JPH04307797A - 多層セラミック回路基板の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は多層セラミック回路基板
の製造方法に関し、詳しくはアルミナセラミックスを絶
縁体としかつ高融点金属層を内部導体として構成した多
層配線基板上に銅厚膜導体、さらに必要に応じて抵抗体
および保護体を形成して成る多層セラミック回路基板の
製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】電子回路の小型化、高機能化等に伴って
、混成厚膜集積回路基板（以下、ＨＩＣ基板という）の
さらなる高密度化が望まれている。この要求に答えるも
のとして、タングステン、モリブデン等の高融点金属層
を内部導体としかつアルミナ等を絶縁体として成る同時
焼成多層配線基板上に、銅厚膜導体を形成する多層セラ
ミック回路基板が有望である。すなわち、銅厚膜導体は
マイグレーションが起き難く、しかも導電率が高い為、
細い線を用いた間隔の狭い配線が可能となるからである
。

【０００３】また最近は、銅厚膜システムに有用な、非
酸化性雰囲気中で焼成して抵抗体を形成できる抵抗体ペ
ーストの改良も進み、印刷法に依る抵抗体の形成も実用
レベルに達している。この為、デジタル回路とアナログ
回路を混在させた高機能のＨＩＣ基板にも高信頼性でか
つ高機能の銅厚膜システムの応用が可能となり、ますま
す、多層配線基板上に銅厚膜導体を形成した多層セラミ
ック回路基板に対する必要性が増している。

【０００４】ところが、タングステン、モリブデン等の
高融点金属と銅とは金属としての特性が異なっており、
長期間にわたって基板の信頼性を維持するためにはこれ
らの接続方法が重要である。例えば、最も単純な方法と
して、内部導体上に直接銅厚膜導体ペーストを印刷し、
非酸化性雰囲気中で焼付けを行なう方法があるが、この
方法では内部導体と銅厚膜導体を電気的にも機械的にも
安定した状態に接続することは難しい。

【０００５】そのため、高融点金属層を内部導体とする
多層配線基板上に、内部導体と電気的かつ機械的に安定
して接続されるように銅厚膜導体を形成する方法が従来
から検討されている。

【０００６】例えば、特公昭６３−４２８７９号公報に
於いては、高融点金属からなる内部導体上にニッケル、
コバルトあるいは銅等の導伝性金属よりなるメッキ層を
設けた後にそのメッキ層を還元性雰囲気で熱処理し、そ
の上に銅厚膜導体を形成する方法が開示されている。と
ころで従来は、高融点金属上にニッケル等のメッキを施
す場合は、鉄や真鍮等の金属上の場合と異なり、上記内
部導体とメッキ層とを確実に密着させかつメッキ層中の
応力を除去して密着性の信頼性を上げるためには上記熱
処理を６００〜１０００℃程度で行なう必要があるとさ
れており、上記の方法においても６５０〜１０００℃程
度で熱処理されていた。実際、例えばタングステン上に
ニッケルメッキを施す場合、熱処理を行なわないと５ｋ
ｇ／ｍｍ２程度である引っ張り強度が、６５０〜１００
０℃程度で熱処理すると１０ｋｇ／ｍｍ２以上の引っ張
り強度となって、タングステンとニッケルメッキとの界
面の充分な接続強度が得られることが知られている。し
かし上記方法によって得た多層配線基板は、上記メッキ
層と銅厚膜導体との界面において充分な接続強度が得ら
れず、また銅厚膜の種類によってはメッキ層と銅厚膜導
体との接続部の抵抗が上昇するという課題を有するもの
であった。

【０００７】また、特開昭５９−１５５９９５号公報に
於いては、モリブデン、タングステン等の内部導体上に
ニッケルメッキを施した後、さらにニッケルペーストを
印刷、焼付けた上に、銅厚膜導体を印刷、焼付けする方
法が提案されている。さらにまた、タングステン内部導
体上にニッケルメッキを施した後、更に銅メッキを施し
た上に、銅ペーストを印刷、焼付けする方法も提案され
ている。しかしながら、どちらの方法も工程として湿式
のメッキ工程を含み、かつ２以上の工程が必要な事から
製造工程が煩雑であった。さらに上記の方法は、メッキ
と表層銅導体またはニッケルペースト層が銅厚膜導体形
成工程に於ける非酸化性雰囲気中での焼成の際に熱応力
で剥がれ易くなるという課題を有するものであった。

