JPH039826A - ホットランナー式射出成形装置用の間欠加熱時間割出し方法及び装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （発明の技術分野） 本発明は、プラスチック射出成形装置、特にホットラン
ナ−式射出成形装置用の間欠加熱時間割出し方法及び装
置に関するものである。

（従来技術） 成形機のノズルと金型のキャビティをつなぐ樹脂通路内
に充填された樹脂、所謂ランナーをキャビティ内に充填
された樹脂（製品）とともに冷却固化して型開時に製品
とともに金型外に排出するようにした所謂コールドラン
ナー成形システムに対して、ランナーを溶融状態に保っ
たままキャビティ内の樹脂のみを冷却固化して金型外に
排出し、その溶融状態のランナーは次の成形サイクルに
おいてキャビティ内に充填するようにしたホットランナ
−式射出成形システムが知られている。

このようなホットランナ−式射出成形においては型開時
のゲート部の樹脂の「切れ」が問題となる。すなわち、
成形機のノズルから各キャビティのゲートに至るまでの
樹脂通路を外部から抵抗加熱ヒーターによって加熱して
樹脂を溶融状態に保つものが知られている。

この技術は、該樹脂通路のゲート孔に近い部分は、一般
に冷却水によって常に冷却されているキャビティプレー
トに近いために、金型の開閉操作に伴なう温度変動が激
しく、ゲート孔付近の樹脂温度を一定に保つのが極めて
困難であり、樹脂温度が高過ぎて樹脂が糸をひいたり、
樹脂が固化してゲート孔を詰まらせてしまって次の射出
が不可能になるというような問題があった。また、樹脂
温度が高過ぎると、型開中にゲート孔から樹脂が漏れ出
す所謂「はなだれ」現象も起きる。

このような問題を解決するために、ゲート部分に機械的
な弁を設け、ゲート近傍の樹脂を溶融状態に保つのに充
分な熱を加えるとともに、型開時に前記弁を閉じて樹脂
の糸引きやはなだれを防止するようにした装置を開発さ
れた。

しかし、周知のようにゲート近傍には高圧がかかるとと
もに、前述弁は莫大な数の開閉を高速度で繰り返さなけ
ればならないために、故障が起きやすいという欠点があ
る。また、・複雑な構造の弁を使用するために装置が大
きくなるという欠点もある。

また、ゲート孔近傍の樹脂通路内に先の尖った発熱体を
ゲート孔に臨むように配し、型開時にはゲート孔内の樹
脂を積極的に冷却固化させて、型開時のゲート孔からの
樹脂漏れないし、糸引きを防止するとともに、次のサイ
クルの射出直前に前記発熱体を高温に加熱してゲート孔
内の固化した樹脂を再溶融させ、射出が可能となるよう
にする所謂間欠熱方式のホットランナ−式射出成形装置
も知られている。

この装置においては、樹脂通路内にゲート内の固化した
樹脂を再溶融させるのに時間を要する発熱体が配される
ために射出圧の減損が著しい。特にガラス繊維入りの樹
脂等による成形の際には発熱体の先端が破損したり、摩
耗したりするといった種々の問題がある。また、ゲート
内の固化した樹脂を瞬時に再溶融させるために発熱体先
端に充分な熱を与えようとすると、発熱体の基部の方が
どうしても先端より高温になるために、基部の周辺の樹
脂が焦げたり分解したりするという問題もある。

このような問題を解決するため、ゲートを間欠加熱する
方法が提案されている。

（発明が解決しようとする問題点） 上述のゲートを間欠加熱する方法においては、材料射出
と加熱開始のタイミングや加熱時間の調整、いわゆる間
欠加熱時間割出しは、非常に困難であり、操作者の堪に
頼り試行錯誤を繰り返して長時間を要して行わざるを得
ないという問題があった。

本発明は従来のゲートの間欠加熱に関する上述の問題に
鑑みなされたものであって、温度レスポンスが良好な電
磁誘導加熱のホットランナ−の間欠加熱時間割出しを効
率的にかつ適切に行うことができる間欠加熱時間割出し
方法及び装置を提供することを目的とする。

