲をシールドするとともに、外部との間で電磁界結
合をとる電磁界結合用窓を一部に配したキャビティとを
備えて成る誘電体共振器装置において、複数のスリット
状導体開口部を配列したシールド導体をセラミック板の
第１主面に被覆し、前記複数のスリット状導体開口部の
配列範囲に略対向する範囲を導体開口部としたシールド
導体を前記セラミック板の第２主面に被覆して、前記電
磁界結合用窓を形成したことを特徴とする。
る誘電体共振器装置は、内部誘電体と、この内部誘電体
の周囲をシールドするとともに、外部との間で電磁界結
合をとる電磁界結合用窓を一部に配したキャビティとを
備えて成る誘電体共振器装置において、複数のスリット
状導体開口部を配列したシールド導体をセラミック板の
第１主面に被覆し、前記複数のスリット状導体開口部の
配列範囲に略対向する範囲を導体開口部としたシールド
導体を前記セラミック板の第２主面に被覆して、前記電
磁界結合用窓を形成したことを特徴とする。
【０００９】この発明の請求項２に係る誘電体共振器装
置は、請求項１記載のものにおいて、前記セラミック板
の第２主面を前記キャビティの外面に向けて配置したこ
とを特徴とする。
置は、請求項１記載のものにおいて、前記セラミック板
の第２主面を前記キャビティの外面に向けて配置したこ
とを特徴とする。
【００１０】この発明の請求項３に係る誘電体共振器装
置は、請求項１または２記載のものにおいて、前記セラ
ミック板の第１主面のシールド導体をセラミック板との
密着性の高い導電ペーストの焼き付けにより形成し、前
記セラミック板の第２主面のシールド導体をセラミック
板との密着性の高い導電ペーストの焼き付けおよび半田
などの導電性接合材との接合性の高い導電ペーストの焼
き付けにより形成したことを特徴とする。
置は、請求項１または２記載のものにおいて、前記セラ
ミック板の第１主面のシールド導体をセラミック板との
密着性の高い導電ペーストの焼き付けにより形成し、前
記セラミック板の第２主面のシールド導体をセラミック
板との密着性の高い導電ペーストの焼き付けおよび半田
などの導電性接合材との接合性の高い導電ペーストの焼
き付けにより形成したことを特徴とする。
【００１１】この発明の請求項４に係る誘電体共振器装
置は、請求項１、２または３記載のものにおいて、前記
セラミック板の第２主面のシールド導体に接続されると
ともに該第２主面の導体開口部へ突出する金属板を前記
セラミック板の第２主面に接合したことを特徴とする。
置は、請求項１、２または３記載のものにおいて、前記
セラミック板の第２主面のシールド導体に接続されると
ともに該第２主面の導体開口部へ突出する金属板を前記
セラミック板の第２主面に接合したことを特徴とする。
【００１２】この発明の請求項５に係る誘電体共振器装
置は、請求項４記載のものにおいて、前記セラミック板
の第２主面の導体開口部における前記金属板と前記セラ
ミック板との間隙によって電磁界の結合度を調整設定し
たことを特徴とする。
置は、請求項４記載のものにおいて、前記セラミック板
の第２主面の導体開口部における前記金属板と前記セラ
ミック板との間隙によって電磁界の結合度を調整設定し
たことを特徴とする。
【００１３】この発明の請求項６に係る誘電体共振器装
置は、請求項１、２、３、４または５記載のものにおい
て、多重共振モードをもつ内部誘電体を備えた誘電体共
振器を複数個配列して、前記電磁界結合用窓を介して隣
接する誘電体共振器間を結合させる際に、前記セラミッ
ク板の第１主面の前記複数のスリット状導体開口部によ
って不要モードの磁界結合を抑え、前記セラミック板の
第２主面の導体開口部によって、隣接する誘電体共振器
間の結合度を調整設定したことを特徴とする。
置は、請求項１、２、３、４または５記載のものにおい
て、多重共振モードをもつ内部誘電体を備えた誘電体共
振器を複数個配列して、前記電磁界結合用窓を介して隣
接する誘電体共振器間を結合させる際に、前記セラミッ
ク板の第１主面の前記複数のスリット状導体開口部によ
って不要モードの磁界結合を抑え、前記セラミック板の
第２主面の導体開口部によって、隣接する誘電体共振器
間の結合度を調整設定したことを特徴とする。
【００１４】
【作用】この発明の請求項１に係る誘電体共振器装置で
は、セラミック板の第１主面に、複数のスリット状導体
開口部が配列されたシールド導体が被覆され、セラミッ
ク板の第２主面に、前記複数のスリット状導体開口部の
配列範囲にほぼ対向する範囲を導体開口部としたシール
ド導体が被覆されているため、セラミック板の第１主面
のスリット状導体開口部と第２主面の導体開口部の双方
の導体開口部が重なる範囲が実質的に電磁界結合用窓と
して作用する。この構成によれば前記セラミック板の第
１主面のシールド導体と第２主面のシールド導体を異な
る構造とすることができ、電磁界結合用窓を設けるセラ
ミック板に対するシールド導体の特性を第１主面と第２
主面とでそれぞれに適するものとすることができる。例
えばこの電磁界結合用窓を構成するセラミック板に対し
金属板や導体膜を半田付けする際、前記セラミック板の
第２主面のシールド導体を二層構造として半田付け性を
増し、第１主面のシールド導体としてセラミック板に対
する密着性の高い導体膜の一層構造として、スリット状
導体開口部のパターン精度を容易に高めることができ
る。
は、セラミック板の第１主面に、複数のスリット状導体
開口部が配列されたシールド導体が被覆され、セラミッ