【０００８】特に、銅厚膜導体を表層に有し、さらに抵
抗体を具備する高機能の多層セラミック回路基板を得る
場合、銅厚膜導体の焼成および抵抗体の焼成の少なくと
も２回、非酸化性雰囲気下で焼成を行なう必要があり、
内部導体と銅厚膜導体の機械的、電気的接続がかかる焼
成工程後も安定していることが必要である。しかしなが
ら従来の方法は、内部導体と銅厚膜導体の接続の安定性
および工程の簡素化という点で不充分であり、より安定
な電気的および機械的接続が得られ、しかも簡素な工程
で安価に多層セラミック回路基板を製造できる方法が必
要とされている。

【０００９】

【発明が解決しようとする課題】本発明は上記従来技術
の有する課題に鑑みて成されたものであり、内部導体と
銅厚膜導体の電気的および機械的な接続が優れかつ安価
に多層セラミック回路基板を製造することができる方法
を提供することを目的とするものである。

【００１０】

【課題を解決するための手段】本発明者らは上記目的を
達成すべく種々検討した結果、内部導体である高融点金
属上にホウ素系ニッケルメッキを施してメッキ層を形成
し、続いて４５０℃以下の温度で熱処理した後に、ある
いは該熱処理をすることなく、該メッキ層上に銅厚膜ペ
ーストを印刷後焼成することによって上記目的が達成さ
れることを見出し、本発明を完成するに至った。

【００１１】すなわち、本発明の多層セラミック回路基
板の製造方法は、アルミナセラミックスを絶縁体としか
つ高融点金属層を内部導体として構成した多層配線基板
上に、該高融点金属層と導通させて銅厚膜導体を形成す
る多層セラミック回路基板の製造方法において、該多層
配線基板における高融点金属層の露出面上にホウ素系ニ
ッケルメッキを施してメッキ層を形成し、続いて還元性
雰囲気中で４５０℃以下の温度で熱処理した後に、ある
いは該熱処理をすることなく、該メッキ層上に銅厚膜ペ
ーストを印刷後非酸化性雰囲気下で焼成して前記銅厚膜
導体を形成することを特徴とする方法である。

【００１２】本発明の製造方法においては、メッキ層を
従来のように６５０〜１０００℃程度で熱処理すること
なく、還元性雰囲気中で４５０℃以下の温度で熱処理す
るにとどめるか、あるいは該熱処理をせずに、該メッキ
層上に銅厚膜ペーストを印刷する必要がある。メッキ層
を４５０℃超の温度熱処理すると、メッキ層と銅厚膜導
体との接合が不充分となって機械的接合強度が低下し、
また銅厚膜の種類によっては電気的な接合が不良となっ
て接続抵抗が上昇する。

【００１３】また、本発明の製造方法においてはホウ素
系ニッケルメッキを使用する必要があり、好ましくはニ
ッケル中にホウ素が０．１〜１０重量％含有されるホウ
素系ニッケル化学メッキである。ホウ素系ニッケルメッ
キを使用しないと、高融点金属層とメッキ層と銅厚膜導
体との充分な機械的並びに電気的な接合を良好に得るこ
とができない。例えば、リン系ニッケルメッキは、通常
Ｎｉ−Ｐ合金の融点は９００℃以下であり、後の銅厚膜
導体の形成時に溶融するので安定な製造が難しく、適切
ではない。また、電解ニッケルメッキは、内部導体に通
電用の導体を形成する必要があり、多層基板の高密度化
が図れないので不適である。