（発明の構成） 本発明に係るホットランナ−式射出成形装置用の間欠加
熱時間割出し方法及び装置の構成上の特徴とするところ
は、スタート信号から射出信号までの時間をＴＦ　、射
出信号から次のスタート信号までの時間をＴｉ＋、１シ
ョットサイクルの時間をＴ　（＝Ｔｒ　＋ＴＲ）とし、
さらに上記時間ＴＦを遅延時間ｔ１　と加熱時間ｔ２　
とするとき、ＴＦ≧ｔ。

ゲートピーク温度一般定温度≧１０℃ ＴＦ≧ｔ３ の条件を満し、かつゲートが射出適正温度になるように
間欠加熱時間割出しを行うことである。

（実施例） 以下図面を参照して本発明の実施例を詳細に説明する。

第１図にふいて本発明の一実施例のホットランナ−式射
出成形装置は、４つのキャビティ１２ａ１１２ｂ、１２
Ｃ，１２ｄを有する金型１０を備えている。金型１０は
、成形機（図示せず）の固定グイプレートに固定される
固定側ハーフ１４と、移動グイプレートに固定される移
動側ハーフ１６とから形成されている。移動側ハーフ１
６が固定側ハーフ１４へ移動されて押圧されると、すな
わち金型１０が閉じられると、両ハーフ１４．１６０間
に前記４つのキャビティ１２ａ〜１２ｄが形成されるよ
うになっている。

固定側ハーフ１４は、固定グイプレートに取り付けられ
る取付はプレート１８、断熱材２０を挟んでその取付は
プレー）１８に押圧固定されているマニホールドブロッ
ク２２、および支持ブロック２４を挟んでそのマニホー
ルドブロック２２に押圧固定されているキャビティプレ
ート２６からなっている。

キャビティプレート２６は、移動側ハーフ１６側に開口
する４つの凹部２８ａ、２８ｂ、２８ｃ。

２８ｄを備えている。この４つの凹部２８ａ〜２８ｄは
、移動側ハーフ１６に設けられている４つのコア１７ａ
Ｓ１７ｂ、１７Ｃ，１７ｄと協働して前記４つのキャビ
ティ１２ａ〜１２ｄを形成する。キャビティプレート２
６のマニホールドブロック側には、前記４つの凹部２８
ａ〜２８ｄとそれぞれ対向するように、マニホールドブ
ロック２０側に開口する４つの凹部３０ａ、３０ｂ。

３０Ｃ，３０ｄが設けられている。

また、キャビティプレート２６の固定側ハーフ１４には
、成形側のノズル（図示せず）と各キャビティ１２ａ−
１２ｄを各凹部３０ａ　〜３０ｂの底面にそれぞれ形成
されたゲー）３２ａ、３２ｂ。

３２Ｃ，３２ｄを介して接続する樹脂通路が形成されて
いる。この樹脂通路は、成形機のノズルと直接つなげら
れる所謂スプル一部３４ａと、マニホールドブロック２
２内で４つに分岐した所謂ランナ一部３４ｂとからなっ
ている。

ランナ一部３４ｂの各ゲート孔３２ａ〜３２ｄに隣接し
た部分は、パイプ状のチップ３６ａ１３６ｂ、３６Ｃ，
３６ｄによって形成されている。

各チップ３６ａ〜３６ｄの周囲には、加熱コイル３８ａ
、３８ｂ、３８Ｃ，３８ｄがそれぞれ巻回されている。

後に詳述するように、この加熱コイル３８ａ〜３８．ｄ
に高１周波電流を通すと各チップ３６ａ〜３６（ｌが発
熱するようになっている。前記マニホールドブロック２
２は、適当な加熱手段（図示せず）によって所望の温度
まで加熱されるようになっている。

従来のホットランナ−式射出成形装置と同様に成Ｔ３機
のノズルから射出された溶融樹脂は、前記樹脂通路を通
って各キャビティ１２ａ〜１２ｄ内に充填される。通常
、キャビティプレート２６および移動側ハーフ１６は冷
却されており、各キャビティ１２ａ〜１２ｄ内の樹脂が
冷却固化した後、移動側ハーフ１６が後退せしめられて
金型が開かれる。このときキャビティ１２ａ〜１２ｄ内
に形成された製品は、移動側ハーフ１６のコア１７ａ〜
１７ｄにそれぞれ担われて固定側ハーフ１４から除去さ
れる。