ク板の第２主面に、前記複数のスリット状導体開口部の
配列範囲にほぼ対向する範囲を導体開口部としたシール
ド導体が被覆されているため、セラミック板の第１主面
のスリット状導体開口部と第２主面の導体開口部の双方
の導体開口部が重なる範囲が実質的に電磁界結合用窓と
して作用する。この構成によれば前記セラミック板の第
１主面のシールド導体と第２主面のシールド導体を異な
る構造とすることができ、電磁界結合用窓を設けるセラ
ミック板に対するシールド導体の特性を第１主面と第２
主面とでそれぞれに適するものとすることができる。例
えばこの電磁界結合用窓を構成するセラミック板に対し
金属板や導体膜を半田付けする際、前記セラミック板の
第２主面のシールド導体を二層構造として半田付け性を
増し、第１主面のシールド導体としてセラミック板に対
する密着性の高い導体膜の一層構造として、スリット状
導体開口部のパターン精度を容易に高めることができ
る。
【００１５】請求項２に係る誘電体共振器装置では、前
記セラミック板の第２主面が前記キャビティの外面に向
けられて配置されている。そのため、前記複数のスリッ
ト状導体開口部とこれらに対向する前記セラミック板の
第２主面の導体開口部とからなる電磁界結合用窓の大き
さを調整する際、前記セラミック板の第２主面の導体開
口部の開口幅を切削加工などにより容易に調整すること
ができ、結合調整が容易となる。
記セラミック板の第２主面が前記キャビティの外面に向
けられて配置されている。そのため、前記複数のスリッ
ト状導体開口部とこれらに対向する前記セラミック板の
第２主面の導体開口部とからなる電磁界結合用窓の大き
さを調整する際、前記セラミック板の第２主面の導体開
口部の開口幅を切削加工などにより容易に調整すること
ができ、結合調整が容易となる。
【００１６】請求項３に係る誘電体共振器装置では、前
記セラミック板の第１主面のシールド導体がセラミック
板との密着性の高い導電ペーストの焼付けにより形成さ
れ、前記セラミック板の第２主面のシールド導体がセラ
ミック板との密着性の高い導電ペーストの焼き付けおよ
び半田などの導電性接合材との接合性の高い導電ペース
トの焼付けにより形成されている。このように、前記セ
ラミック板の第２主面のシールド導体は半田などの導電
性接合材との接合性が高いため、例えば金属板や他の導
体膜を強固に接合することができ、且つ複数のスリット
状導体開口部を配列するシールド導体がセラミック基板
との密着性の高い導電ペーストの焼付けにより形成され
ているため、スリット状導体開口部のパターン精度が高
まる。
記セラミック板の第１主面のシールド導体がセラミック
板との密着性の高い導電ペーストの焼付けにより形成さ
れ、前記セラミック板の第２主面のシールド導体がセラ
ミック板との密着性の高い導電ペーストの焼き付けおよ
び半田などの導電性接合材との接合性の高い導電ペース
トの焼付けにより形成されている。このように、前記セ
ラミック板の第２主面のシールド導体は半田などの導電
性接合材との接合性が高いため、例えば金属板や他の導
体膜を強固に接合することができ、且つ複数のスリット
状導体開口部を配列するシールド導体がセラミック基板
との密着性の高い導電ペーストの焼付けにより形成され
ているため、スリット状導体開口部のパターン精度が高
まる。
【００１７】請求項４に係る誘電体共振器装置では、前
記セラミック板の第２主面のシールド導体に、その第２
主面の導体開口部へ突出する金属板が接合されている。
そのため、この金属板は電磁界結合用窓の開口量を調整
するための部材として作用する。
記セラミック板の第２主面のシールド導体に、その第２
主面の導体開口部へ突出する金属板が接合されている。
そのため、この金属板は電磁界結合用窓の開口量を調整
するための部材として作用する。
【００１８】請求項５に係る誘電体共振器装置では、前
記金属板と前記セラミック板の第２主面の導体開口部と
の間隙によって、電磁界の結合度が調整設定される。す
なわち、前記間隙によって電磁界結合用窓の開口量が実
質的に変化し、これによって電磁界の結合度が調整設定
される。
記金属板と前記セラミック板の第２主面の導体開口部と
の間隙によって、電磁界の結合度が調整設定される。す
なわち、前記間隙によって電磁界結合用窓の開口量が実
質的に変化し、これによって電磁界の結合度が調整設定
される。
【００１９】請求項６に係る誘電体共振器装置では、多
重共振モードを持つ内部誘電体を備えた誘電体共振器が
複数個配列されて、前記電磁界結合用窓を介して隣接す
る誘電体共振器間が結合される。その際、前記セラミッ
ク板の第１主面のスリット状導体開口部によって不要モ
ードの磁界結合が抑えられ、前記セラミック板の第２主
面の導体開口部によって、隣接する誘電体共振器間の結
合度が調整設定される。これによりスリット状導体開口
部のパターンを一定にして不要モードの磁界結合を抑え
つつ、前記セラミック板の第２主面の導体開口部の開口
量によって誘電体共振器間の結合度の調整設定が容易に
行える。
重共振モードを持つ内部誘電体を備えた誘電体共振器が
複数個配列されて、前記電磁界結合用窓を介して隣接す
る誘電体共振器間が結合される。その際、前記セラミッ
ク板の第１主面のスリット状導体開口部によって不要モ
ードの磁界結合が抑えられ、前記セラミック板の第２主
面の導体開口部によって、隣接する誘電体共振器間の結
合度が調整設定される。これによりスリット状導体開口