【００１４】次に、本発明の多層セラミック回路基板の
製造方法を図面に基づいてより詳細に説明する。

【００１５】図１は本発明の多層セラミック回路基板の
一例を示す模式縦断面図である。

【００１６】図１において、１はアルミナグリーンシー
ト（アルミナセラミックス；絶縁体）、２は高融点金属
ペースト（高融点金属層；内部導体）、３は層間接続用
の穴、４は積層体（多層配線基板）、５は高融点金属層
の露出面、６はメッキ層、７は銅厚膜ペースト層（銅厚
膜導体）、８は抵抗体ペースト層（抵抗体）、９は保護
体ペースト層（保護体）をそれぞれ示す。なお、上記カ
ッコ内は焼成後の名称である。

【００１７】本発明の多層セラミック回路基板に使用す
る多層配線基板は、アルミナセラミックスを絶縁体とし
かつ高融点金属層を内部導体として構成したものであれ
ば特に制限されないが、その一般的な製造方法について
先ず説明する。

【００１８】先ず、通常のアルミナグリーンシート１に
、層間の接続をするためにタングステン、モリブデン等
の高融点金属ペースト２を充填するための１００〜５０
０μｍ程度の直径の穴３を開ける。このようなアルミナ
グリーンシート１を必要な層数分用意する。

【００１９】次に、穴３にタングステン、モリブデン等
の高融点金属ペースト２を充填するように印刷し、更に
アルミナグリーンシート１上に高融点金属ペースト２を
所望の導体パターンとなるように印刷する。このように
穴詰めおよび導体印刷を施した必要層数のアルミナグリ
ーンシート１を整合するように重ね合わせて積層体４を
得る。

【００２０】この積層体４を金型（図示せず）に入れ、
２０〜３００ｋｇ／ｃｍ２の圧力で５０〜１５０℃の温
度で０．５〜６０分間加圧すると、アルミナグリーンシ
ート１は互いに融着され、一体化する。

【００２１】続いて、一体化したアルミナグリーンシー
ト１の積層体４を還元性雰囲気中で焼成し、内部で互い
に接続された多層の導体（内部導体）２を有する多層配
線基板４を得る。

【００２２】次に、上記多層配線基板上に本発明に係る
メッキ層を形成する好ましい方法について説明する。

【００２３】先ず、多層配線基板４における高融点金属
層の露出面５上に、ホウ素系ニッケル化学メッキ液を用
いて５５〜７０℃で１０〜６０分間メッキを施す。これ
により、高融点金属層の露出面５上に選択的にホウ素系
ニッケルメッキ層６が得られる。ニッケルメッキ層６の
厚さは３〜８μｍが好ましい。なお、上記メッキの前処
理方法等は特に制限されず、公知の方法で良い。

【００２４】次に、上記メッキ層６を形成した多層配線
基板４を水洗し、必要に応じて極性溶剤（アルコール、
アセトン等）で水を置換し、約１００〜１５０℃で乾燥
する。その際、乾燥温度が高いとニッケルが酸化するの
で、効果的に乾燥できる範囲でできるだけ低い方が好ま
しい。

【００２５】続いて、本発明においては、メッキ層６を
形成した多層配線基板４を還元性雰囲気中で４５０℃以
下の温度で熱処理した後、あるいはかかる熱処理をする
ことなく、メッキ層６上に銅厚膜ペースト７を印刷する
。前記還元性雰囲気としては、窒素ガス等の不活性ガス
と水素ガスとの混合ガスでかつ乾燥した雰囲気が好まし
く、窒素ガスに対する水素ガスの体積比が０．１≦（水
素ガス／窒素ガス）≦３である窒素ガスと水素ガスとの
混合ガス雰囲気が特に好ましい。

【００２６】次いで、本発明においては、銅厚膜ペース
ト７を印刷した多層配線基板４を非酸化性雰囲気下で焼
成して銅厚膜導体７を得る。上記焼成温度は６００〜１
０００℃が好ましく、特に好ましくは８５０〜９５０℃
である。上記温度範囲外では、高融点金属層とメッキ層
と銅厚膜導体との充分な機械的並びに電気的な接合が得
られない。

