JPH0430895B1 - - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 （発明の技術分野） 本発明はプラスチツク射出成形装置、時にホツ
トランナー式射出成形装置に関するものである。

（従来技術） 成形機のノズルと金型のキヤビテイをつなぐ樹
脂通路内に充填された樹脂、所謂ランナーをキヤ
ビテイ内に充填された樹脂（製品）とともに冷却
固化して型開時に製品とともに金型外に排出する
ようにした所謂コールドランナー成形システムに
対して、ランナーを溶融状態に保つたままキヤビ
テイ内の樹脂のみを冷却固化して金型外に排出
し、その溶融状態のランナーは次の成形サイクル
においてキヤビテイ内に充填するようにしたホツ
トランナー式射出成形システムが知られている。

このようなホツトランナー式射出成形において
は型開時のゲート部の樹脂の「切れ」が問題とな
る。すなわち、成形機のノズルから各キヤビテイ
のゲートに至るまでの樹脂通路を外部から抵抗加
熱ヒーターによつて加熱して樹脂を溶融状態に保
つものが知られているが、該樹脂通路のゲート孔
に近い部分は、一般に冷却水によつて常に冷却さ
れているキヤビテイプレートに近いために、金型
の開閉操作に伴なう温度変動が激しくゲート孔付
近の樹脂温度を一定に保つのが極めて困難であ
り、樹脂温が高過ぎて樹脂が糸を引いたり、樹脂
が固化してゲート孔を詰まらせてしまつて次の射
出が不可能になるというような問題があつた。ま
た樹脂温が高過ぎると、型開中にゲート孔から樹
脂が洩れ出す所謂「はなだれ」現象も起きる。

このような問題を解決するために、ゲート部分
に機械的な弁を設け、ゲート近傍の樹脂を溶融状
態に保つのに充分な熱を加えるとともに型開時に
前記弁を閉じて樹脂の糸引きやはなだれを防止す
るようにした装置が開発されたが、周知のように
ゲート近傍には高圧がかかるとともに前記弁は莫
大な数の開閉を繰り返さなければならないため
に、故障が起きやすいという欠点がある。また複
雑な構造の弁を使用するために装置が大きくなる
という欠点もある。

また、ゲート孔近傍の樹脂通路内の先に尖つた
発熱体をゲート孔に臨むように配し、型開時には
ゲート孔内の樹脂を積極的に冷却固化させて、型
開時のゲート孔からの樹脂洩れないし、糸引きを
防止するとともに次のサイクルの射出直前に前記
発熱体を高温に加熱してゲート孔内の固化した樹
脂を再溶融させ射出が可能となるようにする所謂
間欠加熱方式のホツトランナー式射出成形装置も
知られているが、この装置においてはゲート内の
固化した樹脂を再溶融させるのに時間を要する、
樹脂通路内に発熱体が配されるために射出圧の減
損が著しい、特にガラス繊維入りの樹脂等による
成形の際には発熱体の先端が破損したり、摩耗し
たりするといつた種々の問題がある。またゲート
内の固化した樹脂を瞬時に再溶融させるために発
熱体先端に充分な熱を与えようとすると、発熱体
の基部の方がどうしても先端より高温になるため
に基部の周辺の樹脂が焦げたり分解したりすると
いう問題もある。

また従来のホツトランナー式射出成形装置はい
ずれも抵抗加熱ヒーターからの熱伝達によつて所
望の加熱部位、例えばゲート孔を加熱するように
なつているため熱的なレスポンスが悪くその加熱
部位を所望の温度に制御するのが極めて困難であ
り、特に複数個のキヤビテイを備えた多数個取り
の金型の場合には各キヤビテイのゲート孔の温度
を等しくするのが（所謂ゲートバランスの維持）
極めて困難であつた。また抵抗加熱ヒーターは自
己抵抗発熱であるために断線が頻繁に起きるとい
う欠点がある。