部のパターンを一定にして不要モードの磁界結合を抑え
つつ、前記セラミック板の第２主面の導体開口部の開口
量によって誘電体共振器間の結合度の調整設定が容易に
行える。
【００２０】
【実施例】この発明の実施例である誘電体共振器装置の
構成を図１〜図５に示す。
構成を図１〜図５に示す。
【００２１】図１は１ユニットを構成する誘電体共振器
装置の分解斜視図である。図１において１は十字型の内
部誘電体、２はその外面にシールド導体を形成したキャ
ビティである。この内部誘電体１とキャビティ２は誘電
体セラミック材料の一体成形からなる。また同図におい
て３はキャビティ２の一方の開口部を覆うセラミック板
であり、その第１主面Ｓ１、第２主面Ｓ２および四側面
にはそれぞれシールド導体３０を形成し、第１主面Ｓ１
には後述するように複数のスリット状導体開口部を配列
し、第２主面Ｓ２にはそのスリット状導体開口部の配列
範囲にほぼ対向する範囲に導体開口部３１を形成してい
る。さらに、この第２主面Ｓ２には結合調整板４を半田
付けしている。
装置の分解斜視図である。図１において１は十字型の内
部誘電体、２はその外面にシールド導体を形成したキャ
ビティである。この内部誘電体１とキャビティ２は誘電
体セラミック材料の一体成形からなる。また同図におい
て３はキャビティ２の一方の開口部を覆うセラミック板
であり、その第１主面Ｓ１、第２主面Ｓ２および四側面
にはそれぞれシールド導体３０を形成し、第１主面Ｓ１
には後述するように複数のスリット状導体開口部を配列
し、第２主面Ｓ２にはそのスリット状導体開口部の配列
範囲にほぼ対向する範囲に導体開口部３１を形成してい
る。さらに、この第２主面Ｓ２には結合調整板４を半田
付けしている。
【００２２】図２は図１に示したセラミック板３の第１
主面側から見た斜視図である。セラミック板３の第１主
面Ｓ１には３２で示す複数のスリット状導体開口部を配
列している。この配列範囲にほぼ対向するセラミック板
３の第２主面Ｓ２の位置に図１に示した導体開口部３１
を形成している。
主面側から見た斜視図である。セラミック板３の第１主
面Ｓ１には３２で示す複数のスリット状導体開口部を配
列している。この配列範囲にほぼ対向するセラミック板
３の第２主面Ｓ２の位置に図１に示した導体開口部３１
を形成している。
【００２３】図３は図１に示した誘電体共振器装置にお
ける共振モードの説明図である。同図に示すように、内
部誘電体は柱状誘電体１ａと１ｂを互いに直交した状態
で一体化した形状を成し、図に示すように２箇所に切込
み部ｃ，ｃを設けている。このようにして直交する２つ
の共振器を構成している。図３の（Ａ）をイーブンモー
ド、（Ｂ）をオッドモードの電気力線をそれぞれ示すも
のとすれば、イーブンモードの共振周波数とオッドモー
ドの共振周波数は前記切込み部ｃの存在によって若干異
なり、柱状誘電体１ａ，１ｂによる２つの共振器間に結
合が生じる。
ける共振モードの説明図である。同図に示すように、内
部誘電体は柱状誘電体１ａと１ｂを互いに直交した状態
で一体化した形状を成し、図に示すように２箇所に切込
み部ｃ，ｃを設けている。このようにして直交する２つ
の共振器を構成している。図３の（Ａ）をイーブンモー
ド、（Ｂ）をオッドモードの電気力線をそれぞれ示すも
のとすれば、イーブンモードの共振周波数とオッドモー
ドの共振周波数は前記切込み部ｃの存在によって若干異
なり、柱状誘電体１ａ，１ｂによる２つの共振器間に結
合が生じる。
【００２４】図４は図１に示したセラミック板３の平面
図であり、（Ａ）は第１主面の平面図、（Ｂ）は第２主
面の平面図である。（Ｂ）に示すセラミック板３の第２
主面のシールド導体３０はセラミック板３の第１主面の
シールド導体３０とは異なり、セラミック板との密着性
の高い導電ペーストの焼付けによる導体膜を下層とし、
半田などの導電性接合材との接合性の高い導電ペースト
の焼付けによる導体膜を上層とする二層構造からなる。
これにより、セラミック板との密着性が高く且つ半田な
どとの接合性の高い導体膜としている。同図に示すよう
に、セラミック板３の第２主面に設ける導体開口部３１
は単純な長方形状であればよく、二層構造であっても容
易にパターン化できる。また、（Ａ）に示すセラミック
板の第１主面のシールド導体３０はセラミック板との密
着性の高い導電ペーストの焼付けによる導体膜の一層構
造であるため、細かなスリット状導体開口部３２は容易
にパターン化できる。同図の（Ａ）に示すように、導体
開口部を複数のスリット状導体開口部３２を配列して構
成したため、この例では垂直方向の内部誘電体（図３に
示す１ｂ）と、これに隣接する他の誘電体共振器装置に
おける垂直方向の内部誘電体とが磁界結合し、これらの
内部誘電体に直交する内部誘電体とはほとんど結合しな
い。また、水平方向の内部誘電体（図３に示す１ａ）
と、これに隣接する他の誘電体共振器装置における水平
方向の内部誘電体とが磁界結合する。前者の結合は結合
度の高い主結合、後者の結合は結合度の低い副結合であ
る。図４の（Ａ）において、Ｘ１で示すスリット長を長
くすれば前記主結合が増大し、逆にスリット長を短くす
れば主結合が減少する。これによって隣接する共振器間
の結合度を設定することができる。一方、Ｙで示すスリ
ット幅を大きくすれば前記副結合が増大し、逆にスリッ
ト幅を小さくすれば副結合が減少する。これによってフ
ィルタとしての減衰特性を設定することができる。ま
た、図４の（Ｂ）に示すように、導体開口部３１の幅Ｘ