【００２７】さらに、本発明の多層セラミック回路基板
にあっては、より高機能化するために上記銅厚膜導体７
を形成した後にさらに抵抗体８および保護体９が必要に
応じて好ましく形成される。抵抗体８および保護体９の
形成方法は特に制限されないが、抵抗体ペースト８を印
刷して非酸化性雰囲気中で焼成し、続いて保護体ペース
ト９を印刷して非酸化性雰囲気中で焼成あるいは硬化さ
せる方法が好ましい。

【００２８】具体的には、抵抗体ペーストとしてはラン
タンホウ化物系ペーストまたは酸化スズ系ペーストが好
ましく用いられ、その焼成温度は通常約９００℃である
。また、保護体ペーストとしては低融点ガラスペースト
または樹脂が好ましく用いられ、低融点ガラスペースト
の場合は非酸化性雰囲気中で５００〜７００℃程度の温
度で焼成され、一方樹脂の場合は８０〜１８０℃で硬化
させるか、あるいは紫外線硬化させる。

【００２９】このような製造方法によると、本発明の多
層セラミック回路基板が簡便な工程でかつ安価に製造さ
れる。

【００３０】

【実施例】以下、実施例および比較例に基づいて本発明
をさらに詳しく説明する。

【００３１】実施例１〜１２および比較例１〜５（ピー
リング強度測定試験）図２（ａ）〜（ｃ）はピーリング
強度の評価方法を説明するための補助図面であり、（ａ
）は測定用パターンの縦断面図、（ｂ）は測定用パター
ンの平面図、（ｃ）は測定用パターンにリード線を半田
付けした状態を示す斜視図である。図２中、１０は半田
、１１は錫メッキ銅線、矢線１２は測定の際の引っ張り
方向を示し、他の記号は図１中の記号と同じ物をそれぞ
れ示す。

【００３２】アルミナ（Ａｌ２Ｏ３）を９４重量％およ
びＭｇＯ、ＣａＯ、ＳｉＯ２からなるフラックス成分を
６重量％含有する無機成分と、ポリビニルブチラール（
バインダー）、ジオクチルフタレート（可塑剤）、ソル
ビタントリオレエート（分散剤）からなる有機成分と、
エタノール・トルエン混合溶剤とを混練してスラリーと
し、そのスラリーを用いてドクターブレード法でキャリ
アフィルム上に厚さ約０．８ｍｍのアルミナグリーンシ
ート１を形成した。

【００３３】次に、粒径１〜５μｍのタングステン金属
粉末とエチルセルロース、ターピネオール等を主成分と
したビヒクルとから高融点金属ペースト２を調製し、ア
ルミナグリーンシート１上にスクリーン印刷法で高融点
金属ペースト層２を印刷し、乾燥後、水素ガス：窒素ガ
スの体積比が１：３程度でかつ露点が４０℃の還元性雰
囲気中において約１５５０℃で焼成して高融点金属層２
付のアルミナセラミック基板１を得た。

【００３４】続いて、基板１に公知のニッケル化学メッ
キ用の前処理（酸洗、アルカリ脱脂、活性化等）を施し
た後に、市販のニッケル化学メッキ液（日本カニゼン株
式会社製、ＳＢ−５５）を用いて高融点金属層２上に表
１に示す厚さのホウ素系ニッケル化学メッキ６を施した
。

【００３５】次に、メッキ層６を形成した基板１を市水
で充分に洗浄した後、１００℃のオーブンで１０分間乾
燥した。さらに、実施例７〜１２および比較例１〜５に
おいては、メッキ層６を形成した基板１を水素ガス：窒
素ガスの体積比が１：３程度の乾燥した還元性雰囲気中
において表１に示す温度で約１０分間熱処理した。

【００３６】このようにして処理したメッキ層６の上に
、表１に示す銅厚膜ペースト７（デュポン社製、ＱＰ１
５３銅ペーストまたは＃９９２２銅ペースト）を乾燥後
の厚さが約２５μｍとなるようにスクリーン印刷法で印
刷し、乾燥後、非酸化性雰囲気中において９００℃で焼
成して銅厚膜導体層７を焼付けた。