以前に本出願人は複数のキヤビテイを備えた金
型の各ゲート孔付近の樹脂温を精度よく制御する
ことができるとともに良好なゲートバランスを維
持することができ、したがつて弁の開閉、ゲート
孔の間欠加熱等複雑な機構を用いなくとも糸引、
はなだれ、ゲート詰まり等を起こすことなく良好
な成形ができるようにしたホツトランナー式射出
成形装置を発明して出願した。（特願昭59−37121
号） そのホツトランター式射出成形装置においては
成形機のノズルと金型内の各キヤビテイを接続す
る樹脂通路（一般にスプルー部とランナー部から
なる。）の各キヤビテイのゲート孔に隣接した部
分が、高周波誘導加熱によつて加熱し得る材料で
形成されたパイプ状部材によつて形成される。そ
の各パイプ状部材の周囲には高周波誘導加熱コイ
ルが巻回され、その加熱コイルは互いに直列に高
周波電力供給手段に接続される。またその加熱コ
イルに供給される電力を制御することによつてパ
イプ状部材の温度を制御する制御手段が設けられ
る。

前記加熱コイルに前記電力供給手段から高周波
電流を供給すると前記パイプ状部材が電磁誘導に
よつて発熱する。この電磁誘導による発熱によつ
てパイプ状部材を加熱するのは抵抗加熱ヒーター
からの熱伝達によつて加熱するのに比べて熱的レ
スポンスが良い。すなわち、ヒーターからの熱伝
導による場合にはパイプ状部材の温度が所定の温
度に達したときには、ヒーターはより高温になつ
ていてヒーターへの通電が停止した後にもパイプ
状部材の温度が上昇し続けたり、パイプ状部材の
温度が低下したときにヒーターに通電を開始して
もパイプ状部材の温度が下がり続けるリンギング
現象による遅延時間があるが、誘導加熱による場
合にはパイプ状部材自体が発熱するのであり、し
かも発熱速度も極めて速いからリンギングのおそ
れがなく、極めて良好に温度制御ができる。また
ヒーターからの熱伝導による場合はヒーターと被
加熱部材（パイプ状部材）の接触具合などによつ
てその被加熱部材の温度が大きく変化するのに対
して電磁誘導による加熱の場合にはコイルと被加
熱部材の間の微小な位置関係はその被加熱部材の
温度に殆ど影響を与えないため、各ゲート孔付近
の樹脂温を精度良く制御することができ、またゲ
ートバランスの維持も極めて容易になるという特
長があるさらに前記誘導加熱コイルは単なる導線
を巻いたものであるから、ゲート孔に相当近い位
置まで巻回することができ、したがつてパイプ状
部材のゲート孔に相当近い部分まで直接発熱させ
ることができるから、パイプ状部材の先端部（ゲ
ート孔に近い部分）と基部（ゲート孔から離れた
部分）との温度差を極めて小さくすることができ
る。そのためゲート孔内の樹脂を溶融状態に保つ
のに充分な温度まで先端部を加熱したときに基部
の温度が上がり過ぎてその部分に接触している樹
脂が焦げたり分解したりするというようなことが
ない。さらに各加熱コイルを直列に接続すると、
例えば経年変化による１つの加熱コイル回路の抵
抗の変化等が全ての加熱コイルに流れる電流に影
響するためゲートバランスが特に維持し易い。す
なわち各加熱コイルを並列に電源に接続した場合
には何らかの理由で１つの加熱コイル回路の抵抗
が大きくなるとそのコイルに加えられる電力が小
さくなつてそのコイルの巻かれたパイプ状部材の
温度のみが下がることになるが、直列に接続して
おくと全ての加熱コイルに加えられる電力が小さ
くなり、したがつて全てのパイプ状部材の温度が
ほぼ一様に下がることにより、ゲートバランスが
極めて維持し易い。また実験によれば各加熱コイ
ルの巻数は数ターンから10数ターンで充分であ
り、各コイルを並列に電源に接続した場合には負
荷が小さいためにパワーが入りにくいという問題
がある。さらに高周波誘導加熱コイルによる発熱
はコイルの電源からの距離すなわち表皮効果を含
めた線路の抵抗ロスにも依存するから各コイルを
並列に電源に接続する場合には各コイルの電源か
らの距離を正確に一致させるか、或いは各コイル
の電源からの距離の違いを考慮して巻数等を加減
しないとゲートバランスがくずれることになり、
この点でも各コイル直列に電源に接続するように
した前記装置は有利である。さらに、前述のよう
にその装置においてはパイプ状部材の周囲に数タ
ーンから10数ターン導線を巻くだけでゲート孔付
近の樹脂を加熱することができるから、ゲート周
囲の構造が極めて簡単になり、小さな製品の多数
個取りの金型や１つのキヤビテイに対した数個の
ゲートを備えた金型のホツトランナー化が容易に
実現できる。なお、パイプ状部材の温度を所望の
値に制御する前記温度制御手段としてはパイプ状
部材の温度を検出して設定値との高低に応じて、
電源手段から加熱コイルへ供給される電力を調整
乃至オン−オフするような回路を使用することが
できる。