２をスリット状導体開口部３２の幅Ｘ１より狭い範囲
で、導体開口部３１の幅Ｘ２を変えることによって、こ
のセラミック板による電磁界結合用窓の開口量が変わる
ため、これにより隣接する共振器間の結合度を調整設定
することができる。また、結合調整板４の一辺を半田Ｓ
で半田付けすれば、結合調整板４が導体開口部３１を覆
う量によって導体開口部３１の実質上の開口量を設定す
ることができ、さらに結合調整板４とセラミック板との
間隙量によってその微調設定が可能となる。その際、導
体開口部３１と結合調整板４との間には半田が回り込ま
ないため、従来のように、結合調整板とセラミック板間
に半田が回り込んで結合調整板が開閉できなくなる、と
いった問題は生じない。
図であり、（Ａ）は第１主面の平面図、（Ｂ）は第２主
面の平面図である。（Ｂ）に示すセラミック板３の第２
主面のシールド導体３０はセラミック板３の第１主面の
シールド導体３０とは異なり、セラミック板との密着性
の高い導電ペーストの焼付けによる導体膜を下層とし、
半田などの導電性接合材との接合性の高い導電ペースト
の焼付けによる導体膜を上層とする二層構造からなる。
これにより、セラミック板との密着性が高く且つ半田な
どとの接合性の高い導体膜としている。同図に示すよう
に、セラミック板３の第２主面に設ける導体開口部３１
は単純な長方形状であればよく、二層構造であっても容
易にパターン化できる。また、（Ａ）に示すセラミック
板の第１主面のシールド導体３０はセラミック板との密
着性の高い導電ペーストの焼付けによる導体膜の一層構
造であるため、細かなスリット状導体開口部３２は容易
にパターン化できる。同図の（Ａ）に示すように、導体
開口部を複数のスリット状導体開口部３２を配列して構
成したため、この例では垂直方向の内部誘電体（図３に
示す１ｂ）と、これに隣接する他の誘電体共振器装置に
おける垂直方向の内部誘電体とが磁界結合し、これらの
内部誘電体に直交する内部誘電体とはほとんど結合しな
い。また、水平方向の内部誘電体（図３に示す１ａ）
と、これに隣接する他の誘電体共振器装置における水平
方向の内部誘電体とが磁界結合する。前者の結合は結合
度の高い主結合、後者の結合は結合度の低い副結合であ
る。図４の（Ａ）において、Ｘ１で示すスリット長を長
くすれば前記主結合が増大し、逆にスリット長を短くす
れば主結合が減少する。これによって隣接する共振器間
の結合度を設定することができる。一方、Ｙで示すスリ
ット幅を大きくすれば前記副結合が増大し、逆にスリッ
ト幅を小さくすれば副結合が減少する。これによってフ
ィルタとしての減衰特性を設定することができる。ま
た、図４の（Ｂ）に示すように、導体開口部３１の幅Ｘ
２をスリット状導体開口部３２の幅Ｘ１より狭い範囲
で、導体開口部３１の幅Ｘ２を変えることによって、こ
のセラミック板による電磁界結合用窓の開口量が変わる
ため、これにより隣接する共振器間の結合度を調整設定
することができる。また、結合調整板４の一辺を半田Ｓ
で半田付けすれば、結合調整板４が導体開口部３１を覆
う量によって導体開口部３１の実質上の開口量を設定す
ることができ、さらに結合調整板４とセラミック板との
間隙量によってその微調設定が可能となる。その際、導
体開口部３１と結合調整板４との間には半田が回り込ま
ないため、従来のように、結合調整板とセラミック板間
に半田が回り込んで結合調整板が開閉できなくなる、と
いった問題は生じない。
【００２５】図５は図１〜図４に示した誘電体共振器装
置を複数個配列してなるフィルタ装置の構成を示す図で
あり、（Ａ）は金属カバー（不図示）を取り外した状態
における平面図、（Ｂ）は同じく金属カバーを取り外し
た状態における正面図である。同図において２ａ，２
ｂ，２ｃはそれぞれ図１に示した誘電体共振器装置にお
けるキャビティを示し、３ａ，３ｃは図１に示したセラ
ミック板３と同一構造の仕切り板としてのセラミック板
である。キャビティ２ｂの２つの開口部には仕切り板を
設けず、キャビティ２ａ，２ｃのそれぞれの一方の開口
部にセラミック板３ａ，３ｃを接合することによって、
隣接する共振器間に電磁界結合用窓を構成している。隣
接するキャビティの上部同士は金属板１０を介して半田
付け等により接合している。図に示すように、隣接する
キャビティ間を１枚の金属板により完全に塞がないで、
２枚の金属板を用いて中央部に隙間を設けたことによ
り、そこから図１に示した結合調整板４の調整を行える
ようにしている。また、金属ケース９にはコネクタ５，
６を取り付け、コネクタ５，６の中心導体と金属ケース
９との間に７，８で示す結合ループをそれぞれ形成して
いる。このようにして同図に示す例では、コネクタ５，
６との間に６段の共振器からなる帯域通過フィルタを構
成している。尚、この例では３つのキャビティ２ａ，２
ｂ，２ｃのうち、両端のキャビティに仕切り板３ａ，３
ｃを接合したが、仕切り板は隣接する２つのキャビティ
間に設ければよく、例えばキャビティ２ａの２つの開口
部には仕切り板を設けずに、キャビティ２ｂ，２ｃの一
方の開口部に仕切り板をそれぞれ接合しても同様の効果
が得られる。
置を複数個配列してなるフィルタ装置の構成を示す図で
あり、（Ａ）は金属カバー（不図示）を取り外した状態
における平面図、（Ｂ）は同じく金属カバーを取り外し
た状態における正面図である。同図において２ａ，２
ｂ，２ｃはそれぞれ図１に示した誘電体共振器装置にお
けるキャビティを示し、３ａ，３ｃは図１に示したセラ
