JPH04310645A - 光磁気記録媒体 - Google Patents
光磁気記録媒体Info
- Publication number
- JPH04310645A JPH04310645A JP7484291A JP7484291A JPH04310645A JP H04310645 A JPH04310645 A JP H04310645A JP 7484291 A JP7484291 A JP 7484291A JP 7484291 A JP7484291 A JP 7484291A JP H04310645 A JPH04310645 A JP H04310645A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- magneto
- recording medium
- optical recording
- auxiliary layer
- magnetic field
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims abstract description 20
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims abstract description 20
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 18
- 150000002910 rare earth metals Chemical class 0.000 claims abstract description 18
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract description 17
- 229910052723 transition metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 16
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 10
- 229910052779 Neodymium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 7
- 229910052772 Samarium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 5
- 229910052684 Cerium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 4
- 229910052693 Europium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 4
- 229910052777 Praseodymium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 4
- 229910052746 lanthanum Inorganic materials 0.000 claims abstract description 4
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 4
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 229910052692 Dysprosium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 claims description 4
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- KBQHZAAAGSGFKK-UHFFFAOYSA-N dysprosium atom Chemical compound [Dy] KBQHZAAAGSGFKK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N neodymium atom Chemical compound [Nd] QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- KZUNJOHGWZRPMI-UHFFFAOYSA-N samarium atom Chemical compound [Sm] KZUNJOHGWZRPMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- GWXLDORMOJMVQZ-UHFFFAOYSA-N cerium Chemical compound [Ce] GWXLDORMOJMVQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- OGPBJKLSAFTDLK-UHFFFAOYSA-N europium atom Chemical compound [Eu] OGPBJKLSAFTDLK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N lanthanum atom Chemical compound [La] FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- PUDIUYLPXJFUGB-UHFFFAOYSA-N praseodymium atom Chemical compound [Pr] PUDIUYLPXJFUGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N yttrium atom Chemical compound [Y] VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 abstract description 2
- 230000000977 initiatory effect Effects 0.000 abstract 3
- 239000007769 metal material Substances 0.000 abstract 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 68
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 16
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 15