各加熱コイル３８ａ〜３８ｄは、中継ボックス４０を介
して互いに直列に高周波電力供給回路４２に接続される
。電力供給回路４２は、ＡＣ電源からの交流を整流して
直流（脈流）に変換する整流回路１４、ＡＣ電源をオン
・オフする５ＳＲ（ソリッドステートリレー）４５、後
述する温度制御回路５２の制御の下に開閉（オン−オフ
）を繰り返すスイッチング素子４６、トランス４８、そ
のトランス４８の一次側に並列に接続されたコンデンサ
Ｃ１およびフィルター回路５０からなっており、前記ト
ランス４８の二次側に前記４つの加熱コイル３８ａ〜３
８ｄが直列に接続されるようになっている。

チップ３６ａ〜３６ｂの温度を制御する制御回路５２、
前記各チップ３６ａ〜３６ｄの先端部にそれぞれ接触せ
しめられて各チップ３６ａ〜３６ｄの先端部の温度を検
出する４つの熱電対５４ａ、５４ｂ、５４ｃ、５４ｄを
備えている。

その４つの熱電対５４ａ〜５４ｄの出力は、切換回路５
６によって順次増幅回路５８に人力され、増巾された後
、Ａ／Ｄ変換回路６０に入力される。

このＡ／Ｄ変換回路６０によってデジタル信号に変換さ
れた各熱電対５４ａ〜５４ｄからの温度情報は、制御回
路６２の制御の下に記憶回路６４に出力される。

制御回路６２には更に、設定温度入力回路６６および温
度表示回路６８が接続されている。設定温度入力回路６
６は、設定ダイヤル等によって選択されるチップ先端部
の設定温度を制御回路６２に人力する。この設定温度は
制御回路６２の制御の下に記憶回路６４に記憶される。

制御回路６２は記憶回路６４に一旦記憶されていた各燃
電対５４ａ〜５４ｄからの温度情報、すなわちその時点
での４つのチップ３８ａ〜３８ｄの先端部の温度を取り
出して、演算回路７０によって４つのチップ３８ａ〜３
８ｄの先端部の温度の平均値を求め、その平均値と前記
設定温度との差を求める。

制御回路６２は、この差の大きさに応じて発振回路７２
を制御して発振回路７２の出力信号を変化させる。本実
施例における電力供給回路４２においては、周波数が所
定の範囲内で低い程大きな電力が加熱コイル３８ａ〜３
８ｄに入るようになっている。制御回路６２は、前記設
定温度とチップ先端部の温度の平均値との差が大きい程
低い周波数で発振するように発振回路７２を制御する。

本実施例では発振回路７２は２０　ＫＨｚ〜５０ＫＨｚ
の間で発振する。この発振回路７２の出力信号は、ドラ
イブ回路７４によって電流増巾されて電力供給回路４２
の前記スイッチング素子４６を駆動する。このスイッチ
ング素子４６が発振回路７２の発振周波数に応じて開閉
を繰り返すことによって前記トランス４８の一次側に高
周波電流が流れる。これによってトランス４８の二次側
に高周波電流が誘起され、トランス４８の二次側に直列
に接続された前記４つの加熱コイル３８ａ〜３８ｄに高
周波電流が供給される。

加熱コイル３８ａ〜３８ｄに高周波電流が流れると、そ
の加熱コイルが巻かれている各チップ３６ａ〜３６ｄが
電磁誘導によって発熱する。もちろん、各チップ３６ａ
〜３６ｄは高周波誘導加熱で発熱し得る材料で形成され
ている必要がある。

そのような材料としては種々のものが知られているが、
当業者には明らかなように、各チップ３６ａ〜３６ｄは
高温、高圧に耐えなければならないから、このような点
も考慮して材質を選択しなげればならない。特に高温ま
で加熱されても機械的強度が大きく、透磁率が太き（、
しかも透磁率の温度依存性の小さいものが望ましい。こ
のような材料としては、工具鋼である例えば冷間合型用
の工具鋼である５ＫＤ−１１等がある。

