JPH04189519A - ホットランナー式射出成形装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明はプラスチック射出成修装置、特にホットランナ
−式射出成形装置に関するものである。

（従来の技術） ホットランナ−を大別すると、内部加熱方式と外部加熱
方式に区分される。内部加熱方式は加熱体の回りに溶融
した樹脂を流し、また逆に外部加熱方式は樹脂通路を外
部から加熱するものであるため、この構造上の違いによ
り特に外部加熱方式は圧力損失が少ない二と、また樹脂
の色替えが良いことが特徴とされている。

外部加熱方式の一般的なゲート近傍のノズル部の構造を
説明すると、第一図に示されるように、ノズル本体は中
心部に溶融した樹脂を流す樹脂通路を有し、ノズル先端
部はキャビティプレートに嵌合し、中心部にキャビティ
に樹脂を流入させるゲートを有するようになっている。

キャビティプレートはキャビティ内に充填された溶融樹
脂を冷却固化させるために常時低い温度に保たれている
ため、ノズル先端部のゲート温度は強力に冷却される状
態にある６通常成形においては、射出時にゲートを開口
させるためにゲート部の樹脂が溶融する温度に保たなけ
ればならないため、このゲート部の温度をいかに上げる
かが問題となっている。

（発明が解決しようとする課題） 従来技術ではノズル本体およびゲート部の加熱手段とし
て、従来シースヒーター等をノズル本体に密着して巻回
し、特に放熱量が多いゲート部近傍にこのシースヒータ
を密に巻回したものが知られている。二の加熱方式でゲ
ート部を加熱すると、シースヒータ自体の径が大きいた
めシースヒータの加熱源からゲートまでの距離が離れて
しまい、シースヒータ一部のノズル本体の温度を高温に
しないと、ゲート部の温度を射出時にゲート開口する温
度に上げることが出来ない欠点が有り、また成形樹脂の
劣化などの問題があり、この種のホットランナ−におい
ては性能を向上させるために、ゲート部を直接加熱する
ことが出来るような加熱手段の小型化の必要があった。

本発明は、ノズル本体を無理に加熱することなく、ゲー
トを開口する温度に加熱することが出来る加熱手段を提
供しようとするものである。

（課題を解決するための手段） 本発明の成形装置は、樹脂通路の少なくともゲート近傍
の部分が、高濁波誘導加熱で加熱し得る材料で成形され
たパイプ状部材によって成形されており、前記パイプ状
部材の周囲に高周波誘導加熱コイルを前記パイプ状部材
の先端のみ多重に巻回したコイル構造としたことを特徴
とするものである。前記多重巻きのコイルが前記パイプ
状部材の外表面に近い部分に巻かれた一重目のコイルと
、この一重目のコイルの巻数よる。ノ少なくゲートに近
い部分に巻いた二重目のコイルからなるようにしてもよ
い、高周波誘導加熱コイルを複数巻きにすることによっ
て、加熱源を小型化すなわちワット密度を高くすること
が出来、従って、ゲート部の直近に加熱源を配すること
が出来るので、ノズル本体の温度を無理に高くすること
なくゲート部の温度をゲート開口温度まで昇温する事が
出来る。

この点についてゲート部の温度分布の状態を図４に、従
来のコイル−重巻きと本発明のコイル二重巻きの計測結
果を示す。

この計測結果からも明らかなように、従来のコイル−重
巻きに比べ本発明のコイル二重巻きの方がノズル先端部
の温度が昇温し、同時にノズル本体の温度分布がフラッ
トに近い状態となり、温度に敏感なエンジニアリングプ
ラスチックス等の成形に最適である。