周知のようにゲート孔付近の樹脂温を精度良く
制御することさえできれば、型開時にゲート孔か
らの樹脂洩れや糸引を生ぜず、しかもゲート詰ま
りを起こさないような臨界的な樹脂温を探し出す
のは当業者には容易であり、したがつてその装置
によれば機械的に開閉する弁、間欠加熱等の複雑
な機構を用いるこなく良好なホツトランナー式成
形を行なうことができる。また上述の間欠加熱方
式の成形装置のように樹脂通路の内部には発熱体
を配する必要がないから射出圧の減損が少なく、
また発熱体の破損等による装置の故障がない。ま
た、その装置に使用される加熱コイルは自己抵抗
発熱が殆どないから断線のおそれがなく、従来の
ホツトランナー式成形装置に頻繁に生じたヒータ
ーの断線による故障が殆どない。

しかしながら、この特願昭59−37121号記載の
射出成形装置は高周波電力を使用するため、熱電
対を使用してパイプ状部材の先端の温度を測定す
る際に信号にノイズが入り易く、ノイズを拾うの
を防止するために熱電対にシールドするとゲート
周囲の構造が複雑になり、小型化のネツクとなる
という問題があつた。

すなわち熱電対（例えばCA）の熱起電力は数
ｍＶと非常に小さく、高出力の高周波磁界中では
誘導によりＳ／Ｎ比が極端に悪くなり正確な温度
検出が困難になるのである。例えば前記パイプ状
部材のゲート近傍は細い（約7φ）のが望ましい
が、これに熱電対を対応させると熱電対の太さも
約0.5φ（シースの外形）程度と極めて細くなりし
たがつて電気抵抗が高くなつてしまう。周知のよ
うに電気抵抗が高ければそれだけノイズを拾い易
い。補償導線を含めて熱電対にシールドを施こし
てもノイズを完全にカツトするのは困難である。

（発明の目的） 上記のような事情に鑑みて本発明は前述のよう
な高周波誘導加熱型ホツトランナー射出成形装置
において、高周波磁界の影響を受けずに正確に温
度検出ができるようにした装置を提供することを
目的とするものである。

（発明の構成） 本発明の装置は定期的に、例えば0.5sec毎に高
周波電力を所定時間だけ、例えば10ｍsec、停止
してその間に温度検出手段の出力を読みとらせる
切換手段を備えていることを特徴とするものであ
る。

（発明の効果） このような本発明の装置においては温度検出手
段の出力を読みとる際に高周波電力がオフされて
おり、したがつて高周波磁界の影響を受けずに正
確に温度が検出できる。

（実施例） 以下図面を参照して本発明の実施例を詳細に説
明する。

第１図において本発明の一実施例のホツトラン
ナー式射出成形装置は４つのキヤビテイ１２ａ，
１２ｂ，１２ｃ，１２ｄを有する金型１０を備え
ている。金型１０は成形機（図示せず）の固定ダ
イプレートに固定される固定側ハーフ１４と移動
ダイプレートに固定される移動側ハーフ１６から
なつており、移動側ハーフ１６が固定側ハーフ１
４に押圧されると、すなわち金型１０が閉じられ
ると両ハーフ１４，１６の間に前記４つのキヤビ
テイ１２ａ〜１２ｄが形成されるようになつてい
る。固定側ハーフ１４は固定ダイプレートに取り
付けられる取付プレート、断熱材２０を狭んでそ
の取付プレート１８に押圧固定されているマニホ
ールドブロツク２２、および支持ブロツク２４を
狭んでそのマニホールドブロツク２２に押圧固定
されているキヤビテイプレート２６からなつてい
る。