前記制御回路５２は、各熱電対５４ａ〜５４ｄから人力
される各チップ３６ａ〜３６ｄの先端部の実際温度の平
均値と設定温度の比較を刻々繰り返し、前者の方が後者
より低い場合には両者の差が小さくなるにつれて発振回
路７２の発振周波数を高くして行く。この発振周波数が
高くなると、トランス４８の一次側に流れる電流の周波
数も高くなる。従って、加熱コイル３８ａ〜３８ｄに供
給される電流の周波数も高くなり、結局各船熱コイル３
８ａ〜３８ｄに供給される電力が小さくなる。

すなわち、制御回路５２は、チップ３６ａ〜３６ｄの先
端部の実際の温度が設定温度より低い場合には小さな電
力を、その差が大きいときには大きな電力を加熱コイル
３８ａ〜３８ｄに供給し、実際の温度が設定温度に近づ
くにつれてその供給電力を小さくする。こうすることに
よって、チップ先端部の実際の温度を設定温度に収束さ
せる。

逆に実際の温度が設定温度を上回った場合には、その差
が大きい程大きく供給電力を減するようにして実際温度
を設定温度に近づける。また、前記温度表示回路６８は
、チップ先端部の実際温度、設定温度との差等を表示す
る。

このような高周波誘導加熱によってチップを加熱する本
実施例の装置においては、チップ３６ａ〜３６ｄ自体が
発熱するのであるから、抵抗加熱ヒーターからの熱伝達
によってチップを加熱するのに比べて熱的レスポンスが
速＜、リンギングや熱伝達に起因する遅延なく精度良く
チップの温度を制御することができる。制御回路６２に
はまた、ゲート温度を自動的に設定するためのゲート温
度自動設定スイッチ２００が接続されている。

前記５ＳＲ４５は、制御回路６２に接続されてふり、所
定の周期で閉塞される。例えば、Ｑ、５ｓｅｃ毎にｌ　
Ｑ　ｍ５ｅｃだけ開かれる。すなわち、制御回路６２は
所定の周期でＡＣＩＥ源をオフすることによって電力供
給回路４２からの出力を停止し、その間に熱電対５４ａ
〜５４ｄからの温度情報を記憶回路６４に記憶させる。

従って、熱電対５４ａ〜５４ｄの近傍において、加熱コ
イル３８ａ〜３８ｄによって発生される高周波磁界の影
響を受けずに熱電対５４ａ〜５４ｄの信号を読み取るこ
とができる。

５ＳＲ４５を開く周期およびその時間は、特に上記例に
限定されるものでなく、適当に選択して差し支えない。

しかし、その周期が余り長くなると、温度検出の間隔が
広くなり過ぎて、特に熱的レスポンスの良い本実施例の
装置においては温度制御上望ましくない。また、５ＳＲ
４５を開く周期が短か過ぎたり、あるいは開く時間が長
過ぎたりすると、電力が加熱コイル３８ａ〜３８ｄに供
給される時間が短くなり、チップ３６ａ〜３６ｄを所望
の温度まで加熱するのに時間がかかることになる。従っ
て、このような点を適切に考慮して５ＳＲ４５を開く周
期および時間を決定するのが望ましい。

なお、５ＳＲ４５としては制御回路６２から開信号が入
っても、ＡＣ電源の電圧がゼロになる迄は開かず、逆に
閉信号が入ってもＡＣ電源の電圧がゼロになる迄は閉じ
ないゼロクロス型のＳＳＲを使用するのが望ましい。

第３図は各チップ周辺の構造を、チップ３６ａを例にと
って詳細に示すものである。チップ３６ａはゲート孔近
傍の樹脂通路を形成する貫通孔８０を備えたパイプ状の
部材である。貫通孔８０は先端部（ゲート孔３２ａ側）
において細くなって、ゲート孔３２ａとほぼ同じ径を有
するようになっている。