また、この計測時にはゲート温度が同温度となるように
従来のコイル−重巻きではノズルの設定温度を２１５℃
としているのに対し本発明のコイル二重巻きはノズルの
設定温度を２００℃としたときのものである。この図か
ら、コイル−重巻きでは、ノズル本体の最高温度が約２
４０℃近くもあるのに対し、コイル二重巻きでは約２２
０℃であるので、コイル二重巻きを用いるとノズル本体
の樹脂の劣化の原因となる高い温度をかける事がなくな
る事が判る。また、例えばノズルゲート近傍の１９０℃
の温度が得られる位置はゲート先箋部より約６＠ｍの位
置であるのに対し、本発明のコイル二重巻きではゲート
先端部より約３ｍｍの位置であるので成形機動作に連動
させて、射出前にゲート温度を急上昇させてゲート部樹
脂を溶融させて射出し、射出後ゲート温度を急降下させ
てゲート部樹脂を固化させて型開きするいわゆる間欠加
熱動作においても、ゲート部の加熱源の加熱コイルが小
型化されゲート直近に配されているので、ゲート部の温
度を急上昇することが出来、サイクルタイムが短い、良
好な成形を行うことが出来る。

（作用） 高周波誘導加熱コイルの構造を多重としパイプ状部材の
最先端部に配置する事によりパイプ状部材の最先端部に
誘起される電磁波が著しく上昇し、パイプ状部材の最先
端部は短時間で発熱する。

（実施例） 以下図面を参照して本発明の実施例を詳細に説明する。

第一図において本発明の一実施例のホットランナ−式射
出成形装置は４つのキャビティ１２ａ　、　１２ｂ　、
１２ｃ　、　１２ｄを有する金型ｌＯを備えている。金
型ｌＯは成形機（図示せず）の固定ダイプレートに固定
される固定側ハーフ１４からなっており、移動側ハーフ
１８が固定側ハーフ１４に押圧されると、すなわち金型
１０が閉じられると両ハーフ１４．１６の間に前記４つ
のキャビティ１２ａ〜１２ｄが形成されるようになって
いる。固定側ハーフ１４は固定ダイプレートに取り付け
られる取付プレート１８、断熱材２０を挟んでその取付
プレート１８に押圧固定されているマニホールドブロッ
ク２２、および支持ブロック２４を挟んでそのマニホー
ルドブロック２２に押圧固定されているキャビティプレ
ート２６からなっている。

キャビティプレート２６は移動側ハーフ１６側に開口す
る４つの凹部２８ａ　、　２８ｂ　、　２８ｃ　、　２
８ｄを備えている。この４つの凹部２８ａ〜２８ｄは移
動側ハーフ１６に設けられている４つのコアＬ７ａ　、
　１７ｂ　、　１７Ｃ％　１７ｄと共働して前記４つの
キャビティ１２ａ〜１２ｄを成形する。キャビティプレ
ート２６のマニホールドブロック側には前記４つの凹部
２８ａ〜２８ｄとそれぞれ対向するように、マニホール
ドブロック側に開口する４つの凹部３０ａ　、　３０ｂ
　、　３０ｃ　、　、３０ｄが設けられている。また固
定側ハーフ１４には成形機のノズル（図示せず）と各キ
ャビティ１２ａ〜１２ｄを各凹部３（ｌａ〜３０ｄの底
面にそれぞれ成形されたゲート孔３２ａ　、　３２ｂ　
、　３２ｃ　、　３２ｄを介して接続する樹脂通路が形
成されている。この樹脂通路は成形機のノズルと直接つ
なげられる所謂スプル一部３４ａとマニホールドブロッ
ク２２内で４つに分岐した所謂ランナ一部３４ｂとから
なっており、そのランナ一部３４ｂの各ゲート孔３２ａ
〜３２（ｉに隣接した部分はパイプ状のチップ３６ａ　
、　３６ｂ　、　３８ｃ、３６ｄによって形成されてい
る。各チップ３６ａ〜３６ｄの周囲には加熱コイル３８
ａ　、　３８ｂ　、　３８ｃ　、　３８ｄがそれぞれ巻
回されており、後に詳述するようにこの加熱コイル３８
ａ〜３８ｄに高周波電流を通すと各チップ３６ａ〜３６
ｄが発熱するようになっている。