【００３７】続いて、メッキ層６および銅厚膜導体層７
を具備する基板１を抵抗体焼成用の約９００℃の非酸化
性雰囲気の炉を通し、抵抗体の焼付けの際の熱履歴を与
えた。そして、保護体としてのガラス焼成の際の熱履歴
にかえて、上記条件の熱履歴をもう一度与えた。

【００３８】このようにして得られた基板１の銅厚膜導
体層７上に、図２（ｃ）に示すように、Ｓｎ６２重量％
、Ｐｂ３６重量％、Ａｇ２重量％からなる半田１０を用
いて０．６ｍｍφの錫メッキ銅線１１を半田付けし、ピ
ーリング強度測定用の試料を作成した。

【００３９】各試料に関して公知の方法でピーリング強
度を測定した。その結果を表１に示す。また、ピーリン
グ強度測定の際の剥離面を同表に示す。

【００４０】（接続抵抗測定試験）図３（ａ）〜（ｃ）
は高融点金属層と銅厚膜導体の接続抵抗と高融点金属ピ
アの抵抗との直列合成抵抗値を測定する方法を説明する
ための補助図面であり、（ａ）は測定用パターンの縦断
面図、（ｂ）は測定用パターンの平面図、（ｃ）は測定
用パターンの透視斜視図である。図３中、１ａは上層の
アルミナグリーンシート、１ｂは下層のアルミナグリー
ンシート、矢線１３は電流の流れる方向を示し、他の記
号は図１中の記号と同じ物をそれぞれ示す。また、Ａ〜
Ｆは接続抵抗測定を説明するために高融点金属層または
銅厚膜導体層の部位を示すために付した記号である。

【００４１】上記ピーリング強度測定試験の際と同様の
スラリーを用いてドクターブレード法でキャリアフィル
ム上に厚さ約０．３１ｍｍのアルミナグリーンシートを
２枚形成した。

【００４２】この一方のアルミナグリーンシートの所定
の位置に生で０．２０ｍｍφの穴３を開け、これにスク
リーン印刷法で下記の高融点金属ペースト２を詰めた。 このとき、図３のパターン１組のみではグリーンシート
が小さいので、同一パターンを複数配置するようにした
。また、高融点金属ペースト２としては、粒径１〜５μ
ｍのタングステン金属粉末とアクリル系樹脂、ターピネ
オール等を主成分としたビヒクルとから調製したものを
使用した。そしてさらに、上記ピーリング強度測定試験
の際と同様の高融点金属ペースト２を用いて上記アルミ
ナグリーンシートに図３の試料を作成すべくパターンを
印刷し、上層のアルミナグリーンシート１ａとした。

【００４３】また、他方のアルミナグリーンシートに、
上記の高融点金属ペースト２を用いて図３の試料を作成
すべくパターンの印刷のみを行ない、下層のアルミナグ
リーンシート１ｂとした。

【００４４】この上層と下層の２枚のアルミナグリーン
シート１ａ，１ｂをパターンが図３の試料となるように
整合させて重ね合わせた後、金型（図示せず）にセット
して約１００ｋｇ／ｃｍ２の圧力下で約１２０℃の温度
で約１分間加圧し、上層と下層の高融点金属導体２を接
続すべくアルミナグリーンシート１ａ，１ｂを圧着した
。得られた生の積層体４を上記ピーリング強度測定試験
の際と同様の条件で焼成して高融点金属層２付の多層配
線基板４を得た。

【００４５】この基板４における高融点金属層２の露出
面５上に、上記ピーリング強度測定試験の際と同様にし
てメッキ層６を作成し、続いて銅厚膜導体層７を焼付け
、さらに熱履歴を２回与えて接続抵抗測定用の試料を作
成した。

【００４６】このようにして得られた各試料に関して下
記の方法で接続抵抗を測定した。すなわち、図３の矢線
１３に示す如く、ＡパッドからＢ１　パッドへ向けて１
アンペアの電流を流し、ＣパッドのＢ２　パッドに対す
る電圧をデジタルボルトメーター１４で測定した。この
試料では、図３におけるＤ−Ｅ−Ｃの経路には電流が流
れないので、Ｄ−Ｂ間に発生する電圧降下のみが測定さ
れ、殆どＦの部位の高融点金属ビアとメッキ層との抵抗
の直列合成値のみが測定される。なお上記測定は室温が
２３±２℃にて行なった。その結果を表１に示す。