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 11
- 238000000034 method Methods 0.000 description 9
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 9
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 description 6
- 229910000808 amorphous metal alloy Inorganic materials 0.000 description 5
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 5
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 3
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 3
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 3
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910002546 FeCo Inorganic materials 0.000 description 2
- QVYYOKWPCQYKEY-UHFFFAOYSA-N [Fe].[Co] Chemical compound [Fe].[Co] QVYYOKWPCQYKEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FOPBMNGISYSNED-UHFFFAOYSA-N [Fe].[Co].[Tb] Chemical compound [Fe].[Co].[Tb] FOPBMNGISYSNED-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 2
- UWZNAPXGNZDCSI-UHFFFAOYSA-N dioxosilane terbium Chemical compound [Si](=O)=O.[Tb] UWZNAPXGNZDCSI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000005415 magnetization Effects 0.000 description 2
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 2
- 229910052688 Gadolinium Inorganic materials 0.000 description 1
- UVWVQASGMKCILP-UHFFFAOYSA-N [Co].[Fe].[Dy].[Nd] Chemical compound [Co].[Fe].[Dy].[Nd] UVWVQASGMKCILP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RAJCQXUGVHBLHK-UHFFFAOYSA-N [Pr].[Dy] Chemical compound [Pr].[Dy] RAJCQXUGVHBLHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MOSURRVHVKOQHA-UHFFFAOYSA-N [Tb].[Dy] Chemical compound [Tb].[Dy] MOSURRVHVKOQHA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 230000008030 elimination Effects 0.000 description 1
- 238000003379 elimination reaction Methods 0.000 description 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 1
- UIWYJDYFSGRHKR-UHFFFAOYSA-N gadolinium atom Chemical compound [Gd] UIWYJDYFSGRHKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Thin Magnetic Films (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は光磁気記録媒体に係り、
特にレーザ光の強度変調のみでオーバーライトが可能な
光磁気記録媒体に関する。
特にレーザ光の強度変調のみでオーバーライトが可能な
光磁気記録媒体に関する。
【０００２】近年、光磁気記録のデータ転送速度を向上
させるために、基板上にキュリー点と保磁力の温度に対
する勾配が相互に異なる記録層と補助層の二層構造の光
磁気記録媒体を積層形成し、この二層構造の光磁気記録
媒体に光変調したレーザ光を照射することで、光磁気デ
ィスクが一回転する間に光磁気記録の消去と記録の両方
を同時に行い得るオーバーライト方式が開発されている
。
させるために、基板上にキュリー点と保磁力の温度に対
する勾配が相互に異なる記録層と補助層の二層構造の光
磁気記録媒体を積層形成し、この二層構造の光磁気記録
媒体に光変調したレーザ光を照射することで、光磁気デ
ィスクが一回転する間に光磁気記録の消去と記録の両方
を同時に行い得るオーバーライト方式が開発されている
。
【０００３】このようなオーバーライト方式は種々の方
式が提案され、例えば特開昭６２−１７５９４８ 号に
は、記録層と補助層を用いた二層膜のオーバーライト方
法が提案されている。この方法はキュリー温度と保磁力
の関係が、図１０（ｂ） の曲線１０−１に示すような
関係を有する記録層と、キュリー温度と保磁力の関係が
、図１０（ｂ） の曲線１０−２に示すような補助層の
ように、互いにキュリー点と保磁力の温度に対する勾配
の異なる曲線を有する補助層と記録層の二層の光磁気記
録媒体を用いる。
式が提案され、例えば特開昭６２−１７５９４８ 号に
は、記録層と補助層を用いた二層膜のオーバーライト方
法が提案されている。この方法はキュリー温度と保磁力
の関係が、図１０（ｂ） の曲線１０−１に示すような
関係を有する記録層と、キュリー温度と保磁力の関係が
、図１０（ｂ） の曲線１０−２に示すような補助層の
ように、互いにキュリー点と保磁力の温度に対する勾配
の異なる曲線を有する補助層と記録層の二層の光磁気記
録媒体を用いる。
【０００４】そして図１０（ｂ） の曲線１０−１に示