前記マニホールドブロック２２は適当な加熱手段（図示
せず）によって所望の温度まで加熱されるようになって
いる。

従来のホットランナ−式射出成形装置と同様に成形機の
ノズルから射出された溶融樹脂は前記樹脂通路を通って
各キャビティ１２ａ〜１２ｄ内に充填される６通常、キ
ャビティプレート２６および移動側ハーフ１６は冷却さ
れており、各キャビティ１２ａ〜１２ｄ内の樹脂が冷却
固化した後、移動側ハーフ１６が後退せしめられて金型
が開かれる。このときキャビティ１２ａ〜１’Ｚｄ内に
形成された製品は移動側ハーフ１６のコア１７ａ〜１７
ｄにそれぞれ担われて固定側ハーフ１４から除去される
。

各加熱コイル３８ａ〜３８ｄは中継ボックス４０を介し
て互いに直列に高周波電力供給回路４２に接続される。

電力供給回路４２はＡＣ電源からの交流を整流して直流
（ＷｉｆＩ流）に変換する整流回路４４、ＡＣ電源をオ
ン・オフする５ＳＲ（ソリッドステートリレー）４５、
後述する温度制御回路５２の制御の下に開閉（オン−オ
フ）を繰り返すスイッチング素子４６、トランス４８、
そのトランス４８の一次側に並列に接続されたコンデン
サＣ１およびフィルター回路５０からなっており、前記
トランス４８の二次側に前記４つの加熱コイル３８ａ〜
３８ｄが直列に接続されるようになっている。温度制御
回路５２は前記各チップ３６ａ〜３６ｄの先端部にそれ
ぞれ接触せしめられて各チップ３８ａ〜３６ｄの先端部
の温度を検出する４つの熱電対５４ａ　、　５４ｂ　、
　５４ｃ　、　５４ｄを備えている。その４つの熱電対
５４ａ〜５４ｄの出力は切換回路５６によって順次増巾
回路５８に入力され、増巾された後、Ａ／Ｄ変換＠１１
６０に入力される。

このＡ／Ｄ変換回路６０によってデジタル信号に変換さ
れた各熱電対５４ａ〜５４ｄがらの温度情報は制開回路
６２の制御の下に記憶回路６４に記憶される。

制御回路６２には更に設定温度入力回路６６および温度
表示回路６８が接続されている。設定温度入力回路６６
は設定ダイヤル等によって選択されるチップ先端部の設
定温度を制御回路６２に入力する。この設定温度は制御
回路６２の制御の下に記憶回路６４に記憶される。創製
回路６２は記憶回路６４に一旦記憶されていた各熱電対
５４ａ〜５４ｄからの温度情報、すなわちその時点での
４つのチップ３８ａ〜３８４の先端部の温度を取り出し
て、演算回路７０によって４つのチップ３８ａ〜３８ｄ
の先端部の温度の平均値を求め、その平均値と前記設定
温度との差を求める。ｆ！４御回路６２はこの差の大き
さに応じて発振回路７２を制御して発振回路７２の出力
信号を変化させる６本実施例における電力供給回路４２
においては周波数が所定の範囲内で低い程大きな電力が
加熱コイル３８ａ〜３８ｄに入るようになっており、制
御回路６２は前記設定温度とチップ先端部の温度の平均
値との差が大きい程低い周波数で発振するように発振回
路７２を制御する０本実施例では発振回路７２は２０Ｋ
　Ｈｚ　〜５０Ｋ　Ｈｚ　ノ間で発振する。コノ発振回
路７２の出力信号はドライブ回路７４によって電流増巾
されて電力供給回路４２の前記スイッチング素子４６を
駆動する。このスイッチング素子４６が発振回路７２の
発振周波数に応じて開閉を繰り返すことによって前記ト
ランス４８の一次側に高周波電流が流れ、トランス４８
の二次、側に高周波電流が誘起され、トランス４８の二
次側に直列に接続された前記４つの加熱コイル３８ａ〜
３８ｄに高周波電流が供給される。加熱コイル３８ａ〜
３８ｄに高周波電流が流れるとその加熱コイルが巻かれ
ている各チップ３８ａ〜３８ｄが電磁誘導によって発熱
する。もちろん、各チップ３６ａ〜３６ｄは高周波誘導
加熱で発熱し得る材料で形成されている必要がある。そ
のような材料としては種々のものが知られているが、当
業者には明らかなように、各チップ３８ａ〜３６ｄは高
温、高圧に耐えなければならないから、このような点も
考慮して材質を選択しなければならない、特に高温まで
加熱されても機械的強度が大きく、透磁率が大きく、し
かも透磁率の温度依存性の小さいものが望ましい、この
ような材料としては例えば熱間金型用の５ＫＤ−６１，
６２等がある。