、チップ３６ａの上面にはＯリングを８１が配設され、
樹脂の洩れを防止するようになっている。

チップ３６ａの先端近傍には熱電対５４ａの先端を押し
込む凹部８４が設けられている。加熱コイル３８ａのリ
ード線８８ａおよび熱電対５４ａのリード線８８ｂは、
前記中継ボックス４０まで延びている。加熱コイル３８
ａは導電性が良く、腐食に強い金属、例えば銀、銀の合
金、銅線等の心線とその上に被せられた絶縁被覆からな
っており、チップの大きさ等に応じて通常数ターンから
１０数ターンチツプの周囲に巻回される。チップ３６ａ
の後端部には、マニホールドブロック２２からの熱電達
がある、逆に、チップ３６ａの先端部からはキャビティ
プレート２６によって熱が奪われるため、加熱コイル３
８ａはできるだけチップ３６ａの先端に近い位置に巻回
して先端部にコイル３８ａからの磁束が集中するように
するのが望ましい。

なお、チップ３６ａは工具鋼製であり、寸法を例示すれ
ば、全長が４０ｍｌｌ１、樹脂通路の最大径部が３．３
　ｍｍφ、中径部が２．０　ｍｍφ、最小径部が１，６
關φで、チップ３６ａの先端部の最小径端部が０、８　
ｍａ＋φである。

前記中継ボックス４０は、高周波電力供給回路４２の前
記トランス４８の二次側を接続するためのコネクター１
００、および前記各加熱コイル３８ａ〜３８ｄを接続す
るためのコネクター１０１．１０２．１０３．１０４を
備えている。

コネクター１０１．１０２．１０３．１０４は互いに直
列にコネクター１００に接続されている。

更に、各コネクター１０１．１０２．１０３．１０４を
跨ぐように（並列に）ゲートバランス調整用回路を接続
するためのゲートバランス調整用コネクター１１１．１
１２．１１３．１１４が接続されている。このゲートバ
ランス調整用コネクター１１１〜１１４に適宜ゲートバ
ランス調整用回路を接続することによって個々のチップ
３６ａ〜３６ｄの温度を制御することができる。

第１図にはゲートバランス調整用コネクター１１１．１
１３を介して加熱コイル３８ａ、３８ｃにそれぞれ並列
にコンデンサー１０５を接続した例が示されている。こ
の場合、加熱コイル３８ａ１３８ｃが巻かれているチッ
プ３６ａ、３６ｃの温度が上昇し、他の加熱コイル３８
ｂ、３８ｄが巻かれているチップ３６ｂ、３６ｄの温度
が下がる。

ゲートバランス調整用回路としてコンデンサーの替りに
コイルもしくは抵抗を使用すると、加熱コイル３８ａ、
３８ｃが巻かれているチップ３６ａ、３６Ｃの温度が下
がり、他の加熱コイル３８ｂ、３８ｄが巻かれているチ
ップ３６ｂ１３６ｄの温度が上がる。すなわち、コンデ
ンサーコイル、抵抗等のゲートバランス調整用回路を加
熱コイルに選択的に並列に接続することによって、各加
熱コイルへの電力の供給の配分を変えることができ、そ
れによって直列に接続された複数の加熱コイル３８ａ〜
３８ｄによって発熱せしめられるチップ３６ａ〜３６ｄ
の温度を別々に上下せしめられることができるのである
。

つまり、何らかの要因によって温度が下がり易いチップ
に巻かれている加熱コイルに他の加熱コイルよりも大き
な電力が供給されるように、対応するゲートバランス調
整用コネクターにコンデンサーを接続してもよい。逆に
何らかの要因によって温度が他よりも上がり易いチップ
に巻かれている加熱コイルに供給される電力が他の加熱
コイルに供給される電力よりも小さくなるように、その
加熱コイルに対応するゲートバランス調整用コネクター
にコイルまたは抵抗を接続してもよい。もちろん、コン
デンサー、コイル、抵抗を適当に組み合わせて使用して
も差し支えない。

しかしながら、ゲートバランス調整用匣路として抵抗を
使用すると、電力損が生じ、その点では他の三者の方が
望ましい。言うまでもなく、ゲートバランス調整用回路
の作用は、その素子の値が大きい程大きい。従って、オ
ペレーターが温度表示を見たり、各ゲート孔での樹脂の
状態を見たりして、適当な値の素子を適当なゲートバラ
ンス調整用コネクターに接続するようにしてもよい。予
め異なる値の複数のゲートバランス調整用回路を各加熱
コイル毎に切換自在に設けておき、チップ間の温度差に
応じて適当な値の素子を選択して接続するようにしても
よい。