キヤビテイプレート２６は移動側ハーフ１６側
に開口する４つの凹部２８ａ，２８ｂ，２８ｃ，
２８ｄを備えている。この４つの凹部２８ａ〜２
８ｄは移動側ハーフ１６に設けられている４つの
コア１７ａ，１７ｂ，１７ｃ，１７ｄと共働して
前記４つのキヤビテイ１２ａ〜１２ｄを形成す
る。キヤビテイプレート２６のマニホールドブロ
ツク側には前記４つの凹部２８ａ〜２８ｄとそれ
ぞれ対向するように、マニホールドブロツク側に
開口する４つの凹部３０ａ，３０ｂ，３０ｃ，３
０ｄが設けられている。また固定側ハーフ１４に
は成形機のノズル（図示せず）と各キヤビテイ１
２ａ〜１２ｄを各凹部３０ａ〜３０ｄの底面にそ
れぞれ形成されたゲート孔３２ａ，３２ｂ，３２
ｃ，３２ｄを介して接続する樹脂通路が形成され
ている。この樹脂通路は成形機のノズルと直接つ
なげられる所謂スプルー部３４ａとマニホールド
ブロツク２２内で４つに分岐した所謂ランナー部
３４ｂとからなつており、そのランナー部３４ｂ
の各ゲート孔３２ａ〜３２ｄに隣接した部分はパ
イプ状のチツプ３６ａ，３６ｂ，３６ｃ，３６ｄ
によつて形成されている。各チツプ３６ａ〜３６
ｄの周囲には加熱コイル３８ａ，３８ｂ，３８
ｃ，３８ｄがそれぞれ巻回されており、後に詳述
するようにこの加熱コイル３８ａ〜３８ｄに高周
波電流を通すと各チツプ３６ａ〜３６ｄが発熱す
るようになつている。前記マニホールドブロツク
２２は適当な加熱手段（図示せず）によつて所望
の温度まで加熱されるようになつている。

従来のホツトランナー式射出成形装置と同様に
成形機のノズルから射出された溶融樹脂は前記樹
脂通路を通つて各キヤビテイ１２ａ〜１２ｄ内に
充填される。通常、キヤビテイプレート２６およ
び移動側ハーフ１６は冷却されており、各キヤビ
テイ１２ａ〜１２ｄ内の樹脂が冷却固化した後、
移動側ハーフ１６が後退せしめられて金型が開か
れる。このときキヤビテイ１２ａ〜１２ｄ内に形
成された製品は移動側ハーフ１６のコア１７ａ〜
１７ｄにそれぞれ担われて固定側ハーフ１４から
除去されるが、ゲート孔３２ａ〜３２ｄ付近の樹
脂温が高過ぎると樹脂が糸を引く、所謂ゲート切
れが悪いという現象を起こしたり、あるいは型が
開いている間に樹脂通路内の溶融樹脂がゲート孔
３２ａ〜３２ｄから洩れ出したりするし、逆に低
過ぎるとそのゲート孔３２ａ〜３２ｄ付近の樹脂
が固化して次のサイクルにおける射出ができなく
なる。したがつてゲート孔付近の樹脂温は高過ぎ
ず、低過ぎずの臨界的な温度範囲内に維持しなけ
ればならない。