前記温度制御回路５２は各熱電対５４ａ〜５４ｄから入
力される各チップ３６ａ〜３６ｄの先端部の実際温度の
平均値と設定温度の比較を刻）繰り返し、前者の方が後
者より低い場合には両者の差が小さくなるにつれて発信
回路７２の発信周波数を高くして行く、二の発信周波数
が高くなると、トランス４８の一次側に流れる電流の周
波数も高くなり、したがって加熱コイル３８ａ〜３８ｄ
に供給される電流の周波数も高くなって結局各加熱コイ
ル３８ａ〜３８ｄに供給される電力が小さくなる。すな
わち、温度制御回路５２はチップの先端部の実際の温度
が設定温度より低い場合には、その差が大きいときには
大きな電力を加熱コイル３８ａ〜３８ｄに供給し、実際
の温度が設定温度に近づくにつれてその供給電力を小さ
くし、それによってチップ先端部の実際の温度を設定温
度に収束させる。逆に実際の温度が設定温度を上回った
場合には、その差が大きい程大きく供給電力を減するよ
うにして実際温度を設定温度に近づける。また前記温度
表示回路６８はチップ先端部の実際温度、設定温度との
差等を表示する。このような高周波誘導加熱によってチ
ップを加熱する本実施例の装置においてはチップ３６ａ
〜３６ｄ自体が発熱するのであるから、抵抗加熱ヒータ
ーからの熱伝達によってチップを加熱するのに比べて熱
的レスポンスが速く、リンギングや熱伝達に起因する遅
延がなく精度良くチップの温度を制御することができる
。

前記５ＳＲ４５は制御回路６２に接続されており、所定
の周期で開閉される０例えば０．５ｓ　ｅ　ｃ毎にＬＯ
ｍ　ｓ　ｅ　ｃだけ開かれる。すなわち制御回路６２は
所定の周期でＡＣ電源をオフすることによって電力供給
回路４２からの出力を停止し、その間に熱電対５４ａ〜
５４ｄからの温度情報を記憶回路６４に記憶させる。し
たがって熱電対５４ａ〜５４ｄの近傍において加熱コイ
ル３８ａ〜３８ｄによって発生される高周波磁界の影響
を受けずに熱電対５４ａ〜５４ｄの信号を読みとること
ができる。なお、５ＳＲ４５を開く周期およびその時間
は特に上記例に限定されるものでなく適当に選択して差
し支えないが、その周期を余り長くすると、温度検出の
間隔が広くなりすぎて、特に熱的レスポンスの良い本実
施例の装置においては温度制式上望ましくない、また５
ＳＲ４５を開く周期が短かすぎたり、あるいは開く時間
が長すぎたりすると、電力が加熱コイル３８ａ〜３８ｄ
に供給される時間が短くなりチップ３８ａ〜３６ｄを所
望の温度まで加熱するのに時間がかかることになる。し
たがってこのような点を適切に考慮して５ＳＲ４５を開
く周期および時間を決定するのが望ましい。

なお、５ＳＲ４５としては制御回路６２から開信号が入
ってもＡＣ電源の電圧がゼロになる迄は開かず、逆に閉
信号が入ってもＡＣ電源の電圧がゼロになる迄は閉じな
いゼロクロス盟のＳＳＲを使用するのが望ましい。