上記実施例の変形例として、加熱コイル３８ａ〜３８ｄ
及び熱電対５４ａ〜５４ｄは、高周波遮へい効果を有す
る金属で形成されたケース８６内に収容されるように構
成してもよい。

制御回路６２としては、通常マイクロプロセッサ−が使
用される。上記の制御を行うためのマイクロプロセッサ
ーの作動を第２図及び第４図を参照して説明する。

ステップＳｌにおいて、ゲート温度自動設定スイッチ２
００をＯＮにする。

ステップＳ２において、ゲート孔が完全に開口する高い
温度であるスタート設定温度を設定温度入力回路６６に
よって入力する。

ステップＳ３において、１０シヨツト成形し、チップ３
６ａ〜３６ｄの設定温度を５℃低下させる。

ステップＳ４において、ゲートつまりが発生したか否か
判別する。ゲートつまりの検出は、（Ａ）成形器からの
射出信号を受けた時から２秒間にチップ部３６ａ〜３６
ｄの温度が何度上昇したかによって検出する。例えば、
＋５℃以上の温度上昇があればランナーがチップ部３６
ａ〜３６ｄを通過したのでありゲートつまりがなかった
と判別する。一方、＋５℃未満の温度上昇であればゲー
トつまりがあったと判別する。

（Ｂ）目視により行い、成形後ゲートを目視してゲート
つまりを発見したら所定のパワーユニットのゲートつま
り検出スイッチ（図示せず）をＯＮにする。

等によって行う。ステップＳ４においてゲートつまりが
なかった判別された場合、ステップＳ３へ進む。

ステップＳ４において、ゲートつまりがあったと判別す
ると、ステップＳ５へ進む。ステップＳ５において、ゲ
ートつまりをした成形作動の前の成形作動のチップ３６
ａ〜３６ｄの設定温度を記憶する（以下、これを最低設
定温度という）。

ステップＳ６において、チップ３６ａ〜３６ｄの設定温
度を上記スタート設定温度に戻す。

ステップＳ７において、上記スタート設定温度で１０シ
ヨツト成形する。

ステップＳ８において、ステップＳ４と同様にゲートつ
まりが発生したか否が判別する。ゲートつまりが発生し
た場合、ステップＳ７へ戻る。ゲートつまりが発生しな
かった場合、ステップＳ９へ進み、チップ３６ａ〜３６
ｄの設定温度を上記最低設定温度にする。ただし、この
最低設定温度にするとき、チップ３６ａ〜３６ｄが該最
低設定温度を超えてゲートつまり温度領域まで降下する
おそれがあるときはスタート設定温度から最低設定温度
まで徐冷する。

ステップＳ９において、第４図に示すように、成形機か
らのタイミング信号により、スタート信号から射出信号
までの時間Ｔｐ　％射出信号から次のスタート信号まで
の時間Ｔ□、及び１ショットサイクルの時間Ｔ　＜−Ｔ
ｖ　＋Ｔｔ　）を求める。

ステップＳ１０にて、第４図に示すように、ＴＦを遅延
時間１．と加熱時間ｔ２に分ける。時間ｔ２の間は加熱
高周波出力が最大であり、チップ温度が急上昇する。ｔ
２＝０（秒）とする。

ステップ３１１において、ｉｌを０．２秒短縮し、ｔ２
を０．２秒長くする。

ステップ３１２において、射出信号が発生された時にチ
ップ３６ａ〜３６ｄがゲートつまりを発生させない射出
適性温度になっているか否かを判別する。チップ３６ａ
〜３６ｄが該射出適正温度まで上昇していれば本間欠加
熱時間自動割出し手順が終了する。

ステップＳ１２においてチップ３６ａ〜３６ｄが射出適
性温度になってないと判別されると、ステップ１３へ進
む。ステップ１３において、ｔ２≧ＴＦであるか否かを
判別する。ｔ２≧Ｔｐならば、チップ３６ａ〜３６ｄが
所定温度まで上昇することができず、所望の成形が不可
能となり、本間欠加熱時間自動割出し手順が終了し、そ
の他の場合、すなわちｔ２≦ＴｐならばステップＳ１４
へ進む。