すように、室温Ｔで記録層の保磁力Ｈｃ１は、曲線１０
−２に示す補助層の保磁力Ｈｃ２より大で、該記録層の
キューリ温度ＴＣ１は補助層のキューリ温度ＴＣ２より
低い光磁気記録媒体を用いている。
すように、室温Ｔで記録層の保磁力Ｈｃ１は、曲線１０
−２に示す補助層の保磁力Ｈｃ２より大で、該記録層の
キューリ温度ＴＣ１は補助層のキューリ温度ＴＣ２より
低い光磁気記録媒体を用いている。
【０００５】そして記録に先立って補助層の磁気モーメ
ントの向きを一方向に揃えておき、記録しようとする信
号に対応して記録層のキュリー温度ＴＣ１以上で、かつ
補助層の磁化反転の生じない温度に加熱する第１の加熱
状態と、該第１の加熱状態よりも加熱温度が高く、補助
層の磁化を反転させるのに充分な第２の加熱状態とで、
記録層と補助層の光磁気記録媒体を、レーザ光の照射で
加熱した後、各々の加熱状態から冷却することで２値情
報を記録している。
ントの向きを一方向に揃えておき、記録しようとする信
号に対応して記録層のキュリー温度ＴＣ１以上で、かつ
補助層の磁化反転の生じない温度に加熱する第１の加熱
状態と、該第１の加熱状態よりも加熱温度が高く、補助
層の磁化を反転させるのに充分な第２の加熱状態とで、
記録層と補助層の光磁気記録媒体を、レーザ光の照射で
加熱した後、各々の加熱状態から冷却することで２値情
報を記録している。
【０００６】そしてこの方法では、図１０（ａ） に示
すように記録の際に用いる記録磁石６１の他に、前記補
助層の磁気モーメントの向きを一方向に揃えるための初
期化磁石６２が設置されている。
すように記録の際に用いる記録磁石６１の他に、前記補
助層の磁気モーメントの向きを一方向に揃えるための初
期化磁石６２が設置されている。
【０００７】なお、図で６３は光磁気記録媒体を形成し
た光磁気ディスク、６４は記録、再生に用いるレーザ光
源である。
た光磁気ディスク、６４は記録、再生に用いるレーザ光
源である。
【０００８】
【従来の技術】然し、このようなオーバーライト方法に
於いては、補助層を初期化するために必要な初期化磁石
の初期化磁場が、３．５ 〜５ＫＯｅの大きい磁場を必
要とし、そのため大型の永久磁石を必要とし、装置が大
型になる欠点がある。
於いては、補助層を初期化するために必要な初期化磁石
の初期化磁場が、３．５ 〜５ＫＯｅの大きい磁場を必
要とし、そのため大型の永久磁石を必要とし、装置が大
型になる欠点がある。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】そのため、従来より補
助層の光磁気記録媒体に用いられている重希土類金属元
素− 遷移金属元素の非晶質合金のテルビウム・鉄・コ
バルト（ＴｂＦｅＣｏ）、テルビウム・ジスプロシウム
・鉄・コバルト（ＴｂＤｙＦｅＣｏ）、ガドリニウム・
ジスプロシウム・鉄・コバルト（ＧｄＤｙＦｅＣｏ）、
ジスプロシウム・鉄・コバルト（ＤｙＦｅＣｏ）等に於
いて、重希土類金属元素の含有割合を遷移金属元素の含
有割合よりも大となるようにして、つまり希土類金属リ
ッチ（ＲＥリッチ）の合金にすることで、室温に於ける
補助層の光磁気記録媒体の保磁力を低下させて初期化磁
石の小型化を図っている。
助層の光磁気記録媒体に用いられている重希土類金属元
素− 遷移金属元素の非晶質合金のテルビウム・鉄・コ
バルト（ＴｂＦｅＣｏ）、テルビウム・ジスプロシウム
・鉄・コバルト（ＴｂＤｙＦｅＣｏ）、ガドリニウム・
ジスプロシウム・鉄・コバルト（ＧｄＤｙＦｅＣｏ）、
ジスプロシウム・鉄・コバルト（ＤｙＦｅＣｏ）等に於
いて、重希土類金属元素の含有割合を遷移金属元素の含
有割合よりも大となるようにして、つまり希土類金属リ
ッチ（ＲＥリッチ）の合金にすることで、室温に於ける
補助層の光磁気記録媒体の保磁力を低下させて初期化磁
石の小型化を図っている。
【００１０】然し、このような方法を採っても、図１１
に示すように保磁力と磁場の飽和点との関係を示す、光
磁気記録媒体のカーループは、保磁力（Ｈｃ ） を示
す横軸方向に沿って裾を引いて延びる傾向があり、磁場
が完全に飽和する磁場の飽和点Ｈｃ−ｓａｔが保磁力の
低下に伴って低下せず、そのために磁場の大きい初期化
用の永久磁石を必要とする不都合を生じる。
に示すように保磁力と磁場の飽和点との関係を示す、光
磁気記録媒体のカーループは、保磁力（Ｈｃ ） を示
す横軸方向に沿って裾を引いて延びる傾向があり、磁場
が完全に飽和する磁場の飽和点Ｈｃ−ｓａｔが保磁力の
低下に伴って低下せず、そのために磁場の大きい初期化
用の永久磁石を必要とする不都合を生じる。
【００１１】図１２にこのような従来の重希土類−遷移
金属合金のＧｄＤｙＦｅＣｏを補助層として用いた光磁
気記録媒体に於ける保磁力Ｈｃ と、カー回転角の関係
を示すカーループ曲線を示す。図で横軸は保磁力Ｈｃ
を示し、縦軸はカー回転角（ 度） を示す。図示する
ようにカーループが、保磁力を示す横軸方向に沿って裾
を引いて延びる傾向があり、磁場が完全に飽和する、磁
場の飽和点Ｈｃ−ｓａｔ （ＫＯｅ） の値は横軸方向
に沿って延び、そのため所定の値に収斂しない。
金属合金のＧｄＤｙＦｅＣｏを補助層として用いた光磁
気記録媒体に於ける保磁力Ｈｃ と、カー回転角の関係
を示すカーループ曲線を示す。図で横軸は保磁力Ｈｃ
を示し、縦軸はカー回転角（ 度） を示す。図示する
ようにカーループが、保磁力を示す横軸方向に沿って裾
を引いて延びる傾向があり、磁場が完全に飽和する、磁
場の飽和点Ｈｃ−ｓａｔ （ＫＯｅ） の値は横軸方向
に沿って延び、そのため所定の値に収斂しない。
【００１２】また図１３に従来の重希土類−遷移金属合
金のＧｄＤｙＦｅＣｏを補助層として用いた光磁気記録
媒体に於ける保磁力Ｈｃ と、磁場の飽和点Ｈｃ −ｓ
ａｔとの関係を示す。図で横軸は保磁力Ｈｃ （ＫＯｅ
） を示し、縦軸は磁場の飽和点Ｈｃ −ｓａｔを示す
。
金のＧｄＤｙＦｅＣｏを補助層として用いた光磁気記録
媒体に於ける保磁力Ｈｃ と、磁場の飽和点Ｈｃ −ｓ
ａｔとの関係を示す。図で横軸は保磁力Ｈｃ （ＫＯｅ
） を示し、縦軸は磁場の飽和点Ｈｃ −ｓａｔを示す
。
【００１３】また図１４に従来の重希土類−遷移金属合
金のＴｂＤｙＦｅＣｏの補助層に於ける保磁力Ｈｃ と
磁場の飽和点Ｈｃ −ｓａｔとの関係図を示す。図で横
軸は保磁力Ｈｃ （ＫＯｅ ）を示し、縦軸は磁場の飽
和点Ｈｃ −ｓａｔ（ＫＯｅ） を示す。
金のＴｂＤｙＦｅＣｏの補助層に於ける保磁力Ｈｃ と
磁場の飽和点Ｈｃ −ｓａｔとの関係図を示す。図で横
軸は保磁力Ｈｃ （ＫＯｅ ）を示し、縦軸は磁場の飽
和点Ｈｃ −ｓａｔ（ＫＯｅ） を示す。
【００１４】図１３および図１４に示すように、従来の
重希土類−遷移金属合金を補助層材料として用いた光磁