支に、制御回路６２は後に詳述するように成形機（図示
せず）からの信号に応答して各加熱コイル３８ａ〜３８
ｄに供給される電力を所定の時間だけ最大にする。

制御量＃ｒ６２としては通常マイクロプロセサーが使用
されるが、上記のような開園を行うためのマイクロプロ
セサーの動作を第６ｉ！ｌのフローチャートを参照して
説明する。

Ｗ４６図において制御回路（マイクロプロセサー）６２
はまずＳ　’Ｓ　Ｒ４５を開くとともに切換５６を切り
換えて各熱電対４５ａ　＝４５ｄの出力ＴＯを読み取り
、その平均［ＭＴｏを演算する。　（ステップＳＬ）次
にステップＳ２において設定温度ＳＴと平均値ＭＴｏの
偏差Ｘを演算し、ステップＳ３においてその偏差Ｘが正
かどうか、すなわち設定温度ＳＴの方が平均値ＭＴｏよ
り高いかどうかを判別する。

ｘ＞Ｏの場合にはモのＸの絶対値に対応するα（≧０）
を制御量Ｃに加えて、発信回路７２に出力する。　（ス
テップ３４．Ｓ６　）ｘ＜Ｏの場合にはそのＸの絶対値
に対応するα（≧０）を制御！ｌｌ値Ｃから減じて発信
回路７２に出力する。　（ステップＳ５．３６）次にス
テップＳ７において成形機から盟閉め開始信号が入力さ
れたかどうかを判別する。

盟閉め開始信号が入力されていない場合にはステップＳ
１に戻ってステップ８１〜Ｓ７を繰り返す。

型閉め開始信号が入力されている場合は櫨イマーＴ１を
ＯＮする。　（ステップＳ８）このタイマーＴ１は加熱
コイル３８ａ〜３８ｄに供給する電力を最大にするタイ
ミングを決定するものである。このタイマーＴ１がｕｐ
したら（ステップ３９）、前記制装置Ｃを最大として発
信回路７２に出力する。

（ステップＳ　１０）これと開時にタイマーＴ２をＯＮ
する。（ステップ５１１）このタイマーＴ２は制御量Ｃ
を最大にしておく時間、すなわち最大電力を過熱コイル
３８ａ〜３８ｄに供給する時間を決定するものであり、
タイマーＴ２がｕｐするまで制装置Ｃは最大に保たれる
０次にタイマーＴ２がｕｐすると（ステップ５１２）制
御量Ｃが最小または零にされる。　（ステップ５１３）
次にステップＳ１において熱電対５４ａ〜５４ｄの出力
Ｔｏの平均値ＭＴＯが前記設定置ＳＴより下がったかど
うかが判別される。平均値ＭＴｏが設定置ＳＴより高い
間は制御量Ｃは最小に保たれる。ここで平均値ＭＴ。

が設定置ＳＴより低くなるとステップＳ２に戻りて平均
［ＭＴｏが設定置ＳＴに収束するように制御がなされる
。

なお、前述のようにタイマーＴ１は加熱コイル３８ａ〜
３８ｃｌに供給する電力を最大とするタイミングを決定
するものであり、タイマー７２はその最大電力の持続時
間を決定するものであり、樹脂の種類、定常温度（前記
設定温度）、成形サイクル時間等を考慮して射出寸前に
ゲート孔近傍の樹脂が溶融して射出可能となるように設
定される。このように射出寸前に加熱コイル３８ａ〜３
８ｄに大電流を供給して射出可能状態となるようにする
ことによって定常温度（設定温度）を、糸ひきゃ、はな
だれが生ぜず、しかもゲート詰まりも発生しないような
臨界的な温度より低く設定することができ、多少のゲー
トバランスのくずれもそれによって吸収することができ
るから温度の精度に対する要求が緩くなり、したがって
制御が楽になる。

なお、第６図に示すフローチャートにおいては、射出可
能状態とするためにｌ１ｉＩＩＩＩｔＣを最大とするこ
とによって最大電力を加熱コイル３８＆〜３８ｄに供給
するようになっているが、必らずしも最大電力を供給す
る必要はなく、所望の樹脂温の上昇が得られるだけの電
力を供給すればよい、この場合にはステップ３１０にお
いて制装置Ｃを最大とする替りに、それまでの制ａａｔ
ｃに所望の樹脂温上昇分に応じた値（α）を加えたもの
を制装置Ｃとして発信回路７２に出力してやればよい。