ミック板３と同一構造の仕切り板としてのセラミック板
である。キャビティ２ｂの２つの開口部には仕切り板を
設けず、キャビティ２ａ，２ｃのそれぞれの一方の開口
部にセラミック板３ａ，３ｃを接合することによって、
隣接する共振器間に電磁界結合用窓を構成している。隣
接するキャビティの上部同士は金属板１０を介して半田
付け等により接合している。図に示すように、隣接する
キャビティ間を１枚の金属板により完全に塞がないで、
２枚の金属板を用いて中央部に隙間を設けたことによ
り、そこから図１に示した結合調整板４の調整を行える
ようにしている。また、金属ケース９にはコネクタ５，
６を取り付け、コネクタ５，６の中心導体と金属ケース
９との間に７，８で示す結合ループをそれぞれ形成して
いる。このようにして同図に示す例では、コネクタ５，
６との間に６段の共振器からなる帯域通過フィルタを構
成している。尚、この例では３つのキャビティ２ａ，２
ｂ，２ｃのうち、両端のキャビティに仕切り板３ａ，３
ｃを接合したが、仕切り板は隣接する２つのキャビティ
間に設ければよく、例えばキャビティ２ａの２つの開口
部には仕切り板を設けずに、キャビティ２ｂ，２ｃの一
方の開口部に仕切り板をそれぞれ接合しても同様の効果
が得られる。
【００２６】尚、実施例では仕切り板としてのセラミッ
ク板をキャビティから分離した構造としたが、電磁界結
合用窓として作用する本願発明に係るセラミック板はキ
ャビティの一部としてキャビティと一体化してもよい。
このことにより部品点数が削減され、組立工数も簡略化
される。
ク板をキャビティから分離した構造としたが、電磁界結
合用窓として作用する本願発明に係るセラミック板はキ
ャビティの一部としてキャビティと一体化してもよい。
このことにより部品点数が削減され、組立工数も簡略化
される。
【００２７】
【発明の効果】請求項１に係る誘電体共振器装置によれ
ば、セラミック板の第１主面のシールド導体と第２主面
のシールド導体を異なる構造とすることができ、電磁界
結合用窓を設けるセラミック板に対するシールド導体の
特性を第１主面と第２主面とでそれぞれに適するものと
することができる。例えばこの電磁界結合用窓を構成す
るセラミック板に対し金属板や導体膜を半田付けする
際、前記セラミック板の第２主面のシールド導体を二層
構造として半田付け性を増し、第１主面のシールド導体
としてセラミック板に対する密着性の高い導体膜の一層
構造として、スリット状導体開口部のパターン精度を容
易に高めることができる。
ば、セラミック板の第１主面のシールド導体と第２主面
のシールド導体を異なる構造とすることができ、電磁界
結合用窓を設けるセラミック板に対するシールド導体の
特性を第１主面と第２主面とでそれぞれに適するものと
することができる。例えばこの電磁界結合用窓を構成す
るセラミック板に対し金属板や導体膜を半田付けする
際、前記セラミック板の第２主面のシールド導体を二層
構造として半田付け性を増し、第１主面のシールド導体
としてセラミック板に対する密着性の高い導体膜の一層
構造として、スリット状導体開口部のパターン精度を容
易に高めることができる。
【００２８】請求項２に係る誘電体共振器装置によれ
ば、セラミック板の第２主面が前記キャビティの外面に
向けられて配置されているため、前記複数のスリット状
導体開口部とこれらに対向する前記セラミック板の第２
主面の導体開口部とからなる電磁界結合用窓の大きさを
調整する際、セラミック板の第２主面の導体開口部の開
口幅を切削加工などにより容易に調整することができ、
結合調整が容易となる。
ば、セラミック板の第２主面が前記キャビティの外面に
向けられて配置されているため、前記複数のスリット状
導体開口部とこれらに対向する前記セラミック板の第２
主面の導体開口部とからなる電磁界結合用窓の大きさを
調整する際、セラミック板の第２主面の導体開口部の開
口幅を切削加工などにより容易に調整することができ、
結合調整が容易となる。
【００２９】請求項３に係る誘電体共振器装置によれ
ば、セラミック板の第２主面のシールド導体は半田など
の導電性接合材との接合性が高いため、例えば金属板や
他の導体膜を強固に接合することができ、且つ複数のス
リット状導体開口部を配列するシールド導体がセラミッ
ク基板との密着性の高い導電ペーストの焼付けにより形
成されているため、スリット状導体開口部のパターン精
度が高まる。
ば、セラミック板の第２主面のシールド導体は半田など
の導電性接合材との接合性が高いため、例えば金属板や
他の導体膜を強固に接合することができ、且つ複数のス
リット状導体開口部を配列するシールド導体がセラミッ
ク基板との密着性の高い導電ペーストの焼付けにより形
成されているため、スリット状導体開口部のパターン精
度が高まる。
【００３０】請求項４に係る誘電体共振器装置によれ
ば、セラミック板の第２主面のシールド導体に、その第
２主面の導体開口部へ突出する金属板が接合されている
ため、金属板とセラミック板間に半田などの接合材が回
り込まず、金属板を自在に開閉して、電磁界結合用窓の
開口量を容易に調整することができる。
ば、セラミック板の第２主面のシールド導体に、その第
２主面の導体開口部へ突出する金属板が接合されている
ため、金属板とセラミック板間に半田などの接合材が回
り込まず、金属板を自在に開閉して、電磁界結合用窓の
開口量を容易に調整することができる。
【００３１】請求項５に係る誘電体共振器装置によれ