気記録媒体に於いては、保磁力Ｈｃ を低下させても、
磁場の飽和点Ｈｃ −ｓａｔの値は、横軸の保磁力Ｈｃ
方向に沿って延びて飽和するようになり、減少しない
ことが判る。
重希土類−遷移金属合金を補助層材料として用いた光磁
気記録媒体に於いては、保磁力Ｈｃ を低下させても、
磁場の飽和点Ｈｃ −ｓａｔの値は、横軸の保磁力Ｈｃ
方向に沿って延びて飽和するようになり、減少しない
ことが判る。
【００１５】本発明は上記した欠点を除去し、前記した
磁場の飽和点Ｈｃ −ｓａｔを低下することが可能な補
助層材料を用いることで、初期化磁場を低く保った状態
で、オーバーライトが可能な光磁気記録媒体の提供を目
的とする。
磁場の飽和点Ｈｃ −ｓａｔを低下することが可能な補
助層材料を用いることで、初期化磁場を低く保った状態
で、オーバーライトが可能な光磁気記録媒体の提供を目
的とする。
【００１６】
【課題を解決するための手段】本発明の光磁気記録媒体
は、基板上に垂直磁気異方性を有する光磁気記録媒体を
記録層、および補助層として二層構造に設け、オーバー
ライト可能な光磁気記録媒体に於いて、前記補助層に軽
希土類金属元素−重希土類金属元素−遷移金属元素の合
金薄膜を用い、前記軽希土類金属元素としてイットリウ
ム（Ｙ） 、ランタン（Ｌａ）、セリウム（Ｃｅ）、プ
ラセオジウム（Ｐｒ）、ネオジウム（Ｎｄ）、サマリウ
ム（Ｓｍ）およびユウロピウム（Ｅｕ）のうちの少なく
とも１個以上の元素を含んで成ることを特徴とする。
は、基板上に垂直磁気異方性を有する光磁気記録媒体を
記録層、および補助層として二層構造に設け、オーバー
ライト可能な光磁気記録媒体に於いて、前記補助層に軽
希土類金属元素−重希土類金属元素−遷移金属元素の合
金薄膜を用い、前記軽希土類金属元素としてイットリウ
ム（Ｙ） 、ランタン（Ｌａ）、セリウム（Ｃｅ）、プ
ラセオジウム（Ｐｒ）、ネオジウム（Ｎｄ）、サマリウ
ム（Ｓｍ）およびユウロピウム（Ｅｕ）のうちの少なく
とも１個以上の元素を含んで成ることを特徴とする。
【００１７】また上記した補助層がＮｄＤｙＦｅＣｏの
合金薄膜であることを特徴とする。更に前記した補助層
のＮｄＤｙＦｅＣｏの合金薄膜が、Ｎｄｘ Ｄｙｙ （
Ｆｅ１００−ｚＣｏｚ ）１００−Ｘ−ｙで表示され、
前記ｘ ≧１．５ 原子％、ｙ ≧２５原子％、ｚ ≧
２７原子％の範囲であることを特徴とする。
合金薄膜であることを特徴とする。更に前記した補助層
のＮｄＤｙＦｅＣｏの合金薄膜が、Ｎｄｘ Ｄｙｙ （
Ｆｅ１００−ｚＣｏｚ ）１００−Ｘ−ｙで表示され、
前記ｘ ≧１．５ 原子％、ｙ ≧２５原子％、ｚ ≧
２７原子％の範囲であることを特徴とする。
【００１８】
【作用】本発明者等は、従来より補助層の光磁気記録媒
体として用いているＴｂＤｙＦｅＣｏや、ＧｄＤｙＦｅ
Ｃｏ等の重希土類金属元素・遷移金属元素の合金薄膜の
代わりに、イットリウム（Ｙ） 、ランタン（Ｌａ）、
セリウム（Ｃｅ）、プラセオジウム（Ｐｒ）、ネオジウ
ム（Ｎｄ）、サマリウム（Ｓｍ）およびユウロピウム（
Ｅｕ）のような軽希土類金属元素のうちの少なくとも１
個以上の元素を含んだ軽希土類金属元素と重希土類金属
元素と遷移金属元素よりなる例えばＮｄＤｙＦｅＣｏの
ような合金薄膜を用いると、従来の重希土類金属元素・
遷移金属元素の合金薄膜のように保磁力の低下に伴って
磁場の飽和点の値が低下せずに所定の値に飽和する現象
が無くなり、保磁力の低下に伴って磁場の飽和点の値も
低下するようになることを実験的に見出した。
体として用いているＴｂＤｙＦｅＣｏや、ＧｄＤｙＦｅ
Ｃｏ等の重希土類金属元素・遷移金属元素の合金薄膜の
代わりに、イットリウム（Ｙ） 、ランタン（Ｌａ）、
セリウム（Ｃｅ）、プラセオジウム（Ｐｒ）、ネオジウ
ム（Ｎｄ）、サマリウム（Ｓｍ）およびユウロピウム（
Ｅｕ）のような軽希土類金属元素のうちの少なくとも１
個以上の元素を含んだ軽希土類金属元素と重希土類金属
元素と遷移金属元素よりなる例えばＮｄＤｙＦｅＣｏの
ような合金薄膜を用いると、従来の重希土類金属元素・
遷移金属元素の合金薄膜のように保磁力の低下に伴って
磁場の飽和点の値が低下せずに所定の値に飽和する現象
が無くなり、保磁力の低下に伴って磁場の飽和点の値も
低下するようになることを実験的に見出した。
【００１９】また、この中で特に補助層としてＮｄＤｙ
ＦｅＣｏの合金薄膜を用い、このＮｄＤｙＦｅＣｏの合
金薄膜をＮｄｘ Ｄｙｙ （Ｆｅ１００−ｚＣｏｚ ）
１００−Ｘ−ｙで表示し、前記ｘ ≧１．５ 原子％、
ｙ ≧２５原子％、ｚ ≧２７原子％の範囲の組成にす
ると、上記した保磁力の低下に伴って磁場の飽和点の値
が低下せず、所定の値に飽和する現象が無くなることが
顕著と成ることを、実験的に確認した。
ＦｅＣｏの合金薄膜を用い、このＮｄＤｙＦｅＣｏの合
金薄膜をＮｄｘ Ｄｙｙ （Ｆｅ１００−ｚＣｏｚ ）
１００−Ｘ−ｙで表示し、前記ｘ ≧１．５ 原子％、
ｙ ≧２５原子％、ｚ ≧２７原子％の範囲の組成にす
ると、上記した保磁力の低下に伴って磁場の飽和点の値
が低下せず、所定の値に飽和する現象が無くなることが
顕著と成ることを、実験的に確認した。
【００２０】
【実施例】以下、図面を用いて本発明の実施例につき詳
細に説明する。第１実施例として図１に示すように、ガ
ラス製の基板１上にテルビウム−二酸化珪素（Ｔｂ−Ｓ
ｉＯ２） よりなる下部保護層２を設け、その上にテル
ビウム・鉄・コバルト（ＴｂＦｅＣｏ）より成る記録層
３を設け、その上に本発明のＮｄＤｙＦｅＣｏの非晶質
合金薄膜より成る補助層４を設け、更にその上にテルビ
ウム−二酸化珪素（Ｔｂ−ＳｉＯ２）よりなる上部保護
層５を設けた構造を採っている。
細に説明する。第１実施例として図１に示すように、ガ
ラス製の基板１上にテルビウム−二酸化珪素（Ｔｂ−Ｓ
ｉＯ２） よりなる下部保護層２を設け、その上にテル
ビウム・鉄・コバルト（ＴｂＦｅＣｏ）より成る記録層
３を設け、その上に本発明のＮｄＤｙＦｅＣｏの非晶質
合金薄膜より成る補助層４を設け、更にその上にテルビ
ウム−二酸化珪素（Ｔｂ−ＳｉＯ２）よりなる上部保護
層５を設けた構造を採っている。
【００２１】図３に本発明の第１実施例の補助層の材料
として用いるネオジウム・ジスプロシウム・鉄・コバル
ト（ＮｄＤｙＦｅＣｏ）の非晶質合金薄膜のカーループ
を示す。また図４に本発明の補助層の材料として用いる
ＮｄＤｙＦｅＣｏの非晶質合金薄膜の保磁力Ｈｃ （Ｋ
Ｏｅ） と、磁場の飽和点Ｈｃ −ｓａｔ（ＫＯｅ）
の関係を示す。図４に示すように保磁力Ｈｃ が低下す
ると、それに連れて磁場の飽和点Ｈｃ −ｓａｔも直線
的に低下しており、従来のように磁場の飽和点Ｈｃ −
ｓａｔが所定の値に飽和する現象が除去される。
として用いるネオジウム・ジスプロシウム・鉄・コバル