また第６図のフローチャートにおいては成形機からの信
号を盟閉め開始信号としたが、成形サイクル中に一定タ
イミングで出力される信号であればどのような信号を利
用してもよいことは言う迄もない。

第２図は各チップ周辺の構造をチップ３６＆を例にとっ
て詳細に示すものである。

第２図に示すように、チップ３８ａはゲート孔近傍の樹
脂通路を形成する貫通孔８０を備えたパイプ状の部材で
ある０貫通孔８０は先端部（ゲート孔３２ａ側）におい
て細くなってゲート孔３２ａとほぼ同じ径を有するよう
になっている。チップ３６＆の両端面には環状の突条８
２ａ　、　８２ｂが設けられている。チップ３６ａはマ
ニホールドブロック２２とキャビティプレート２６の間
に押圧挟持されるようになっており、その際上記突条８
２ａ　、　８２ｂが多少変形することによって押圧面か
らの樹脂洩れを防止するようになっている。もちろん他
のシール手段例えば０リングを用いて樹脂の洩れを防止
するようにしてもよい、また先端面の突条８２ｂはチッ
プ３６ａとキャビティプレート２６との接触面積を小さ
くしてチップ３６ａの先端部からキャビティプレート２
６に奪われる熱量を小さくするのにも役立つ、チップ３
６ａの先端近傍には熱電対５４ａの先端を押し込む凹部
８４が設けられている。加熱コイル３８ａおよび熱電対
５４ａは高周波遮へい効果を有する金属で形成されたケ
ース８６内に収容されており、さらにその加熱コイル３
８ａのリード線８８ａおよび熱電対５４ａのリード線８
８ｂはケース８６に一体的に接続されたシールド間９０
内を通って前記中継ボックス４０まで延びている。加熱
コイル３８ａは導電性が良く、腐食に強い金属、例えば
銀、銀の合金、銅線等の心線とその上に被せられた絶縁
被覆からなっており、チップの大きさ等に応じて通常数
ターンからｌＯ数ターンチップの周囲に巻回される。こ
の加熱コイル３８ａはチップ３６ａの先端のゲート部に
できるだけ近く２重巻きに密に配され、キャビティプレ
ートへ放熱し温度降下するゲート部の温度を、射出成形
時にゲート樹脂を射出できる温度に上昇させている。加
熱コイル３８ａの線径は１ｕが用いられ、加熱コイル３
８ａを密に巻いても加熱コイル３８ａ間でショートしな
いように加熱コイル線材の表面に耐熱性の絶縁被膜が用
いられている。

この絶縁被膜の厚みはゲート部と加熱コイルとの距離を
できるだけ短くするため仁、できるだけ薄く絶縁被膜を
設けるようにすることが望′ましい。

このように加熱コイル３８ａを２重巻きすることによっ
てチップ３８ａ先端部の温度上昇を短時間で行うことが
できると同時に、チップ本体内部の温度分布を理想的な
フラッ、トな状態にでき、サイクルタイムの向上が図れ
る。また、温度分布の点を考慮した場合、第３図に示す
ようにチ・ツブ３６ａの言下部に加熱コイルを数回巻回
すことにより、チップ３６ａ内部の温度分布はさらに良
好なフラットな状態を得られる。

チップ３６ａの後端部にはマニホールドブロック２２か
らの熱伝達があシバ逆にチップ３６ａの先端部からはキ
ャビティプレート２６によって熱が奪われるため、加熱
コイル３８ａはできるだけチップ３６ａの先端に　近い
位置巻き回して先端部にコイル３８ａからの磁束が集中
するようにするのが望ましい。