ば、金属板とセラミック板の第２主面の導体開口部との
間隙によって、電磁界結合用窓の開口量を実質的に変化
させて、電磁界の結合度を可逆的に容易に微調整設定す
ることができる。
ば、金属板とセラミック板の第２主面の導体開口部との
間隙によって、電磁界結合用窓の開口量を実質的に変化
させて、電磁界の結合度を可逆的に容易に微調整設定す
ることができる。
【００３２】請求項６に係る誘電体共振器装置によれ
ば、セラミック板の第１主面のスリット状導体開口部の
パターンを一定にして不要モードの磁界結合を抑えつ
つ、セラミック板の第２主面の導体開口部の開口量によ
って誘電体共振器間の結合度の調整設定を容易に行うこ
とができる。
ば、セラミック板の第１主面のスリット状導体開口部の
パターンを一定にして不要モードの磁界結合を抑えつ
つ、セラミック板の第２主面の導体開口部の開口量によ
って誘電体共振器間の結合度の調整設定を容易に行うこ
とができる。
【図１】この発明の実施例である誘電体共振器装置の構
成を示す分解斜視図である。
成を示す分解斜視図である。
【図２】セラミック板の第１主面側から見た斜視図であ
る。
る。
【図３】誘電体共振器装置の共振モードを説明する図で
ある。
ある。
【図４】セラミック板の構成を示す平面図であり、
（Ａ）は第１主面の平面図、（Ｂ）は第２主面の平面図
である。
（Ａ）は第１主面の平面図、（Ｂ）は第２主面の平面図
である。
【図５】この発明の実施例であるフィルタ装置の構成を
示す図であり、（Ａ）はカバーを取り外した状態におけ
る平面図、（Ｂ）はカバーを取り外した状態における正
面図である。
示す図であり、（Ａ）はカバーを取り外した状態におけ
る平面図、（Ｂ）はカバーを取り外した状態における正
面図である。
【図６】従来の誘電体共振器装置の構成を示す分解斜視
図である。
図である。
【図７】従来の誘電体共振器装置におけるセラミック板
の平面図である。
の平面図である。
１−内部誘電体 ２−キャビティ ３−セラミック板 ４−結合調整板 ５，６−コネクタ ７，８−結合ループ ９−金属ケース １０−金属板 ３０−シールド導体 ３１−導体開口部 ３２，３３−スリット状導体開口部 Ｓ−半田
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01P 1/20 - 1/219 H01P 7/00 - 7/10
Claims (6)
- 【請求項１】 内部誘電体と、この内部誘電体の周囲を
シールドするとともに、外部との間で電磁界結合をとる
電磁界結合用窓を一部に配したキャビティとを備えて成
る誘電体共振器装置において、 複数のスリット状導体開口部を配列したシールド導体を
セラミック板の第１主面に被覆し、前記複数のスリット
状導体開口部の配列範囲に略対向する範囲を導体開口部
としたシールド導体を前記セラミック板の第２主面に被
覆して、前記電磁界結合用窓を形成したことを特徴とす
る誘電体共振器装置。 - 【請求項２】 前記セラミック板の第２主面を前記キャ
ビティの外面に向けて配置した請求項１記載の誘電体共
振器装置。 - 【請求項３】 前記セラミック板の第１主面のシールド
導体をセラミック板との密着性の高い導電ペーストの焼
き付けにより形成し、前記セラミック板の第２主面のシ
ールド導体をセラミック板との密着性の高い導電ペース
トの焼き付けおよび半田などの導電性接合材との接合性
の高い導電ペーストの焼き付けにより形成した請求項１
または２記載の誘電体共振器装置。 - 【請求項４】 前記セラミック板の第２主面のシールド
導体に接続されるとともに該第２主面の導体開口部へ突
出する金属板を前記セラミック板の第２主面に接合した
請求項１、２または３記載の誘電体共振器装置。 - 【請求項５】 前記セラミック板の第２主面の導体開口
部における前記金属板と前記セラミック板との間隙によ
って電磁界の結合度を調整設定した請求項４記載の誘電
体共振器装置。 - 【請求項６】 多重共振モードをもつ内部誘電体を備え
た誘電体共振器を複数個配列して、前記電磁界結合用窓
を介して隣接する誘電体共振器間を結合させる際に、前
記セラミック板の第１主面の前記複数のスリット状導体
開口部によって不要モードの磁界結合を抑え、前記セラ
ミック板の第２主面の導体開口部によって、隣接する誘
電体共振器間の結合度を調整設定した請求項１、２、
３、４または５記載の誘電体共振器装置。
Priority Applications (8)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP00560394A JP3232845B2 (ja) | 1994-01-24 | 1994-01-24 | 誘電体共振器装置 |
| PCT/JP1995/000067 WO1995020248A1 (fr) | 1994-01-24 | 1995-01-24 | Appareil a resonateur dielectrique a double mode tm dote d'une fenetre de couplage de champ electromagnetique, et appareil a filtre passe-bande dote de l'appareil a resonateur dielectrique |