【００４７】

【表１】 表１に示された結果から明らかなように、メッキ層を４
５０℃以下の温度で熱処理するかあるいは熱処理をする
ことなく、該メッキ層上に銅厚膜ペーストを印刷・焼成
する本発明の方法によって形成した多層セラミック回路
基板（実施例１〜１２）は、高融点金属と表層の銅厚膜
導体との接合、特にメッキ層と銅厚膜導体との接合が機
械的にも電気的にも良好な特性を有するものであった。

【００４８】これに対して、メッキ層を４５０℃超の温
度で熱処理した後に銅厚膜ペーストを印刷・焼成した多
層セラミック回路基板（比較例１〜５）は、メッキ層と
銅厚膜導体との界面において充分な接続強度が得られず
、また銅厚膜の種類によってはメッキ層と銅厚膜導体と
の接続部の抵抗が高いものであり、実用には供し得ない
。

【００４９】実施例１３ 図１と同じ構造を持つ、タングステン内部導体２を有す
る９４重量％アルミナ多層配線基板４（３５ｍｍ×５２
ｍｍ×０．７５ｍｍ（ｔ））を上記接続抵抗測定試験の
際と同様の要領で作成し、実施例２と同様にしてホウ素
系ニッケル化学メッキ６を基板４における内部導体（タ
ングステンビア）２の露出面５上に施してメッキ層６を
形成した。

【００５０】次いで、基板４を１００℃のオーブンで乾
燥した後に、銅厚膜ペースト７（デュポン社製、ＱＰ１
５３銅ペースト）を用いて実施例２と同様にして銅厚膜
導体７を基板４上に形成し、さらに抵抗体ペースト８（
デュポン社製、６４００シリーズ）を用いて公知の方法
で抵抗体８を作成した。またさらに、基板４上に紫外線
硬化型の樹脂を用いて保護体９を作成した。

【００５１】このようにして形成した多層セラミック回
路基板は、高融点金属と表層の銅厚膜導体との接合、特
にメッキ層と銅厚膜導体との接合が機械的にも電気的に
も良好な特性を有するものであった。

【００５２】なお、上記実施例では、各絶縁層にアルミ
ナグリーンシートを用い、このシートを貫通する高融点
金属の層間接続導体を有しかつそのシートを必要な層数
分熱圧着積層した後に、還元性雰囲気で基板焼成を行な
う方式のものを例に掲げたが、本発明の主旨は高融点金
属と銅厚膜導体との接合手法にあり、多層配線基板の形
成方法を限定するものではない。

【００５３】例えば、アルミナグリーンシートに、導体
として高融点金属ペーストを用いて導体を印刷し、この
上からアルミナグリーンシートと同じ無機成分から調製
したアルミナペーストを用いて絶縁層を印刷し、この絶
縁層の上に絶縁層に開いた導通用の穴を介して接続がと
れるように更に高融点金属導体を印刷形成し、更にアル
ミナ絶縁層を印刷するという工程を必要な層数分繰り返
した後、これを還元性雰囲気中で焼成して得た多層配線
基板に本発明を適用しても同様の効果が期待できる事は
明らかである。

【００５４】

【発明の効果】以上説明したように、メッキ層を４５０
℃以下の温度で熱処理するかあるいは熱処理をすること
なく、該メッキ層上に銅厚膜ペーストを印刷・焼成する
本発明の製造方法によると、高融点金属と銅厚膜導体と
の接合、特にメッキ層と銅厚膜導体との接合が電気的お
よび機械的に良好な多層セラミック回路基板を得ること
が可能である。

【００５５】また、本発明の多層セラミック回路基板の
製造方法によると、高融点金属と銅厚膜導体との間に一
層のメッキ層を設けるだけで良いので、高品質の多層セ
ラミック回路基板を簡便な工程でかつ安価に、しかも効
率よく製造できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の多層セラミック回路基板の一例を示す
模式縦断面図である。