各加熱コイル３８ａ〜３８ｄは中継ボツクス４
０を介して互いに直列に高周波電力供給回路４２
に接続される。電力供給回路４２はAC電源から
の交流を整流して直流（脈流）に変換する整流回
路４４、AC電源をオン・オフするSSR（ソリツド
ステートリレー）４５、後述する温度制御回路５
２の制御の下に開閉（オン−オフ）を繰り返すス
イツチング素子４６、トランス４８、そのトラン
ス４８の一次側に並列に接続されたコンデンサ
Ｃ、およびフイルター回路５０からなつており、
前記トランス４８の二次側に前記４つの前記コイ
ル３８ａ〜３８ｄが直列に接続されるようになつ
ている。温度制御回路５２は前記各チツプ３６ａ
〜３６ｄの先端部にそれぞれ接触せしめられて各
チツプ３６ａ〜３６ｄの先端部の温度を検出する
４つの熱電対５４ａ，５４ｂ，５４ｃ，５４ｄを
備えている。その４つの熱電対５４ａ〜５４ｄの
出力は切換回路５６によつて順次増巾回路５８に
入力され、増巾された後、Ａ／Ｄ変換回路６０に
入力される。このＡ／Ｄ変換回路６０によつてデ
ジタル信号に変換された各熱電対５４ａ〜５４ｄ
からの温度情報は制御回路６２の制御の下に記憶
回路６４に記憶される。制御回路６２には更に設
定温度入力回路６６および温度表示回路６６が接
続されている。設定温度入力回路６６は設定ダイ
ヤル等によつて選択されるチツプ先端部に設定温
度を制御回路６２に入力する。この設定温度は制
御回路６２の制御の下に記憶回路６４に記憶され
る。制御回路６２は記憶回路６４に一旦記憶され
ていた各熱電対５４ａ〜５４ｄからの温度情報、
すなわちその時点での４つのチツプ３８ａ〜３８
ｄの先端部の温度を取り出して、演算回路７０に
よつて４つのチツプ３８ａ〜３８ｄの先端部の温
度の平均値を求め、その平均値と前記設定温度と
の差を求める。制御回路６２はこの差の大きさに
応じて発振回路７２を制御して発振回路７２の出
力信号を変化させる。本実施例における電力供給
回路４２においては周波数が所定の範囲内で低い
程大きな電力が加熱コイル３８ａ〜３８ｄに入る
ようになつており、制御回路６２は前記設定温度
とチツプ先端部の温度の平均値との差が大きい程
低い周波数で発振するように発振回路７２を制御
する。本実施例では発振回路７２は20KHz〜50K
Hzの間で発振する。この発振回路７２の出力信号
はドライブ回路７４によつて電流増巾されて電力
供給回路４２の前記スイツチング素子４６を駆動
する。このスイツチング素子４６が発振回路７２
の発振周波数に応じて開閉を繰り返すことによつ
て前記トランス４８の一次側に高周波電流が流
れ、トランス４８の二次側に高周波電流が誘起さ
れ、トランス４８の二次側に直列に接続された前
記４つの加熱コイル３８ａ〜３８ｄに高周波電流
が供給される。加熱コイル３８ａ〜３８ｄに高周
波電流が流れるとその加熱コイルが巻かれている
各チツプ３６ａ〜３６ｄが電磁誘導によつて発熱
する。もちろん、各チツプ３６ａ〜３６ｄは高周
波誘導加熱で発熱し得る材料で形成されている必
要がある。そのような材料としては種々のものが
知られているが、当業者には明らかなように、各
チツプ３６ａ〜３６ｄは高温、高圧に耐えなけれ
ばならないから、このような点も考慮して材質を
選択しなければならない。特に高温まで加熱され
ても機械的強度が大きく、透磁率が大きく、しか
も透磁率の温度依存性の小さいものが望ましい。
このような材料としては例れば熱間金型用の
SKD−６１，６２等がある。前記温度制御回路
５２は各熱電対５４ａ〜５４ｄから入力される各
チツプ３６ａ〜３６ｄの先端部の実際温度の平均
値と設定温度の比較を刻々繰り返し、前者の方が
後者より低い場合には両者の差が小さくなるにつ
れて発振回路７２の発振周波数を高くして行く。
この発振周波数が高くなると、トランス４８の一
次側に流れる電流の周波数も高くなり、したがつ
て加熱コイル３８ａ〜３８ｄに供給される電流の
周波数も高くなつて結局各加熱コイル３８ａ〜３
８ｄに供給される電力が小さくなる。すなわち、
温度制御回路５２はチツプの先端部の実際の温度
が設定温度より低い場合には、その差が大きいと
きには大きな電力を加熱コイル３８ａ〜３８ｄに
供給し、実際の温度が設定温度に近づくにつれて
その供給電力を小さくし、それによつてチツプ先
端部の実際の設定温度に収束させる。逆に実際の
温度が設定温度を上回つた場合には、その差が大
きい程大きく供給電力を減ずるようにして実際温
度を設定温度に近づける。また前記温度表示回路
６８はチツプ先端部の実際温度、設定温度との差
等を表示する。このような高周波誘導加熱によつ
てチツプを加熱する本実施例の装置においてはチ
ツプ３６ａ〜３６ｄ自体が発熱するのであるか
ら、抵抗加熱ヒーターからの熱伝達によつてチツ
プを加熱するのに比べて熱的レスポンスが速く、
リンギングや熱伝達に帰因する遅延なく精度良く
チツプの温度を制御することができる。