| KR1019960704007A KR970700946A (ko) | 1994-01-24 | 1995-01-24 | 전자계 결합용 창을 구비한 tm 2중 모드 유전체 공진기 장치 및 상기 유전체 공진기 장치를 구비한 대역 통과 필터 장치(dual tm-mode dielectric resonator apparatus equipped with window for electr omagnetic field coupling, and band-pass filter apparatus equipped with the dielectric resonator apparatus) |
| EP95906503A EP0738020B1 (en) | 1994-01-24 | 1995-01-24 | Dual tm-mode dielectric resonator apparatus equipped with window for electromagnetic field coupling, and band-pass filter apparatus equipped with the dielectric resonator apparatus |
| US08/676,385 US5796318A (en) | 1994-01-24 | 1995-01-24 | Dual TM-mode dielectric resonator apparatus equipped with window for electromagnetic field coupling, and band-pass filter apparatus equipped with the dielectric resonator apparatus |
| DE69524571T DE69524571T2 (de) | 1994-01-24 | 1995-01-24 | Gerät mit dielektrischem resonator im zweifach-tm-modus mit fenster zur kopplung elektromagnetischer felder und bandpassfiltergerät damit |
| CN95192099A CN1113423C (zh) | 1994-01-24 | 1995-01-24 | Tm双模电介质谐振器装置及其组成的带通滤波器装置 |
| FI962929A FI118399B (fi) | 1994-01-24 | 1996-07-22 | Kaksitoiminen TM-muodon dielektrinen resonaattorilaite, joka on varustettu ikkunalla sähkömagneettisen kentän kytkentää varten, ja dielektrisellä resonaattorilaitteella varustettu kaistanpäästösuodatinlaite |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP00560394A JP3232845B2 (ja) | 1994-01-24 | 1994-01-24 | 誘電体共振器装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07212101A JPH07212101A (ja) | 1995-08-11 |
| JP3232845B2 true JP3232845B2 (ja) | 2001-11-26 |
Family
ID=11615802
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP00560394A Expired - Lifetime JP3232845B2 (ja) | 1994-01-24 | 1994-01-24 | 誘電体共振器装置 |
Country Status (8)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5796318A (ja) |
| EP (1) | EP0738020B1 (ja) |
| JP (1) | JP3232845B2 (ja) |
| KR (1) | KR970700946A (ja) |
| CN (1) | CN1113423C (ja) |
| DE (1) | DE69524571T2 (ja) |
| FI (1) | FI118399B (ja) |
| WO (1) | WO1995020248A1 (ja) |
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|---|---|---|---|---|
| JP3309610B2 (ja) * | 1994-12-15 | 2002-07-29 | 株式会社村田製作所 | 誘電体共振器装置 |
| WO2001015261A1 (fr) * | 1999-08-20 | 2001-03-01 | Kabushiki Kaisha Tokin | Resonateur dielectrique et filtre dielectrique |
| US7283022B2 (en) * | 2005-02-09 | 2007-10-16 | Powerwave Technologies, Inc. | Dual mode ceramic filter |