前記中継ボックス４０は高周波電力供給回路４２の前記
トランス４８の二次側を接続するためのコネクター１０
０、および前記各加熱コイル３８ａ〜３８ｄをｓｐする
たメノコ＊’）９−１０１．　１０２．　１０３．　１
０４を備えている。コネクター１（１１，１０２，１０
３゜１０４は互いに直列にコネクター１００に接続され
ている。跨ぐように（並列に）ゲートバランス調整用回
路を接続するためのゲートバランス調整用コネクター１
１１．　１１２．　１１３．　１１４が接続されている
。このゲートバランス調整用コネクター１１１〜１１４
に適宜ゲートバランス調整用回路を接続することによっ
て僧々のチップ３６ａ〜３６ｄの温度を制褥することが
できる。第１図にはゲートバランス調整用コネクター１
１１．　１１３を介して加熱コイル３８ａ　、　３８ｃ
にそれぞれ並列にコンデンサー１０５を接続した例が示
されている。この場合、加熱コイル３８ａ　、　３８ｃ
が巻かれているチップ３８ａ　、　３８ｃの温度が上昇
し、他の加熱コイル３８ｂ　、　３８ｄが巻かれている
チップ３６ｂ　、　３６ｄの温度が下がる。ゲートバラ
ンス調整用回路としてコンデンサーの替りにコイルもし
くは抵抗を使用すると、加熱コイル３８ａ　、　３８ｃ
が巻かれているチップ３６ａ　、　３６ｄの温度が下が
り、他の加熱コイル３８ｂ　、　３８ｄが巻かれている
チップ３６ｂ　、　３８ｄの温度が上がる。すなわち、
コンデンサー、コイル、抵抗等のゲートバランス調整用
回路を加熱コイルに選択的に並列に接続することによっ
て、各加熱コイルへの電力の供給の配分を変えることが
でき、それによって直列に接続された複数の加熱コイル
３８ａ〜３８ｄによって発熱せしめられるチップ３６ａ
〜３６ｄの温度を別々に上下せしめられることができる
のである。つまり、何らかの要因によって温度が下がり
易いチップに巻かれている加熱コイルに他の加熱コイル
よりも大きな電力が供給されるように対応するゲートバ
ランス！ＩＩ！１用コネクターにコンデンサーを接続し
てもよいし、逆に何らかの要因によって１度が他よりも
上がり易いチップに巻かれている加熱コイルに供給され
る電力が他の加熱コイルに供給される電力よりも小さく
なるように、その加熱コイルに対応するゲートバランス
調整用コネクターにコイルまたは抵抗を接続してもよい
、もちろん、コンデンサー、コイル、抵抗を適当に岨み
合わせて使用しても差し支えない、しかしながら、ゲー
トバランス調整用回路として抵抗を使用すると、電力損
が生じ、その点では他の２者の方が望ましい、言うまで
もなく、ゲートバランス調整用回路の作用はその素子の
値が大きい程大きい、したがってオペレーターが温度表
示を見たり、各ゲート孔での樹脂の状態を見たりして、
適当な値の素子を適当なゲートバランス調整用コネクタ
ーに接続するようにしてもよいし、予め異なる値の複数
のゲートバランス調整用回路を各加熱コイル毎に切換自
在に設けておき、チップ間の温度差に応じて適当な値の
素子を選択して接続するようにしてもよい。

さらに第５図に示すようにその切換を制御回路６２の制
御の下に自動的に行なうようにしてもよい。

すなわち第５図に示す中継ボックス４０ａにおいて各ゲ
ートバランス調整用コネクターは６つの固定接点とその
６つの固定接点のうち１つに選択的に接触せしめられる
１つの可動接点とを備えたリレー　１２１．　１２２．
　１２３．　１２４からなっている。各リレー１２１〜
１２４の６つの接点のうち５つにはそれぞれ値の異なる
コンデンサーが接続されており、残りの１つの接点はオ
ープンになっている。各リレー１２１〜１２４は前記制
御回路６２によって！１Ｉ１１８Ｃされるリレー駆動回
路１２５によって駆動されるようになっている。制御面
８８２は前記熱電対５４＆〜Ｓ４ｄから入力される４つ
のチップ３８ａ〜３６ｄの１度のバラツキに応じてリレ
ー１２１〜１２４を選択的に駆動して所望の値のコンデ
ンサーを対応する加熱コイル３８ａ〜３８ｄに並列に接
続するようにリレー駆動回路１２５を制御する。