前記SSR４５は制御回路６２に接続されてお
り、所定の周期で開閉される。例えば0.5sec毎に
10ｍsecだけ開かれる。すなわち制御回路６２は
所定の周期でAC電源をオフすることによつて電
力供給回路４２からの出力を停止し、その間に熱
電対５４ａ〜５４ｄからの温度情報を記憶回路６
４に記憶される。したがつて熱電対５４ａ〜５４
ｄの近傍において加熱コイル３８ａ〜３８ｄによ
つて発生される高周波磁界の影響を受けずに熱電
対５４ａ〜５４ｄの信号を読み取ることができ
る。なおSSR４５を開く周期およびその時間は特
に上記例に限定されるものでなく適当に選択して
差し支えないが、その周期を余り長くすると、温
度検出の間隔が広くなり過ぎて、特に熱的レスポ
ンスの良い本実施例の装置においては温度制御上
望ましくない。またSSR４５を開く周期が短か過
ぎたり、あるいは開く時間が長過ぎたりすると電
力が加熱コイル３８ａ〜３８ｄに供給される時間
が短くなりチツプ３６ａ〜３６ｄを所望の温度ま
で加熱するのに時間がかかることになる。したが
つてこのような点を適切に考慮してSSR４５を開
く周期および時間を決定するのが望ましい。

なお、SSR４５としては制御回路６２から開信
号が入つてもAC電源の電圧がゼロになる迄は開
かず、逆に閉信号が入つてもAC電源の電圧がゼ
ロになる迄は閉じないゼロクロス型のSSRを使用
するのが望ましい。

第２図は各チツプ周辺の構造をチツプ３６ａを
例にとつて詳細に示すものである。

第２図に示すように、チツプ３６ａはゲート孔
近傍の樹脂通路を形成する貫通孔８０を備えたパ
イプ状の部材である。貫通孔８０は先端部（ゲー
ト孔３２ａ側）において細くなつてゲート孔３２
ａとほぼ同じ径を有するようになつている。チツ
プ３６ａの両端面には環状の突条８２ａ，８２ｂ
が設けられている。チツプ３６ａはマニホールド
ブロツク２２とキヤビテイプレート２６の間に押
圧挾持されるようになつており、その際上記突条
８２ａ，８２ｂが多少変形することによつて押圧
面からの樹脂洩れを防止するようになつている。
もちろん他のシール手段例えばＯリングを用いて
樹脂の洩れを防止するようにしてもよい。また先
端面の突条８２ｂはチツプ３６ａとキヤビテイプ
レート２６との接触面積を小さくしてチツプ３６
ａの先端部からキヤビテイプレート２６に奪われ
る熱量を小さくするのにも役立つ。チツプ３６ａ
の先端近傍には熱電対５４ａの先端を挿し込む凹
部８４が設けられている。加熱コイル３８ａおよ
び熱電対５４ａは高周波遮へい効果を有する金属
で形成されたケース８６内に収容されており、さ
らにその加熱コイル３８ａのリード線８８ａおよ
び熱電対５４ａのリード線８８ｂはケース８６に
一体的に接続されたシールド間９０内を通つて前
記中継ボツクス４０まで延びている。加熱コイル
３８ａは導電性が良く、腐食に強い金属、例えば
銀、銀の合金、銅線等の心線とその上に被せられ
た絶縁被覆からなつており、チツプの大きさ等に
応じて通常数ターンから10数ターンチツプの周囲
に巻回される。チツプ３６ａの後端部にはマニホ
ールドブロツク２２からの熱伝達があり、逆にチ
ツプ３６ａの先端部からはキヤビテイプレート２
６によつて熱が奪われるため、加熱コイル３８ａ
はできるだけチツプ３６ａの先端に近い位置に巻
回して先端部にコイル３８ａからの磁束が集中す
るようにするのが望ましい。