ト（ＮｄＤｙＦｅＣｏ）の非晶質合金薄膜のカーループ
を示す。また図４に本発明の補助層の材料として用いる
ＮｄＤｙＦｅＣｏの非晶質合金薄膜の保磁力Ｈｃ （Ｋ
Ｏｅ） と、磁場の飽和点Ｈｃ −ｓａｔ（ＫＯｅ）
の関係を示す。図４に示すように保磁力Ｈｃ が低下す
ると、それに連れて磁場の飽和点Ｈｃ −ｓａｔも直線
的に低下しており、従来のように磁場の飽和点Ｈｃ −
ｓａｔが所定の値に飽和する現象が除去される。
【００２２】また図５に本発明の第２実施例の補助層の
材料として本発明のプラセオジウム・ジスプロシウム・
鉄・コバルト（ＰｒＤｙＦｅＣｏ）の非晶質合金薄膜の
保磁力Ｈｃ （ＫＯｅ） と、磁場の飽和点Ｈｃ −ｓ
ａｔ（ＫＯｅ） の関係を示す。 図５に示すように保磁力Ｈｃ が低下すると、それに連
れて磁場の飽和点Ｈｃ −ｓａｔも直線関係で低下して
おり、従来のように磁場の飽和点Ｈｃ −ｓａｔが飽和
する現象が除去される。
材料として本発明のプラセオジウム・ジスプロシウム・
鉄・コバルト（ＰｒＤｙＦｅＣｏ）の非晶質合金薄膜の
保磁力Ｈｃ （ＫＯｅ） と、磁場の飽和点Ｈｃ −ｓ
ａｔ（ＫＯｅ） の関係を示す。 図５に示すように保磁力Ｈｃ が低下すると、それに連
れて磁場の飽和点Ｈｃ −ｓａｔも直線関係で低下して
おり、従来のように磁場の飽和点Ｈｃ −ｓａｔが飽和
する現象が除去される。
【００２３】また図６に示すように本発明の第３実施例
の補助層の材料として、サマリウム・ジスプロシウム・
鉄・コバルト（ＳｍＤｙＦｅＣｏ）の非晶質合金薄膜の
保磁力Ｈｃ （ＫＯｅ） と、磁場の飽和点Ｈｃ −ｓ
ａｔ（ＫＯｅ） の関係を示す。 図４に示すように保磁力Ｈｃ が低下すると、それに連
れて磁場の飽和点Ｈｃ −ｓａｔも直線関係で低下して
おり、従来のように磁場の飽和点Ｈｃ −ｓａｔが低下
しない現象が除去される。
の補助層の材料として、サマリウム・ジスプロシウム・
鉄・コバルト（ＳｍＤｙＦｅＣｏ）の非晶質合金薄膜の
保磁力Ｈｃ （ＫＯｅ） と、磁場の飽和点Ｈｃ −ｓ
ａｔ（ＫＯｅ） の関係を示す。 図４に示すように保磁力Ｈｃ が低下すると、それに連
れて磁場の飽和点Ｈｃ −ｓａｔも直線関係で低下して
おり、従来のように磁場の飽和点Ｈｃ −ｓａｔが低下
しない現象が除去される。
【００２４】また図７に前記した本発明の補助層材料と
して用いるＮｄＤｙＦｅＣｏの非晶質合金薄膜に於いて
、このＮｄＤｙＦｅＣｏをＮｄｘ Ｄｙｙ （Ｆｅ６５
Ｃｏ３５）１００−ｘ−ｙ として表示した場合のＤｙ
の含有量（ｙ原子％） 、およびＮｄの含有量（ｘ原子
％） に対する磁場の飽和点Ｈｃ −ｓａｔの関係図を
示す。
して用いるＮｄＤｙＦｅＣｏの非晶質合金薄膜に於いて
、このＮｄＤｙＦｅＣｏをＮｄｘ Ｄｙｙ （Ｆｅ６５
Ｃｏ３５）１００−ｘ−ｙ として表示した場合のＤｙ
の含有量（ｙ原子％） 、およびＮｄの含有量（ｘ原子
％） に対する磁場の飽和点Ｈｃ −ｓａｔの関係図を
示す。
【００２５】図で縦軸は磁場の飽和点Ｈｃ −ｓａｔを
示し、横軸は前記ＮｄＤｙＦｅＣｏをＮｄｘ Ｄｙｙ
（Ｆｅ６５Ｃｏ３５）１００−ｘ−ｙ として表示した
場合の、ｘ＝１．５ 原子％とした時のｙ の値（ 原
子％） 、ｘ ＝３ 原子％とした場合のｙ の値（
原子％） を示している。
示し、横軸は前記ＮｄＤｙＦｅＣｏをＮｄｘ Ｄｙｙ
（Ｆｅ６５Ｃｏ３５）１００−ｘ−ｙ として表示した
場合の、ｘ＝１．５ 原子％とした時のｙ の値（ 原
子％） 、ｘ ＝３ 原子％とした場合のｙ の値（
原子％） を示している。
【００２６】図の曲線ａ に示すようにＮｄ量が１．５
原子％以下の含有量であると、Ｄｙの含有量を増加さ
せても、磁場の飽和点Ｈｃ−ｓａｔの低下は見られず、
所定の値に飽和する現象が見られる。
原子％以下の含有量であると、Ｄｙの含有量を増加さ
せても、磁場の飽和点Ｈｃ−ｓａｔの低下は見られず、
所定の値に飽和する現象が見られる。
【００２７】従ってＮｄ量が１．５ 原子％以下の含有
量では、磁場の飽和点Ｈｃ −ｓａｔを低下させる効果
は見られない。またＮｄ量が１．５ 原子％以上、例え
ば３原子％であると、曲線ｂに示すように、Ｄｙの増加
に伴ってＨｃ−ｓａｔ は低下していく。従って、Ｈｃ
−ｓａｔ を３ＫＯｅと見積もると、Ｄｙの含有量は２
５原子％以上が望ましい。
量では、磁場の飽和点Ｈｃ −ｓａｔを低下させる効果
は見られない。またＮｄ量が１．５ 原子％以上、例え
ば３原子％であると、曲線ｂに示すように、Ｄｙの増加
に伴ってＨｃ−ｓａｔ は低下していく。従って、Ｈｃ
−ｓａｔ を３ＫＯｅと見積もると、Ｄｙの含有量は２
５原子％以上が望ましい。
【００２８】この理由は、記録層の磁化に用いられてい
る永久磁石は４ 〜５ＫＯｅの永久磁石が用いられてお
り、補助層の初期化用磁石としては３ＫＯｅ程度の永久
磁石が好ましいので、補助層に用いる光磁気記録媒体の
Ｈｃ−ｓａｔ は、３ＫＯｅ以下が望ましい。従ってＤ
ｙの含有量は図７ の曲線ｂ より２５原子％以上が望
ましい。
る永久磁石は４ 〜５ＫＯｅの永久磁石が用いられてお
り、補助層の初期化用磁石としては３ＫＯｅ程度の永久
磁石が好ましいので、補助層に用いる光磁気記録媒体の
Ｈｃ−ｓａｔ は、３ＫＯｅ以下が望ましい。従ってＤ
ｙの含有量は図７ の曲線ｂ より２５原子％以上が望
ましい。
【００２９】また補助層のキュリー温度Ｔｃ２は記録層
のキュリー温度Ｔｃ１より高く保つ必要があるので、こ
の補助層のキュリー温度Ｔｃ２は２００ ℃以上とする
。Ｃｏの含有量が大になるとキュリー温度が大になる傾
向があるので、このＣｏの量を所定の値に決定する必要
がある。上記したように補助層のキュリー温度Ｔｃ２を
２００ ℃に保つ条件で、Ｄｙを固定にして、ＮｄとＣ
ｏの量を変化させて補助層のキュリー温度が２００ ℃
になるＮｄｘ Ｄｙｙ （Ｆｅ１００−ｚＣｏｚ ）１
００−ｘ−ｙに於けるｘ 、およびｙ の値の実験の結
果を図８に示す。
のキュリー温度Ｔｃ１より高く保つ必要があるので、こ
の補助層のキュリー温度Ｔｃ２は２００ ℃以上とする
。Ｃｏの含有量が大になるとキュリー温度が大になる傾
向があるので、このＣｏの量を所定の値に決定する必要
がある。上記したように補助層のキュリー温度Ｔｃ２を
２００ ℃に保つ条件で、Ｄｙを固定にして、ＮｄとＣ
ｏの量を変化させて補助層のキュリー温度が２００ ℃
になるＮｄｘ Ｄｙｙ （Ｆｅ１００−ｚＣｏｚ ）１
００−ｘ−ｙに於けるｘ 、およびｙ の値の実験の結
果を図８に示す。
【００３０】図の曲線ａ はＤｙが２５原子％の場合で
、曲線ｂ はＤｙが２７原子％の場合である。図の曲線
ａ に示すように、例えばＮｄ量が１．５ 原子％で、
Ｄｙが２５原子％であるとＣｏ量は２７％が望ましい。