なお、金型内に通されるリード線は実用１余り太くする
ことはできないが、電力供給回路からコイルまでの線路
の表皮効果を含めた抵抗ロスをできるだけ小さくするた
めに中継ボックス４０までのラインにはできるだけ高周
波抵抗の小さい太い導線を使用し、中継ボックス４０は
できるだけ金型に近い位置に配するのが望ましい。

さらに、加熱コイルの高温化を防止するようにした本発
明の他の実施例に係るチップ濁りの構造の例を第９ＥＩ
ｌに示す、この図の実施例においては、チップ３６ｍは
上端にフランジ部９３を有し、二のフランジ部ｑ３より
下側の円筒部の外面９４と加熱コイル３８ａとの間に犀
さ約１−程度の空気が充満した空気断熱層８２が成形さ
れている。この加熱コイル３８ｍは二の状態のまま充填
材９１を介してケース８６にし持され、ケース８６の外
面はキャビティプレート２６と接触している。

本実施例では、２重豐きにした例を説明したが、この重
ね巻きに関しては、使用するチップの形などにより３重
巻き、４重巻きでもよい。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の一実施例の射出成形装置を示す概略図
、 第２図は第１図の装置の一部を詳細に示す断面図、 第３図は加熱コイルの巻き方の他の例を示す図、第４１
！ｉはノズル本体の温度分布を示すグラフ第５図は第１
図の装置の変更例を示す図、第６図は第１図の装置の制
御回路の作用の一部を説明するためのフローチャート、 Ｌ２ａ〜１２ｄ、・・・キャビティ ３２ａ〜３２ｄ・・・ゲート孔 ３８ａ　〜３８ｄ　・＝チ　ッ　プ ３８ａ〜３８ｄ・・・加熱コイル ４２・・・・・・・・・・・・・・・高周波電力供給回
路４５・・・・・・・・・・・・・・・５ＳＲ５２・・
・・・・・・・・・・・・・温度制御回路３８ａ〜３８
ｄ・・・熱電対 ８６・・・・・・・・・・・・・・・ケ　−　ス９１・
・・・・・・・・・・・・・・充填材　・９２・・・・
・・・・・・・・・・・空気断熱層１００〜１０４・・
・コネクター １０５・・・・・・・・・・・・コンデンサー１１１〜
１１４・・・ゲートバランス調整用コネクター１２１〜
１２４・・・リ　　レー 第１図 ・　　ゝ５２ ＝９４ ８２ａ　　８０ 第２図 第３図 第５図

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. （１）固定側ハーフと移動側ハーフとからなり、両ハー
   フを閉じたときに形成される複数のキャビティと、その
   各キャビティと成形機のノズルとを接続し、各キャビテ
   ィに開口したゲート孔から各キャビティ内に溶融した樹
   脂を供給する樹脂通路とを備えた金型、および、その金
   型の樹脂通路を加熱してその樹脂通路内の樹脂を溶融状
   態に保つ加熱手段、からなるホットランナー式射出成形
   装置において、 前記樹脂通路の少なくともゲート近傍の部分が、高周波
   誘導加熱で加熱し得る材料で形成されたパイプ状部材に
   よつて形成されており、前記パイプ状部材の周囲に高周
   波誘導加熱コイルを備えており、前記高周波誘導加熱コ
   イルを前記パイプ状部材の先端部のみ多重に巻回したコ
   イル構造としたことを特徴とする成形装置。
2. （２）前記多重に巻回したコイルが、前記パイプ状部材
   の外表面の近傍に巻回された一重目のコイルと、前記一
   重目のコイルより巻回数を少なくした二重目のコイルを
   、前記パイプ状部材のゲート近傍に配置したことを特徴
   とする特許請求範囲第１項記載の成形装置。