前記中継ボツクス４０は高周波電力供給回路４
２の前記トランス４８の二次側を接続するための
コネクター１００、および前記各加熱コイル３８
ａ〜３８ｄを接続するためのコネクター、１０
１，１０２，１０３，１０４を備えている。コネ
クター１０１，１０２，１０３，１０４は互いに
直列にコネクター１００に接続されている。更
に、各コネクター１０１，１０２，１０３，１０
４を跨ぐように（並列に）ゲートバランス調整用
回路に接続するためのゲートバランス調整用コネ
クター１１１，１１２，１１３，１１４が接続さ
れている。このゲートバランス調整用コネクター
１１１〜１１４に適宜ゲートバランス調整用回路
を接続することによつて個々のチツプ３６ａ〜３
６ｄの温度を制御することができる。第１図には
ゲートバランス調整用コネクター１１１，１１３
を介して加熱コイル３８ａ，３８ｃにそれぞれ並
列にコンデンサー１０５を接続した例が示されて
いる。この場合、加熱コイル３８ａ，３８ｃが巻
かれているチツプ３６ａ，３６ｃの温度が上昇
し、他の加熱コイル３６ｂ，３８ｄが巻かれてい
るチツプ３６ｂ，３６ｄの温度が下がる。ゲート
バランス調整用回路としてコンデンサーの替りに
コイルもしくは抵抗を使用すると、加熱コイル３
８ａ，３８ｃが巻かれているチツプ３６ａ，３６
ｃの温度が下がり、値の加熱コイル３８ｂ，３８
ｄが巻かれているチツプ３６ｂ，３６ｄの温度が
上がる。すなわち、コンデンサー、コイル、抵抗
等のゲートバランス調整用回路を加熱コイルに選
択的に並列に接続することによつて、各加熱コイ
ルへの電力の供給の配分を変えることができ、そ
れによつて直列に接続された複数の加熱コイル３
８ａ〜３８ｄによつて発熱せしめられるチツプ３
６ａ〜３６ｄの温度を別々に上下せしめられるこ
とができるのである。つまり、何らかの要因によ
つて温度が下がり易いチツプに巻かれている加熱
コイルに他の加熱コイルよりも大きな電力が供給
されるように対応するゲートバランス調整用コネ
クターにコンデンサーを接続してもよいし、逆に
何らかの要因によつて温度が他よりも上がり易い
チツプに巻かれている加熱コイル供給される電力
が他の加熱コイルに供給される電力よりも小さく
なるように、その加熱コイルに対応するゲートバ
ランス調整用コネクターにコイルまたは抵抗を接
続してもよい。もちろん、コンデンサー、コイ
ル、抵抗を適当に組み合わせて使用しても差し支
えない。しかしながら、ゲートバランス調整用回
路として抵抗を使用すると、電力損が生じ、その
点では他の２者の方が望ましい。

言うまでもなく、ゲートバランス調整用回路の
作用はその素子の値が大きい程大きい。したがつ
てオペレーターが温度表示を見たり、各ゲート孔
での樹脂の状態を見たりして、適当な値の素子を
適当なゲートバランス調整用コネクターに接続す
るようにしてもよいし、予め異なる値の複数のゲ
ートバランス調整用回路を各加熱コイル毎に切換
自在に設けておき、チツプ間の温度差に応じて適
当な値の素子を選択して接続するようにしてもよ
い。