、曲線ｂ はＤｙが２７原子％の場合である。図の曲線
ａ に示すように、例えばＮｄ量が１．５ 原子％で、
Ｄｙが２５原子％であるとＣｏ量は２７％が望ましい。
【００３１】また曲線ｂ に示すように、例えばＮｄが
１．５ 原子％で、Ｄｙが２７原子％であると、Ｃｏ量
は３４原子％が望ましい。前記した図７よりＮｄの含有
量（ｘ） は１．５ 原子％以上で、Ｄｙの含有量（ｙ
） は２５原子％以上となることが望ましいと述べてお
り、この図８に述べたことを総合すると、オーバーライ
ト可能な光磁気記録媒体の補助層として、ＮｄＤｙＦｅ
Ｃｏを用いる場合、前記した補助層の初期化用磁石の保
磁力が３ＫＯｅ程度以下、該補助層のキューリ温度が２
００ ℃以上の場合に於ける条件に於いて、Ｎｄ量は１
．５ 原子％以上、Ｄｙ量は２５原子％以上、Ｃｏ量は
２７原子％以上に保つと良い。
１．５ 原子％で、Ｄｙが２７原子％であると、Ｃｏ量
は３４原子％が望ましい。前記した図７よりＮｄの含有
量（ｘ） は１．５ 原子％以上で、Ｄｙの含有量（ｙ
） は２５原子％以上となることが望ましいと述べてお
り、この図８に述べたことを総合すると、オーバーライ
ト可能な光磁気記録媒体の補助層として、ＮｄＤｙＦｅ
Ｃｏを用いる場合、前記した補助層の初期化用磁石の保
磁力が３ＫＯｅ程度以下、該補助層のキューリ温度が２
００ ℃以上の場合に於ける条件に於いて、Ｎｄ量は１
．５ 原子％以上、Ｄｙ量は２５原子％以上、Ｃｏ量は
２７原子％以上に保つと良い。
【００３２】このような本発明の光磁気記録媒体の製造
方法に付いて述べると、図１ および図２ に示すよう
に、表面にグルーブを設けたガラス基板を基板１ とし
て用い、該基板をＲＦマグネトロンスパッタリング装置
の高真空の容器１１内に設置し、該容器内を一旦、５
×１０−５Ｐａ以下の真空度に成る迄排気する。
方法に付いて述べると、図１ および図２ に示すよう
に、表面にグルーブを設けたガラス基板を基板１ とし
て用い、該基板をＲＦマグネトロンスパッタリング装置
の高真空の容器１１内に設置し、該容器内を一旦、５
×１０−５Ｐａ以下の真空度に成る迄排気する。
【００３３】次いで該容器１１内にガス導入管１２より
アルゴンガスを導入し、該スパッタガス圧を０．２Ｐａ
に保持しながら、Ｔｂ− ＳｉＯ２の保護層形成用タ
ーゲット１３をスパッタして基板上にＴｂ−ＳｉＯ２の
下部保護層２ を９０ｎｍの厚さに形成する。
アルゴンガスを導入し、該スパッタガス圧を０．２Ｐａ
に保持しながら、Ｔｂ− ＳｉＯ２の保護層形成用タ
ーゲット１３をスパッタして基板上にＴｂ−ＳｉＯ２の
下部保護層２ を９０ｎｍの厚さに形成する。
【００３４】次いで、一旦、アルゴンガスの供給を停止
して、容器１１内を５ ×１０−５Ｐａ迄、排気管１４
に連なる排気ポンプ（図示せず） で 排気した後、
再びアルゴンガスを容器１１内に導入し、ガス圧を０．
５Ｐａ に保持してＴｂＦｅＣｏ合金の記録層形成用タ
ーゲット１５をスパッタして、ＴｂＦｅＣｏの記録層３
を５０ｎｍの厚さに形成する。
して、容器１１内を５ ×１０−５Ｐａ迄、排気管１４
に連なる排気ポンプ（図示せず） で 排気した後、
再びアルゴンガスを容器１１内に導入し、ガス圧を０．
５Ｐａ に保持してＴｂＦｅＣｏ合金の記録層形成用タ
ーゲット１５をスパッタして、ＴｂＦｅＣｏの記録層３
を５０ｎｍの厚さに形成する。
【００３５】次いで容器１１内の真空状態を保持したま
ま、アルゴンガス圧力を０．５Ｐａ に保持した状態で
、ＮｄＤｙＦｅＣｏの補助層形成用ターゲット１６をス
パッタして、１７０ｎｍ の厚さの補助層４ を形成す
る。
ま、アルゴンガス圧力を０．５Ｐａ に保持した状態で
、ＮｄＤｙＦｅＣｏの補助層形成用ターゲット１６をス
パッタして、１７０ｎｍ の厚さの補助層４ を形成す
る。
【００３６】次いで、一旦アルゴンガスの供給を停止し
、容器１１内を５×１０−５Ｐａ以下の真空度に成る迄
排気した後、更にアルゴンガスを導入して、スパッタガ
ス圧を０．２Ｐａに保ってＴｂ− ＳｉＯ２よりなる保
護層形成用ターゲット１３をスパッタして上部保護層５
を９０ｎｍの厚さに形成する。
、容器１１内を５×１０−５Ｐａ以下の真空度に成る迄
排気した後、更にアルゴンガスを導入して、スパッタガ
ス圧を０．２Ｐａに保ってＴｂ− ＳｉＯ２よりなる保
護層形成用ターゲット１３をスパッタして上部保護層５
を９０ｎｍの厚さに形成する。
【００３７】このようにして形成した本発明の光磁気記
録媒体の特性を表１に示す。
録媒体の特性を表１に示す。
【００３８】
【表１】
【００３９】本発明の比較例として記録層に重希土類金
属元素−遷移金属元素合金の薄膜のＴｂＦｅＣｏ、補助
層に重希土類金属元素− 遷移金属元素合金のＴｂＤｙ
ＦｅＣｏを用いた従来のオーバーライト可能な光磁気記
録媒体の諸性質を表２に示す。
属元素−遷移金属元素合金の薄膜のＴｂＦｅＣｏ、補助
層に重希土類金属元素− 遷移金属元素合金のＴｂＤｙ
ＦｅＣｏを用いた従来のオーバーライト可能な光磁気記
録媒体の諸性質を表２に示す。
【００４０】
【表２】
【００４１】表１と表２を比較すると、従来の光磁気記
録媒体は保磁力Ｈｃ、および磁場の飽和点Ｈｃ −ｓａ
ｔの値が本発明の光磁気記録媒体に比して大きいことが
判る。 以上のようにして形成した本発明の光磁気記録媒体を１
０ｍ／ｓｅｃ の一定速度で回転させ、記録パワーとし
てのＨｉｇｈパワー（ＰＨ ） を１０ｍＷ、消去パワ
ーとしてのＬｏｗパワー（ＰＬ ） を５ｍＷ とし、
読み出しパワー（Ｐｒ） を１ｍＷ としてオーバーラ
イトを行った。
録媒体は保磁力Ｈｃ、および磁場の飽和点Ｈｃ −ｓａ
ｔの値が本発明の光磁気記録媒体に比して大きいことが
判る。 以上のようにして形成した本発明の光磁気記録媒体を１
０ｍ／ｓｅｃ の一定速度で回転させ、記録パワーとし
てのＨｉｇｈパワー（ＰＨ ） を１０ｍＷ、消去パワ
ーとしてのＬｏｗパワー（ＰＬ ） を５ｍＷ とし、
読み出しパワー（Ｐｒ） を１ｍＷ としてオーバーラ
イトを行った。
【００４２】書き込み磁場（ＨＷ ） は３５０ Ｏｅ
、初期化磁場（Ｈｉｎｉ ） は４ＫＯｅである。そ
して旧情報の書き込み周波数は、３．８ＭＨｚ（ マー
ク長１．３ μｍ）、オーバーライトの書き込み周波数
は６．２ＭＨｚ（ マーク長０．８ μｍ）である。
、初期化磁場（Ｈｉｎｉ ） は４ＫＯｅである。そ
して旧情報の書き込み周波数は、３．８ＭＨｚ（ マー
ク長１．３ μｍ）、オーバーライトの書き込み周波数
は６．２ＭＨｚ（ マーク長０．８ μｍ）である。
【００４３】以上の条件でオーバーライトを行った結果
、信号品質は５１ｄＢであり、高い信号品質が確認され
た。図９（ａ）に本発明の光磁気記録媒体の初期化磁場
（Ｈｉｎｉ ） に対するオーバーライト特性と消去特