| WO2011016186A1 (ja) * | 2009-08-05 | 2011-02-10 | パナソニック株式会社 | フィルタ装置 |
| CN101699648B (zh) * | 2009-10-28 | 2013-07-24 | 华南理工大学 | 可控电磁耦合介质谐振器滤波器 |
| JP5971703B2 (ja) * | 2012-06-15 | 2016-08-17 | 石崎 俊雄 | 無線電力伝送装置 |
| FR3015783B1 (fr) * | 2013-12-20 | 2016-01-15 | Thales Sa | Filtre hyperfrequence passe bande accordable par rotation relative d'une section d'insert et d'un element dielectrique |
| WO2016063997A1 (ko) * | 2014-10-21 | 2016-04-28 | 주식회사 케이엠더블유 | 다중모드 공진기 |
| JP6812670B2 (ja) * | 2016-06-17 | 2021-01-13 | Tdk株式会社 | 誘電体フィルタ |
| CN107039717B (zh) * | 2017-03-28 | 2019-10-08 | 南通大学 | 一种空间耦合差分介质波导滤波器 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5639703U (ja) * | 1979-08-31 | 1981-04-14 | ||
| JPS5639703A (en) * | 1979-09-06 | 1981-04-15 | Keibunsha Seisakusho | Seed drill |
| CA1168718A (en) * | 1981-05-11 | 1984-06-05 | Slawomir J. Fiedziuszko | Miniature dual-mode, dielectric-loaded cavity filter |
| JPS61157101A (ja) * | 1984-12-28 | 1986-07-16 | Murata Mfg Co Ltd | 誘電体共振器装置 |
| JPH0770882B2 (ja) * | 1987-06-16 | 1995-07-31 | 株式会社村田製作所 | 導波管型誘電体フィルタ |
| DE3821071A1 (de) * | 1987-06-22 | 1989-01-05 | Murata Manufacturing Co | Dielektrischer filter |
| JPH0680961B2 (ja) * | 1987-06-22 | 1994-10-12 | 株式会社村田製作所 | 誘電体フィルタ |
| US4890896A (en) * | 1988-05-26 | 1990-01-02 | Minnesota Mining And Manufacturing Company | Connecting device for optical fibers |
| JPH0715202Y2 (ja) * | 1988-07-29 | 1995-04-10 | 株式会社村田製作所 | 誘電体共振器 |
| JPH0644162Y2 (ja) * | 1988-08-01 | 1994-11-14 | 株式会社村田製作所 | マイクロ波フィルタ |
| JPH0634303A (ja) * | 1992-07-13 | 1994-02-08 | Kawaguchiko Seimitsu Kk | 静電容量型測長器 |
| JP2581912Y2 (ja) * | 1992-10-07 | 1998-09-24 | 株式会社村田製作所 | デュプレクサ |
| FI115338B (fi) * | 1993-12-28 | 2005-04-15 | Murata Manufacturing Co | Kaksimuotoinen dielektrinen TM-resonaattorilaite ja suurtajuinen kaistanpäästösuodatinlaite, jossa käytetään mainittua kaksimuotoista dielektristä TM-resonaattorilaitetta |
| FI954819A (fi) * | 1994-10-14 | 1996-04-15 | Mannesmann Ag | Prosessi ja väline korkealuokkaisen kylmänä valssatun vanneteräksen valmistamiseksi kuumavalssatusta karkeasta vanneteräksestä |
-
1994
- 1994-01-24 JP JP00560394A patent/JP3232845B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1995
- 1995-01-24 DE DE69524571T patent/DE69524571T2/de not_active Expired - Lifetime
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