ステップ３１４において、ｔ、≧ＴＦであるか否かを判
別する。ｔ、はチップ３６ａ〜３６ｄの温度が射出信号
発生時のピーク値から設定温度に戻るまでの時間である
。ｔ、≧Ｔａならば、チップ３６ａ〜３６ｄの温度が所
定温度まで下がる前記法のショットサイクルが開始され
、結果的にチップ温度が徐々に上昇することになるから
、本間欠加熱時間自動割出し手順が終了する。その他の
場合、すなわちｔ、＜ＴＦならばステップ３１５へ進む
。

ステップ１５において、ピーク温度一般定温度≧１０℃
か否か判別する。ピーク温度一般定温度≧１０℃ならば
、チップ温度の温度測定が正確に行われたと推定するこ
とができ、ステップ３１６へ進み、設定温度を１０℃下
げてステップＳｌｌへ戻る。ピーク温度一般定温度く１
０℃ならばチップ温度の温度測定が正確に行われなかっ
たと判断され、ステップ３１１へ戻る。

（発明の効果） 本発明によれば、従来熟練者によって長時間を要して行
われていた間欠加熱時間割出しを、能率的、かつ適切に
行うことができ、多くの利点を有する間欠加熱方法をよ
り効率的に実施できる効果を有する。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の実施例のホットランナ−式射出成形装
置の原理説明図と制御系のブロック図であり、第２図は
制御系の作動のフローチャート図、第３図はチップ及び
その付近の断面図、第４図はチップの加熱タイミングと
チップの温度の関係を示すグラフである。 １２ａ〜１２ｄ・・・キャビティ ３２ａ〜３２ｄ・・・ゲート孔 ３６ａ〜３６ｄ・・・チップ ３８２〜３８ｄ・・・加熱コイル ４２・・・高周波電力供給回路 ４５・・・５ＳＲ ５２・・・温度制御回路 ５４ａ〜５４ｄ・・・熱電対 １００〜１０４・・・コネクター １０５・・・コンデンサー １１１〜１１４・・・ゲートバランス調整用コネクター １２１〜１２４・・・リレー 第　３　図８１ ３２ａ

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. （１）ホットランナー式射出成形装置のゲートを間欠的
   に加熱する方法において、 スタート信号から射出信号までの時間をＴ＿Ｆ、射出信
   号から次のスタート信号までの時間をＴ＿Ｒ、１ショッ
   トサイクルの時間をＴ（＝Ｔ＿Ｆ＋Ｔ＿Ｒ）とし、さら
   に上記時間Ｔ＿Ｆを遅延時間ｔ＿１と加熱時間ｔ＿２と
   するとき、 Ｔ＿Ｆ≧ｔ＿２ ゲートピーク温度−設定温度≧３０℃ Ｔ＿Ｒ≧ｔ＿３ の条件を満し、かつゲートが射出適正温度になるように
   間欠加熱時間割出しを行うことを特徴とするホットラン
   ナー式射出成形装置用の間欠加熱時間割出し方法。
2. （２）固定側ハーフと移動側ハーフとからなり、両ハー
   フを閉じたときに形成される少なくとも１つのキャビテ
   ィと、その各キャビティと成形機のノズルとを接続し、
   各キャビティに開口したゲート孔から各キャビティ内に
   溶融した樹脂を供給する樹脂通路とを備えた金型、およ
   び その金型の前記樹脂通路を加熱してその樹脂通路内の樹
   脂を溶融状態に保つ加熱手段、 からなるホットランナー式射出成形装置において、 スタート信号から射出信号までの時間をＴ＿Ｆ、射出信
   号から次のスタート信号までの時間をＴ＿Ｒ、１ショッ
   トサイクルの時間をＴ（＝Ｔ＿Ｆ＋Ｔ＿Ｒ）とし、さら
   に上記時間Ｔ＿Ｆを遅延時間ｔ＿１と加熱時間ｔ＿２と
   するとき、 Ｔ＿Ｆ≧ｔ＿２ ゲートピーク温度一般定温度≧３０℃ Ｔ＿Ｒ≧ｔ＿３ の条件を満し、かつゲートが射出適正温度になるように
   間欠時間割出しを行う制御回路を設けたことを特徴とす
   るホットランナー式射出成形装置用の間欠加熱時間割出
   し装置。