性を示す。 図の曲線２１はオーバーライト特性曲線、図の曲線２２
は消去特性曲線を示す。この実験に用いたオーバーライ
ト特性、および消去特性の実験手順に付いて表３にまと
めて示す。
、信号品質は５１ｄＢであり、高い信号品質が確認され
た。図９（ａ）に本発明の光磁気記録媒体の初期化磁場
（Ｈｉｎｉ ） に対するオーバーライト特性と消去特
性を示す。 図の曲線２１はオーバーライト特性曲線、図の曲線２２
は消去特性曲線を示す。この実験に用いたオーバーライ
ト特性、および消去特性の実験手順に付いて表３にまと
めて示す。
【００４４】
【表３】
【００４５】また本発明の比較例として、表２に示した
従来の光磁気記録媒体を１０ｍ／ｓｅｃ の一定の回転
速度で回転させ、Ｈｉｇｈパワー（ＰＨ ） を１１ｍ
Ｗ、消去パワーとしてのＬｏｗパワー（ＰＬ ） を６
ｍＷ とし、読み出しパワー（Ｐｒ ） を１ｍＷ と
してオーバーライトを行った。
従来の光磁気記録媒体を１０ｍ／ｓｅｃ の一定の回転
速度で回転させ、Ｈｉｇｈパワー（ＰＨ ） を１１ｍ
Ｗ、消去パワーとしてのＬｏｗパワー（ＰＬ ） を６
ｍＷ とし、読み出しパワー（Ｐｒ ） を１ｍＷ と
してオーバーライトを行った。
【００４６】書き込み磁場（ＨＷ ） は３５０ Ｏｅ
、初期化磁場（Ｈｉｎｉ ） は５ＫＯｅである。そ
して旧情報の書き込み周波数は、３．８ＭＨｚ（ マー
ク長１．３ μｍ）、オーバーライトの書き込み周波数
は６．２ＭＨｚ（ マーク長０．８ μｍ）である。
、初期化磁場（Ｈｉｎｉ ） は５ＫＯｅである。そ
して旧情報の書き込み周波数は、３．８ＭＨｚ（ マー
ク長１．３ μｍ）、オーバーライトの書き込み周波数
は６．２ＭＨｚ（ マーク長０．８ μｍ）である。
【００４７】以上の条件でオーバーライトを行った結果
、信号品質は４８ｄＢであり、本発明の光磁気記録媒体
に比較して信号品質の低下が確認された。
、信号品質は４８ｄＢであり、本発明の光磁気記録媒体
に比較して信号品質の低下が確認された。
【００４８】
【表４】
【００４９】図９（ｂ）に従来の光磁気記録媒体の初期
化磁場に対するオーバーライト特性と消去特性を示す。 図の曲線２３はオーバーライト特性曲線、図の曲線２４
は消去特性曲線を示す。この実験に用いた光磁気記録媒
体のオーバーライト特性、および消去特性の実験の手順
に付いて表４にまとめて示す。
化磁場に対するオーバーライト特性と消去特性を示す。 図の曲線２３はオーバーライト特性曲線、図の曲線２４
は消去特性曲線を示す。この実験に用いた光磁気記録媒
体のオーバーライト特性、および消去特性の実験の手順
に付いて表４にまとめて示す。
【００５０】図９（ｂ）示すように従来の光磁気記録媒
体を補助層に用いた場合の初期化磁場は３．５ＫＯｅで
あり、図９（ａ）に示す本発明の光磁気記録媒体を補助
層に用いた場合の初期化磁場の１．５ＫＯｅの値に比し
て高いことが判る。
体を補助層に用いた場合の初期化磁場は３．５ＫＯｅで
あり、図９（ａ）に示す本発明の光磁気記録媒体を補助
層に用いた場合の初期化磁場の１．５ＫＯｅの値に比し
て高いことが判る。
【００５１】
【発明の効果】以上述べたように、軽希土類− 重希土
類− 遷移金属系の光磁気記録媒体を用いると、磁場の
飽和点Ｈｃ −ｓａｔの値が低くでき、補助層の初期化
磁場の大きさが小さくて済むオーバーライト可能な光磁
気記録媒体が得られる。特にＮｄＤｙＦｅＣｏの材料を
補助層に用いることにより、初期化磁場が小さく、オー
バーライト後の信号品質も良好な光磁気記録媒体が得ら
れる効果があり、高品質、高性能な光磁気記録媒体が得
られる効果がある。
類− 遷移金属系の光磁気記録媒体を用いると、磁場の
飽和点Ｈｃ −ｓａｔの値が低くでき、補助層の初期化
磁場の大きさが小さくて済むオーバーライト可能な光磁
気記録媒体が得られる。特にＮｄＤｙＦｅＣｏの材料を
補助層に用いることにより、初期化磁場が小さく、オー
バーライト後の信号品質も良好な光磁気記録媒体が得ら
れる効果があり、高品質、高性能な光磁気記録媒体が得
られる効果がある。
【図１】 本発明の光磁気記録媒体の断面図である。
【図２】 本発明の光磁気記録媒体の形成に用いる装
置の説明図である。
置の説明図である。
【図３】 本発明の光磁気記録媒体のカーループの曲
線図である。
線図である。
【図４】 本発明の光磁気記録媒体のＮｄＤｙＦｅＣ
ｏの保磁力と磁場の飽和点の関係図である。
ｏの保磁力と磁場の飽和点の関係図である。
【図５】 本発明の光磁気記録媒体のＰｒＤｙＦｅＣ
ｏの保磁力と磁場の飽和点の関係図である。
ｏの保磁力と磁場の飽和点の関係図である。
【図６】 本発明の光磁気記録媒体のＳｍＤｙＦｅＣ
ｏの保磁力と磁場の飽和点の関係図である。
ｏの保磁力と磁場の飽和点の関係図である。
【図７】 本発明のＮｄｘ Ｄｙｙ （Ｆｅ６５Ｃｏ
３５）１００−ｘ−ｙ の光磁気記録媒体のＤｙ、およ
びＮｄの含有量（ 原子％） と磁場の飽和点との関係
図である。
３５）１００−ｘ−ｙ の光磁気記録媒体のＤｙ、およ
びＮｄの含有量（ 原子％） と磁場の飽和点との関係
図である。
【図８】 本発明のＮｄｘ Ｄｙｙ （Ｆｅ１００−
ｚＣｏｚ）１００−ｘ−ｙの光磁気記録媒体の補助層の
キュリー温度を２００ ℃とし、Ｄｙの含有量（ｙ原子
％） を一定とした時のＮｄの含有量（ｘ原子％） と
Ｃｏの含有量（ｚ原子％） との関係図である。
ｚＣｏｚ）１００−ｘ−ｙの光磁気記録媒体の補助層の
キュリー温度を２００ ℃とし、Ｄｙの含有量（ｙ原子
％） を一定とした時のＮｄの含有量（ｘ原子％） と
Ｃｏの含有量（ｚ原子％） との関係図である。
【図９】 本発明の光磁気記録媒体と従来の光磁気記
録媒体に於けるオーバーライト特性と、消去特性の比較
図である。
録媒体に於けるオーバーライト特性と、消去特性の比較
図である。
【図１０】 オーバーライトを実施する装置の説明図
である。
である。
【図１１】 保磁力と磁場の飽和点の関係図である。
【図１２】 従来の光磁気記録媒体のＧｄＤｙＦｅＣ
ｏのカーループ曲線図である。
ｏのカーループ曲線図である。
【図１３】 従来の光磁気記録媒体のＧｄＤｙＦｅＣ
ｏの保磁力と磁場の飽和点との関係図である。
ｏの保磁力と磁場の飽和点との関係図である。
【図１４】 従来の光磁気記録媒体のＴｂＤｙＦｅＣ
ｏの保磁力と磁場の飽和点との関係図である。
ｏの保磁力と磁場の飽和点との関係図である。
１ 基板
２ 下部保護層
３ 記録層
４ 補助層
５ 上部保護層
１１ 容器
１２ ガス導入管
１３ 保護層形成用ターゲット
１４ 排気管
１５ 記録層形成用ターゲット
１６ 補助層形成用ターゲット
２１，２３ オーバーライト特性曲線２２，２４
消去特性曲線
消去特性曲線
Claims (3)