【図２】（ａ）はピーリング強度測定用パターンの縦断
面図、（ｂ）はピーリング強度測定用パターンの平面図
、（ｃ）はピーリング強度測定用パターンにリード線を
付けた状態を示す斜視図である。

【図３】（ａ）は接続抵抗測定用パターンの縦断面図、
（ｂ）は接続抵抗測定用パターンの平面図、（ｃ）は接
続抵抗測定用パターンの透視斜視図である。

【符号の説明】

１　　アルミナグリーンシート（アルミナセラミックス
；絶縁体） ２　　高融点金属ペースト（高融点金属層；内部導体）
３　　層間接続用の穴 ４　　積層体（多層配線基板） ５　　高融点金属層の露出面 ６　　メッキ層 ７　　銅厚膜ペースト層（銅厚膜導体）８　　抵抗体ペ
ースト層（抵抗体） ９　　保護体ペースト層（保護体）

Claims (9)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】　　アルミナセラミックスを絶縁体としか
   つ高融点金属層を内部導体として構成した多層配線基板
   上に、該高融点金属層と導通させて銅厚膜導体を形成す
   る多層セラミック回路基板の製造方法において、該多層
   配線基板における高融点金属層の露出面上にホウ素系ニ
   ッケルメッキを施してメッキ層を形成し、続いて還元性
   雰囲気中で４５０℃以下の温度で熱処理した後に、該メ
   ッキ層上に銅厚膜ペーストを印刷後非酸化性雰囲気下で
   焼成して前記銅厚膜導体を形成することを特徴とする、
   前記多層セラミック回路基板の製造方法。
2. 【請求項２】　　前記ホウ素系ニッケルメッキが、ニッ
   ケル中にホウ素が０．１〜１０重量％含有されるホウ素
   系ニッケル化学メッキであり、メッキ厚が３〜８μｍで
   あることを特徴とする、請求項１に記載の製造方法。
3. 【請求項３】　　前記還元性雰囲気が、窒素ガスに対す
   る水素ガスの体積比が０．１≦（水素ガス／窒素ガス）
   ≦３である窒素ガスと水素ガスとの混合ガス雰囲気であ
   ることを特徴とする、請求項１または２に記載の製造方
   法。
4. 【請求項４】　　前記非酸化性雰囲気下における焼成温
   度が６００〜１０００℃であることを特徴とする、請求
   項１〜３のうちのいずれかに記載の製造方法。
5. 【請求項５】　　前記銅厚膜導体を形成後、さらに抵抗
   体および保護体を順次形成することを特徴とする、請求
   項１〜４のうちのいずれかに記載の製造方法。
6. 【請求項６】　　アルミナセラミックスを絶縁体としか
   つ高融点金属層を内部導体として構成した多層配線基板
   上に、該高融点金属層と導通させて銅厚膜導体を形成す
   る多層セラミック回路基板の製造方法において、該多層
   配線基板における高融点金属層の露出面上にホウ素系ニ
   ッケルメッキを施してメッキ層を形成し、続いて熱処理
   をすることなく該メッキ層上に銅厚膜ペーストを印刷後
   非酸化性雰囲気下で焼成して前記銅厚膜導体を形成する
   ことを特徴とする、前記多層セラミック回路基板の製造
   方法。
7. 【請求項７】　　前記ホウ素系ニッケルメッキが、ニッ
   ケル中にホウ素が０．１〜１０重量％含有されるホウ素
   系ニッケル化学メッキであり、メッキ厚が３〜８μｍで
   あることを特徴とする、請求項６に記載の製造方法。
8. 【請求項８】　　前記非酸化性雰囲気下における焼成温
   度が６００〜１０００℃であることを特徴とする、請求
   項６または７に記載の製造方法。
9. 【請求項９】　　前記銅厚膜導体を形成後、さらに抵抗
   体および保護体を順次形成することを特徴とする、請求
   項６〜８のうちのいずれかに記載の製造方法。