さらに第３図に示すようにその切換を制御回路
６２の制御の下に自動的に行なうようにしてもよ
い。すなわち第３図に示す中継ボツクス４０ａに
おいて各エートバランス調整用コネクターは６つ
の固定接点とその６つの固定接点のうち１つに選
択的に接触せしめられる１つの可動接点とを備え
たリレー１２１，１２２，１２３，１２４からな
つている。各リレー１２１〜１２４の６つの接点
のうちの５つにはそれぞれの値の異なるコンデン
サーが接点されており、残りの１つの接点オープ
ンになつている。各リレー１２１〜１２４は前記
制御回路６２によつて制御されるリレー駆動回路
１２５によつて駆動されるようになつている。制
御回路６２は前記熱電対５４ａ〜５４ｄからの入
力される４つのチツプ３６ａ〜３６ｄの温度のバ
ラツキに応じてリレー１２１〜１２４を選択的に
駆動して所望の値のコンデンサーを対応する加熱
コイル３８ａ〜３８ｄに並列に接続するようにリ
レー駆動回路１２５を制御する。

なお、金型内に通されるリード線は実用上余り
太くすることはできないが、電力供給回路からコ
イルまでの線路の表皮効果を含めた抵抗ロスをで
きるだけ小さくするために中継ボツクス４０まで
のラインにはできるだけ高周波抵抗の小さい太い
導線を使用し、中継ボツクス４０はできるだけ金
型に近い位置に配するのが望ましい。

また、上記実施例においては、高周波電力供給
回路４２として周波数が低くなる程供給電力が大
きくなる転流方式回路を使用したが、逆に周波数
が高くなる程供給電力が大きくなる偏向方式回路
も使用することができる。さらに前記実施例にお
いては温度制御回路５２は４つのチツプ３６ａ〜
３６ｄの先端部の実際温度の平均値と設定温度を
比較するようになつているが、どれか１つのチツ
プの先端部の実際温度と設定温度とを比較するよ
うにしてもよい。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の一実施例の射出成形装置を示
す概略図、第２図は第１図の装置の一部を詳細に
示す断面図、第３図は本発明の他の実施例の一部
を示す図である。 １２ａ〜１２ｄ……キヤビテイ、３２ａ〜３２
ｄ……ゲート孔、３６ａ〜３６ｄ……チツプ、３
８ａ〜３８ｄ……加熱コイル、４２……高周波電
力供給回路、４５……SSR、５２……温度制御回
路、５４ａ〜５４ｄ……熱電対、１００〜１０４
……コネクター、１０５……コンデンサー、１１
１〜１１４……ゲートバランス調整用コネクタ
ー、１２１〜１２４……リレー、１２５……リレ
ー駆動回路。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １ 固定側ハーフと移動側ハーフとからなり、両
   ハーフを閉じたときに形成される少なくとも１つ
   のキヤビテイと、そのキヤビテイの成形機のノズ
   ルとをゲート孔を介して接続する樹脂通路とを備
   えた金型、および その金型の前記樹脂通路を加熱してその樹脂通
   路内の樹脂を溶融状態に保つ加熱手段、 からなるホツトランナー式射出成形装置におい
   て、 前記樹脂通路の少なくとも前記ゲート孔近傍の
   部分が、高周波誘導加熱で加熱し得る材料で形成
   されたパイル状部材によつて形成されており、前
   記加熱手段がそのパイプ状部材の周囲に巻回され
   た高周波誘導加熱コイル、その高周波誘導加熱コ
   イルに高周波電力を供給する高周波電力供給手
   段、 前記パイプ状部材の温度を検出して温度信号を
   出力する温度検出手段、 前記温度検出手段からの前記温度信号を受け
   て、前記高周波電力供給手段から前記高周波誘導
   加熱コイルに供給される電力を制御して前記パイ
   プ状部材の温度を所望の値に制御する温度制御手
   段、および前記高周波電力供給手段からの前記高
   周波誘導加熱コイルへの電力供給を所定の周期で
   所定の時間だけ停止する切換手段、からなつてお
   り前記温度制御手段が前記高周波電力供給手段か
   らの前記高周波誘導加熱コイルへの電力供給が停
   止されている間に前記温度信号を読み取るように
   なつていることを特徴とする装置。