- 【請求項１】 基板（１） 上に垂直磁気異方性を有
する光磁気記録媒体を記録層（３） 、および補助層（
４） として二層に設けたオーバーライト可能な光磁気
記録媒体に於いて、前記補助層（４） に軽希土類金属
元素−重希土類金属元素−遷移金属元素の合金薄膜を用
い、前記軽希土類金属元素としてイットリウム（Ｙ）
、ランタン（Ｌａ）、セリウム（Ｃｅ）、プラセオジウ
ム（Ｐｒ）、ネオジウム（Ｎｄ）、サマリウム（Ｓｍ）
およびユウロピウム（Ｅｕ）のうちの少なくとも１個以
上の元素を含んで成ることを特徴とする光磁気記録媒体
。 - 【請求項２】 請求項１記載の補助層（４） がネオ
ジウム（Ｎｄ）・ジスプロシウム（Ｄｙ）・鉄（Ｆｅ）
・コバルト（Ｃｏ）の合金薄膜であることを特徴とする
光磁気記録媒体。 - 【請求項３】 請求項２記載の補助層がＮｄｘ Ｄｙ
ｙ （Ｆｅ１００−ｚＣｏｚ ）１００−ｙ−ｘで表さ
れ、前記ｘ、ｙおよびｚの値がそれぞれ、ｘ≧１．５
原子％、ｙ≧２５原子％、ｚ≧２７原子％の範囲である
ことを特徴とする光磁気記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7484291A JPH04310645A (ja) | 1991-04-08 | 1991-04-08 | 光磁気記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7484291A JPH04310645A (ja) | 1991-04-08 | 1991-04-08 | 光磁気記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04310645A true JPH04310645A (ja) | 1992-11-02 |
Family
ID=13558988
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7484291A Withdrawn JPH04310645A (ja) | 1991-04-08 | 1991-04-08 | 光磁気記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04310645A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1993010530A1 (en) * | 1991-11-22 | 1993-05-27 | Seiko Epson Corporation | Magnetooptical recording media |
-
1991
- 1991-04-08 JP JP7484291A patent/JPH04310645A/ja not_active Withdrawn
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1993010530A1 (en) * | 1991-11-22 | 1993-05-27 | Seiko Epson Corporation | Magnetooptical recording media |
| US5648161A (en) * | 1991-11-22 | 1997-07-15 | Seiko Epson Corporation | Magneto-optical recording medium having large kerr rotational angle in short wavelength range |
| US5792571A (en) * | 1991-11-22 | 1998-08-11 | Seiko Epson Corporation | Magneto-optical recording medium having large kerr rotational angle in short wavelength range |
| US5843570A (en) * | 1991-11-22 | 1998-12-01 | Seiko Epson Corporation | Magneto-optical recording medium having large kerr rotational angle in short wavelength range |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH06119669A (ja) | 光磁気記録媒体及びこれを用いた記録再生方法 | |
| JP3049482B2 (ja) | 光磁気記録媒体及びその再生方法 | |
| JPS60177455A (ja) | 光磁気記録媒体 | |
| JPH0535499B2 (ja) | ||
| JPH10124943A (ja) | 光磁気記録媒体並びにその製造方法，再生方法及び再生装置 | |
| JPH0395745A (ja) | 光磁気記録方法及び記録装置 | |
| JPH04310645A (ja) | 光磁気記録媒体 | |
| JPH02158938A (ja) | 光磁気記録媒体および記録方法 | |
| JPH0573972A (ja) | 光磁気記録媒体 | |
| JPH11328762A (ja) | 光磁気記録媒体 | |
| JP2770836B2 (ja) | 光磁気記録媒体の製造方法 | |
| JP2815034B2 (ja) | 光磁気記録媒体の製造方法 | |
| JP3074104B2 (ja) | 光磁気記録媒体 | |
| JP2770835B2 (ja) | 光磁気記録媒体の製造方法 | |
| JPH10134439A (ja) | 光磁気記録媒体の製造方法 | |
| JP3756052B2 (ja) | 光磁気記録媒体の再生方法 | |
| JPH08147776A (ja) | 光磁気記録媒体および光磁気記録再生方法 | |
| JPH0559497B2 (ja) | ||
| JP3075048B2 (ja) | 光磁気記録媒体及びその再生方法 | |
| JPH10334529A (ja) | 光磁気記録媒体 | |
| JPH06309710A (ja) | 光磁気記録媒体 | |
| JPH04364246A (ja) | 光磁気記録媒体とその製造方法 | |
| JPH0696479A (ja) | 光磁気記録媒体 | |
| JPH03194744A (ja) | オーバライト可能な光磁気記録媒体 | |
| JPH05182267A (ja) | 光磁気記録媒体およびその記録方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19980711 |